JP2505314B2 - 電子チップ部品の金属バンプ形成方法 - Google Patents

電子チップ部品の金属バンプ形成方法

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JP2505314B2 JP3005441A JP544191A JP2505314B2 JP 2505314 B2 JP2505314 B2 JP 2505314B2 JP 3005441 A JP3005441 A JP 3005441A JP 544191 A JP544191 A JP 544191A JP 2505314 B2 JP2505314 B2 JP 2505314B2
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喜文 北山
和弘 森
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尚士 秋口
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子チップ部品の金属
バンプ形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子チップ部品の表面には、電子チップ
部品と外部との電気的接続を得るための電極部が形成さ
れている。図４に示すように、従来は電子チップ部品22
に耐湿性を付与するために、前記電子チップ部品22の表
面及び電極部21の周縁部分を二酸化ケイ素や四窒化ケイ
素などからなるパッシベーション膜23で被覆していた。
【０００３】この電子チップ部品の前記電極部21の中央
部は、電気的接続を良好にするためにパッシベーション
膜23で被覆せず、露出した状態であり、ここに金属バン
プを形成する場合には、ボンディングツールを用いて先
端部を球状にした金属線を、前記電極部の露出部に圧着
していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、パッシベーシ
ョン膜23で被覆していない電極部21の中央部が露出して
いるため、電極部21と外気が接触することになり、電極
部21が酸化されやすいという問題があった。
【０００５】又前記パッシベーション膜23にはピンホー
ル24が生じる場合があり、このピンホール24から外気が
入り込むため、ウェハー22の耐湿性が不十分であるとい
う問題もあった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、電子チップ部品としてその表面に形成され
た電極部及びパッシベーション膜を有機保護膜で被覆し
たものを用い、有機保護膜で被覆された電子チップ部品
の電極部に対応する部分の有機保護膜を、先端部を球状
にした金属線をボンディングツールによって押圧し、前
記部分の有機保護膜を破壊して前記金属線を前記電極部
に圧着し、金属バンプの形成を行うことを特徴とする。
【０００７】
【作用】有機保護膜は、電子チップ部品表面を完全に外
気から遮断して電極部が酸化するのを防止し、又パッシ
ベーション膜に生じたピンホールを埋めるので、前記ピ
ンホールから湿気が侵入することを防止する。又電子チ
ップ部品の電極部に対応する部分の有機保護膜を、先端
部を球状にした金属線をボンディングツールによって押
圧することによって破壊し、金属線を圧着することがで
きるので、電極部に金属バンプの形成を行うのが容易で
ある。
【０００８】
【実施例】図１において、ウェハー１上にはアルミニウ
ム電極部２が形成されており、前記電極部２の中央部を
除いたウェハー１の表面は、二酸化ケイ素や四窒化ケイ
等からなる厚さ0.8 〜1.3 μｍのパッシベーション膜３
で被覆され、保護されている。前記パッシベーション膜
３を形成後、スピンコートによってポリイミド溶液を前
記ウェハー１表面全体に均一に延ばし、電極部２の露出
部分及びパッシベーション膜３を覆った後、100 〜150
℃で１〜３時間加熱してポリイミド溶液を硬化させる。
前記ポリイミド溶液は、パッシベーション膜３のピンホ
ール５にも流入してこれを埋め、有機保護膜４はウェハ
ー１の表面全体を覆って形成されるので、電極部２及び
ウェハー１は完全に外気から遮断される。
【０００９】尚有機保護膜４の素材は、前記ポリイミド
に限らず、他にポリウレタン、ポリフェニレンサルファ
イド、エポキシ樹脂等、電気絶縁性が良好な熱硬化性有
機物や熱可塑性有機物を用いることができ、製膜の方法
及びその条件もその素材に応じて適宜選択して行う。
【００１０】図２及び図３は、上記のように有機保護膜
４で被覆されたウェハー１をダイシングして分割形成さ
れた電子チップ部品12に、金属バンプを形成する工程を
示している。
【００１１】図２において、電気スパークによって先端
部にボール８を形成した金線７を、キャピラリー（ボン
ディングツール）６によって電子チップ部品12の電極部
２上に配置する。次いでキャピラリー６を下降して加圧
し前記ボール８が押し付けると、有機保護膜４の電極部
２を被覆する部分のみが破壊され、前記ボール８がキャ
ピラリー６の縁で押しつぶされて電極部２に圧着接合す
る。このとき有機保護膜４を破壊するために更に必要に
応じて超音波の付加又は150 〜300 ℃に加熱を行う。
【００１２】ボール８を電極部２に圧着した後、キャピ
ラリー６を移動して金線７を引っ張り、金線７をボール
８から切断し、図３に示すように電極部２上に金属バン
プ８を形成する。
【００１３】有機保護膜４の機械的強度は、上記のよう
に金線７のボール８の加圧に耐える程強靱でないので、
金属バンプ８を形成するのが容易である。このとき有機
保護膜４は、電極部２のバンプ形成部位を被覆する部分
だけを容易に破壊し、この部位以外の電子チップ部品12
表面は有機保護膜４で被覆された状態を保持することが
できるので大変好適である。よって電極部２の耐酸化性
及び電子チップ部品の耐湿性が向上した信頼性の高い製
品を生産することができる。
【００１４】
【発明の効果】本発明は上記のような構成を有するの
で、電子チップ部品の電極部の耐湿性及び耐酸化性を向
上させることができるにもかかわらず、金属バンプの形
成を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子チップ部品形成前のウェハーの要
部の断面図である。
【図２】電子チップ部品の金属バンプ形成時の要部の断
面図である。
【図３】金属バンプを形成した電子チップ部品の要部の
断面図である。
【図４】従来の電子チップ部品の断面図である。
【符号の説明】
２ 電極部 ３ パッシベーション膜 ４ 有機保護膜 ６ ボンディングツール ７ 金線 ８ ボール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 秋口 尚士 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−158539（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−11469（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−89642（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−205551（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電極部及びパッシベーション膜を有機保
    護膜で被覆した電子チップ部品の電極対応箇所に、先端
    部を球状にした金属線をボンディングツールによって押
    圧し、有機保護膜を部分的に破壊して電極部上に金属バ
    ンプを形成することを特徴とする電子チップ部品の金属
    バンプ形成方法。
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