JPH079907B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH079907B2
JPH079907B2 JP61075783A JP7578386A JPH079907B2 JP H079907 B2 JPH079907 B2 JP H079907B2 JP 61075783 A JP61075783 A JP 61075783A JP 7578386 A JP7578386 A JP 7578386A JP H079907 B2 JPH079907 B2 JP H079907B2
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Japan
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chip
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protective film
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勝彦 矢部
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NEC Corp
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NEC Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置構造に関し、特にTAB方式を実装法
とする半導体装置の表面保護膜構造に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の表面保護膜構造としては、半導体チップ
表面の全面にボリイミド膜を２〜５μｍと薄く形成した
ものがある。また、他の例として、TABリードと半導体
チップ端部との接触防止の為に、TABリードとの接続の
為のバンプとチップ端部の間に補助バンプを形成したも
のがある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来技術の第１の例の場合、表面保護膜が薄
く、TABリードとチップ端部が接触し、ショート不良と
なるという欠点と、表面保護膜がボリイミドの為、耐湿
性に欠けるという欠点がある。
従来技術の第２の例の場合、補助バンプを、チップ端部
から、ダイシング時に発生するチッピング，欠けに対し
充分に余裕ある位置まで遠ざける必要性と、TABリード
との接続バンプとチップ端部との間に形成する必要性か
ら、チップ面積の増加を余疑なくされるという欠点があ
る。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体装置の表面保護構造は、TAB方式を実装
法として用いる半導体装置において、チップ周辺を除く
中央部に設けられ、内部回路を保護する第１の表面保護
膜より厚い第２の表面保護膜でチップ周辺を覆い、且つ
該第２の表面保護膜をチップ端部まで延在して設けてい
ることを特徴とする。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。実施例
は、絶縁膜3,配線2,20μｍ厚のTABリード接続用バンプ
４を有するSiチップ１上の表面保護膜として、チップ端
部からバンプ４周辺にかかる領域に形成された18μｍ厚
のSiO2紛末入りポリイミド膜５と、その他のチップ表面
領域上に形成された窒化シリコン膜６を有する。
第２図は第１図のバンプ４上にTABリード７を接続した
状態を示す。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、TAB方式を実装法として
用いる半導体装置の表面保護膜を、バンプ厚に対し２μ
ｍ薄い厚さでバンプ周辺に形成した、SiO2粉末入りポリ
イミド膜とその他のチップ表面に形成した窒化シリコン
膜によって構成する事により、バンプ周辺SiO2入りポリ
イミド膜により、TABリードとチップ端部のショートを
防ぐ事が出来、その他のチップ表面の窒化シリコン膜に
より、チップ内部回路を耐湿性良く保護出来る効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の縦断面図であり、第２図は
TABリードを接続した断面図である。 １……Siチップ、２……配線、３……絶縁膜、４……TA
B接続用バンプ、５……SiO2粉末入りポリイミド膜、６
……窒化シリコン膜、７……TABリード。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】TAB方式を実装法として用いる半導体装置
    において、チップ周辺を除く中央部に設けられ、内部回
    路を保護する第１の表面保護膜より厚い第２の表面保護
    膜でチップ周辺を覆い、且つ該第２の表面保護膜をチッ
    プ端部まで延在して設けた事を特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】前記第２の表面保護膜が無機粉末入りポリ
    ミド膜又はポリミド膜、前記第１の表面保護膜が窒化シ
    リコン膜又はSiO2膜である特許請求の範囲第（１）項記
    載の半導体装置。
  3. 【請求項３】前記第２の表面保護膜が無機粉末入りポリ
    ミド膜、前記第１の表面保護膜がポリミド膜である特許
    請求の範囲第（１）項記載の半導体装置。
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JPS62232147A (ja) 1987-10-12

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