JPH04237149A - 電子チップ部品の製造方法及びボンディング方法 - Google Patents
電子チップ部品の製造方法及びボンディング方法Info
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- JPH04237149A JPH04237149A JP3005442A JP544291A JPH04237149A JP H04237149 A JPH04237149 A JP H04237149A JP 3005442 A JP3005442 A JP 3005442A JP 544291 A JP544291 A JP 544291A JP H04237149 A JPH04237149 A JP H04237149A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電極部に金属バンプを
有する電子チップ部品の製造方法と、電子部品のボンデ
ィング方法に関するものである。
有する電子チップ部品の製造方法と、電子部品のボンデ
ィング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子チップ部品のテープオートマチック
ボンディング実装（ＴＡＢ実装）においては、電子チッ
プ部品上に形成された電極部に金属バンプを形成し、こ
の金属バンプとＴＡＢテープのリードと接続している。 従来前記電子チップ部品は、図３に示すように、電子チ
ップ部品１１に耐湿性を付与するために、電子チップ部
品１１の表面及び電極部１２の周縁部分を二酸化ケイ素
や四窒化ケイ素などからなるパッシベーション膜１４で
被覆していた。
ボンディング実装（ＴＡＢ実装）においては、電子チッ
プ部品上に形成された電極部に金属バンプを形成し、こ
の金属バンプとＴＡＢテープのリードと接続している。 従来前記電子チップ部品は、図３に示すように、電子チ
ップ部品１１に耐湿性を付与するために、電子チップ部
品１１の表面及び電極部１２の周縁部分を二酸化ケイ素
や四窒化ケイ素などからなるパッシベーション膜１４で
被覆していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記従来の電子
チップ部品は、電極部１２が露出し外気と接触している
ため電極部１２及び金属バンプ部分が腐食したり、又前
記パッシベーション膜１４はピンホール１５が生じたり
電子チップ部品のエッジ部分１１ａを被覆していないこ
とがあるため、電子チップ部品１１の耐湿性が不十分で
あるという問題があった。
チップ部品は、電極部１２が露出し外気と接触している
ため電極部１２及び金属バンプ部分が腐食したり、又前
記パッシベーション膜１４はピンホール１５が生じたり
電子チップ部品のエッジ部分１１ａを被覆していないこ
とがあるため、電子チップ部品１１の耐湿性が不十分で
あるという問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本願の第１発明は上記課
題を解決するため、電極部に金属バンプを形成したウェ
ハーの表面を有機保護膜で被覆した後、前記ウェハーを
ダイシングして電子チップ部品を分割形成することを特
徴とする。
題を解決するため、電極部に金属バンプを形成したウェ
ハーの表面を有機保護膜で被覆した後、前記ウェハーを
ダイシングして電子チップ部品を分割形成することを特
徴とする。
【０００５】本願の第２発明は、前記電子チップ部品を
ボンディングする方法において、前記金属バンプの接続
部位のみ有機保護膜を熱及び圧力により部分的に破壊し
、外部のリードと前記金属バンプを圧着することを特徴
とする。
ボンディングする方法において、前記金属バンプの接続
部位のみ有機保護膜を熱及び圧力により部分的に破壊し
、外部のリードと前記金属バンプを圧着することを特徴
とする。
【０００６】
【作用】本願の第１発明の電子部品は、ウェハー及び電
極部に形成された金属バンプの表面を全て有機保護膜で
被覆し、ダイシングして分割形成されるので、前記有機
保護膜が前記表面を外気から完全に遮断するため、電極
部が酸化するのを防止すると共に、電子チップ部品内部
に湿気が入ることを防止する。
極部に形成された金属バンプの表面を全て有機保護膜で
被覆し、ダイシングして分割形成されるので、前記有機
保護膜が前記表面を外気から完全に遮断するため、電極
部が酸化するのを防止すると共に、電子チップ部品内部
に湿気が入ることを防止する。
【０００７】本願の第２発明では、この電子チップ部品
をＴＡＢ実装等する場合に、前記金属バンプとリードの
接合部位のみ有機保護膜を押圧によって容易に破壊し、
圧着することができるので、ボンディングを容易に行う
ことができる。又有機保護膜の絶縁性により、ボンディ
ング時にリードが電子チップ部品のエッジ部分に触れて
もショートすることを防止することができる。
をＴＡＢ実装等する場合に、前記金属バンプとリードの
接合部位のみ有機保護膜を押圧によって容易に破壊し、
圧着することができるので、ボンディングを容易に行う
ことができる。又有機保護膜の絶縁性により、ボンディ
ング時にリードが電子チップ部品のエッジ部分に触れて
もショートすることを防止することができる。
【０００８】
【実施例】図１は、表面にアルミニウム電極部２及び外
部と接続するための金バンプ（金属バンプ）３を前記電
極部２上に備えたウェハー１を示している。
部と接続するための金バンプ（金属バンプ）３を前記電
極部２上に備えたウェハー１を示している。
【０００９】前記電極部２の周縁部及びウェハー１表面
が露出する部分は、二酸化ケイ素や四窒化ケイ等からな
る厚さ０．８ 〜１．３ μｍのパッシベーション膜４
で被覆され、湿気から保護されている。前記パッシベー
ション膜５を形成した後、スピンコートによってポリイ
ミド溶液を前記ウェハー１表面全体に均一に延ばし、前
記金バンプ３表面と電極部２の露出部分及びパッシベー
ション膜４全部を覆った後、１００ 〜１５０ ℃で１
〜３時間加熱してポリイミド溶液を硬化させ、有機保護
膜４を形成する。 ウェハー１は有機保護膜４の形成後、ダイシングされ、
電子チップ部品９に分割形成される。前記ポリイミド溶
液は、パッシベーション膜５のピンホール６にも流入し
てこれを埋めるので、有機保護膜４は電子チップ部品９
の表面全体を覆って形成されており、電極部２及び金バ
ンプ３を含め電子チップ部品９の表面は完全に外気から
遮断される。
が露出する部分は、二酸化ケイ素や四窒化ケイ等からな
る厚さ０．８ 〜１．３ μｍのパッシベーション膜４
で被覆され、湿気から保護されている。前記パッシベー
ション膜５を形成した後、スピンコートによってポリイ
ミド溶液を前記ウェハー１表面全体に均一に延ばし、前
記金バンプ３表面と電極部２の露出部分及びパッシベー
ション膜４全部を覆った後、１００ 〜１５０ ℃で１
〜３時間加熱してポリイミド溶液を硬化させ、有機保護
膜４を形成する。 ウェハー１は有機保護膜４の形成後、ダイシングされ、
電子チップ部品９に分割形成される。前記ポリイミド溶
液は、パッシベーション膜５のピンホール６にも流入し
てこれを埋めるので、有機保護膜４は電子チップ部品９
の表面全体を覆って形成されており、電極部２及び金バ
ンプ３を含め電子チップ部品９の表面は完全に外気から
遮断される。
【００１０】尚、有機保護膜４の素材は前記ポリイミド
に限らず、他にポリウレタン、ポリフェニレンサルファ
イド、エポキシ樹脂等、電気絶縁性が高い熱硬化性有機
物や熱可塑性有機物を用いることができ、製膜の方法及
びその条件もその素材に応じて適宜選択して行う。
に限らず、他にポリウレタン、ポリフェニレンサルファ
イド、エポキシ樹脂等、電気絶縁性が高い熱硬化性有機
物や熱可塑性有機物を用いることができ、製膜の方法及
びその条件もその素材に応じて適宜選択して行う。
【００１１】図２は、上記のように有機保護膜４で被覆
され、金バンプ３を電極部２上に有する電子チップ部品
９をＴＡＢテープ７にボンディングした断面図である。
され、金バンプ３を電極部２上に有する電子チップ部品
９をＴＡＢテープ７にボンディングした断面図である。
【００１２】ＴＡＢテープ７のインナーリード８は電子
チップ部品９の電極部２に形成された金バンプ３に有機
保護膜４を介して当接する。インナーリード８と前記金
バンプ３を当接後、当接部位１０をボンディングツール
を用いてパルス電流によって加熱し、同時に加圧する。 有機保護膜４は機械的強度がこの加熱及び加圧に耐える
ほど強くないので、有機保護膜４の金バンプ３の前記当
接部位１０を被覆していた部分のみが容易に破壊され、
金バンプ３はインナーリード８に圧着接合する。
チップ部品９の電極部２に形成された金バンプ３に有機
保護膜４を介して当接する。インナーリード８と前記金
バンプ３を当接後、当接部位１０をボンディングツール
を用いてパルス電流によって加熱し、同時に加圧する。 有機保護膜４は機械的強度がこの加熱及び加圧に耐える
ほど強くないので、有機保護膜４の金バンプ３の前記当
接部位１０を被覆していた部分のみが容易に破壊され、
金バンプ３はインナーリード８に圧着接合する。
【００１３】金バンプ３とインナーリード８の熱圧着接
合は上述のパルス方式の他、コンスタントヒート方式を
採用して行うこともできる。
合は上述のパルス方式の他、コンスタントヒート方式を
採用して行うこともできる。
【００１４】有機保護膜４はボンディングする箇所以外
の部分を破壊せずにボンディングに必要な部分のみを破
壊することが容易であるので、ボンディング後も電子チ
ップ部品９は有機保護膜４によって前記金バンプ３とイ
ンナーリード８のボンディング部分を除いた電子チップ
部品９表面全体が被覆された状態が保持され、電子チッ
プ部品９の耐酸化性及び耐湿性が向上し、信頼性の高い
製品を生産することができ、大変好適である。又有機保
護膜４の電気絶縁性によってインナーリード８が電子チ
ップ部品９のエッジ部９ａに接触してもショートするの
を防止するという効果も奏する。
の部分を破壊せずにボンディングに必要な部分のみを破
壊することが容易であるので、ボンディング後も電子チ
ップ部品９は有機保護膜４によって前記金バンプ３とイ
ンナーリード８のボンディング部分を除いた電子チップ
部品９表面全体が被覆された状態が保持され、電子チッ
プ部品９の耐酸化性及び耐湿性が向上し、信頼性の高い
製品を生産することができ、大変好適である。又有機保
護膜４の電気絶縁性によってインナーリード８が電子チ
ップ部品９のエッジ部９ａに接触してもショートするの
を防止するという効果も奏する。
【００１５】尚、上記実施例においては、ＴＡＢテープ
の実装例を示したが、通常の回路基板にフリップチップ
実装することも可能である。
の実装例を示したが、通常の回路基板にフリップチップ
実装することも可能である。
【００１６】
【発明の効果】本願の第１発明によれば、電極部の耐湿
性及び耐酸化性が向上した電子チップ部品を提供するこ
とができ、第２発明によって前記電子部品のボンディン
グを容易に行うことができる。又本願の第１発明によれ
ば、前記の効果を奏すると同時に、ＴＡＢ実装等を行う
場合にもインナーリードが電子チップ部品のエッジ部に
接触してもショートする恐れのない電子チップ部品を提
供することができる。
性及び耐酸化性が向上した電子チップ部品を提供するこ
とができ、第２発明によって前記電子部品のボンディン
グを容易に行うことができる。又本願の第１発明によれ
ば、前記の効果を奏すると同時に、ＴＡＢ実装等を行う
場合にもインナーリードが電子チップ部品のエッジ部に
接触してもショートする恐れのない電子チップ部品を提
供することができる。
【図１】本発明の一実施例におけるウェハーの要部の断
面図である。
面図である。
【図２】電子部品をＴＡＢ実装した状態の要部の断面図
である。
である。
【図３】従来の電子チップ部品の要部の断面図である。
１ ウェハー
２ 電極部
３ 金属バンプ
４ 有機保護膜
８ リード
９ 電子チップ部品
Claims (2)
- 【請求項１】 電極部に金属バンプを形成したウェハ
ーの表面を有機保護膜で被覆した後、前記ウェハーをダ
イシングして電子チップ部品を分割形成することを特徴
とする電子チップ部品の製造方法。 - 【請求項２】 電極部に外部と接続するための金属バ
ンプを有し、有機保護膜で表面全体を被覆した電子チッ
プ部品の、前記金属バンプの接続部位のみ有機保護膜を
熱及び圧力により部分的に破壊し、外部のリードと前記
金属バンプを圧着することを特徴とする電子チップ部品
のボンディング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP544291A JP2856220B2 (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 電子チップ部品の製造方法及びボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP544291A JP2856220B2 (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 電子チップ部品の製造方法及びボンディング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04237149A true JPH04237149A (ja) | 1992-08-25 |
| JP2856220B2 JP2856220B2 (ja) | 1999-02-10 |
Family
ID=11611317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP544291A Expired - Fee Related JP2856220B2 (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 電子チップ部品の製造方法及びボンディング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2856220B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0722461A (ja) * | 1993-06-23 | 1995-01-24 | Nec Corp | 同軸フリップチップ接続構造およびその形成方法 |
| JP2002092570A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-03-29 | Hitachi Maxell Ltd | Ｉｃモジュール及びその製造方法 |
| US6404051B1 (en) | 1992-08-27 | 2002-06-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having a protruding bump electrode |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7078808B2 (en) * | 2004-05-20 | 2006-07-18 | Texas Instruments Incorporated | Double density method for wirebond interconnect |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0228924A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法およびそれに用いる保護具 |
| JPH0348443A (ja) * | 1989-06-23 | 1991-03-01 | Nec Kansai Ltd | 半導体ウェーハ切断方法 |
| JPH04186864A (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-03 | Fujitsu Ltd | 回路基板の切断方法 |
-
1991
- 1991-01-22 JP JP544291A patent/JP2856220B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0228924A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法およびそれに用いる保護具 |
| JPH0348443A (ja) * | 1989-06-23 | 1991-03-01 | Nec Kansai Ltd | 半導体ウェーハ切断方法 |
| JPH04186864A (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-03 | Fujitsu Ltd | 回路基板の切断方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6404051B1 (en) | 1992-08-27 | 2002-06-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having a protruding bump electrode |
| US6605522B1 (en) | 1992-08-27 | 2003-08-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a semiconductor device having a protruding bump electrode |
| JPH0722461A (ja) * | 1993-06-23 | 1995-01-24 | Nec Corp | 同軸フリップチップ接続構造およびその形成方法 |
| JP2002092570A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-03-29 | Hitachi Maxell Ltd | Ｉｃモジュール及びその製造方法 |
| JP4521954B2 (ja) * | 2000-09-20 | 2010-08-11 | 日立マクセル株式会社 | Ｉｃモジュールの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2856220B2 (ja) | 1999-02-10 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |