JP2789467B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JP2789467B2 JP2789467B2 JP63021240A JP2124088A JP2789467B2 JP 2789467 B2 JP2789467 B2 JP 2789467B2 JP 63021240 A JP63021240 A JP 63021240A JP 2124088 A JP2124088 A JP 2124088A JP 2789467 B2 JP2789467 B2 JP 2789467B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pad
- aluminum pad
- semiconductor device
- bump
- mounting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、バンプ付半導体チップに対して実装時に加
わる圧力の限界値の向上を図った半導体装置に関するも
のである。
わる圧力の限界値の向上を図った半導体装置に関するも
のである。
（従来の技術） 近年、電子機器の小型化が要求される中にあって、半
導体集積回路の実装技術としてバンプ技術が注目されて
いる。従来のバンプ構造とその製造方法の一例を第２図
に示す。同図は従来のバンプ構造の断面図であり、シリ
コン基板１の上に厚さ１〜２μｍ程度のいわゆるフィー
ルド酸化膜２が形成され、その上にアルミパッド３が形
成されている。近年、ドライエッチング技術が進歩し、
アルミニウム膜のエッチングにも通常異方性の強いドラ
イエッチングが用いられる。そのため、通常アルミパッ
ド３の端の断面形状は、フィールド酸化膜２に対して垂
直に近い切り立った形状になっている。アルミパッド３
の上からシリコン窒化膜などの表面保護膜４を形成した
のち、アルミパッド３上の表面保護膜４を、図に示すよ
うに選択的に除去する。さらに、チタンまたはパラジウ
ムなどをアルミパッド３上に選択的に形成し、バリアメ
タル５を形成する。そののちに、金などをメッキなどの
方法を用いて10〜20μｍ程度アルミパッド３上に選択的
にバンプ６を成長させることにより、第２図に示すよう
なバンプ構造が得られる。
導体集積回路の実装技術としてバンプ技術が注目されて
いる。従来のバンプ構造とその製造方法の一例を第２図
に示す。同図は従来のバンプ構造の断面図であり、シリ
コン基板１の上に厚さ１〜２μｍ程度のいわゆるフィー
ルド酸化膜２が形成され、その上にアルミパッド３が形
成されている。近年、ドライエッチング技術が進歩し、
アルミニウム膜のエッチングにも通常異方性の強いドラ
イエッチングが用いられる。そのため、通常アルミパッ
ド３の端の断面形状は、フィールド酸化膜２に対して垂
直に近い切り立った形状になっている。アルミパッド３
の上からシリコン窒化膜などの表面保護膜４を形成した
のち、アルミパッド３上の表面保護膜４を、図に示すよ
うに選択的に除去する。さらに、チタンまたはパラジウ
ムなどをアルミパッド３上に選択的に形成し、バリアメ
タル５を形成する。そののちに、金などをメッキなどの
方法を用いて10〜20μｍ程度アルミパッド３上に選択的
にバンプ６を成長させることにより、第２図に示すよう
なバンプ構造が得られる。
（発明が解決しようとする課題） 上記、従来のバンプ構造では、バンプ付チップ実装工
程の一つであるILB（Inner Lead Bonding）工程時に、
アルミパッド部に300〜500℃の温度で１（t/cm2）以上
の圧力が加わった場合、アルミパッドが変形を起こし、
その応力がアルミパッド端部に集中し、それを表面保護
膜が押えきれずにアルミパッド端部で表面保護膜にクラ
ックが生じ、デバイスの信頼性上問題となるため、ILB
工程時にバンプとリード材料を接着するために加える圧
力が制限される欠点があった。
程の一つであるILB（Inner Lead Bonding）工程時に、
アルミパッド部に300〜500℃の温度で１（t/cm2）以上
の圧力が加わった場合、アルミパッドが変形を起こし、
その応力がアルミパッド端部に集中し、それを表面保護
膜が押えきれずにアルミパッド端部で表面保護膜にクラ
ックが生じ、デバイスの信頼性上問題となるため、ILB
工程時にバンプとリード材料を接着するために加える圧
力が制限される欠点があった。
本発明の目的は、従来の欠点に解消し、バンプ付半導
体チップの実装工程の一つであるILB工程で半導体チッ
プに加える圧力の加圧限界を向上させることができる優
れた半導体装置を提供することである。
体チップの実装工程の一つであるILB工程で半導体チッ
プに加える圧力の加圧限界を向上させることができる優
れた半導体装置を提供することである。
（課題を解決するための手段） 本発明の半導体装置は、半導体チップの実装手段の一
つであるバンプの構造において、アルミパッドの端の断
面形状がテーパー角度50゜以下のスロープ状にするもの
である。
つであるバンプの構造において、アルミパッドの端の断
面形状がテーパー角度50゜以下のスロープ状にするもの
である。
（作用） 上記構成により、従来のバンプ構造では、ILB工程時
に加える圧力の上限に制限を受けていたものが、より高
い圧力がILB工程を実施することが容易となり、信頼性
の高い安定した実装を行うことが可能となる。
に加える圧力の上限に制限を受けていたものが、より高
い圧力がILB工程を実施することが容易となり、信頼性
の高い安定した実装を行うことが可能となる。
（実施例） 本発明の一実施例を第１図に基づいて説明する。第１
図は本発明のバンプ構造の断面図である。バンプを形成
するための製造工程および材料は、第２図に示した従来
例と基本的には相違なく、第１図の各部に付した符号
は、第２図の従来例に示したものと同一符号を付し、そ
の説明を省略する。
図は本発明のバンプ構造の断面図である。バンプを形成
するための製造工程および材料は、第２図に示した従来
例と基本的には相違なく、第１図の各部に付した符号
は、第２図の従来例に示したものと同一符号を付し、そ
の説明を省略する。
第１図において、アルミパッド３を形成する際のエッ
チングにウェットエッチングを採用し、等方的なエッチ
ングを行うことにより、第２図に示した従来例ではアル
ミパッド３の端の断面形状がフィールド酸化膜２に対し
て垂直に近い切り立った形状であるのに対し、第１図に
示した本発明によるバンプ構造では、アルミパッド３の
端の断面形状がテーパー角度50゜以下のスロープ状にな
っている。こういう構造にすることにより、ILB工程時
に加わる圧力のために生じるアルミパッド３の端部の応
力集中を緩和することができ、ILB工程時の加圧限界を
向上させることができる。第２図に示した従来例の構造
では、ILB工程時にアルミパッド３に加わる圧力を１（t
/cm2）以上にすると、アルミパッド３の端部付近で表面
保護膜４にクラックが生じるなど実装上問題があった
が、第１図に示すように、アルミパッド３の端部の形状
をテーパー角度50゜以下のスロープ状にすることによ
り、ILB工程時にアルミパッド３に加わる圧力を１（t/c
m2）以上にしても問題は生じない。
チングにウェットエッチングを採用し、等方的なエッチ
ングを行うことにより、第２図に示した従来例ではアル
ミパッド３の端の断面形状がフィールド酸化膜２に対し
て垂直に近い切り立った形状であるのに対し、第１図に
示した本発明によるバンプ構造では、アルミパッド３の
端の断面形状がテーパー角度50゜以下のスロープ状にな
っている。こういう構造にすることにより、ILB工程時
に加わる圧力のために生じるアルミパッド３の端部の応
力集中を緩和することができ、ILB工程時の加圧限界を
向上させることができる。第２図に示した従来例の構造
では、ILB工程時にアルミパッド３に加わる圧力を１（t
/cm2）以上にすると、アルミパッド３の端部付近で表面
保護膜４にクラックが生じるなど実装上問題があった
が、第１図に示すように、アルミパッド３の端部の形状
をテーパー角度50゜以下のスロープ状にすることによ
り、ILB工程時にアルミパッド３に加わる圧力を１（t/c
m2）以上にしても問題は生じない。
（発明の効果） 本発明によれば、バンプ付半導体チップの実装工程の
一つであるILB工程で半導体チップに加える圧力の加圧
限界を向上させることができ、信頼性の高い安定した実
装が可能となり、その実用上の効果は大である。
一つであるILB工程で半導体チップに加える圧力の加圧
限界を向上させることができ、信頼性の高い安定した実
装が可能となり、その実用上の効果は大である。
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の断面
図、第２図は従来の半導体装置の断面図である。 １…シリコン基板、２…フィールド酸化膜、３…アルミ
パッド、４…表面保護膜、５…バリアメタル、６…バン
プ。
図、第２図は従来の半導体装置の断面図である。 １…シリコン基板、２…フィールド酸化膜、３…アルミ
パッド、４…表面保護膜、５…バリアメタル、６…バン
プ。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に形成された絶縁膜上に導電体から
なるパッドが選択的に設けられ、少なくとも前記パッド
上に表面保護膜が設けられ、この表面保護膜の少なくと
も前記パッド上の一部が選択的に開口されており、少な
くとも前記パッド上にバンプが設けられた半導体装置に
おいて、前記パッドの端の断面形状がテーパー角度50゜
以下のスロープ状であることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63021240A JP2789467B2 (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63021240A JP2789467B2 (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01196855A JPH01196855A (ja) | 1989-08-08 |
| JP2789467B2 true JP2789467B2 (ja) | 1998-08-20 |
Family
ID=12049529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63021240A Expired - Lifetime JP2789467B2 (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2789467B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3022565B2 (ja) * | 1988-09-13 | 2000-03-21 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| JP2012243984A (ja) * | 2011-05-20 | 2012-12-10 | Fujikura Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57139943A (en) * | 1981-02-23 | 1982-08-30 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS60117648A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-25 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
-
1988
- 1988-02-02 JP JP63021240A patent/JP2789467B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01196855A (ja) | 1989-08-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4401181B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US20020047199A1 (en) | Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, stack type semiconductor device, and manufacturing method of stack type semiconductor device | |
| JPH0897217A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US5289038A (en) | Bump electrode structure and semiconductor chip having the same | |
| JP3459234B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3672297B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US7232747B2 (en) | Method of wafer bumping for enabling a stitch wire bond in the absence of discrete bump formation | |
| JP2789467B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2721580B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4805362B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3019065B2 (ja) | 半導体装置の接続方法 | |
| JP2750859B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4522213B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0529376A (ja) | 半導体装置のボンデイングパツド | |
| JPH01196148A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01196146A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000195887A (ja) | 電子部品 | |
| JPH01122128A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04237149A (ja) | 電子チップ部品の製造方法及びボンディング方法 | |
| JPH06333977A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2622988B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01278751A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0719797B2 (ja) | 半導体装置の実装具 | |
| JPH0244145B2 (ja) | ||
| JP2000357701A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |