JP2005123223A - 配線板及び半導体装置、ならびに配線板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】配線板上にＡＣＦを用いて半導体チップを実装したＣＯＦ型半導体装置において、ホイスカの成長による装置の短絡不良（故障）に対する長期信頼性を向上させる。
【解決手段】絶縁基板の表面に導体パターンを設けてなり、ＡＣＦを用いて半導体チップを実装する配線板であって、前記導体パターンの表面に、すずと前記導体パターンに用いた材料からなる合金膜，金めっき，酸化防止膜のいずれかが設けられている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、配線板及び半導体装置、ならびに配線板の製造方法に関し、特に、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）と呼ばれる異方性導電フィルムを用いて半導体チップを実装する配線板に適用して有効な技術に関するものである。

従来、絶縁基板の表面に導体パターンが設けられた配線板上に半導体チップを実装した半導体装置には、ＣＯＦ（Chip On Film）と呼ばれる実装形態の半導体装置がある。以下、前記ＣＯＦと呼ばれる実装形態の半導体装置のことをＣＯＦ型半導体装置と称する。

前記ＣＯＦ型半導体装置は、例えば、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、絶縁基板１の表面に導体パターン２を設けた配線板上に半導体チップ３が実装されている。このとき、前記絶縁基板１は、図６（ｂ）に示したように、前記半導体チップ３が実装された領域は開口していない。ここで、図６（ａ）は半導体装置の模式平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＢ−Ｂ’線での模式断面図である。

また、前記絶縁基板１上の導体パターン２と前記半導体チップの外部電極３Ａは、例えば、図６（ｃ）に示すように、前記導体パターン２の表面に設けられたすずめっき６０１及びはんだバンプ（接合材）１１により電気的に接続される。また、前記導体パターン２と前記半導体チップの外部電極３Ａを接続するときには、前記すずめっき６０１及び前記はんだバンプ１１の組み合わせに限らず、例えば、前記すずめっき６０１の代わりに金めっきを用いたり、前記はんだバンプ１１の代わりに金バンプを用いたりすることができる。また、その他にも、例えば、すず銀合金めっき等を用いることもある。

また、近年では、図６（ｃ）に示したような前記すずめっき６０１と前記はんだバンプ１１を用いた接合のように、前記導体パターン２と前記半導体チップの外部電極３Ａを物理的に接続する実装方法とは別に、ＡＣＦと呼ばれる異方性導電性フィルムを用いた実装方法が提案され、適用されている（例えば、特許文献１を参照。）。

前記ＡＣＦを用いて半導体チップを実装する場合、図７（ａ）に示すように、前記配線板上に前記ＡＣＦ４を設けておき、半導体チップ３を実装する。このとき、前記半導体チップの外部電極３Ａには、例えば、金のスタッドバンプ５を設けておく。この後、前記半導体チップ３を前記ＡＣＦ４上に圧接させて加熱し、前記半導体チップ３を前記配線板上に接着する。このとき、前記配線板上の導体パターン２と前記スタッドバンプ５の間には、図７（ｂ）に示すように、ＡＣＦ４が介在しており、物理的に接続されていない。なお、図７（ｂ）ではわかりやすいように誇張しているが、実際の半導体装置では、前記導体パターン２の表面のすずめっきと前記スタッドバンプ５の間のＡＣ４Ｆは非常に薄く、例えば、３μｍ程度である。

前記ＡＣＦ４は、エポキシ樹脂等の絶縁樹脂中に導電性粒子を分散させたフィルムであるが、前記導電性粒子の密度が低いので、フィルムそのものは導電性を示さない。ところが、前記導体パターン２と前記スタッドバンプ５の間のように、前記スタッドバンプ５を押し込むと、その部分の導電性粒子の密度が高くなる。そのため、前記導体パターン２と前記スタッドバンプ５が物理的に接続されていなくても、間に挟み込んだ前記導電性粒子を介して導通を確保することができる。

前記ＡＣＦ４を用いた半導体装置の場合、前記スタッドバンプ５や導体パターン２の接続面（ランド）の大きさを、図６（ｃ）に示したようなはんだバンプ１１等で物理的な接続をする場合に比べて小型化が容易である。そのため、配線板の小型化や、導体パターン２の高密度化が可能であり、半導体装置を小型化できる。また、前記ＡＣＦ４が前記配線板と前記半導体チップ３の接着材としての機能も持つので、実装作業が容易である。

また、図６（ｃ）に示したように、はんだバンプ１１等で物理的な接続をする場合、前記配線板と前記半導体チップ３の間の絶縁体（アンダーフィル材）１２は、例えば、前記半導体チップ３を実装した後、前記配線板と前記半導体チップ３の間に液状の絶縁樹脂を流し込んで硬化させる。そのため、前記半導体装置の小型化にともないスタンドオフ高さ、すなわち、前記配線板と前記半導体チップ３の間隔が小さくなると、前記絶縁樹脂が流れ込みにくくなり、ボイド（空隙）が生じやすい。一方、前記ＡＣＦ４のようなフィルム状の材料を用いると、前記配線板と半導体チップ３の間にボイド（空隙）が生じにくい。

しかしながら、前記ＡＣＦ４を用いて半導体チップ３を実装する場合、例えば、加熱温度が１８０℃程度であり、図６（ｃ）に示したような前記はんだバンプ１１を熱圧着させて実装する場合に比べて非常に低い。そのため、前記導体パターン２の表面に設けたすずめっき６０１と前記導体パターン２に用いた材料、例えば銅との合金化がほとんど進まない。すなわち、前記ＡＣＦ４を用いた半導体装置では、前記導体パターン２の表面に純粋なすずが残ってしまう。この純粋なすずが残っていると、前記半導体装置を動作させている間に、すずの針状結晶（ホイスカ）が発生する。前記すずのホイスカは、そのまま放っておくと、成長して、最終的には前記ＡＣＦ４を突き破り、隣接する導体パターン２や、隣接する導体パターン２のすずめっき６０１から成長した他のホイスカと接触し、短絡してしまうという問題がある。また特に、前記すずは、他の導体に比べてホイスカが発生、成長しやすいので、ホイスカの成長による動作不良（故障）に対する長期信頼性が低いという問題がある。
特開平５−３２６５４３号公報

本発明が解決しようとする問題点は、前記背景技術で説明したように、配線板上にＡＣＦ４を用いて半導体チップ３を実装したＣＯＦ型半導体装置において、前記配線板の導体パターン２の表面にすずめっき６０１が設けられていると、すずめっき６０１からホイスカが成長して、半導体装置の短絡不良（故障）を起こしやすいという点である。

本発明の目的は、配線板上にＡＣＦを用いて半導体チップを実装したＣＯＦ型半導体装置において、ホイスカの成長による装置の短絡不良（故障）に対する長期信頼性を向上させることが可能な技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。

本願において開示される発明の概略を説明すれば、以下の通りである。

（１）絶縁基板の表面に導体パターンを設けてなり、異方性導電フィルムを用いて半導体チップを実装する配線板であって、前記導体パターンの表面に、すずと前記導体パターンに用いた材料からなる合金膜，金めっき，酸化防止膜のいずれかが設けられている。

（２）絶縁基板の表面に導体パターンを設け、前記絶縁基板の導体パターンが設けられた面に異方性導電フィルムを設けた配線板であって、前記導体パターンの表面に、すずと前記導体パターンに用いた材料からなる合金膜，金めっき，酸化防止膜のいずれかが設けられている。

（３）絶縁基板の表面に導体パターンが設けられた前記配線板上に、異方性導電フィルムを介在させて半導体チップを実装した半導体装置であって、前記導体パターンの表面に、すずと前記導体パターンに用いた材料からなる合金膜，金めっき，酸化防止膜のいずれかが設けられている。

（４）絶縁基板の表面に導体パターンを形成する工程と、前記導体パターンの表面にすずめっきを形成する工程と、半導体チップを実装する領域に異方性導電フィルムを貼り付ける工程とを有する配線板の製造方法であって、前記すずめっきを形成する工程の後、すべてのすずを前記導体パターンに用いる材料と合金化させる工程を有する。

（５）絶縁基板の表面に導体パターンを形成する工程と、前記導体パターンの表面に金めっきまたは酸化防止膜を形成する工程と、半導体チップを実装する領域に異方性導電フィルムを貼り付ける工程とを有する配線板の製造方法である。

本発明の配線板は、前記（１）及び（２）の手段のように、導体パターンの表面が、すずと前記導体パターンに用いた材料の合金，金めっき，酸化防止膜のいずれかであるので、針状結晶（ホイスカ）が発生しにくい。そのため、異方性導電フィルムを用いて前記配線板上に半導体チップを実装した半導体装置の、動作中に発生するホイスカによる短絡不良（故障）が起こりにくくすることができる。また、前記すずの合金，金めっき，前記酸化防止膜は、前記導体パターンの酸化を防ぐことができるので、異方性導電フィルムを用いた実装方法のように、半導体チップの外部電極（バンプ）と前記導体パターンを物理的に接続させない実装方法であっても、十分に導通を確保することができる。

また、前記異方性導電フィルムを用いて半導体チップを実装するときに用いる配線板であれば、前記（２）の手段のように、前記異方性導電フィルムをあらかじめ配線板上に設けておいてもよい。

また、前記（３）の手段は、前記（１）または（２）の手段の配線板を用いた半導体装置である。そのため、動作中にホイスカが発生しにくく、ホイスカの発生、成長による短絡不良（故障）に対する長期信頼性が向上する。

また、前記配線板を製造するときには、例えば、前記（４）の手段のように、前記導体パターンの表面にすずめっきを形成した後、加熱してすべてのすずを前記導体パターンに用いた材料と合金化させる。このとき、前記導体パターンに用いる材料が銅であり、前記すずめっきの厚さが０．２μｍから０．３μｍであれば、１２０℃から１５０℃で６０分から１２０分加熱することで、すべてのすずがすず銅合金に合金化される。

また、前記異方性導電フィルムを用いた実装方法を適用する配線板の場合、前記導体パターンの表面のすずめっきは、前記導体パターンが酸化しない程度の厚さであればよい。そのため、熱圧着等で物理的に接続（接合）する場合に比べて薄くすることができ、配線板の製造コストを低減することができる。

また、前記配線板を製造するときには、前記（４）の手段の代わりに、前記（５）の手段のように、前記導体パターンの表面に金めっき、あるいは酸化防止膜を形成してもよい。前記酸化防止膜を形成するときには、例えば、前記導体パターンの表面に酸化防止（ＯＳＰ）処理を行えばよい。前記酸化防止処理の具体的な方法については、例えば、特開平５−２９５５７０号公報，特開平４−９９４６０号公報，特開平６−８１１５８号公報，特開平６−８１１５９号公報，特開平６−１３６５７０号公報，特開２０００−２７３６６２（Ｐ２０００−２７３６６２Ａ）号公報，特開２００２−１４６５２２（Ｐ２００２−１４６５２２Ａ）号公報等に記載された方法を用いればよいので、詳細な説明は省略する。

また、前記異方性導電フィルムを用いた実装方法で用いる配線板の場合、前記すずの合金膜や金めっき、酸化防止膜は、前記導体パターンの酸化を防ぐために設ける膜である。そのため、前記導体パターンを形成した後、すぐに異方性導電フィルムを貼り付けるのであれば、前記異方性導電フィルムが酸化防止膜の役割を果たすので、前記導体パターンの表面に前記すずの合金膜等がなくてもよい。

また、前記（４）または前記（５）の手段では、前記導体パターンを形成する工程や、その他の工程、例えば、はんだ保護膜（ソルダレジスト）等の保護膜を形成する工程は、従来の配線板と同様の処理を行えばよい。また、前記（４）の手段の、すずめっきをした後の合金化処理は、加熱処理でよい。そのため、従来の配線板を製造するときに用いる製造装置を利用することができ、製造コストの増加を抑えることができる。

以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。

なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

本発明では、配線板に設けた導体パターンの表面に、すずと導体パターンに用いた材料からなる合金膜，金めっき，酸化防止膜のいずれかを設けることで、ホイスカの発生、成長を抑え、前記ホイスカの成長による半導体装置の動作不良（故障）に対する長期信頼性を向上させる。

図１は、本発明による一実施例の半導体装置の概略構成を示す模式図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’線での断面図、図１（ｃ）は図１（ｂ）の導体パターンと半導体チップの外部電極の接続部の拡大断面図である。

図１（ａ），図１（ｂ），図１（ｃ）の各図において、１は絶縁基板、２は導体パターン（Ｃｕ）、３は半導体チップ、３Ａは半導体チップの外部電極、４はＡＣＦ、５はスタッドバンプ、６はすず銅合金膜（Ｓｎ−Ｃｕ）、７はニッケルクロムめっき（Ｎｉ−Ｃｒ）、８は保護膜である。

本実施例の半導体装置は、ＣＯＦと呼ばれる形態の半導体装置であり、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、絶縁基板１の表面に導体パターン２が設けられた配線板上に、半導体チップ３が実装されている。

また、前記半導体チップ３は、ＡＣＦ４を用いて実装されており、図１（ｃ）に示すように、前記導体パターン２と前記半導体チップ３の外部電極３Ａ上に設けられたスタッドバンプ５は物理的に接続されていない。またこのとき、前記導体パターン２は、前記スタッドバンプ５との導通を確保する領域の表面に、すず銅合金膜６が設けられている。また、本実施例の半導体装置で用いる配線板では、前記導体パターン２は銅でなり、図１（ｃ）に示したように、前記導体パターン２と前記絶縁基板１の間には、ニッケルクロムめっき７が設けられているとする。

また、図示は省略するが、前記導体パターン２の、他の半導体装置等と接続するための外部端子領域の表面には、前記すず銅合金膜６、あるいは金めっき等が設けられている。

また、前記導体パターン２の、前記スタッドバンプ５との導通を確保する領域及び他の半導体装置等と接続するための外部端子領域を除く領域には、はんだ保護膜（ソルダレジスト）等の保護膜８が設けられている。

図２は、本実施例の半導体装置で用いる配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図２（ａ）は積層板を形成する工程の断面図、図２（ｂ）は導体パターンを形成する工程の断面図、図２（ｃ）及び図２（ｄ）は保護膜及びすず銅合金めっきを形成する工程の断面図である。なお、図２（ａ），図２（ｂ），図２（ｃ），図２（ｄ）はそれぞれ、図１（ｃ）と同じ断面で見た図である。

本実施例の半導体装置に用いる配線板は、従来の配線板の製造方法とほぼ同じ手順で製造することができる。そのため、従来の配線板の製造方法と同じ工程、処理については詳細な説明を省略する。

本実施例の半導体装置に用いる配線板を製造するときには、まず、図２（ａ）に示すように、絶縁基板１の表面に導体膜２０１を設けた積層板を用意する。前記絶縁基板１には、例えば、ポリイミドテープのように一方向に長尺なフィルム材料を用い、前記導体膜２０１には銅を用いる。このとき、前記導体膜２０１は、例えば、前記絶縁基板１の表面に、ニッケルクロムめっき７を形成した後、前記ニッケルクロムめっき７を電極とした電気銅めっきで形成する。

次に、図２（ｂ）に示すように、前記導体膜２０１及びニッケルクロムめっき７の不要な部分を除去して、導体パターン２を形成する。前記導体パターン２の形成は、エッチングで行う。

次に、図２（ｃ）に示すように、前記導体パターン２上に、はんだ保護膜等の保護膜８及びすずめっき６０１を形成する。前記保護膜８は、前記導体パターン２のうち、半導体チップの外部電極３Ａあるいは他の半導体装置等と接続する領域を除く領域上に形成する。また、前記すずめっき６０１は、例えば、前記保護膜８を形成した後、前記導体パターンの露出した面、特に前記半導体チップの外部電極３Ａとの導通を確保する領域上に、無電解めっきで形成する。またこのとき、前記すずめっき６０１の厚さは、例えば、０．２μｍから０．３μｍとする。

また、図示は省略するが、前記導体パターン２のうち、他の半導体装置等と接続する領域は、前記すずめっき６０１を形成してもよいし、他のめっき、例えば金めっきを形成してもよい。他のめっきを形成する場合には、前記導体パターン２の半導体チップの外部電極３Ａとの導通を確保する領域をマスクで覆った状態で形成する。

前記すずめっき６０１を形成したら、次に、例えば、１２０℃から１５０℃の雰囲気中で６０分から１２０分加熱し、図２（ｄ）に示すように、前記すずめっき６０１をすべて、すず銅合金６に合金化させる。

以上の手順により、本実施例の半導体装置に用いる配線板を得ることができる。またこのとき、必要に応じて、前記手順で配線板を製造した後、前記配線板の半導体チップを実装する領域に、前記ＡＣＦ４を貼り付ける。

図３は、本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図１（ｃ）と同じ断面で見た断面図である。

本実施例の半導体装置を製造するときには、図３に示すように、前記手順で製造した配線板の半導体チップ３を実装する領域に前記ＡＣＦ４を貼り付けておき、前記ＡＣＦ４上に半導体チップ３を配置して接着する。このとき、前記半導体チップの外部電極３Ａ上には、例えば、金のスタッドバンプ５を形成しておく。このように、前記ＡＣＦ４を用いて、金のスタッドバンプを形成した半導体チップを前記配線板に接着し、前記スタッドバンプ５を前記ＡＣＦ４内に押し込むと、図１（ｃ）に示したように、前記スタッドバンプ５を押し込んだ部分だけ前記ＡＣＦ４が薄くなる。このとき、前記ＡＣＦ４は、前記導体パターン２と前記スタッドバンプ５に挟まれた部分だけが導電性を示すようになり、前記導体パターン２と前記スタッドバンプ５の導通が確保される。

前記ＡＣＦ４を用いた半導体装置の製造方法では、前記半導体チップ３の接着、前記半導体チップの外部電極３Ａと導体パターン２の電気的接続、前記電気的接続がなされた部分の封止を一つの工程で行うことができる。

以上説明したように、本実施例の半導体装置によれば、前記導体パターン２の表面に形成したすずめっき６０１をすべて、すず銅合金６にした配線板を用いているので、動作させたときにホイスカが発生しにくい。そのため、従来のすずめっき６０１を形成した配線板を用いた半導体装置の場合と比べて、ホイスカの成長による短絡不良（故障）に対する長期信頼性を向上させることができる。

また、前記ＡＣＦ４を用いて半導体チップを実装するときには、前記すず銅合金膜６（すずめっき６０１）の厚さが０．２μｍから０．３μｍあればよい。この厚さは、例えば、従来の熱圧着等で実装する場合に必要なすずめっき６０１の厚さの半分程度である。そのため、本実施例の半導体装置に用いる配線板を製造するときに、前記すずめっき６０１の形成にかかる時間及び製造コストが低減する。

また、本実施例の半導体装置に用いる配線板では、前記すずめっき６０１の形成にかかる時間及び製造コストを低減できる一方で、前記すずめっき６０１を合金化させる時間及び製造コストが加わる。しかしながら、前記すずめっき６０１を合金化させる際の加熱処理も比較的に低温度、短時間で行える。そのため、前記配線板の製造コストの増加を抑えることができる。

図４は、本実施例の半導体装置に用いる配線板の変形例を説明するための模式図であり、図４（ａ）は金めっきを設けた例、図４（ｂ）は酸化防止膜を設けた例、図４（ｃ）は製造工程の順番を入れ替えた例を示す断面図である。なお、図４（ａ），図４（ｂ），図４（ｃ）の各断面図は、図２（ｄ）と同じ断面で見た図である。

前記実施例の半導体装置では、図２（ｄ）に示したように、前記導体パターンの表面に形成したすずめっき６０１をすべて、すず銅合金６に合金化させることで、ホイスカを発生しにくくするとともに、前記導体パターン２が酸化するのを防いでいる。しかしながら、前記ホイスカが発生しにくく、且つ前記導体パターンの酸化を防ぐことができる導体膜であれば、前記導体パターン２の表面の導体膜は、前記すず銅合金膜６でなくてもよい。

すなわち、前記導体パターン２の表面には、すず銅合金膜６の代わりに、例えば、図４（ａ）に示すように、金めっき９が設けられていてもよい。また、前記すず銅合金膜６や前記金めっき９を形成する代わりに、例えば、前記導体パターン（銅）２の表面に酸化防止処理（OSP処理）を施して、図４（ｂ）に示すように、酸化防止膜（例えば、ベンゾトリアゾール）１０を形成してもよい。

また、前記すず銅合金膜６，金めっき９，酸化防止膜１０に限らず、ホイスカが発生しにくく、且つ前記導体パターン２の酸化を防ぐことができる導電膜を前記導体パターンの表面に設けることで、前記実施例で説明した半導体装置と同様の効果を得られることは言うまでもない。

また、前記実施例では、前記半導体装置に用いる配線板の製造方法として、図２（ｃ）に示したように、前記保護膜８を形成した後、前記すずめっき６０１及びすず銅合金膜６を形成する方法を説明したが、これに限らず、前記すずめっき６０１を形成した後、前記保護膜８を形成してもよいことは言うまでもない。この場合、前記配線板は、図４（ｃ）に示すように、前記保護膜８が設けられた領域にも前記すず銅合金膜６が設けられている。またこのとき、前記すずめっき６０１を合金化する加熱処理は、前記保護膜８を形成する工程の前でもよいし、後でもよい。

図５は、前記実施例の半導体装置に用いる配線板の他の変形例を説明するための断面図である。

前記実施例の半導体装置のようにＡＣＦ４を用いて半導体チップ３を実装する半導体装置に用いる配線板は、通常、図３に示したように、配線板上にＡＣＦ４を貼り付けた状態になっている場合が多い。すなわち、前記配線板を製造するときに、図２（ｄ）に示したように、前記すずめっき６０１を合金化させた後、前記ＡＣＦ４を貼り付ける工程を有する場合が多い。このように、前記配線板を製造するときに前記ＡＣＦ４を貼り付ける工程があれば、図５に示すように、前記導体パターン２の表面に、前記すず銅合金膜６，金めっき９，酸化防止膜１０等を形成しなくても、前記ＡＣＦ４が酸化防止膜として機能する。そのため、前記ＡＣＦ４を酸化防止膜として利用すれば、前記導体パターン（銅）２の表面に、他の材料からなる膜を形成したり、酸化防止処理を施したりしなくてもよい。この場合、前記すず銅合金膜６や金めっき９の形成工程、あるいは酸化防止処理の工程が不要になるので、前記配線板の製造にかかる時間を短縮できるとともに、製造コストを低減することができる。

以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。

本発明による一実施例の半導体装置の概略構成を示す模式図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’線での断面図、図１（ｃ）は図１（ｂ）の導体パターンと半導体チップの外部電極の接続部周辺の拡大断面図である。 本実施例の半導体装置に用いる配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図２（ａ）は積層板を形成する工程の断面図、図２（ｂ）は導体パターンを形成する工程の断面図、図２（ｃ）は保護膜及びすずめっきを形成する工程の断面図、図２（ｄ）はすずめっきを合金化する工程の断面図である。 本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式断面図である。 前記実施例の半導体装置に用いる配線板の変形例を説明するための模式断面図である。 前記実施例の半導体装置に用いる配線板の他の変形例を説明するための模式断面図である。 従来のＣＯＦ型半導体装置の概略構成を示す模式図であり、図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＢ−Ｂ’線での断面図、図６（ｃ）は図６（ｂ）の導体パターンと半導体チップの外部電極の接続部周辺の拡大断面図である。 従来のＡＣＦ実装のＣＯＦ型半導体装置の概略構成を示す模式図であり、図７（ａ）はＡＣＦを用いた実装方法を説明するための断面図、図７（ｂ）は実装後の導体パターンと半導体チップの外部電極の接続部周辺の断面図である。

符号の説明

１ 絶縁基板
２ 導体パターン
２０１ 導体膜
３ 半導体チップ
３Ａ 半導体チップの外部電極
４ ＡＣＦ
５ スタッドバンプ
６ すず銅合金
６０１無電解すずめっき
７ ニッケルクロムめっき
８ 保護膜
９ 金めっき
１０ 酸化防止膜
１１ はんだバンプ
１２ 絶縁体（アンダーフィル材）

Claims (7)

1. 絶縁基板の表面に導体パターンを設けてなり、異方性導電フィルムを用いて半導体チップを実装する配線板であって、
   前記導体パターンの表面に、すずと前記導体パターンに用いた材料からなる合金膜，金めっき，酸化防止膜のいずれかが設けられていることを特徴とする配線板。
2. 絶縁基板の表面に導体パターンを設け、前記絶縁基板の導体パターンが設けられた面に異方性導電フィルムを設けた配線板であって、
   前記導体パターンの表面に、すずと前記導体パターンに用いた材料からなる合金膜，金めっき，酸化防止膜のいずれかが設けられていることを特徴とする配線板。
3. 絶縁基板の表面に導体パターンを設け、前記絶縁基板の導体パターンが設けられた面に異方性導電フィルムを設けた配線板であって、
   前記導体パターンの表面に、すずと前記導体パターンに用いた材料からなる合金膜，金めっき，酸化防止膜を設けることなく、異方性導電フィルムを貼り付けたことを特徴とする配線板。
4. 絶縁基板の表面に導体パターンが設けられた配線板上に、異方性導電フィルムを介在させて半導体チップを実装した半導体装置であって、
   前記導体パターンの表面に、すずと前記導体パターンに用いた材料からなる合金膜，金めっき，酸化防止膜のいずれかが設けられていることを特徴とする半導体装置。
5. 絶縁基板の表面に導体パターンを形成する工程と、前記導体パターンの表面にすずめっきを形成する工程と、半導体チップを実装する領域に異方性導電フィルムを貼り付ける工程とを有する配線板の製造方法であって、
   前記すずめっきを形成する工程の後、すべてのすずを前記導体パターンに用いる材料と合金化させる工程を有することを特徴とする配線板の製造方法。
6. 絶縁基板の表面に導体パターンを形成する工程と、前記導体パターンの表面に金めっきまたは酸化防止膜を形成する工程と、半導体チップを実装する領域に異方性導電フィルムを貼り付ける工程とを有することを特徴とする配線板の製造方法。
7. 絶縁基板の表面に導体パターンを形成した後に、前記導体パターンの表面に金めっきまたは酸化防止膜を形成することなく、半導体チップを実装する領域に異方性導電フィルムを貼り付けることを有することを特徴とする配線板の製造方法。

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