JPS62169350A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
半導体装置とその製造方法Info
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- JPS62169350A JPS62169350A JP1055486A JP1055486A JPS62169350A JP S62169350 A JPS62169350 A JP S62169350A JP 1055486 A JP1055486 A JP 1055486A JP 1055486 A JP1055486 A JP 1055486A JP S62169350 A JPS62169350 A JP S62169350A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、素子領域上に突起電極を有する半導体装置及
びその製造方法に関するものである。
びその製造方法に関するものである。
従来の突起電極は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｂ／Ｓｎ等で形成さ
れ、形成方法は、フォトリソ工程を使用してエツチング
やメッキ等を用いていた。
れ、形成方法は、フォトリソ工程を使用してエツチング
やメッキ等を用いていた。
従来の突起電極では、エツチング、メッキ共、形成時に
フォトリソ工程を必要とし、工程が長くなる等の問題が
あった。
フォトリソ工程を必要とし、工程が長くなる等の問題が
あった。
本発明の目的は上記欠点を解消し、タングステンを用い
、簡便な突起電極を有する半導体装置及びその製造方法
を提供することである。
、簡便な突起電極を有する半導体装置及びその製造方法
を提供することである。
本発明は、上記問題点を解決するためタングステンを用
い、従来のフォトリソ工程とこれに続くエツチングやメ
ッキ等の替りに選択ＣＶＤ法を用いて、突起電極を製造
することである。
い、従来のフォトリソ工程とこれに続くエツチングやメ
ッキ等の替りに選択ＣＶＤ法を用いて、突起電極を製造
することである。
タングステンの選択ＣＶＤ法は、Ａｌ上へはタングステ
ンが堆積するが、ＳｉＯ２上へは、付着力が弱く堆積し
ない。これにより、半導体装置のＡｌ電極端子群上へは
、タングステンが堆積されていくが、他方、それ以外の
５ｉｎ２で覆われた部分には、タングステンが堆積され
ない。従ってＡｌ電極端子群上にだけタングステンの突
起電極が形成される。
ンが堆積するが、ＳｉＯ２上へは、付着力が弱く堆積し
ない。これにより、半導体装置のＡｌ電極端子群上へは
、タングステンが堆積されていくが、他方、それ以外の
５ｉｎ２で覆われた部分には、タングステンが堆積され
ない。従ってＡｌ電極端子群上にだけタングステンの突
起電極が形成される。
このようにタングステンの選択ＣＶＤ法を用いることに
より、フォトリソ、エツチング、メッキ等の工程を必要
とせず、電極端子群上へ突起電極を形成することができ
る。
より、フォトリソ、エツチング、メッキ等の工程を必要
とせず、電極端子群上へ突起電極を形成することができ
る。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳述する。第１
図は本発明の電極端子群（図中電極端子は１つしか示さ
れていない）を、多層工程により素子領域上に配置する
工程を示す半導体装置の断面図である。半導体基板１上
に配線されたＡＪやＰｏ１ｙ−３ｉ電極２上に、層間絶
縁膜６．４を形成する。上層の層間絶縁膜６は、ＣＶＤ
法、スパッタリング法等で形成したＳｉｎ、’、下層の
層間絶縁膜４はＳｉｎ、や窒化シリコン膜の場合があり
うる。
図は本発明の電極端子群（図中電極端子は１つしか示さ
れていない）を、多層工程により素子領域上に配置する
工程を示す半導体装置の断面図である。半導体基板１上
に配線されたＡＪやＰｏ１ｙ−３ｉ電極２上に、層間絶
縁膜６．４を形成する。上層の層間絶縁膜６は、ＣＶＤ
法、スパッタリング法等で形成したＳｉｎ、’、下層の
層間絶縁膜４はＳｉｎ、や窒化シリコン膜の場合があり
うる。
層間絶縁膜３．４上で、ＡｌやＰｏ１ｙ−８ｉ電極２上
に位置するところに、開口部を設け、ＡＪ電極５を形成
されている。
に位置するところに、開口部を設け、ＡＪ電極５を形成
されている。
第２図は、本発明の突起°電極を形成した１実施例であ
る。第′１図と同じ構成のＡｌ電極５が形成されている
この上にタングステンの選択ＣＶＤ法を用ｔ・ることに
より、Ａｌ電極５上にのみタングステンの突起電極６が
形成される。
る。第′１図と同じ構成のＡｌ電極５が形成されている
この上にタングステンの選択ＣＶＤ法を用ｔ・ることに
より、Ａｌ電極５上にのみタングステンの突起電極６が
形成される。
以上詳述したごとく、本発明によれば従来のようにフォ
トリソ工程を用いることなくより簡便に突起電極を素子
領域上に形成することができる。
トリソ工程を用いることなくより簡便に突起電極を素子
領域上に形成することができる。
第１図は、電極端子群を多層工程により素子領域上に配
置した半導体装置の部分断面図。第２図は電極端子群上
に突起電極を形成した本発明の実施例を示す半導体装置
の部分断面図を示す。 １・・・・・・半導体基板、 ２・・・・・・ＡｌやＰｏ１Ｙ−８ｉ電極・３・・・・
・・層間絶縁膜（Ｓｉｎ、）、４・・・・・・層間絶縁
膜（’ Ｓ ｉ Ｏ２、ポリイミド、ナイトライド等）
、 ５・・・・・・ｋｌ電極、
置した半導体装置の部分断面図。第２図は電極端子群上
に突起電極を形成した本発明の実施例を示す半導体装置
の部分断面図を示す。 １・・・・・・半導体基板、 ２・・・・・・ＡｌやＰｏ１Ｙ−８ｉ電極・３・・・・
・・層間絶縁膜（Ｓｉｎ、）、４・・・・・・層間絶縁
膜（’ Ｓ ｉ Ｏ２、ポリイミド、ナイトライド等）
、 ５・・・・・・ｋｌ電極、
Claims (2)
- （１）ＳｉＯ＿２あるいは窒化シリコン膜で形成した表
面保護膜とアルミ電極上に形成したタングステンからな
るボンディング用突起電極を有することを特徴とする半
導体装置。 - （２）半導体装置の表面保護膜をＳｉＯ＿２あるいは窒
化シリコン膜で形成した後アルミ電極上にＣＶＤ法によ
りタングステン電極を形成することを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1055486A JPS62169350A (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1055486A JPS62169350A (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 半導体装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62169350A true JPS62169350A (ja) | 1987-07-25 |
Family
ID=11753470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1055486A Pending JPS62169350A (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62169350A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02172221A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-03 | Nec Corp | 半導体基板の製造方法 |
| US5530468A (en) * | 1992-02-18 | 1996-06-25 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus for and of recording an image using a photosensitive drum for exposure and having a built-in web cutting assembly |
-
1986
- 1986-01-21 JP JP1055486A patent/JPS62169350A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02172221A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-03 | Nec Corp | 半導体基板の製造方法 |
| US5530468A (en) * | 1992-02-18 | 1996-06-25 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus for and of recording an image using a photosensitive drum for exposure and having a built-in web cutting assembly |
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