JPH0311736A - 集積回路の配線電極 - Google Patents
集積回路の配線電極Info
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- JPH0311736A JPH0311736A JP14771389A JP14771389A JPH0311736A JP H0311736 A JPH0311736 A JP H0311736A JP 14771389 A JP14771389 A JP 14771389A JP 14771389 A JP14771389 A JP 14771389A JP H0311736 A JPH0311736 A JP H0311736A
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- JP
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- electrode
- wiring
- resistance
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は集積回路の配線電極材料に関・する。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、上記従来技術によると、AtまたはAt合金に
よる配線電極は耐マイグレーション性かたと“えTi−
AtやWSi−Atの如(多層膜構造にしても充分でな
(、またWを配線電極に用いると耐マイグレーション性
は充分であるが、下地S10.膜等の絶縁膜との接着性
が悪いとい5課題があった。
よる配線電極は耐マイグレーション性かたと“えTi−
AtやWSi−Atの如(多層膜構造にしても充分でな
(、またWを配線電極に用いると耐マイグレーション性
は充分であるが、下地S10.膜等の絶縁膜との接着性
が悪いとい5課題があった。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、耐マイグレ
ーション性にすぐれ、絶縁体との接着性にもすぐれ、か
つ電気抵抗の小さい、集積回路の配線電極材料を提供す
ることを目的とする。
ーション性にすぐれ、絶縁体との接着性にもすぐれ、か
つ電気抵抗の小さい、集積回路の配線電極材料を提供す
ることを目的とする。
[従来の技術]
従来、集積回路の配線電極材料としては、At、 At
−3i 、 A4−8 i−Ouが用いられ、耐マイグ
レーション性を得る為にはT1−At。
−3i 、 A4−8 i−Ouが用いられ、耐マイグ
レーション性を得る為にはT1−At。
ysl−At等の多層膜やWが用いられるのが常であっ
た。
た。
[課題を解決するための手段]
上記課題を解決するために、本発明は集積回路の低抵抗
配線部の電極材料に関しTiNを用いることを基本とす
る。
配線部の電極材料に関しTiNを用いることを基本とす
る。
[実施例]
以下、実施例により本発明を詳述する。
いま、81ゲ一トMO5FETから成る半導体集積回路
装置を例にとると、Si基板表面に81ゲー)MOS
FETを通常の半導体製造プロセスにより製作し、O
vD法等によりSin。
装置を例にとると、Si基板表面に81ゲー)MOS
FETを通常の半導体製造プロセスにより製作し、O
vD法等によりSin。
膜等の絶縁膜を形成後、該絶縁膜にホト・エツチング処
理によりコンタクト孔を穿ち、該コンタクト孔を通し、
前記絶縁膜を介して上部低抵抗電極配線を施すに際し、
スパッタ法またはOVD法等によりTiN膜を形成して
、該TiN膜をホト・エツチング処理して低抵抗its
配線と成し、その後該TiNt極配線のAu線またはA
t腺から成る外部リード線との接続部となるパッド部の
T1N電極にはA/、蒸着膜を形成して成る。なお、T
IN電極配線を形成後、プラズマOVD処理等によりS
i3N、膜等の絶縁膜を形成し、該絶縁膜の前記パッド
部TiN電極上にはホト・エツチング処理等により窓開
けを行い、該窓部のみにAt膜を形成しても良い。
理によりコンタクト孔を穿ち、該コンタクト孔を通し、
前記絶縁膜を介して上部低抵抗電極配線を施すに際し、
スパッタ法またはOVD法等によりTiN膜を形成して
、該TiN膜をホト・エツチング処理して低抵抗its
配線と成し、その後該TiNt極配線のAu線またはA
t腺から成る外部リード線との接続部となるパッド部の
T1N電極にはA/、蒸着膜を形成して成る。なお、T
IN電極配線を形成後、プラズマOVD処理等によりS
i3N、膜等の絶縁膜を形成し、該絶縁膜の前記パッド
部TiN電極上にはホト・エツチング処理等により窓開
けを行い、該窓部のみにAt膜を形成しても良い。
本発明は単に上記例に示すMO8型PEPE上る半導体
集積回路装置のみならず、その他の半導体集積回路装置
や一般的な集積回路装置に適用できる。ことは云うまで
もなく、更には低抵抗配線を多層に形成を要する場合に
も適用できることは云うまでもない。
集積回路装置のみならず、その他の半導体集積回路装置
や一般的な集積回路装置に適用できる。ことは云うまで
もなく、更には低抵抗配線を多層に形成を要する場合に
も適用できることは云うまでもない。
[発明の効果コ
本発明により、耐マイグレーション性にすぐれ絶縁物と
の接着性にもすぐれた低抵抗電極配線を提供する事がで
きる効果がある。
の接着性にもすぐれた低抵抗電極配線を提供する事がで
きる効果がある。
以上
Claims (1)
- TiNから成る配線電極を用いる事を特徴とする集積回
路の配線電極。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14771389A JPH0311736A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 集積回路の配線電極 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14771389A JPH0311736A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 集積回路の配線電極 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0311736A true JPH0311736A (ja) | 1991-01-21 |
Family
ID=15436522
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14771389A Pending JPH0311736A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 集積回路の配線電極 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0311736A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0725840U (ja) * | 1993-10-25 | 1995-05-16 | 株式会社名和電機 | 温冷配膳車の温冷装置 |
JPH0725838U (ja) * | 1993-10-25 | 1995-05-16 | 株式会社名和電機 | 温冷配膳車用の中仕切 |
JPH0725839U (ja) * | 1993-10-25 | 1995-05-16 | 株式会社名和電機 | 配膳車 |
-
1989
- 1989-06-09 JP JP14771389A patent/JPH0311736A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0725840U (ja) * | 1993-10-25 | 1995-05-16 | 株式会社名和電機 | 温冷配膳車の温冷装置 |
JPH0725838U (ja) * | 1993-10-25 | 1995-05-16 | 株式会社名和電機 | 温冷配膳車用の中仕切 |
JPH0725839U (ja) * | 1993-10-25 | 1995-05-16 | 株式会社名和電機 | 配膳車 |
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