JPS6338343U - - Google Patents

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JPS6338343U
JPS6338343U JP13053286U JP13053286U JPS6338343U JP S6338343 U JPS6338343 U JP S6338343U JP 13053286 U JP13053286 U JP 13053286U JP 13053286 U JP13053286 U JP 13053286U JP S6338343 U JPS6338343 U JP S6338343U
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JP
Japan
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gate electrode
oxide film
conductivity type
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semiconductor device
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案に係る半導体装置の一実施例を
示す断面図、第２図は上記第１図に示すゲート電
極の形成要領を説明するための断面図、第３図並
びに第４図は上記本考案に係る半導体装置におけ
るＬＤＤ構造のソース・ドレイン領域形成要領の
一例を示す各工程順の断面図、第５図並びに第６
図は上記本考案に係る半導体装置におけるＬＤＤ
構造のソース・ドレイン領域形成要領の他の一例
を示す各工程順の断面図である。第７図はＭＯＳ
型半導体装置の概略図、第８図は従来のソース・
ドレイン領域形成要領を示すＭＯＳ型半導体の断
面図、第９図並びに第１０図は従来のＬＤＤ構造
のソース・ドレイン領域形成要領の一例を示す各
工程順のＭＯＳ型半導体装置の断面図である。 ３０……シリコン基板〔一導電型半導体基板〕
、３２……ゲート酸化膜〔酸化膜〕、３３……ゲ
ート電極、５２，６２……ソース領域〔不純物拡
散領域〕、５３，６３……ドレイン領域〔不純物
拡散領域〕。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 一導電型半導体基板上の素子形成領域に、酸化
    膜を介してゲート電極を形成した後、上記ゲート
    電極をマスクとして上記素子形成領域に他導電型
    不純物を注入し、ゲート電極近傍に不純物拡散領
    域を形成してなる半導体装置において、 上記ゲート電極が、酸化膜に向けて幅狭となる
    逆台形状断面形状であることを特徴とする半導体
    装置。
JP13053286U 1986-08-27 1986-08-27 Pending JPS6338343U (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07115195A (ja) * 1993-10-14 1995-05-02 Nec Corp Ｍｏｓトランジスタ及びその製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58178567A (ja) * 1982-04-14 1983-10-19 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JPS5933880A (ja) * 1982-08-19 1984-02-23 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPS61150375A (ja) * 1984-12-25 1986-07-09 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法

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