JPH03209823A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH03209823A JPH03209823A JP508390A JP508390A JPH03209823A JP H03209823 A JPH03209823 A JP H03209823A JP 508390 A JP508390 A JP 508390A JP 508390 A JP508390 A JP 508390A JP H03209823 A JPH03209823 A JP H03209823A
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- film
- insulating film
- semiconductor element
- resin
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- Pending
Links
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特に半導体素子
上に設けた保護膜を有する樹脂封止型半導体装置に関す
る。
上に設けた保護膜を有する樹脂封止型半導体装置に関す
る。
従来の樹脂封止型半導体装置は、第２図に示すように、
シリコン基板１の上に選択的にフィールド酸化膜２を設
けて素子形成領域を区画し、素子形成領域のシリコン基
板１の表面に不純物を導入して拡散領域３を設ける。次
に、フィールド酸化膜２の上に選択的に多結晶シリコン
電極４を設け、全面に酸化シリコン膜５を形成する。次
に酸化シリコン膜５を選択的に開孔して拡散領域３及び
多結晶シリコン電極４のそれぞれに接続するアルミニウ
ム配線６を形成する。次に、全面に眉間絶縁膜として酸
化シリコン膜７を堆積し、コンタクトホール８を選択的
に設け、コンタクトホール８のアルミニウム配線６と接
続して酸化シリコン膜７の表面に延在するアルミニウム
配線９を形成する。次に、全面に酸化シリコン膜１０を
堆積し、酸化シリコン膜１０の上に耐湿性が高い窒化シ
リコン膜１２を積層して設け、酸化シリコン膜１０及び
窒化シリコン膜１２の２層構造の保護膜を形成する。
シリコン基板１の上に選択的にフィールド酸化膜２を設
けて素子形成領域を区画し、素子形成領域のシリコン基
板１の表面に不純物を導入して拡散領域３を設ける。次
に、フィールド酸化膜２の上に選択的に多結晶シリコン
電極４を設け、全面に酸化シリコン膜５を形成する。次
に酸化シリコン膜５を選択的に開孔して拡散領域３及び
多結晶シリコン電極４のそれぞれに接続するアルミニウ
ム配線６を形成する。次に、全面に眉間絶縁膜として酸
化シリコン膜７を堆積し、コンタクトホール８を選択的
に設け、コンタクトホール８のアルミニウム配線６と接
続して酸化シリコン膜７の表面に延在するアルミニウム
配線９を形成する。次に、全面に酸化シリコン膜１０を
堆積し、酸化シリコン膜１０の上に耐湿性が高い窒化シ
リコン膜１２を積層して設け、酸化シリコン膜１０及び
窒化シリコン膜１２の２層構造の保護膜を形成する。
以後、この半導体素子をリードフレームに搭載し、金属
線等で電気接続を行なった上で半導体素子を含み樹脂に
よって封止し樹脂封止型半導体装置を構成する。
線等で電気接続を行なった上で半導体素子を含み樹脂に
よって封止し樹脂封止型半導体装置を構成する。
上述した樹脂封止型半導体装置では、第３図に示すよう
に封止した樹脂体１３が収縮されると内部の半導体素子
１４には矢印のように素子の四隅からチップの中心方向
に向けて応力が加えられる。この時、第２図に示した従
来の構造では半導体素子の段部での保護膜のステップカ
バレッジが悪くクラック等を生じやずくなり、耐湿性が
劣化するという欠点があった。さらに、従来の保護膜の
構造は高硬度の窒化シリコン膜１２の下層も高硬度の酸
化シリコンｐｌＡ１０であるため、前記応力が軽減され
る事なく半導体素子に加えられ結果的に配線やその間の
層間絶縁膜等にクラックを生じさせ、断線もしくは配線
のショートを引き起こす等、半導体装置の信頼性を低下
させるという問題がある。
に封止した樹脂体１３が収縮されると内部の半導体素子
１４には矢印のように素子の四隅からチップの中心方向
に向けて応力が加えられる。この時、第２図に示した従
来の構造では半導体素子の段部での保護膜のステップカ
バレッジが悪くクラック等を生じやずくなり、耐湿性が
劣化するという欠点があった。さらに、従来の保護膜の
構造は高硬度の窒化シリコン膜１２の下層も高硬度の酸
化シリコンｐｌＡ１０であるため、前記応力が軽減され
る事なく半導体素子に加えられ結果的に配線やその間の
層間絶縁膜等にクラックを生じさせ、断線もしくは配線
のショートを引き起こす等、半導体装置の信頼性を低下
させるという問題がある。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子上に設け
た保護膜を有する樹脂封止型半導体装置において、前記
保護膜が高硬度の第１の絶縁膜と、前記第コの絶縁膜の
表面に塗布法により形成された第２の絶縁膜と、前記第
２の絶縁膜の七に形成された耐湿性が高くかつ高硬度の
第３の絶縁膜で構成されている。
た保護膜を有する樹脂封止型半導体装置において、前記
保護膜が高硬度の第１の絶縁膜と、前記第コの絶縁膜の
表面に塗布法により形成された第２の絶縁膜と、前記第
２の絶縁膜の七に形成された耐湿性が高くかつ高硬度の
第３の絶縁膜で構成されている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
第１図に示すように、シリコン基板１の上に選択的に厚
さ１．０μｍ程度のフィールド酸化膜２を設けて素子形
成領域を区画し、素子形成領域のシリコン基板１の表面
に不純物を導入して拡散領域３を設ける。次に、フィー
ルド酸化ｐＩＡ２の上に選択的に厚さ０．５μｍ程度の
多結晶シリコン電極４を設け、全面に厚さ０．７μｍ程
度の酸化シリコン膜５を形成する。次に、酸化シリコン
膜５を選択的に開孔して拡散領域３及び多結晶シリコン
電極４のそれぞれに接続する厚さ０．６μｍ程度のアル
ミニウム配線６を形成する。次に、全面に酸化シリコン
膜７を０８μｍ程度の厚さに堆積し、アルミニウム配線
６」二の酸化シリコン膜７を開孔してコンタクトホール
８を形成し、コンタクトホール８のアルミニウム配線６
と接続して酸化シリコン膜７の上に延在する厚さ０．１
μｍ程度のアルミニウム配線９を選択的に形成する。次
に、全面に酸化シリコン膜１０を０．５μｍ程度堆積し
、その上にシリコン化合物を主成分とする溶液を回転塗
布法で全面に塗布して焼成したＰ Ｓ Ｇ （Ｐｈｏｓ
ｐｈ。
さ１．０μｍ程度のフィールド酸化膜２を設けて素子形
成領域を区画し、素子形成領域のシリコン基板１の表面
に不純物を導入して拡散領域３を設ける。次に、フィー
ルド酸化ｐＩＡ２の上に選択的に厚さ０．５μｍ程度の
多結晶シリコン電極４を設け、全面に厚さ０．７μｍ程
度の酸化シリコン膜５を形成する。次に、酸化シリコン
膜５を選択的に開孔して拡散領域３及び多結晶シリコン
電極４のそれぞれに接続する厚さ０．６μｍ程度のアル
ミニウム配線６を形成する。次に、全面に酸化シリコン
膜７を０８μｍ程度の厚さに堆積し、アルミニウム配線
６」二の酸化シリコン膜７を開孔してコンタクトホール
８を形成し、コンタクトホール８のアルミニウム配線６
と接続して酸化シリコン膜７の上に延在する厚さ０．１
μｍ程度のアルミニウム配線９を選択的に形成する。次
に、全面に酸化シリコン膜１０を０．５μｍ程度堆積し
、その上にシリコン化合物を主成分とする溶液を回転塗
布法で全面に塗布して焼成したＰ Ｓ Ｇ （Ｐｈｏｓ
ｐｈ。
５ｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）膜１１を形成して表面
を平坦化する。次に、ＰＳＧ膜１膜長１に窒化シリコン
膜１２を０．５μｍ程度堆積して酸化シリコン膜１０、
ＰＳＧ膜１膜長１窒化シリコン膜１２からなる３層の保
護膜を形成する。
を平坦化する。次に、ＰＳＧ膜１膜長１に窒化シリコン
膜１２を０．５μｍ程度堆積して酸化シリコン膜１０、
ＰＳＧ膜１膜長１窒化シリコン膜１２からなる３層の保
護膜を形成する。
ここで、ＰＳＧ膜］１は平坦性を向上させるため、厚膜
形成可能な塗布膜を用いるのが望ましいが、平坦性を向
上させるために、まず塗布膜を全面に塗布後頁方性エツ
チングにより段差の谷部のみに選択的に塗布膜を残し、
再度全面に薄膜形成可能な塗布膜を形成してもよい。ま
た、ＰＳＧ膜１千の代りにポリイミド系樹脂膜のような
有機系絶縁膜を用いてもよい。
形成可能な塗布膜を用いるのが望ましいが、平坦性を向
上させるために、まず塗布膜を全面に塗布後頁方性エツ
チングにより段差の谷部のみに選択的に塗布膜を残し、
再度全面に薄膜形成可能な塗布膜を形成してもよい。ま
た、ＰＳＧ膜１千の代りにポリイミド系樹脂膜のような
有機系絶縁膜を用いてもよい。
以上説明した様に本発明は、半導体素子の表面に高硬度
の第１の絶縁膜を形成し、その上に低硬度である塗布法
により形成した第２の絶縁膜を形成して表面を平坦化し
、第２の絶縁股上に高硬度の耐湿性の高い第３の絶縁膜
を形成した３層の保護膜を有しており、最上層の保護膜
のステップカバレッジを大幅に向上させ、耐湿性を高め
ることができ、かつ低硬度の第２の絶縁膜の存在により
半導体素子への応力を緩和でき、半導体素子の配線や層
間絶縁膜のクラックを防止し、信頼性を向上できる効果
がある。
の第１の絶縁膜を形成し、その上に低硬度である塗布法
により形成した第２の絶縁膜を形成して表面を平坦化し
、第２の絶縁股上に高硬度の耐湿性の高い第３の絶縁膜
を形成した３層の保護膜を有しており、最上層の保護膜
のステップカバレッジを大幅に向上させ、耐湿性を高め
ることができ、かつ低硬度の第２の絶縁膜の存在により
半導体素子への応力を緩和でき、半導体素子の配線や層
間絶縁膜のクラックを防止し、信頼性を向上できる効果
がある。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来の樹
脂封止型半導体装置の断面図、第３図は従来の半導体チ
ップに生じる応力を説明するための模式図である。 １・・・シリコン基板、２・・・フィールド酸化膜、３
・・・拡散領域、４・・・多結晶シリコン電極、５，７
１０・・・酸化シリコン膜、６，９・・アルミニウム配
線、８・・・コンタクトホール、１１・・・ＰＳＧ膜、
１２・・・窒化シリコン膜。
脂封止型半導体装置の断面図、第３図は従来の半導体チ
ップに生じる応力を説明するための模式図である。 １・・・シリコン基板、２・・・フィールド酸化膜、３
・・・拡散領域、４・・・多結晶シリコン電極、５，７
１０・・・酸化シリコン膜、６，９・・アルミニウム配
線、８・・・コンタクトホール、１１・・・ＰＳＧ膜、
１２・・・窒化シリコン膜。
Claims (1)
- 半導体素子上に設けた保護膜を有する樹脂封止型半導体
装置において、前記保護膜が高硬度の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の表面に塗布法により形成された第２
の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の上に形成された耐湿性
が高くかつ高硬度の第３の絶縁膜で構成されたことを特
徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP508390A JPH03209823A (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP508390A JPH03209823A (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03209823A true JPH03209823A (ja) | 1991-09-12 |
Family
ID=11601495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP508390A Pending JPH03209823A (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03209823A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08195391A (ja) * | 1995-01-17 | 1996-07-30 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US5849632A (en) * | 1991-08-30 | 1998-12-15 | Micron Technology, Inc. | Method of passivating semiconductor wafers |
| US6376911B1 (en) | 1995-08-23 | 2002-04-23 | International Business Machines Corporation | Planarized final passivation for semiconductor devices |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01239941A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-01-12 JP JP508390A patent/JPH03209823A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01239941A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5849632A (en) * | 1991-08-30 | 1998-12-15 | Micron Technology, Inc. | Method of passivating semiconductor wafers |
| JPH08195391A (ja) * | 1995-01-17 | 1996-07-30 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6376911B1 (en) | 1995-08-23 | 2002-04-23 | International Business Machines Corporation | Planarized final passivation for semiconductor devices |
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