JPS63293930A - 半導体装置における電極 - Google Patents

半導体装置における電極

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JPS63293930A
JPS63293930A JP62128281A JP12828187A JPS63293930A JP S63293930 A JPS63293930 A JP S63293930A JP 62128281 A JP62128281 A JP 62128281A JP 12828187 A JP12828187 A JP 12828187A JP S63293930 A JPS63293930 A JP S63293930A
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layer
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bonding
film
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Hiroshi Tsukada
浩 塚田
▲はい▼島　幹雄
Mikio Haijima
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路装置（ＩＣ，ＬＳＩ）における
電極、特に外部接続端子（ワイヤボンデインク・パッド
）構造に関する。
〔従来技術〕
ＩＣ等においては、半導体基体表面にトランジスタ、ダ
イオードなどの回路素子が形成され、これら素子の各拡
散領域に接続された配線の末端は外部接続用端子、いわ
ゆる１ポンデイングパツド鐸として基体周辺に一極が設
けられる。
このようなパッドは一般的にはＳｉ基板上で下地Ｓｉｎ
、膜を介し１層のＩ！（アルミニウム膜）を設けたもの
で、ボンディングエリアのみを露出して周辺は絶縁膜（
ＣＶＤ・ＰＳＧ、ポリイミド樹脂）で覆っである。
１　これ以外にパッドの電極材料として２層の金属膜を
重ねるもの（ｌ！！ｆ開昭５６−１９６３９）もあるが
、この場合、各金属膜の種類については特定されていな
い。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記したパッドに対して外部から接続されるワイヤボン
ディング材として従来のＡｕ（金）線から低価格のＣｕ
（銅）に進むことが検討されていル（ＮＩＫＫＥ　ＭＩ
ＣＲＯＤＥＶＩＣＥＳ　１９８５年７月号ｐ７４−７５
）。Ｃｕワイヤ・ボンディング技術はＡｕワイヤ並みに
信頼性が高く、高温でも金属間化合物が生成しにくく、
接合強さはＡｕワイヤより勝る。Ｃｕワイヤはルーピン
グ特性が良く、ボンディングの高速化に有利であり、量
産性やコストの面でも十分なメリットがあるといわれる
。
ところでこのよりなＣｕワイヤを半導体素子の電極を形
成するＡｐ膜に接続する際に、ＡｕワイヤとＡｎｔ極の
場合と異なって合金層を形成しないから、ＡＡとＣｕの
接触面に機械的ストレスを与えることが必要である。こ
の過程においてＡＣ電極直下の下地ＳｉＯｘ膜及びＳｉ
基板にダメージを与えることがあり、そのため素子の特
性不良を訪発することが確認されている。
Ｃｕワイヤボンディングに適合するため電極をＡｎ以外
の硬質の金属を使用することが考えられるが新たの金属
被着工程が加わって別仕様になり、標準化から外れるた
め好ましくない。
本発明は上記した問題を克服するためになされたもので
あり、その目的とするところはＣｕワイヤボンディング
に適合し、電極プロセスを変更することのない電極構造
を提供することにある。
〔問題を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば下記のとおりである。
すなわち、半導体基体上に投げられた素子の外部接続用
端子用の電極構造であって、上記素子に直接的に及び間
接的に接続される２層の金属膜を積層して成り、下層の
膜は純アルミニウムからなるとともに上層の膜はシリコ
ン入りアルミニウムからなるものである。
〔作用〕
上記した手段によれば、パッドの部分で一部に硬質のア
ルミニウムを使うことによりＣｕボンディングの際のボ
ンディングダメージを防止でき前記目的を達成する。
〔実施例〕
第１図は本発明の一実施例を示すものであって、半導体
装置におけるポンディングパッド部ｆ）　［極の断面図
である。
第２図は第１図に対応する半導体チップの一部平面図で
ある。
１はＳｉ半導体基板、２は素子の一部である拡散層、３
は表面Ｓｉｎ、膜である。
４はピュアーＡｎからなる厚さ１．０〜２．０μｍの第
１層金属膜でその一端部は素子に直接゛に接続された配
線となり、その他端は一つのポンディングパッドの下層
電極４ａとなり、あるいは素子に接続されず配線から離
隔された部分が他のポンディングパッドの下層電極４ｂ
として形成される。
５は眉間絶縁膜であって、たとえばＣＶＤ−ＰＳＧのご
とき無機膜又はポリイミド系樹脂のごとき有機膜からな
り、一部にスルーホール６があけられ、配線又はパッド
部の第１層と第２層との間を接続するようになっている
。
７はＳｉ入りＡ感からなり、厚さ０．５〜２．０μｍの
第２層金属膜であって、その一部はスルーホールを通し
て第１層、１配線に接続する第２層配線となり、その他
端は下層電極４ｂと重なってポンディングパッドの上層
電極７ｂとなり、他の一部は第１層Ａ２配線に接続する
下層電極４ａに重なってポンディングパッドの上層電極
７ａとなる。
８はたとえばポリイミド系樹脂からなる最終保護絶縁膜
であってポンディングパッド部（７ａ。
７ｂ）で開口する。
９はＣｕワイヤで不活性又は還元性雰囲気中で超音波を
かげることによりそのボール部をポンディングパッドの
上層電極に熱圧着させる。
上記した実施例から下記のような作用効果が得られる。
＋１１　　ポンディングパッドとなる電極構造を二重構
造として厚くすることによりボンディングダメージを防
止できる。一般のＩＣで一層のＡＡ膜によりパッド部を
厚くしようとすれば加工精度が低下するが、２層とする
ことで解決できる。
（２）上層部をＳｉ入りＩｔとして硬質化することによ
り、Ｃｕ　−Ａ　（３接合が容易となり、ボンディング
条件の許容範囲を広げる。Ｃｕボールボンディングは適
用拡大が予定されており効果が大きい。
（３）下馬部を軟質のピュアーＡＡとすることでボンデ
ィングの際の緩衝性が増し、下地のうすい５ｉＯ１膜の
クラック等を防止できる。又、配線としては上下層とも
にＳｉ入りＡぶを使う場合に比して配線抵抗が大きくな
ることを阻止できる。
（４）　　従来の２層配線プロセスを変更することなく
そのまま適用できる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
本発明はポンディングパッド下のＳ　ｉＯを膜が薄くダ
メージを起しやすいＩＣ等の半導体製品に全て適用でき
る。特に２層Ａｎ配線構造を有する半導体装置の場合最
も有効である。
〔発明の効果〕
本題において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである
。
すなわち、Ｃｕボールボンディングにおいてボンディン
グダメージを有効に防止できる電極構造が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置の一部縦断
面図である。 第２図はそのＡ−Ａ断面が第１図に対応する平面図であ
る。 ｌ・・・半導体基板、２・・・素子となる拡散層、３・
・・Ｓ　ｉｏ、膜、４・・・第１層配線又は下層電極（
ピュアーＩ！　＞、５・・・層間絶縁膜（ＰＳＧ又はポ
リイミド系樹脂）、６・・・スルーホール、７・・・第
２層配線又は上層電極（Ｓｉ入りＡぷ）、訃・・最終絶
縁膜、９・・・Ｃｕワイヤ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、半導体基体上に設けられた素子の外部接続用端子用
    の電極構造であつて、２層の金属膜を積層して成り、下
    層の膜は軟質のアルミニウムからなるとともに上層の膜
    は硬質のアルミニウムからなることを特徴とする半導体
    装置における電極。 ２、上記２層の金属膜は上記素子に直接的に及び間接的
    に接続される２層のアルミニウムを主体する配線であっ
    て、下層の膜は純アルミニウムからなるとともに、上層
    の膜はシリコン入りアルミニウムからなる特許請求の範
    囲第１項に記載の半導体装置における電極。
JP62128281A 1987-05-27 1987-05-27 半導体装置における電極 Pending JPS63293930A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02153544A (ja) * 1988-12-05 1990-06-13 Nec Corp 半導体装置
JPH02170434A (ja) * 1988-12-22 1990-07-02 Fuji Electric Co Ltd バンプ電極を備える半導体集積回路装置
US4984061A (en) * 1987-05-15 1991-01-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device in which wiring layer is formed below bonding pad
US6258706B1 (en) * 1998-06-22 2001-07-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Method for fabricating a stress buffered bond pad
JP2007274004A (ja) * 1997-10-08 2007-10-18 Lucent Technol Inc 集積回路デバイス
JP2018159872A (ja) * 2017-03-23 2018-10-11 住友電気工業株式会社 半導体光素子及びその製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4984061A (en) * 1987-05-15 1991-01-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device in which wiring layer is formed below bonding pad
JPH02153544A (ja) * 1988-12-05 1990-06-13 Nec Corp 半導体装置
JPH02170434A (ja) * 1988-12-22 1990-07-02 Fuji Electric Co Ltd バンプ電極を備える半導体集積回路装置
JP2007274004A (ja) * 1997-10-08 2007-10-18 Lucent Technol Inc 集積回路デバイス
JP4685834B2 (ja) * 1997-10-08 2011-05-18 アルカテル−ルーセント ユーエスエー インコーポレーテッド 集積回路デバイス
US6258706B1 (en) * 1998-06-22 2001-07-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Method for fabricating a stress buffered bond pad
JP2018159872A (ja) * 2017-03-23 2018-10-11 住友電気工業株式会社 半導体光素子及びその製造方法

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