JPS62188159U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS62188159U JPS62188159U JP7649486U JP7649486U JPS62188159U JP S62188159 U JPS62188159 U JP S62188159U JP 7649486 U JP7649486 U JP 7649486U JP 7649486 U JP7649486 U JP 7649486U JP S62188159 U JPS62188159 U JP S62188159U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- melting point
- gate electrode
- high melting
- point metal
- polysilicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Description
第１図は本考案の実施例を示すＭＯＳＦＥＴの
ゲートの断面図、第２図乃至第４図は本考案の他
の実施例を示すＭＯＳＦＥＴのゲートの形成工程
順の各断面図、第５図はＭＯＳＦＥＴの概略図、
第６図は第５図のＭＯＳＦＥＴの２層構造のゲー
トの断面図である。 １７，２４……半導体基板、１８，２５……ゲ
ート酸化膜、２０，２７……ゲート、２１，２８
……ポリシリコン、２２，２９……高融点金属又
はシリコン合金、２３、２８ｂ……剥離防止手段
。
ゲートの断面図、第２図乃至第４図は本考案の他
の実施例を示すＭＯＳＦＥＴのゲートの形成工程
順の各断面図、第５図はＭＯＳＦＥＴの概略図、
第６図は第５図のＭＯＳＦＥＴの２層構造のゲー
トの断面図である。 １７，２４……半導体基板、１８，２５……ゲ
ート酸化膜、２０，２７……ゲート、２１，２８
……ポリシリコン、２２，２９……高融点金属又
はシリコン合金、２３、２８ｂ……剥離防止手段
。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 一導電型半導体基板上の素子形成領域に酸化膜
を介して高融点金属又は高融点金属を主体とする
シリコン合金とポリシリコンとからなる上下２層
構造のゲート電極を形成すると共に上記半導体基
板の該ゲート電極近傍に他導電型不純物拡散領域
を形成した半導体装置において、 上記ゲート電極の上記高融点金属又はシリコン
合金とポリシリコンとの層界面に剥離防止手段を
設けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7649486U JPS62188159U (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7649486U JPS62188159U (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62188159U true JPS62188159U (ja) | 1987-11-30 |
Family
ID=30923624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7649486U Pending JPS62188159U (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62188159U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07235513A (ja) * | 1994-02-25 | 1995-09-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59220937A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS609160A (ja) * | 1983-06-28 | 1985-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPS6014475A (ja) * | 1983-07-05 | 1985-01-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS6024062A (ja) * | 1983-07-20 | 1985-02-06 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6032359A (ja) * | 1983-08-02 | 1985-02-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-05-21 JP JP7649486U patent/JPS62188159U/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59220937A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS609160A (ja) * | 1983-06-28 | 1985-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPS6014475A (ja) * | 1983-07-05 | 1985-01-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS6024062A (ja) * | 1983-07-20 | 1985-02-06 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6032359A (ja) * | 1983-08-02 | 1985-02-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07235513A (ja) * | 1994-02-25 | 1995-09-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |