JPS6197860U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6197860U JPS6197860U JP18314284U JP18314284U JPS6197860U JP S6197860 U JPS6197860 U JP S6197860U JP 18314284 U JP18314284 U JP 18314284U JP 18314284 U JP18314284 U JP 18314284U JP S6197860 U JPS6197860 U JP S6197860U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffusion layer
- impurity diffusion
- conductivity type
- concentration impurity
- low concentration
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図は、本考案の半導体装置の概略断面図、
第２図ないし第７図は、実施例を製造工程に従つ
て示す概略断面図である。 １…ｎ型基板、２…ｐウエル領域、３…低濃度
不純物拡散層、４…ゲート電極、７…高濃度不純
物拡散層、８，９…ｎチヤンネルＭＯＳトランジ
スタのソース、ドレイン領域、１０，１１…Ｐチ
ヤンネル／ＭＯＳトランジスタのソース、ドレイ
ン領域。
第２図ないし第７図は、実施例を製造工程に従つ
て示す概略断面図である。 １…ｎ型基板、２…ｐウエル領域、３…低濃度
不純物拡散層、４…ゲート電極、７…高濃度不純
物拡散層、８，９…ｎチヤンネルＭＯＳトランジ
スタのソース、ドレイン領域、１０，１１…Ｐチ
ヤンネル／ＭＯＳトランジスタのソース、ドレイ
ン領域。
Claims (1)
- 第一導電型半導体基板主面に臨み反対導電型の
不純物拡散により形成されるウエル領域の該基板
主面部分に低濃度不純物拡散層を形成し、該低濃
度不純物拡散層内に高濃度反対導電型不純物拡散
層を形成し、該高濃度反対導電型不純物拡散層内
に上記第一導電型のソース領域を、また、上記低
濃度不純物拡散層内に上記第一導電型のにドレイ
ン領域をそれぞれ形成して成る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18314284U JPS6197860U (ja) | 1984-12-04 | 1984-12-04 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18314284U JPS6197860U (ja) | 1984-12-04 | 1984-12-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6197860U true JPS6197860U (ja) | 1986-06-23 |
Family
ID=30740655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18314284U Pending JPS6197860U (ja) | 1984-12-04 | 1984-12-04 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6197860U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03129767A (ja) * | 1989-06-28 | 1991-06-03 | Nec Corp | 相補型電界効果トランジスタ |
-
1984
- 1984-12-04 JP JP18314284U patent/JPS6197860U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03129767A (ja) * | 1989-06-28 | 1991-06-03 | Nec Corp | 相補型電界効果トランジスタ |