JPS62237748A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62237748A JPS62237748A JP8069486A JP8069486A JPS62237748A JP S62237748 A JPS62237748 A JP S62237748A JP 8069486 A JP8069486 A JP 8069486A JP 8069486 A JP8069486 A JP 8069486A JP S62237748 A JPS62237748 A JP S62237748A
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- Japan
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- film
- wirings
- pad electrode
- electrode
- insulating film
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- Pending
Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
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- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 1
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、半導体基板上に絶縁膜を介して積層される複
数層の配線を有し、その配線に設けられるパット′電極
と端子導体とが４線によって接続される半導体装置の製
造方法に関する。
数層の配線を有し、その配線に設けられるパット′電極
と端子導体とが４線によって接続される半導体装置の製
造方法に関する。
多層配線を存し、ワイヤ方式で絶縁基板上に実装される
半導体基板のワイヤポンディングのためのパッド電極は
、従来最上層の配線の一部に形成されていた。しかしこ
のようなパッド電極にＲ線をボンディングした場合、導
線とボンディング部の下に存在する配線導体膜および酸
化物のような無機絶縁物あるいは有機絶縁物からなる層
間絶縁膜の積層体との弾性率、熱膨張係数の相違により
、接合面での剥離が生じやすく、断線の原因となる問題
があった。
半導体基板のワイヤポンディングのためのパッド電極は
、従来最上層の配線の一部に形成されていた。しかしこ
のようなパッド電極にＲ線をボンディングした場合、導
線とボンディング部の下に存在する配線導体膜および酸
化物のような無機絶縁物あるいは有機絶縁物からなる層
間絶縁膜の積層体との弾性率、熱膨張係数の相違により
、接合面での剥離が生じやすく、断線の原因となる問題
があった。
本発明は、上述の問題を解決して端子導体と接続される
導線と半導体基板上の配線に設けられたパッド電極との
接合面における剥離などによる断線のおそれのない、信
頬性の高い半導体装置の製造方法を提供することを目的
とする。
導線と半導体基板上の配線に設けられたパッド電極との
接合面における剥離などによる断線のおそれのない、信
頬性の高い半導体装置の製造方法を提供することを目的
とする。
本発明は、半導体基板上に絶縁膜を介して形成される第
一層目の配線にパッド電極を設け、次いでそのパッド電
極を露出させて眉間絶縁膜、第二層目以降の配線および
表面保護膜を積層したのち、パッド電極に導線を接続す
るもので、半導体基板上に直接絶縁膜を介して形成され
たパッド電極に導線が形成され、中間に積層体が介在し
ないので導線接合部で剥離の起こることがなくなり、上
述の目的が達成される。
一層目の配線にパッド電極を設け、次いでそのパッド電
極を露出させて眉間絶縁膜、第二層目以降の配線および
表面保護膜を積層したのち、パッド電極に導線を接続す
るもので、半導体基板上に直接絶縁膜を介して形成され
たパッド電極に導線が形成され、中間に積層体が介在し
ないので導線接合部で剥離の起こることがなくなり、上
述の目的が達成される。
第１図は本発明の一実施例の半導体基板を示し、シリコ
ン基板ｌの上面は薄い酸化１１ｆｆ２で覆われている。 この基ＦｉｔにはバイポーラトランジスタあるいはＭＯ
ＳＦＥＴなどの半導体素子が集積されていて、その部分
は厚い絶縁膜３で覆われている。 次に酸化膜２および絶縁膜３の上にＭ膜を蒸着し、バタ
ーニングして第−心配線４を形成する。同時に酸化膜２
の上に延長された配線の端部にパッド電極５を形成する
。つづいて素子部を酸化膜、塗布膜などの眉間絶縁膜６
により被覆し、配線４と同様に第二層配線７を形成する
。７１間絶縁膜６および配ｙ１１７のための蒸着膜のパ
ターニングの際には、パッド電極５の上の部分を除去し
、パッド電極を露出させておく。第二層配線７とパッド
電極５との接続は、第−心配線４に達するスルーホール
を介して行われる。さらに表面にバンシベーション膜８
を被着し、同様にパッド１！掻５を覆う部分を除去して
おく。 第１図に示したような半導体基板の実装は、絶縁基板上
にろう付けなどにより固着したのち、パッド電極５と絶
縁基板上の端子導体とを導線をボンディングすることに
よって接続することにより行う。
ン基板ｌの上面は薄い酸化１１ｆｆ２で覆われている。 この基ＦｉｔにはバイポーラトランジスタあるいはＭＯ
ＳＦＥＴなどの半導体素子が集積されていて、その部分
は厚い絶縁膜３で覆われている。 次に酸化膜２および絶縁膜３の上にＭ膜を蒸着し、バタ
ーニングして第−心配線４を形成する。同時に酸化膜２
の上に延長された配線の端部にパッド電極５を形成する
。つづいて素子部を酸化膜、塗布膜などの眉間絶縁膜６
により被覆し、配線４と同様に第二層配線７を形成する
。７１間絶縁膜６および配ｙ１１７のための蒸着膜のパ
ターニングの際には、パッド電極５の上の部分を除去し
、パッド電極を露出させておく。第二層配線７とパッド
電極５との接続は、第−心配線４に達するスルーホール
を介して行われる。さらに表面にバンシベーション膜８
を被着し、同様にパッド１！掻５を覆う部分を除去して
おく。 第１図に示したような半導体基板の実装は、絶縁基板上
にろう付けなどにより固着したのち、パッド電極５と絶
縁基板上の端子導体とを導線をボンディングすることに
よって接続することにより行う。
本発明によれば、ワイヤ方式で実装される多層配ｗＡ構
造の半導体基板のパッド電極を第一層目の配線に設ける
ことにより、パッド電極にボンディングされる接続導線
の下に弾性率、熱膨張係数の異なる積層体が無くなるた
め、導線接合面に生ずる応力が小さくなり、接合面にお
ける剥離が阻止されるので、ＩＣチップなどを実装した
半導体装置の信幀性を向上させることができる。
造の半導体基板のパッド電極を第一層目の配線に設ける
ことにより、パッド電極にボンディングされる接続導線
の下に弾性率、熱膨張係数の異なる積層体が無くなるた
め、導線接合面に生ずる応力が小さくなり、接合面にお
ける剥離が阻止されるので、ＩＣチップなどを実装した
半導体装置の信幀性を向上させることができる。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置の半導体基
板を示す斜視図である。 １：シリコン基板、２：酸化膜、３：絶縁膜、４：第−
心配線、５：パッド電極、６：層間絶縁膜、７：第二層
配線、８：バフシベーシッン暁。
板を示す斜視図である。 １：シリコン基板、２：酸化膜、３：絶縁膜、４：第−
心配線、５：パッド電極、６：層間絶縁膜、７：第二層
配線、８：バフシベーシッン暁。
Claims (1)
- １）半導体基板上に絶縁膜を介して積層される複数層の
配線を有し、該配線に設けられるパッド電極と端子導体
とが導線によって接続されるものの製造方法において、
半導体基板上に絶縁膜を介して形成される第一層目の配
線にパッド電極を設け、次いで該パッド電極を露出させ
て層間絶縁膜、第二層目以降の配線および表面保護膜を
積層したのち、パッド電極に導線を接続することを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8069486A JPS62237748A (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8069486A JPS62237748A (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62237748A true JPS62237748A (ja) | 1987-10-17 |
Family
ID=13725435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8069486A Pending JPS62237748A (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62237748A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01211953A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-25 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
| JPH01257353A (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-13 | Nec Corp | 半導体装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5892258A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | 集積回路素子 |
-
1986
- 1986-04-08 JP JP8069486A patent/JPS62237748A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5892258A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | 集積回路素子 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01211953A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-25 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
| JPH01257353A (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-13 | Nec Corp | 半導体装置 |
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