JPS6294964A - バンプ構造 - Google Patents
バンプ構造Info
- Publication number
- JPS6294964A JPS6294964A JP60235737A JP23573785A JPS6294964A JP S6294964 A JPS6294964 A JP S6294964A JP 60235737 A JP60235737 A JP 60235737A JP 23573785 A JP23573785 A JP 23573785A JP S6294964 A JPS6294964 A JP S6294964A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- pad
- thickness
- bump
- metal layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はインナリードボンディング用バンプ付半導体集
積回路におけるバンプ構造に関する。
積回路におけるバンプ構造に関する。
従来、この種のバンプは第２図に示すように、半導体集
積回路（以後半導体ＩＣと記す）表面のＡｌパッド３上
のパッシベーション膜２を除去した後、その上にコンタ
クト金属層５．どリヤ金属層６．金属バンプ７を設ける
ことにより形成されていた。なお、第２図において、１
はシリコン基板上に形成された層間絶縁膜である。また
パッドＡｌ３は図示されているように内部配線Ａｌ層８
と同一厚さで一般に１μｍ前後である。
積回路（以後半導体ＩＣと記す）表面のＡｌパッド３上
のパッシベーション膜２を除去した後、その上にコンタ
クト金属層５．どリヤ金属層６．金属バンプ７を設ける
ことにより形成されていた。なお、第２図において、１
はシリコン基板上に形成された層間絶縁膜である。また
パッドＡｌ３は図示されているように内部配線Ａｌ層８
と同一厚さで一般に１μｍ前後である。
上述した従来のバンプ構造によれば、金属バンプ下部の
パッドＡｌ層の厚さは、内部配線Ａｌ層の厚さと同一で
あり、一般に１μ前後である。
パッドＡｌ層の厚さは、内部配線Ａｌ層の厚さと同一で
あり、一般に１μ前後である。
インナリードボンディング法は、ワイヤーボンディング
法に比べ、金属バンプに強い衝撃を与えるボンディング
法である為、従来のバンプ構造では、この衝撃を吸収し
きれず、パッドＡＩ下部より根こそぎはがれるという現
象が生じやすいという欠点があった。
法に比べ、金属バンプに強い衝撃を与えるボンディング
法である為、従来のバンプ構造では、この衝撃を吸収し
きれず、パッドＡＩ下部より根こそぎはがれるという現
象が生じやすいという欠点があった。
本発明の目的は、インナーリードボンディング時の衝撃
を吸収しやすくし、パッドＡｌ層下部よりのはがれの生
じにくいバンプ構造を提供することにある。
を吸収しやすくし、パッドＡｌ層下部よりのはがれの生
じにくいバンプ構造を提供することにある。
本発明のバンプ構造は、パッドＡｌ上にコンタクト金属
層、バリヤ金属層、金属バンブを設けたバンプ構造にお
いて、パッドＡＩＲの厚さを１．５μｍ以上とすること
により構成される。
層、バリヤ金属層、金属バンブを設けたバンプ構造にお
いて、パッドＡＩＲの厚さを１．５μｍ以上とすること
により構成される。
なお１．５μｍ以上のパッドＡｌ層は内部配線ＡＩ形形
成形形成れたパッドＡｌ上に、パッシベーション膜開孔
後、さらにＡ２層を設けることにより最終的に１５μｍ
以上とすることにより好ましい状態とすることができる
。
成形形成れたパッドＡｌ上に、パッシベーション膜開孔
後、さらにＡ２層を設けることにより最終的に１５μｍ
以上とすることにより好ましい状態とすることができる
。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。層間絶縁
膜１上に形成したパッドＡｌＢ上のパッシベーション膜
２を開孔した半導体ＩＣ上に、さらにＡｌ層４を設ける
。この際、全体のＡｌ層（３＋４）の厚さが１５μｍ以
上となる様Ａｌ層４の厚さを設定する。その上にコンタ
クト金属層として゛ｒｉｓ、バリア金属層としてＰｔ６
を設けたのち金バンブ７を形成する。
膜１上に形成したパッドＡｌＢ上のパッシベーション膜
２を開孔した半導体ＩＣ上に、さらにＡｌ層４を設ける
。この際、全体のＡｌ層（３＋４）の厚さが１５μｍ以
上となる様Ａｌ層４の厚さを設定する。その上にコンタ
クト金属層として゛ｒｉｓ、バリア金属層としてＰｔ６
を設けたのち金バンブ７を形成する。
本発明による構造によれば、パッドＡｌ層の厚さを１５
μｍ以上に増すことにより、とのＡ７層でインナーリー
ドボンディング時の衝撃を吸収しやすくできる。パッド
Ａｌ層の厚さ１５μｍの場合、１０μｍの場合に比べ相
対的はがれ発生率は１／１０以下になり、実用上全く問
題のないレベルとなる。また１、５μｍ以上に厚くした
場合の相対的はがれ発生率は１．５μｍの場合易大差が
ないことが確認できた。
μｍ以上に増すことにより、とのＡ７層でインナーリー
ドボンディング時の衝撃を吸収しやすくできる。パッド
Ａｌ層の厚さ１５μｍの場合、１０μｍの場合に比べ相
対的はがれ発生率は１／１０以下になり、実用上全く問
題のないレベルとなる。また１、５μｍ以上に厚くした
場合の相対的はがれ発生率は１．５μｍの場合易大差が
ないことが確認できた。
以上説明した様に、本発明はパッドＡｌ層の厚さを増す
ことにより、インナーリードボンディング時の衝撃を吸
収しやすくシ、パッドＡｌ層下部よりのはがれを生じに
くくさせる効果がある。
ことにより、インナーリードボンディング時の衝撃を吸
収しやすくシ、パッドＡｌ層下部よりのはがれを生じに
くくさせる効果がある。
第１図は本発明のバンプ構造の縦断面図、第２図１ば従
来のバンプ構造の縦断面図である。 １・・・・・・ａ［ｅ！膜、２・・・・・・パッシベー
ション膜、３・・・・・・パッドＡｌ１４・−・・・・
Ａｌ、５・・・・・・コンタクト金属層（Ｔｉ）、６・
・・・・・バリア金属層（ｐｔ）、７・・・・・・Ａｕ
バンプ、８・・・・・・内部配線Ａｌ層。 ＼−−１′ 坪 １ 聞 第 ２ 苗
来のバンプ構造の縦断面図である。 １・・・・・・ａ［ｅ！膜、２・・・・・・パッシベー
ション膜、３・・・・・・パッドＡｌ１４・−・・・・
Ａｌ、５・・・・・・コンタクト金属層（Ｔｉ）、６・
・・・・・バリア金属層（ｐｔ）、７・・・・・・Ａｕ
バンプ、８・・・・・・内部配線Ａｌ層。 ＼−−１′ 坪 １ 聞 第 ２ 苗
Claims (2)
- （１）パッドＡｌ上にコンタクト金属層、バリヤ金属層
、金属バンプを設けたバンプ構造において、パッドＡｌ
層の厚さを１．５μｍ以上とすることを特徴とするバン
プ構造。 - （２）パッドＡｌ層の厚さが内部配線Ａｌ形成時形成さ
れたパッドＡｌ上に、パッシベーション膜開孔後、さら
にＡｌ層を設けることにより最終的に１．５μｍである
特許請求の範囲第（１）項記載のバンプ構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60235737A JPS6294964A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | バンプ構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60235737A JPS6294964A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | バンプ構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6294964A true JPS6294964A (ja) | 1987-05-01 |
Family
ID=16990473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60235737A Pending JPS6294964A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | バンプ構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6294964A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101023080B1 (ko) * | 2008-11-13 | 2011-03-24 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 금속 배선 및 그 형성 방법 |
-
1985
- 1985-10-21 JP JP60235737A patent/JPS6294964A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101023080B1 (ko) * | 2008-11-13 | 2011-03-24 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 금속 배선 및 그 형성 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4723197A (en) | Bonding pad interconnection structure | |
| US5707894A (en) | Bonding pad structure and method thereof | |
| TW200306631A (en) | Wafer-level coated copper stud bumps | |
| JPH01214141A (ja) | フリップチップ型半導体装置 | |
| JP2009302500A (ja) | ウエハレベルパッケージ及びその製造方法 | |
| JP2000228420A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2000183090A (ja) | チップサイズパッケージ及びその製造方法 | |
| US5293071A (en) | Bump structure for bonding to a semi-conductor device | |
| JP4462664B2 (ja) | チップサイズパッケージ型の半導体装置 | |
| JP4185688B2 (ja) | ウェハーレベルチップスケールパッケージ及びその製造方法 | |
| JPS6294964A (ja) | バンプ構造 | |
| JP2000164617A (ja) | チップサイズパッケージおよびその製造方法 | |
| JP2000091339A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS63308924A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63293930A (ja) | 半導体装置における電極 | |
| JP3263859B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS615561A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2789467B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2008028109A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH01278751A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2004071906A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02121333A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH079907B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0244145B2 (ja) | ||
| JPS5969933A (ja) | 半導体装置の製造方法 |