JPS6014475A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6014475A JPS6014475A JP12292583A JP12292583A JPS6014475A JP S6014475 A JPS6014475 A JP S6014475A JP 12292583 A JP12292583 A JP 12292583A JP 12292583 A JP12292583 A JP 12292583A JP S6014475 A JPS6014475 A JP S6014475A
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- silicide film
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4916—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a silicon layer, e.g. polysilicon doped with boron, phosphorus or nitrogen
- H01L29/4925—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a silicon layer, e.g. polysilicon doped with boron, phosphorus or nitrogen with a multiple layer structure, e.g. several silicon layers with different crystal structure or grain arrangement
- H01L29/4933—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a silicon layer, e.g. polysilicon doped with boron, phosphorus or nitrogen with a multiple layer structure, e.g. several silicon layers with different crystal structure or grain arrangement with a silicide layer contacting the silicon layer, e.g. Polycide gate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体装置に係り、特に高融点金属とシリ
コンとの合金膜な安定した特性でゲート電極および配線
材料として用いることができるよう匠した半導体装置に
関するものである。
コンとの合金膜な安定した特性でゲート電極および配線
材料として用いることができるよう匠した半導体装置に
関するものである。
従来のこの種の装置の一例な第１図によって説明する。
第１図において、１は半導体基板、２は前記半導体基板
１上に形成されたシリコン酸化膜、３は前記シリコン酸
化膜２上に形成された多結晶−／ｌｌ＝＋ン膜、４は前
記多結晶シリコン膜３上に形成された高融点金属とシリ
コンとの合金膜（以下シリサイド膜という）、５は素子
分離用シリコン酸化膜である。
１上に形成されたシリコン酸化膜、３は前記シリコン酸
化膜２上に形成された多結晶−／ｌｌ＝＋ン膜、４は前
記多結晶シリコン膜３上に形成された高融点金属とシリ
コンとの合金膜（以下シリサイド膜という）、５は素子
分離用シリコン酸化膜である。
ゲート電極および配線材料として、低抵抗が実現できる
ためＫ、多結晶シリコン膜３とシリサイド膜４（主にモ
リブテンシリサイドまたはタングステンソリサイド）と
の二層構造が多く用いら４ている。
ためＫ、多結晶シリコン膜３とシリサイド膜４（主にモ
リブテンシリサイドまたはタングステンソリサイド）と
の二層構造が多く用いら４ている。
このようなシリサイド膜を用いて構成された従来の半導
体装置は、多結晶シリコン膜３とシリサイド膜４との密
着が悪く、また、半導体装置の製造後の経過に伴い、歪
みによる特性の劣化ｌ生じるなどの欠点があった。
体装置は、多結晶シリコン膜３とシリサイド膜４との密
着が悪く、また、半導体装置の製造後の経過に伴い、歪
みによる特性の劣化ｌ生じるなどの欠点があった。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、複数種類の高融点金属とシリコ
ンとでシリサイドＩｆｆ（’＜形成することにより多結
晶シリコン膜とシリサイド膜との密着性の向上および電
気的特性の安定化ン可能とする半導体装置な提供するこ
とを目的としている。
ためになされたもので、複数種類の高融点金属とシリコ
ンとでシリサイドＩｆｆ（’＜形成することにより多結
晶シリコン膜とシリサイド膜との密着性の向上および電
気的特性の安定化ン可能とする半導体装置な提供するこ
とを目的としている。
以下この発明の一実施例を第２図について説明する。
第２図において、６は第１図で説明したシリサｉ：′
イド膜、例えばモリブデンシリサイド膜またはタングス
テンシリサイド膜に他の高融点金属、例えばチタンを混
入させ合金としたこの発明によるソリサイド膜であり、
その他の符号は第１図と同じものを示す。
イド膜、例えばモリブデンシリサイド膜またはタングス
テンシリサイド膜に他の高融点金属、例えばチタンを混
入させ合金としたこの発明によるソリサイド膜であり、
その他の符号は第１図と同じものを示す。
従来σ）モリブデンシリサイド膜またはタングステン７
リサイド膜では、熱処理を施すと密着性が弱いことや熱
膨張率の違いから、ツリサイド膜のｆ−１Ｉれや内部応
力の増加や歪みの増加による電気的特性の劣化が生じた
が、この発明匠よるモリブデンシリサイド膜やタングス
テンシリサイド膜等のシリサイド膜を形成するときに、
同時に他の高融点金属（例えばチタン等）を含んだ状態
でシリサイド膜６１形成すると、モリブデンシリサイド
膜中のチタンシリサイド膜は、モリブデンシリサイド膜
のシリコンへの密着性を向上し、かつ、熱処理による内
部応力や歪みケ抑える働ぎン有する。
リサイド膜では、熱処理を施すと密着性が弱いことや熱
膨張率の違いから、ツリサイド膜のｆ−１Ｉれや内部応
力の増加や歪みの増加による電気的特性の劣化が生じた
が、この発明匠よるモリブデンシリサイド膜やタングス
テンシリサイド膜等のシリサイド膜を形成するときに、
同時に他の高融点金属（例えばチタン等）を含んだ状態
でシリサイド膜６１形成すると、モリブデンシリサイド
膜中のチタンシリサイド膜は、モリブデンシリサイド膜
のシリコンへの密着性を向上し、かつ、熱処理による内
部応力や歪みケ抑える働ぎン有する。
また、チタン！加えることにより、シリサイド膜６の抵
抗ｌ下げる働きを有する。
抗ｌ下げる働きを有する。
なお、上記実施例では、高融点金属としてチタンｌ混入
させたシリサイド膜６について説明したが、コバルト、
ニッケル等を混入させても同様の効果が得られる。
させたシリサイド膜６について説明したが、コバルト、
ニッケル等を混入させても同様の効果が得られる。
以上説明したように、この発明によれば、複数種妨の高
融点金属とシリコンとによりンリサイド膜ヲ形成したの
で、多結晶シリコン膜とシリサイド膜との密着性か向上
し、熱処理による内部応力や歪みケ低減し良好な半導体
装置が得ら」する効果がある。
融点金属とシリコンとによりンリサイド膜ヲ形成したの
で、多結晶シリコン膜とシリサイド膜との密着性か向上
し、熱処理による内部応力や歪みケ低減し良好な半導体
装置が得ら」する効果がある。
第１図は従来の半導体装置表示す断面図、第２図はこの
発明の一実施例欠示す半導体装置の断面図である。 国中、１は半導体基板、２はシリコン酸化膜。 ３は多結晶シリコン膜、５は素子分離用シリコン酸化膜
、６はシリサイド膜である。 代練人 大 岩 増 雄 （外２名２ 第１図 第２図 ｂ゛許庁長宮殿 １、事件の表示 賛願昭５８−１２２！１１２５号２、
発明の名称 半導体装置 ３、補正をする者 ５、補ｆの対象 明細書の発明の詳細な説明の４１￥１ ６、補止の内容 明細１））第２頁１０〜１１行の「半導体装置の製造後
の」を、「半導体装置の製ｊＸ５の」と補正する。 ↓ソ、」ニ
発明の一実施例欠示す半導体装置の断面図である。 国中、１は半導体基板、２はシリコン酸化膜。 ３は多結晶シリコン膜、５は素子分離用シリコン酸化膜
、６はシリサイド膜である。 代練人 大 岩 増 雄 （外２名２ 第１図 第２図 ｂ゛許庁長宮殿 １、事件の表示 賛願昭５８−１２２！１１２５号２、
発明の名称 半導体装置 ３、補正をする者 ５、補ｆの対象 明細書の発明の詳細な説明の４１￥１ ６、補止の内容 明細１））第２頁１０〜１１行の「半導体装置の製造後
の」を、「半導体装置の製ｊＸ５の」と補正する。 ↓ソ、」ニ
Claims (1)
- シリコン酸化膜または多結晶シリコン膜上に高融点金属
とシリコンとの合金膜が形成された半導体装置忙おいて
、前記合金膜ｌ複数種類の高融点金属とシリコンとで形
成したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12292583A JPS6014475A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12292583A JPS6014475A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6014475A true JPS6014475A (ja) | 1985-01-25 |
Family
ID=14847998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12292583A Pending JPS6014475A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6014475A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62188159U (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-30 | ||
| JPS63202043A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US4910578A (en) * | 1985-06-25 | 1990-03-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having a metal electrode interconnection film with two layers of silicide |
| US5510295A (en) * | 1993-10-29 | 1996-04-23 | International Business Machines Corporation | Method for lowering the phase transformation temperature of a metal silicide |
| US5828131A (en) * | 1993-10-29 | 1998-10-27 | International Business Machines Corporation | Low temperature formation of low resistivity titanium silicide |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS586172A (ja) * | 1981-07-03 | 1983-01-13 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1983
- 1983-07-05 JP JP12292583A patent/JPS6014475A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS586172A (ja) * | 1981-07-03 | 1983-01-13 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4910578A (en) * | 1985-06-25 | 1990-03-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having a metal electrode interconnection film with two layers of silicide |
| JPS62188159U (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-30 | ||
| JPS63202043A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5510295A (en) * | 1993-10-29 | 1996-04-23 | International Business Machines Corporation | Method for lowering the phase transformation temperature of a metal silicide |
| US5828131A (en) * | 1993-10-29 | 1998-10-27 | International Business Machines Corporation | Low temperature formation of low resistivity titanium silicide |
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