JP2012243984A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板101の一面101aに、絶縁層102、下地金属層103、金属端子が設けられるためのランド部104を順に積層してなる半導体装置109であって、ランド部104は、絶縁層102と対向する面の中央部において、下地金属層103と接合する接合領域と、絶縁層102と対向する面において、接合領域を除いた非接合領域と、を有し、下地金属層103は、ランド部104側から絶縁層102側にかけて外向きに傾斜した側面を有していること、を特徴とする半導体装置109。
【選択図】図1
Description
サンプルとして用いた半導体装置109では、絶縁層102に厚さ1[μm]のSiO2膜を、下地金属層103に厚さ0.3[μm]のTi膜を、ランド部104に厚さ10[μm]のCuを、それぞれ採用した。そして、ランド部104の上には半田バンプ107を形成した。下地金属層103の側面が傾斜した形状は、薬液を用いたウェットエッチングを行って形成した。
また、第一傾斜角度θ1aが66.9[°]以下であるサンプルにおいては、絶縁層102のクラック不良が発生していない。
第一傾斜角度を66.9[°]以下とした場合、絶縁層102とランド部104との間における、ランド部104に加わった応力の分散効果が高まり、下地金属層103の側面近傍において、絶縁層102のクラックの発生が確実に抑えられている。
したがって、本発明に係る半導体装置109を構成する第一傾斜角度θ1aとしては、30.0[°]以上66.9[°]以下の範囲にあることが望ましい。
第一実施形態に係る半導体装置109の製造方法1−1について、図6(a)〜(c)、図7(a)〜(c)に示す工程図を用いて説明する。
図8(a)は、本発明の第二実施形態に係る半導体装置209の断面図である。半導体装置209は、半導体基板201の一方の主面201aに、絶縁層202と、下地金属層203と、配線層の一部であって、外部との電気的接続部をなす金属端子が設けられるためのランド部204と、を順に積層し、ランド部204に金属端子(半田バンプ)207を載置してなる。
第二実施形態に係る半導体装置209の製造方法2−1について、図10(a)〜(c)、図11(a)〜(c)、図12(a)〜(c)に示す工程図を用いて説明する。
図13は、本発明の第三実施形態に係る半導体装置309の断面図である。半導体装置309は、少なくとも、半導体基板301の一方の主面301aに、絶縁層302、下地金属層303a、下地金属層303b、下地金属層303c、下地金属層303d、下地金属層303e、配線層の一部であって、外部との電気的接続部をなす金属端子が設けられるためのランド部304を順に積層し、ランド部304に金属端子(半田バンプ)307を載置してなる。
103・・・下地金属層、104・・・ランド部、204a・・・第一金属層、
204b・・・第二金属層、109、209・・・半導体装置、
204a・・・第一金属層、204b・・・第二金属層、Da・・・領域、
S1a・・・直線、S1b、S1c・・・曲線、
θ1a、θ1b、θ1c・・・第一傾斜角度。
Claims (3)
- 半導体基板の一面に、絶縁層、下地金属層、金属端子が設けられるためのランド部を順に積層してなる半導体装置であって、
前記ランド部は、
前記絶縁層と対向する面の中央部において、前記下地金属層と接合する接合領域と、
前記絶縁層と対向する面において、前記接合領域を除いた非接合領域と、
を有し、
前記下地金属層は、前記ランド部側から前記絶縁層側にかけて外向きに傾斜した側面を有していること、を特徴とする半導体装置。 - 前記下地金属層の側面は、傾斜方向において平坦な形状であり、
前記下地金属層の側面と前記絶縁層とがなす第一傾斜角度は、30.0[°]以上66.9[°]以下であること、を特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ランド部は、第一金属層と第二金属層を順に積層した2層からなり、前記第二金属層の端部においては、前記第二金属層の直下に第一金属層が形成されていないこと、を特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
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