JP2856220B2 - 電子チップ部品の製造方法及びボンディング方法 - Google Patents
電子チップ部品の製造方法及びボンディング方法Info
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- JP2856220B2 JP2856220B2 JP544291A JP544291A JP2856220B2 JP 2856220 B2 JP2856220 B2 JP 2856220B2 JP 544291 A JP544291 A JP 544291A JP 544291 A JP544291 A JP 544291A JP 2856220 B2 JP2856220 B2 JP 2856220B2
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- Japan
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- electronic chip
- chip component
- protective film
- bonding
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電極部に金属バンプを
有する電子チップ部品の製造方法と、電子部品のボンデ
ィング方法に関するものである。
有する電子チップ部品の製造方法と、電子部品のボンデ
ィング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子チップ部品のテープオートマチック
ボンディング実装（ＴＡＢ実装）においては、電子チッ
プ部品上に形成された電極部に金属バンプを形成し、こ
の金属バンプとＴＡＢテープのリードと接続している。
従来前記電子チップ部品は、図３に示すように、電子チ
ップ部品11に耐湿性を付与するために、電子チップ部品
11の表面及び電極部12の周縁部分を二酸化ケイ素や四窒
化ケイ素などからなるパッシベーション膜14で被覆して
いた。
ボンディング実装（ＴＡＢ実装）においては、電子チッ
プ部品上に形成された電極部に金属バンプを形成し、こ
の金属バンプとＴＡＢテープのリードと接続している。
従来前記電子チップ部品は、図３に示すように、電子チ
ップ部品11に耐湿性を付与するために、電子チップ部品
11の表面及び電極部12の周縁部分を二酸化ケイ素や四窒
化ケイ素などからなるパッシベーション膜14で被覆して
いた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記従来の電子
チップ部品は、電極部12が露出し外気と接触しているた
め電極部12及び金属バンプ部分が腐食したり、又前記パ
ッシベーション膜14はピンホール15が生じたり電子チッ
プ部品のエッジ部分11ａを被覆していないことがあるた
め、電子チップ部品11の耐湿性が不十分であるという問
題があった。
チップ部品は、電極部12が露出し外気と接触しているた
め電極部12及び金属バンプ部分が腐食したり、又前記パ
ッシベーション膜14はピンホール15が生じたり電子チッ
プ部品のエッジ部分11ａを被覆していないことがあるた
め、電子チップ部品11の耐湿性が不十分であるという問
題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本願の第１発明の電子チ
ップ部品のボンディング方法は上記課題を解決するた
め、電極部に外部と接続するための金属バンプを有し、
有機物溶液を硬化させてなる有機保護膜で表面全体を密
着させて被覆した電子チップ部品の、前記金属バンプの
接続部位のみ有機保護膜を熱及び圧力により部分的に破
壊し、外部のリードと前記金属バンプを圧着することを
特徴とする。
ップ部品のボンディング方法は上記課題を解決するた
め、電極部に外部と接続するための金属バンプを有し、
有機物溶液を硬化させてなる有機保護膜で表面全体を密
着させて被覆した電子チップ部品の、前記金属バンプの
接続部位のみ有機保護膜を熱及び圧力により部分的に破
壊し、外部のリードと前記金属バンプを圧着することを
特徴とする。
【０００５】本願の第２発明は、第１発明の電子チップ
部品をボンディングする方法に用いられる電子チップ部
品を製造する方法において、電極部に金属バンプを形成
したウエハーの電極部周縁部およびウエハー表面の露出
部分にパッシベーション膜を被覆し、さらに前記パッシ
ベーション膜を含むウエハー表面に密着させて有機保護
膜を形成してウエハー表面全体を被覆し、次いで前記ウ
エハーをダイシングして電子部品を分割形成することを
特徴とする。
部品をボンディングする方法に用いられる電子チップ部
品を製造する方法において、電極部に金属バンプを形成
したウエハーの電極部周縁部およびウエハー表面の露出
部分にパッシベーション膜を被覆し、さらに前記パッシ
ベーション膜を含むウエハー表面に密着させて有機保護
膜を形成してウエハー表面全体を被覆し、次いで前記ウ
エハーをダイシングして電子部品を分割形成することを
特徴とする。
【０００６】
【作用】本願の第１発明では、この電子チップ部品をＴ
ＡＢ実装等する場合に、前記金属バンプとリードの接合
部位のみ有機保護膜を押圧によって容易に破壊し、圧着
することができるので、ボンディングを容易に行うこと
ができる。又有機保護膜の絶縁性により、ボンディング
時にリードが電子チップ部品のエッジ部分に触れてもシ
ョートすることを防止することができる。
ＡＢ実装等する場合に、前記金属バンプとリードの接合
部位のみ有機保護膜を押圧によって容易に破壊し、圧着
することができるので、ボンディングを容易に行うこと
ができる。又有機保護膜の絶縁性により、ボンディング
時にリードが電子チップ部品のエッジ部分に触れてもシ
ョートすることを防止することができる。
【０００７】本願の第２発明では、金属バンプ部を除い
たウエハーの表面をパッシベーション膜で被覆し、さら
にその上に金属バンプ部を含むウエハーの表面全体を有
機保護膜で密着状態に被覆した後、前記ウエハーをダイ
シングして電子部品を分割形成しているので、電極部や
金属バンプが腐食したりすることはなく、また、電極部
や金属バンプと有機保護膜との密着により内部に空気や
湿気を含むことのない、耐湿性および耐酸化性のすぐれ
た電子チップ部品を提供することができる。そして本願
の第２発明は、パッシベーション膜や有機保護膜を除去
することなく、金属バンプの接続部位のみ有機保護膜を
熱及び圧力により部分的に破壊し、外部のリードと前記
金属バンプを圧着することにより、ボンディングを容易
に行うことができる電子チップ部品を提供することがで
きる。
たウエハーの表面をパッシベーション膜で被覆し、さら
にその上に金属バンプ部を含むウエハーの表面全体を有
機保護膜で密着状態に被覆した後、前記ウエハーをダイ
シングして電子部品を分割形成しているので、電極部や
金属バンプが腐食したりすることはなく、また、電極部
や金属バンプと有機保護膜との密着により内部に空気や
湿気を含むことのない、耐湿性および耐酸化性のすぐれ
た電子チップ部品を提供することができる。そして本願
の第２発明は、パッシベーション膜や有機保護膜を除去
することなく、金属バンプの接続部位のみ有機保護膜を
熱及び圧力により部分的に破壊し、外部のリードと前記
金属バンプを圧着することにより、ボンディングを容易
に行うことができる電子チップ部品を提供することがで
きる。
【０００８】
【実施例】図１は、表面にアルミニウム電極部２及び外
部と接続するための金バンプ（金属バンプ）３を前記電
極部２上に備えたウェハー１を示している。
部と接続するための金バンプ（金属バンプ）３を前記電
極部２上に備えたウェハー１を示している。
【０００９】前記電極部２の周縁部及びウェハー１表面
が露出する部分は、二酸化ケイ素や四窒化ケイ等からな
る厚さ0.8 〜1.3 μｍのパッシベーション膜５で被覆さ
れ、湿気から保護されている。前記パッシベーション膜
５を形成した後、スピンコートによってポリイミド溶液
を前記ウェハー１表面全体に均一に延ばし、前記金バン
プ３表面と電極部２の露出部分及びパッシベーション膜
５全部を覆った後、100 〜150 ℃で１〜３時間加熱して
ポリイミド溶液を硬化させ、有機保護膜４を形成する。
ウェハー１は有機保護膜４の形成後、ダイシングされ、
電子チップ部品９に分割形成される。前記ポリイミド溶
液は、パッシベーション膜５のピンホール６にも流入し
てこれを埋めるので、有機保護膜４は電子チップ部品９
の表面全体を覆って形成されており、電極部２及び金バ
ンプ３を含め電子チップ部品９の表面は完全に外気から
遮断される。
が露出する部分は、二酸化ケイ素や四窒化ケイ等からな
る厚さ0.8 〜1.3 μｍのパッシベーション膜５で被覆さ
れ、湿気から保護されている。前記パッシベーション膜
５を形成した後、スピンコートによってポリイミド溶液
を前記ウェハー１表面全体に均一に延ばし、前記金バン
プ３表面と電極部２の露出部分及びパッシベーション膜
５全部を覆った後、100 〜150 ℃で１〜３時間加熱して
ポリイミド溶液を硬化させ、有機保護膜４を形成する。
ウェハー１は有機保護膜４の形成後、ダイシングされ、
電子チップ部品９に分割形成される。前記ポリイミド溶
液は、パッシベーション膜５のピンホール６にも流入し
てこれを埋めるので、有機保護膜４は電子チップ部品９
の表面全体を覆って形成されており、電極部２及び金バ
ンプ３を含め電子チップ部品９の表面は完全に外気から
遮断される。
【００１０】尚、有機保護膜４の素材は前記ポリイミド
に限らず、他にポリウレタン、ポリフェニレンサルファ
イド、エポキシ樹脂等、電気絶縁性が高い熱硬化性有機
物や熱可塑性有機物を用いることができ、製膜の方法及
びその条件もその素材に応じて適宜選択して行う。
に限らず、他にポリウレタン、ポリフェニレンサルファ
イド、エポキシ樹脂等、電気絶縁性が高い熱硬化性有機
物や熱可塑性有機物を用いることができ、製膜の方法及
びその条件もその素材に応じて適宜選択して行う。
【００１１】図２は、上記のように有機保護膜４で被覆
され、金バンプ３を電極部２上に有する電子チップ部品
９をＴＡＢテープ７にボンディングした断面図である。
され、金バンプ３を電極部２上に有する電子チップ部品
９をＴＡＢテープ７にボンディングした断面図である。
【００１２】ＴＡＢテープ７のインナーリード８は電子
チップ部品９の電極部２に形成された金バンプ３に有機
保護膜４を介して当接する。インナーリード８と前記金
バンプ３を当接後、当接部位10をボンディングツールを
用いてパルス電流によって加熱し、同時に加圧する。有
機保護膜４は機械的強度がこの加熱及び加圧に耐えるほ
ど強くないので、有機保護膜４の金バンプ３の前記当接
部位10を被覆していた部分のみが容易に破壊され、金バ
ンプ３はインナーリード８に圧着接合する。
チップ部品９の電極部２に形成された金バンプ３に有機
保護膜４を介して当接する。インナーリード８と前記金
バンプ３を当接後、当接部位10をボンディングツールを
用いてパルス電流によって加熱し、同時に加圧する。有
機保護膜４は機械的強度がこの加熱及び加圧に耐えるほ
ど強くないので、有機保護膜４の金バンプ３の前記当接
部位10を被覆していた部分のみが容易に破壊され、金バ
ンプ３はインナーリード８に圧着接合する。
【００１３】金バンプ３とインナーリード８の熱圧着接
合は上述のパルス方式の他、コンスタントヒート方式を
採用して行うこともできる。
合は上述のパルス方式の他、コンスタントヒート方式を
採用して行うこともできる。
【００１４】有機保護膜４はボンディングする箇所以外
の部分を破壊せずにボンディングに必要な部分のみを破
壊することが容易であるので、ボンディング後も電子チ
ップ部品９は有機保護膜４によって前記金バンプ３とイ
ンナーリード８のボンディング部分を除いた電子チップ
部品９表面全体が被覆された状態が保持され、電子チッ
プ部品９の耐酸化性及び耐湿性が向上し、信頼性の高い
製品を生産することができ、大変好適である。又有機保
護膜４の電気絶縁性によってインナーリード８が電子チ
ップ部品９のエッジ部９ａに接触してもショートするの
を防止するという効果も奏する。
の部分を破壊せずにボンディングに必要な部分のみを破
壊することが容易であるので、ボンディング後も電子チ
ップ部品９は有機保護膜４によって前記金バンプ３とイ
ンナーリード８のボンディング部分を除いた電子チップ
部品９表面全体が被覆された状態が保持され、電子チッ
プ部品９の耐酸化性及び耐湿性が向上し、信頼性の高い
製品を生産することができ、大変好適である。又有機保
護膜４の電気絶縁性によってインナーリード８が電子チ
ップ部品９のエッジ部９ａに接触してもショートするの
を防止するという効果も奏する。
【００１５】尚、上記実施例においては、ＴＡＢテープ
の実装例を示したが、通常の回路基板にフリップチップ
実装することも可能である。
の実装例を示したが、通常の回路基板にフリップチップ
実装することも可能である。
【００１６】
【発明の効果】本願の第１発明によれば、電子部品のボ
ンディングを容易に行うことができると共に、ＴＡＢ実
装等を行う場合にもインナーリードが電子チップ部品の
エッジ部に接触してもショートする恐れのない電子チッ
プ部品のボンディング方法を提供することができる。
ンディングを容易に行うことができると共に、ＴＡＢ実
装等を行う場合にもインナーリードが電子チップ部品の
エッジ部に接触してもショートする恐れのない電子チッ
プ部品のボンディング方法を提供することができる。
【００１７】本願の第２発明によれば、上記電子部品の
ボンディング方法に適すると共に、耐湿性、耐酸化性、
耐久性のすぐれた電子チップ部品を提供することができ
る。
ボンディング方法に適すると共に、耐湿性、耐酸化性、
耐久性のすぐれた電子チップ部品を提供することができ
る。
【図１】本発明の一実施例におけるウェハーの要部の断
面図である。
面図である。
【図２】電子部品をＴＡＢ実装した状態の要部の断面図
である。
である。
【図３】従来の電子チップ部品の要部の断面図である。
１ ウェハー ２ 電極部 ３ 金属バンプ ４ 有機保護膜 ８ リード ９ 電子チップ部品
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐伯 啓二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 秋口 尚士 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−48443（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−186864（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−28924（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−234447（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−20328（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】 電極部に外部と接続するための金属バン
プを有し、有機物溶液を硬化させてなる有機保護膜で表
面全体を密着させて被覆した電子チップ部品の、前記金
属バンプの接続部位のみ有機保護膜を熱及び圧力により
部分的に破壊し、外部のリードと前記金属バンプを圧着
することを特徴とする電子チップ部品のボンディング方
法。 - 【請求項２】 請求項１記載の電子チップ部品のボンデ
ィング方法に用いられる電子チップ部品を製造する方法
において、電極部に金属バンプを形成したウエハーの電
極部周縁部およびウエハー表面の露出部分にパッシベー
ション膜を被覆し、さらに前記パッシベーション膜を含
むウエハー表面に密着させて有機保護膜を形成してウエ
ハー表面全体を被覆し、次いで前記ウエハーをダイシン
グして電子部品を分割形成することを特徴とする電子チ
ップ部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP544291A JP2856220B2 (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 電子チップ部品の製造方法及びボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP544291A JP2856220B2 (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 電子チップ部品の製造方法及びボンディング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04237149A JPH04237149A (ja) | 1992-08-25 |
| JP2856220B2 true JP2856220B2 (ja) | 1999-02-10 |
Family
ID=11611317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP544291A Expired - Fee Related JP2856220B2 (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 電子チップ部品の製造方法及びボンディング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2856220B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100911778B1 (ko) * | 2004-05-20 | 2009-08-12 | 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 집적 회로 패키지 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3383329B2 (ja) | 1992-08-27 | 2003-03-04 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2541102B2 (ja) * | 1993-06-23 | 1996-10-09 | 日本電気株式会社 | 同軸フリップチップ接続構造の形成方法 |
| JP4521954B2 (ja) * | 2000-09-20 | 2010-08-11 | 日立マクセル株式会社 | Ｉｃモジュールの製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0228924A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法およびそれに用いる保護具 |
| JPH0348443A (ja) * | 1989-06-23 | 1991-03-01 | Nec Kansai Ltd | 半導体ウェーハ切断方法 |
| JPH04186864A (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-03 | Fujitsu Ltd | 回路基板の切断方法 |
-
1991
- 1991-01-22 JP JP544291A patent/JP2856220B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100911778B1 (ko) * | 2004-05-20 | 2009-08-12 | 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 집적 회로 패키지 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04237149A (ja) | 1992-08-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |