JPS63308924A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS63308924A JPS63308924A JP62146593A JP14659387A JPS63308924A JP S63308924 A JPS63308924 A JP S63308924A JP 62146593 A JP62146593 A JP 62146593A JP 14659387 A JP14659387 A JP 14659387A JP S63308924 A JPS63308924 A JP S63308924A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
- H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/02163—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body on the bonding area
- H01L2224/02165—Reinforcing structures
- H01L2224/02166—Collar structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/049—Nitrides composed of metals from groups of the periodic table
- H01L2924/0504—14th Group
- H01L2924/05042—Si3N4
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に絶縁膜の構造に関する
。
。
多層配線層間絶縁膜やパッシベーション膜として有機絶
縁層を有する半導体装置は、絶縁膜を構成ずろ有￥１物
が吸湿することによってその絶縁抵抗が低下するのを防
止するため更に有機絶縁層の上を耐湿性の良い無機絶縁
層で被覆する事が行われていた。
縁層を有する半導体装置は、絶縁膜を構成ずろ有￥１物
が吸湿することによってその絶縁抵抗が低下するのを防
止するため更に有機絶縁層の上を耐湿性の良い無機絶縁
層で被覆する事が行われていた。
第３図は従来例の主要部を示す半導体チップの縦［断面
図である。
図である。
ポンディングパッド１の周辺部分にも有機絶縁層３と無
機絶縁層２の複合絶縁層が設けらｔしている。
機絶縁層２の複合絶縁層が設けらｔしている。
上述した従来の半導体装置ては、電気的接１′−１２の
ための絶縁膜の開口部のボンティングパ・ノド１の周辺
部分においても有機絶縁層３と無機絶縁１・、り２が重
なった構造となっているため、ポンディク時に位置ずれ
等により機械的衝撃がこの周３ユ部分に加えられると容
易に無機絶縁ＪＴ’７２が破損しなり史には有機絶縁層
３の下地（例えば酸１ヒシリコン隻４〉との界面剥離が
起きて、信頼性とりわけｆ”）す、？性が大・幅に低下
してしまうという欠点がある。
ための絶縁膜の開口部のボンティングパ・ノド１の周辺
部分においても有機絶縁層３と無機絶縁１・、り２が重
なった構造となっているため、ポンディク時に位置ずれ
等により機械的衝撃がこの周３ユ部分に加えられると容
易に無機絶縁ＪＴ’７２が破損しなり史には有機絶縁層
３の下地（例えば酸１ヒシリコン隻４〉との界面剥離が
起きて、信頼性とりわけｆ”）す、？性が大・幅に低下
してしまうという欠点がある。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は、ボンディグパッドの表面部に開
口を有する絶縁膜か、前記ポンディグパッドの周囲に設
けられた無機絶縁膜領域、及び有機絶縁膜とその表面に
設けられた無機絶縁膜とからなる複合絶縁層領域を有し
ているというものである。
口を有する絶縁膜か、前記ポンディグパッドの周囲に設
けられた無機絶縁膜領域、及び有機絶縁膜とその表面に
設けられた無機絶縁膜とからなる複合絶縁層領域を有し
ているというものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第１の実施例の主要部を示す半導体チ
・ツブの縦断面図である。
・ツブの縦断面図である。
この実施例はシリコンからなる半導体基板５の表面に設
けられた酸化シリコン膜４上の厚さ１〜２μｍのＡ２か
らなるボンティングパッド１の表面部に開口６ｆ！：有
する絶縁膜がポンディングパッド１の周囲に設けられた
厚さ１μｍのスパッタ法で被着した窒（ヒシリコン膜（
２）からなる幅５０μｍの無機絶縁層領域７、及び有機
絶縁層３（厚さ１〜２μｍのポリイミド）とその表面に
設けられた無機絶縁層２（窒化シリコン〉とからなる複
合絶縁層領域８を有している。
けられた酸化シリコン膜４上の厚さ１〜２μｍのＡ２か
らなるボンティングパッド１の表面部に開口６ｆ！：有
する絶縁膜がポンディングパッド１の周囲に設けられた
厚さ１μｍのスパッタ法で被着した窒（ヒシリコン膜（
２）からなる幅５０μｍの無機絶縁層領域７、及び有機
絶縁層３（厚さ１〜２μｍのポリイミド）とその表面に
設けられた無機絶縁層２（窒化シリコン〉とからなる複
合絶縁層領域８を有している。
外部との電気的接続用導体部であるボンティングパッド
１はその周辺を窒（ヒシリコン膜なとの無機絶縁層２に
よって囲まれておりポリイミドなどから成る有機絶縁層
３とポンディングパッド１とは距離を設けている。
１はその周辺を窒（ヒシリコン膜なとの無機絶縁層２に
よって囲まれておりポリイミドなどから成る有機絶縁層
３とポンディングパッド１とは距離を設けている。
つまり、ポンディングパッドの周辺には、下地との密着
性が悪い有機絶縁層か存在していないので、ボンディン
グ時に絶縁膜が破損される危険性は著しく低減される。
性が悪い有機絶縁層か存在していないので、ボンディン
グ時に絶縁膜が破損される危険性は著しく低減される。
このボンディング時に絶縁膜に生じるクロックやはがれ
をＬ１ｑ微鏡で観察すると、従来例では数パーセントの
割合で発見されたが、この実施例では殆ど皆無であった
。
をＬ１ｑ微鏡で観察すると、従来例では数パーセントの
割合で発見されたが、この実施例では殆ど皆無であった
。
第２図は本発明の第２の実施例の主要部を示す半導体チ
ップの縦断面図である。
ップの縦断面図である。
外部との電気的接続用導体部（１）の周囲に無機絶縁層
２と有機絶縁層３からなる腹合絶縁領域８′があり、そ
の外側に無機絶縁層領域７があるため複合絶縁層領域８
までクラックが伸びろことはない。この実施例は従来構
造からの変更がわずかであるため従来横遺品を改良する
際に容易に適用できるという利点がある。
２と有機絶縁層３からなる腹合絶縁領域８′があり、そ
の外側に無機絶縁層領域７があるため複合絶縁層領域８
までクラックが伸びろことはない。この実施例は従来構
造からの変更がわずかであるため従来横遺品を改良する
際に容易に適用できるという利点がある。
以上説明したように本発明ではポンディングパッド周辺
に無機絶縁層領域が配置されているのて、ホンディング
時の絶縁膜の破損が防止され大幅に半導体装置の耐湿性
を向上できろという効果がある。
に無機絶縁層領域が配置されているのて、ホンディング
時の絶縁膜の破損が防止され大幅に半導体装置の耐湿性
を向上できろという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の主要部を示す半導体チ
ップの縦断面図、第２図は本発明の第２の実施例の主要
部を示す半導体チップの縦断面図、第３図は従来例の主
要部を示す半導体チップの縦断面図である。 １・・・ホンディングパッド、２・・・無機絶縁層、３
・・・有機絶縁層、４・・・酸化シリコン膜、５・・・
半導体基板、６・・・開口、７・・・無機絶縁層領域、
８．８′・・・複合絶縁層領域。 ７−７ス 代理人 弁理士 内 原 晋メロ；′孫７屁機絶繍」
籟蕪 第２７ 易３ＶＪ ｉ゛。
ップの縦断面図、第２図は本発明の第２の実施例の主要
部を示す半導体チップの縦断面図、第３図は従来例の主
要部を示す半導体チップの縦断面図である。 １・・・ホンディングパッド、２・・・無機絶縁層、３
・・・有機絶縁層、４・・・酸化シリコン膜、５・・・
半導体基板、６・・・開口、７・・・無機絶縁層領域、
８．８′・・・複合絶縁層領域。 ７−７ス 代理人 弁理士 内 原 晋メロ；′孫７屁機絶繍」
籟蕪 第２７ 易３ＶＪ ｉ゛。
Claims (1)
- ボンディグパッドの表面部に開口を有する絶縁膜が、前
記ボンディグパッドの周囲に設けられた無機絶縁膜領域
、及び有機絶縁膜とその表面に設けられた無機絶縁膜と
からなる複合絶縁層領域を有していることを特徴とする
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62146593A JPH0691126B2 (ja) | 1987-06-11 | 1987-06-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62146593A JPH0691126B2 (ja) | 1987-06-11 | 1987-06-11 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63308924A true JPS63308924A (ja) | 1988-12-16 |
| JPH0691126B2 JPH0691126B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=15411227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62146593A Expired - Lifetime JPH0691126B2 (ja) | 1987-06-11 | 1987-06-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691126B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999034442A1 (en) * | 1997-12-31 | 1999-07-08 | Intel Corporation | A novel passivation structure and its method of fabrication |
| US6163075A (en) * | 1998-05-26 | 2000-12-19 | Nec Corporation | Multilayer wiring structure and semiconductor device having the same, and manufacturing method therefor |
| WO2014119045A1 (ja) * | 2013-02-01 | 2014-08-07 | 株式会社村田製作所 | 半導体装置 |
| US9919524B2 (en) | 2013-11-27 | 2018-03-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Printhead with bond pad surrounded by dam |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58135645A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-08-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63192240A (ja) * | 1987-02-03 | 1988-08-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-06-11 JP JP62146593A patent/JPH0691126B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58135645A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-08-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63192240A (ja) * | 1987-02-03 | 1988-08-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999034442A1 (en) * | 1997-12-31 | 1999-07-08 | Intel Corporation | A novel passivation structure and its method of fabrication |
| US6143638A (en) * | 1997-12-31 | 2000-11-07 | Intel Corporation | Passivation structure and its method of fabrication |
| US6566737B2 (en) | 1997-12-31 | 2003-05-20 | Intel Corporation | Passivation structure for an integrated circuit |
| US6163075A (en) * | 1998-05-26 | 2000-12-19 | Nec Corporation | Multilayer wiring structure and semiconductor device having the same, and manufacturing method therefor |
| US6346471B1 (en) | 1998-05-26 | 2002-02-12 | Nec Corporation | Multilayer wiring structure and semiconductor device having the same, and manufacturing method therefor |
| WO2014119045A1 (ja) * | 2013-02-01 | 2014-08-07 | 株式会社村田製作所 | 半導体装置 |
| US9919524B2 (en) | 2013-11-27 | 2018-03-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Printhead with bond pad surrounded by dam |
| US10232619B2 (en) | 2013-11-27 | 2019-03-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Printhead with bond pad surrounded by dam |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0691126B2 (ja) | 1994-11-14 |
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