JP2806538B2 - 集積回路装置 - Google Patents

集積回路装置

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、多層配線の集積回路に関し、特に、ボンデ
ィングパッドの構造に関するものである。
〔従来の技術〕
従来、多層配線の集積回路装置は、ボンディングパッ
ド部で金属導体と絶縁膜の重なりにより著しい段差が生
じていた。その構造断面図を第２図に示す。半導体基板
１上に酸化膜２および絶縁膜３上に配線につながる下層
金属導体４が設けられる。この後、層間絶縁膜５で全面
を被い、所定の開口部を設け、上層金属導体６を全面に
形成した後、パターニングし、所定のボンディングパッ
ド部を形成し、このパッド部のみ露出するように全面に
保護絶縁膜を設ける。この後、図示していないが、所定
のワイヤボンディングを行ない、実装のため、たとえば
装置全体を樹脂で封止する。
〔発明が解決しようとする課題〕
上途した従来の集積回路装置は、ボンディングパッド
となる下層金属導体４が絶縁膜102上に置かれているた
め、段差が大きくなっていた。その為ボンディングパッ
ド周辺における保護絶縁膜７に急峻な傾斜ができ、保護
絶縁膜の厚さにばらつきができる。そのため、実装時に
施される樹脂封止により、保護絶縁膜に熱が加わり、保
護絶縁膜の厚薄によってストレスが生じ、保護絶縁膜が
損傷し、十分な保護機能が果せない。またボンディング
パッド部では、電流の流下により発生する熱も加わり易
く、保護絶縁膜が薄い場合、、痛み易い欠点がある。
〔目的〕
本発明の目的は、上途したような欠点を軽減し、信頼
性のより高い集積回路装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の集積回路装置は、半導体基板上に設けられた
第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に開口部を有して
設けられた第２の絶縁膜と、該第２の絶縁膜が設けられ
た後該第２の絶縁膜の開口部を埋め込むように前記第１
の絶縁膜上に設けられたボンディングパッドとなる第１
の金属導体と、前記第２の絶縁膜および前記第１の金属
導体上に設けられ前記第１の金属導体の一部を露出させ
る開口部を有する第３の絶縁膜と、該第３の絶縁膜の開
口部を介して前記第１の金属導体と接続され所定の形状
で設けられたボンディングパッドとなる第２の属導体
と、該第２の金属導体上部に開口部を有し前記第３の絶
縁膜上に設けられた第４の絶縁膜とを含むことを特徴と
している。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例で、多層配線の集積回路装
置におけるボンディングパッドの構造断面図である。半
導体基板１上にシリコン酸化膜２をたとえば厚さ10.000
Å形成し、このシリコン酸化膜２の全面を10,000Åのガ
ラス質の絶縁膜３で覆う。その後、フォトエッチング工
程で絶縁膜３に開口部を開孔し、アルミニウムを全面に
スパッタリングし、開口部にのみ、アルミニウムを残す
ようにエッチングして、下層金属導体４とする。次に、
再びガラス質の絶縁膜を形成して層間絶縁膜５とした
後、フォトエッチング工程で下層アルミニウム４上の層
間絶縁膜５に開口部をつくり、全面にアルミニウムをス
パッタリングして、所定の上層金属導体の形状、たとえ
ば一辺100μｍの方形のボンディングパッドにパターニ
ングする。こうして開口部を通じて、下層金属導体４と
上層金属導体６が接続するようにする。さらに、ガラス
質の絶縁膜により保護絶縁膜７を全面に形成し、ボンデ
ィングができるように所定の開口部をつくる。こうし
て、ボンディングパッド部の金属導体と、絶縁膜との重
なりが少なく、ボンディングパッド部での段差の軽減さ
れた集積回路が得られる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は酸化膜上にある絶縁膜
の開口部におかれた下層金属導体と絶縁膜との重なりを
軽減し、なだらかな面を有することにより、保護絶縁膜
の傾斜を緩和でき、熱衝撃に対する強度を向上して、集
積回路装置の信頼性を高める効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の多層配線の集積回路におけるボンデ
ィングパッドの構造を示した構造断面図、第２図は、従
来の構造断面図である。 １……半導体基板、２……酸化膜、３……絶縁膜、４…
…下層金属導体、５……層間絶縁膜、６……上層金属導
体、７……保護絶縁膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−242657（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−194345（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−103655（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/00 H01L 23/00 H01L 29/00

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体基板上に設けられた第１の絶縁膜
    と、前記第１の絶縁膜上に開口部を有して設けられた第
    ２の絶縁膜と、該第２の絶縁膜が設けられた後該第２の
    絶縁膜の開口部を埋め込むように前記第１の絶縁膜上に
    設けられたボンディングパッドとなる第１の金属導体
    と、前記第２の絶縁膜および前記第１の金属導体上に設
    けられ前記第１の金属導体の一部を露出させる開口部を
    有する第３の絶縁膜と、該第３の絶縁膜の開口部を介し
    て前記第１の金属導体と接続され所定の形状で設けられ
    たボンディングパッドとなる第２の金属導体と、該第２
    の金属導体上部に開口部を有し前記第３の絶縁膜上に設
    けられた第４の絶縁膜とを含むことを特徴とする集積回
    路装置。
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JPS60103655A (ja) * 1983-11-11 1985-06-07 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JPS60242657A (ja) * 1984-05-16 1985-12-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

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