JP2001358170A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 テープ状の配線基板に形成された金属配線と
半導体チップの外部電極を突起電極により接続した半導
体装置において、前記金属配線のはがれによる、半導体
装置の信頼性の低下を防ぐ。 【解決手段】 半導体チップと、絶縁性のテープ材料の
表面に導電性の金属配線及び前記金属配線を保護する保
護膜が形成されたテープ基板と、前記半導体チップの外
部電極と前記テープ基板の金属配線を接続する突起電極
と、前記半導体チップと前記テープ基板の間に充填され
た封止樹脂からなる半導体装置において、前記テープ基
板に形成された金属配線の先端と前記突起電極が接続さ
れる部分は、前記突起電極と前記金属配線の接続部にか
かる応力を分散し、前記金属配線の前記テープ材料から
のはがれを低減できる程度の距離だけ離れている半導体
装置である。
半導体チップの外部電極を突起電極により接続した半導
体装置において、前記金属配線のはがれによる、半導体
装置の信頼性の低下を防ぐ。 【解決手段】 半導体チップと、絶縁性のテープ材料の
表面に導電性の金属配線及び前記金属配線を保護する保
護膜が形成されたテープ基板と、前記半導体チップの外
部電極と前記テープ基板の金属配線を接続する突起電極
と、前記半導体チップと前記テープ基板の間に充填され
た封止樹脂からなる半導体装置において、前記テープ基
板に形成された金属配線の先端と前記突起電極が接続さ
れる部分は、前記突起電極と前記金属配線の接続部にか
かる応力を分散し、前記金属配線の前記テープ材料から
のはがれを低減できる程度の距離だけ離れている半導体
装置である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法に関し、特に、開口部を持たないテープ状の
配線基板（テープ基板）と半導体チップを接続したＣＯ
Ｆ（Chip On Film）型の半導体装置に適用して有効な技
術に関するものである。
の製造方法に関し、特に、開口部を持たないテープ状の
配線基板（テープ基板）と半導体チップを接続したＣＯ
Ｆ（Chip On Film）型の半導体装置に適用して有効な技
術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子機器などの小型化などが進
み、それにともない、前記電子機器に搭載される半導体
装置の小型化が進んでいる。また、液晶ディスプレイな
どでは、限られた大きさの筐体内に広い表示画面を確保
するために、組み込まれるドライバ回路等の半導体装置
の小型化、薄型化が進んでいる。前記半導体装置の小型
化、薄型化の方法の一つとして、ＴＡＢ（Tape Automat
ed Bonding）技術を用いて、薄いテープ状の配線基板
（テープ基板）に半導体チップを固着（接着）する方法
がある。
み、それにともない、前記電子機器に搭載される半導体
装置の小型化が進んでいる。また、液晶ディスプレイな
どでは、限られた大きさの筐体内に広い表示画面を確保
するために、組み込まれるドライバ回路等の半導体装置
の小型化、薄型化が進んでいる。前記半導体装置の小型
化、薄型化の方法の一つとして、ＴＡＢ（Tape Automat
ed Bonding）技術を用いて、薄いテープ状の配線基板
（テープ基板）に半導体チップを固着（接着）する方法
がある。
【０００３】前記ＴＡＢ技術を用いた半導体装置では、
ポリイミドテープのような薄い絶縁性のテープ材料の表
面に銅（Ｃｕ）等の導電性の薄膜を張りつけ、前記薄膜
をエッチングして金属配線を形成したテープ基板を用い
ている。前記テープ基板に形成された金属配線のうち、
前記半導体チップと平面的に重なる領域の外側の部分
は、汚染物質や傷から保護するために形成されたソルダ
ーレジスト等の保護膜により覆われている。
ポリイミドテープのような薄い絶縁性のテープ材料の表
面に銅（Ｃｕ）等の導電性の薄膜を張りつけ、前記薄膜
をエッチングして金属配線を形成したテープ基板を用い
ている。前記テープ基板に形成された金属配線のうち、
前記半導体チップと平面的に重なる領域の外側の部分
は、汚染物質や傷から保護するために形成されたソルダ
ーレジスト等の保護膜により覆われている。
【０００４】また、前記テープ基板の金属配線と前記半
導体チップの外部電極は、突起電極（バンプ）により接
続し、接続したときに前記テープ基板（テープ材料）と
半導体チップの間にできる隙間には、前記テープ基板と
半導体チップとの熱膨張係数差による熱応力を緩和して
バンプのせん断を防ぐ、あるいは前記バンプ部分からの
汚染物質や水分の侵入を防ぐために封止樹脂（アンダー
フィル）が充填されている。
導体チップの外部電極は、突起電極（バンプ）により接
続し、接続したときに前記テープ基板（テープ材料）と
半導体チップの間にできる隙間には、前記テープ基板と
半導体チップとの熱膨張係数差による熱応力を緩和して
バンプのせん断を防ぐ、あるいは前記バンプ部分からの
汚染物質や水分の侵入を防ぐために封止樹脂（アンダー
フィル）が充填されている。
【０００５】従来のテープ基板上に半導体チップを搭載
した半導体装置では、前記テープ基板と半導体チップの
間に封止樹脂を充填しやすいように、前記テープ基板に
開口部（デバイスホール）を設けている場合が多い。し
かし、近年の半導体装置の小型化、金属配線の微細化に
より、前記テープ材料、金属配線の強度が低くなってき
ているため、前記テープ基板の強度を確保するために、
前記デバイスホールを設けないテープ基板を用いたＣＯ
Ｆ型の半導体装置が製造されている。
した半導体装置では、前記テープ基板と半導体チップの
間に封止樹脂を充填しやすいように、前記テープ基板に
開口部（デバイスホール）を設けている場合が多い。し
かし、近年の半導体装置の小型化、金属配線の微細化に
より、前記テープ材料、金属配線の強度が低くなってき
ているため、前記テープ基板の強度を確保するために、
前記デバイスホールを設けないテープ基板を用いたＣＯ
Ｆ型の半導体装置が製造されている。
【０００６】前記ＣＯＦ型の半導体装置の場合、前記金
属配線と半導体チップの外部電極を接続するインナーリ
ードボンディング（ＩＬＢ）では、テープ材料上からバ
ンプ部分を加圧して、金属配線とバンプを圧着する。
属配線と半導体チップの外部電極を接続するインナーリ
ードボンディング（ＩＬＢ）では、テープ材料上からバ
ンプ部分を加圧して、金属配線とバンプを圧着する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来のＣＯＦ型の半導体装置のように、テープ材料にデバ
イスホールを設けずに、前記テープ材料の上から加圧し
て、金属配線とバンプを接続する方法では、インナーリ
ードボンディングの際に、前記テープ材料上から加圧、
及び加熱するため、前記テープ基板が変形し、前記バン
プが接続される部分の金属配線にストレスが生じる。こ
のとき、図１２（ａ）に示すように、前記テープ材料１
に張りつけられた金属配線２の先端部２Ａがはがれやす
くなる。前記テープ材料１及び薄膜の金属配線２は弾性
が高く変形しやすいため、前記半導体チップ４の外部電
極４Ｂ上に設けられたバンプ５が、前記テープ材料１に
くい込み、金属配線２とバンプ５の接続部分に応力が生
じる。前記金属配線２のうち、前記半導体チップ４の外
側に伸びるほうは、接続時に生じた応力を前記金属配線
に沿って緩和させることができるが、前記金属配線２の
先端部２Ａは、前記バンプ５からの突出量が短く、生じ
た応力を緩和できないため、前記金属配線２の先端部２
Ａが前記テープ材料１からはがれやすくなる。そのた
め、はがれた部分からクラックが発生し、前記金属配線
２は前記半導体チップ４の外部電極４Ｂとバンプ５で接
続されている部分２Ｃまではがれが進行し、前記金属配
線２が変形し、前記金属配線２の断線や前記金属配線と
バンプ５の剥離等が起こり、接続不良による信頼性の低
下が起こりやすいという問題があった。
来のＣＯＦ型の半導体装置のように、テープ材料にデバ
イスホールを設けずに、前記テープ材料の上から加圧し
て、金属配線とバンプを接続する方法では、インナーリ
ードボンディングの際に、前記テープ材料上から加圧、
及び加熱するため、前記テープ基板が変形し、前記バン
プが接続される部分の金属配線にストレスが生じる。こ
のとき、図１２（ａ）に示すように、前記テープ材料１
に張りつけられた金属配線２の先端部２Ａがはがれやす
くなる。前記テープ材料１及び薄膜の金属配線２は弾性
が高く変形しやすいため、前記半導体チップ４の外部電
極４Ｂ上に設けられたバンプ５が、前記テープ材料１に
くい込み、金属配線２とバンプ５の接続部分に応力が生
じる。前記金属配線２のうち、前記半導体チップ４の外
側に伸びるほうは、接続時に生じた応力を前記金属配線
に沿って緩和させることができるが、前記金属配線２の
先端部２Ａは、前記バンプ５からの突出量が短く、生じ
た応力を緩和できないため、前記金属配線２の先端部２
Ａが前記テープ材料１からはがれやすくなる。そのた
め、はがれた部分からクラックが発生し、前記金属配線
２は前記半導体チップ４の外部電極４Ｂとバンプ５で接
続されている部分２Ｃまではがれが進行し、前記金属配
線２が変形し、前記金属配線２の断線や前記金属配線と
バンプ５の剥離等が起こり、接続不良による信頼性の低
下が起こりやすいという問題があった。
【０００８】また、例えば、接着剤を用いて前記テープ
材料１表面に金属配線２を張りつけているような場合、
インナーリードボンディングの際にテープ基板１を加熱
するため、前記テープ材料１と金属配線２を接着してい
る接着剤も弾性が高くなる。加圧時に前記バンプ５がく
い込むことにより、前記接着剤がバンプ５の外側に流れ
てしまい、前記バンプ５上の接着剤の厚さは外側に流れ
たぶん薄くなり、前記バンプ５周辺の接着剤の厚さは流
れてきたぶんだけ厚くなる。このとき、前記半導体装置
では、図１２（ｂ）に示すように、前記金属配線２が変
形し、前記金属配線２の前記半導体チップ４の外周に近
い部分２Ｄが半導体チップ４に接近する。そのため、前
記金属配線２の変形量が大きくなり、前記金属配線２が
半導体チップ４と接触してショートあるいはリークする
可能性が高くなるという問題があった。
材料１表面に金属配線２を張りつけているような場合、
インナーリードボンディングの際にテープ基板１を加熱
するため、前記テープ材料１と金属配線２を接着してい
る接着剤も弾性が高くなる。加圧時に前記バンプ５がく
い込むことにより、前記接着剤がバンプ５の外側に流れ
てしまい、前記バンプ５上の接着剤の厚さは外側に流れ
たぶん薄くなり、前記バンプ５周辺の接着剤の厚さは流
れてきたぶんだけ厚くなる。このとき、前記半導体装置
では、図１２（ｂ）に示すように、前記金属配線２が変
形し、前記金属配線２の前記半導体チップ４の外周に近
い部分２Ｄが半導体チップ４に接近する。そのため、前
記金属配線２の変形量が大きくなり、前記金属配線２が
半導体チップ４と接触してショートあるいはリークする
可能性が高くなるという問題があった。
【０００９】本発明の目的は、テープ状の配線基板に形
成された金属配線と半導体チップの外部電極を突起電極
により接続した半導体装置において、前記金属配線のは
がれによる、半導体装置の信頼性の低下を防ぐことが可
能な技術を提供することにある。
成された金属配線と半導体チップの外部電極を突起電極
により接続した半導体装置において、前記金属配線のは
がれによる、半導体装置の信頼性の低下を防ぐことが可
能な技術を提供することにある。
【００１０】本発明の他の目的は、テープ状の配線基板
に形成された金属配線と半導体チップの外部電極を突起
電極により接続した半導体装置において、前記金属配線
の変形による、半導体装置の信頼性の低下を防ぐことが
可能な技術を提供することにある。
に形成された金属配線と半導体チップの外部電極を突起
電極により接続した半導体装置において、前記金属配線
の変形による、半導体装置の信頼性の低下を防ぐことが
可能な技術を提供することにある。
【００１１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明ら
かになるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明ら
かになるであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明の概要を説明すれば、以下のとおりである。
発明の概要を説明すれば、以下のとおりである。
【００１３】（１）半導体チップと、絶縁性のテープ材
料の表面に導電性の金属配線及び前記金属配線を保護す
る保護膜が形成されたテープ基板と、前記半導体チップ
の外部電極と前記テープ基板の金属配線を接続する突起
電極と、前記半導体チップと前記テープ基板の間に充填
された封止樹脂からなる半導体装置において、前記テー
プ基板に形成された金属配線の先端と前記突起電極が接
続される部分は、前記突起電極と前記金属配線の接続部
にかかる応力を分散し、前記金属配線の前記テープ材料
からのはがれを低減できる程度の距離だけ離れている半
導体装置である。
料の表面に導電性の金属配線及び前記金属配線を保護す
る保護膜が形成されたテープ基板と、前記半導体チップ
の外部電極と前記テープ基板の金属配線を接続する突起
電極と、前記半導体チップと前記テープ基板の間に充填
された封止樹脂からなる半導体装置において、前記テー
プ基板に形成された金属配線の先端と前記突起電極が接
続される部分は、前記突起電極と前記金属配線の接続部
にかかる応力を分散し、前記金属配線の前記テープ材料
からのはがれを低減できる程度の距離だけ離れている半
導体装置である。
【００１４】（２）半導体チップと、絶縁性のテープ材
料の表面に導電性の金属配線及び前記金属配線を保護す
る保護膜が形成されたテープ基板と、前記半導体チップ
の外部電極と前記テープ基板の金属配線を接続する突起
電極と、前記半導体チップと前記テープ基板の間に充填
された封止樹脂からなる半導体装置において、前記突起
電極は、前記半導体チップの外部電極から前記金属配線
の先端方向に伸びており、前記テープ基板に形成された
金属配線の先端が、前記突起電極上に位置している半導
体装置である。
料の表面に導電性の金属配線及び前記金属配線を保護す
る保護膜が形成されたテープ基板と、前記半導体チップ
の外部電極と前記テープ基板の金属配線を接続する突起
電極と、前記半導体チップと前記テープ基板の間に充填
された封止樹脂からなる半導体装置において、前記突起
電極は、前記半導体チップの外部電極から前記金属配線
の先端方向に伸びており、前記テープ基板に形成された
金属配線の先端が、前記突起電極上に位置している半導
体装置である。
【００１５】（３）前記（１）または（２）の半導体装
置において、前記保護膜は、前記金属配線の前記突起電
極と接続された領域の近傍まで形成されており、その内
周が前記半導体チップの外周よりも内側にある。
置において、前記保護膜は、前記金属配線の前記突起電
極と接続された領域の近傍まで形成されており、その内
周が前記半導体チップの外周よりも内側にある。
【００１６】（４）前記（１）から（３）のいずれかの
半導体装置において、前記金属配線の前記突起電極と接
続された領域の近傍以外が、前記保護膜により保護され
ている。
半導体装置において、前記金属配線の前記突起電極と接
続された領域の近傍以外が、前記保護膜により保護され
ている。
【００１７】前記（１）によれば、前記テープ材料に張
りつけられた金属配線の先端部を、突起電極（バンプ）
が接続される部分から離すことにより、前記バンプでイ
ンナーリードボンディングした際に、前記金属配線のバ
ンプとの接続部に生じる応力を前記金属配線の先端部の
ほうへ緩和しやすくなり、前記金属配線のはがれを防
ぎ、前記金属配線の変形、断線による接続信頼性の低下
を防ぐことができる。
りつけられた金属配線の先端部を、突起電極（バンプ）
が接続される部分から離すことにより、前記バンプでイ
ンナーリードボンディングした際に、前記金属配線のバ
ンプとの接続部に生じる応力を前記金属配線の先端部の
ほうへ緩和しやすくなり、前記金属配線のはがれを防
ぎ、前記金属配線の変形、断線による接続信頼性の低下
を防ぐことができる。
【００１８】また、前記（２）によれば、前記金属配線
と半導体チップの外部電極を接続するバンプを前記金属
配線の先端方向に伸ばして長く形成することにより、前
記インナーリードボンディングの際に、前記金属配線の
先端部がバンプ上にくることになり、前記金属配線のバ
ンプとの接続部に生じる応力で前記金属配線の先端部の
変形が起こらない。そのため、前記金属配線の先端部の
はがれを防ぎ、接続信頼性の低下を防ぐことができる。
と半導体チップの外部電極を接続するバンプを前記金属
配線の先端方向に伸ばして長く形成することにより、前
記インナーリードボンディングの際に、前記金属配線の
先端部がバンプ上にくることになり、前記金属配線のバ
ンプとの接続部に生じる応力で前記金属配線の先端部の
変形が起こらない。そのため、前記金属配線の先端部の
はがれを防ぎ、接続信頼性の低下を防ぐことができる。
【００１９】また、インナーリードボンディングの際に
は、前記金属配線の先端側だけでなく、チップの外周方
向にも変形が生じる。このとき、前記金属配線の変形量
が大きいと前記半導体チップと接触して、ショート不良
になる可能性がある。そのため、前記（３）の手段のよ
うに、前記半導体チップが搭載される領域の外側にある
金属配線を保護する保護膜の内周が、前記半導体チップ
の外周と前記バンプの間に位置するようにすることによ
り、前記金属配線が変形しても、前記金属配線と半導体
チップが接触してショート不良を起こすことを防げ、半
導体装置の信頼性を向上することができる。
は、前記金属配線の先端側だけでなく、チップの外周方
向にも変形が生じる。このとき、前記金属配線の変形量
が大きいと前記半導体チップと接触して、ショート不良
になる可能性がある。そのため、前記（３）の手段のよ
うに、前記半導体チップが搭載される領域の外側にある
金属配線を保護する保護膜の内周が、前記半導体チップ
の外周と前記バンプの間に位置するようにすることによ
り、前記金属配線が変形しても、前記金属配線と半導体
チップが接触してショート不良を起こすことを防げ、半
導体装置の信頼性を向上することができる。
【００２０】また、前記（１）の手段の場合、前記金属
配線の先端部を前記バンプから離すため、前記バンプか
ら突出する金属配線が長くなり、前記インナーリードボ
ンディング時の金属配線の変形により、前記金属配線の
先端部が半導体チップと接触してショート不良を起こす
可能性がある。そのため、前記（４）の手段のように、
前記保護膜を前記バンプが接続される領域の近傍以外、
言い換えると、前記金属配線の先端部のほうにも前記保
護膜を形成することにより、前記金属配線の先端部と半
導体チップの接触を防ぐことができ、半導体装置の信頼
性の低下を防ぐことができる。また、前記テープ材料に
張りつけられた金属配線の、前記バンプが接続される領
域付近だけを露出させることにより、前記金属配線を半
導体チップと重なる領域にも引き回せるようになり、配
線の自由度が増加する。
配線の先端部を前記バンプから離すため、前記バンプか
ら突出する金属配線が長くなり、前記インナーリードボ
ンディング時の金属配線の変形により、前記金属配線の
先端部が半導体チップと接触してショート不良を起こす
可能性がある。そのため、前記（４）の手段のように、
前記保護膜を前記バンプが接続される領域の近傍以外、
言い換えると、前記金属配線の先端部のほうにも前記保
護膜を形成することにより、前記金属配線の先端部と半
導体チップの接触を防ぐことができ、半導体装置の信頼
性の低下を防ぐことができる。また、前記テープ材料に
張りつけられた金属配線の、前記バンプが接続される領
域付近だけを露出させることにより、前記金属配線を半
導体チップと重なる領域にも引き回せるようになり、配
線の自由度が増加する。
【００２１】以下、本発明について、図面を参照して実
施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
【００２２】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは、同一符号をつけ、その繰
り返しの説明は省略する。
て、同一機能を有するものは、同一符号をつけ、その繰
り返しの説明は省略する。
【００２３】
【発明の実施の形態】（実施例１）図１及び図２は、本
発明による実施例１の半導体装置の概略構成を示す模式
図であり、図１は本実施例１の半導体装置の模式平面
図、図２（ａ）は図１の部分拡大平面図、図２（ｂ）は
図２（ａ）のＡ−Ａ’線での断面図である。
発明による実施例１の半導体装置の概略構成を示す模式
図であり、図１は本実施例１の半導体装置の模式平面
図、図２（ａ）は図１の部分拡大平面図、図２（ｂ）は
図２（ａ）のＡ−Ａ’線での断面図である。
【００２４】図１において、１はテープ材料、２は金属
配線、２Ａは金属配線の先端部、３Ａは保護膜の内周、
４は半導体チップ、４Ａは半導体チップの外周である。
また、図２において、３は保護膜、４Ｂは外部電極、５
はバンプ、６は封止樹脂（アンダーフィル）である。
配線、２Ａは金属配線の先端部、３Ａは保護膜の内周、
４は半導体チップ、４Ａは半導体チップの外周である。
また、図２において、３は保護膜、４Ｂは外部電極、５
はバンプ、６は封止樹脂（アンダーフィル）である。
【００２５】本実施例１の半導体装置は、図１及び図２
に示すように、テープ材料１上に金属配線２及び前記金
属配線２を保護する保護膜３が形成されたテープ基板
と、前記テープ基板に搭載される半導体チップ４と、前
記半導体チップ４の外部電極４Ｂと前記テープ基板の金
属配線２を電気的に接続するバンプ５と、前記テープ基
板（テープ材料１）と半導体チップ４の間に充填され、
前記バンプ５を封止する封止樹脂６により構成されてい
る。また、本実施例１の半導体装置は、前記テープ材料
１の金属配線２とバンプ５が接続される部分に開口部
（デバイスホール）が設けられていないＣＯＦ型の半導
体装置であるとする。
に示すように、テープ材料１上に金属配線２及び前記金
属配線２を保護する保護膜３が形成されたテープ基板
と、前記テープ基板に搭載される半導体チップ４と、前
記半導体チップ４の外部電極４Ｂと前記テープ基板の金
属配線２を電気的に接続するバンプ５と、前記テープ基
板（テープ材料１）と半導体チップ４の間に充填され、
前記バンプ５を封止する封止樹脂６により構成されてい
る。また、本実施例１の半導体装置は、前記テープ材料
１の金属配線２とバンプ５が接続される部分に開口部
（デバイスホール）が設けられていないＣＯＦ型の半導
体装置であるとする。
【００２６】また、前記保護膜３は、前記半導体チップ
４の外周４Ａよりも外側の金属配線を保護するように形
成されており、その内周３Ａは、図１に示すように前記
半導体チップ４の外周４Ａより外側に位置する。
４の外周４Ａよりも外側の金属配線を保護するように形
成されており、その内周３Ａは、図１に示すように前記
半導体チップ４の外周４Ａより外側に位置する。
【００２７】また、本実施例１の半導体装置における半
導体チップ４の外部電極４Bと金属配線２の接続部分
は、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、前記半導
体チップ４の外周４Ａの方向からバンプ５に向けて伸び
た金属配線２に、前記バンプ５がくい込んで前記金属配
線２にかかった応力を分散しやすいように、その先端部
２Ａを前記バンプ５から遠ざけている。また、金属配線
２の先端部２Ａで効率よく、均等に応力を分散させるた
めに、本実施例１では前記金属配線２の先端部２Ａを、
図２（ａ）に示すように円形に加工している。
導体チップ４の外部電極４Bと金属配線２の接続部分
は、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、前記半導
体チップ４の外周４Ａの方向からバンプ５に向けて伸び
た金属配線２に、前記バンプ５がくい込んで前記金属配
線２にかかった応力を分散しやすいように、その先端部
２Ａを前記バンプ５から遠ざけている。また、金属配線
２の先端部２Ａで効率よく、均等に応力を分散させるた
めに、本実施例１では前記金属配線２の先端部２Ａを、
図２（ａ）に示すように円形に加工している。
【００２８】図３は、本実施例１の半導体装置の製造方
法を説明するための図である。
法を説明するための図である。
【００２９】以下、図３に沿って本実施例１の半導体装
置の製造方法を簡単に説明する。
置の製造方法を簡単に説明する。
【００３０】まず、蒸着またはキャスティング法を用い
て、図３（ａ）に示すように、ポリイミドテープのよう
な絶縁性のテープ材料１に銅（Ｃｕ）などの薄膜２’を
張りつける。
て、図３（ａ）に示すように、ポリイミドテープのよう
な絶縁性のテープ材料１に銅（Ｃｕ）などの薄膜２’を
張りつける。
【００３１】次に、図３（ｂ）に示すように、前記薄膜
２’上に配線を形成する部分をパターニングしたレジス
ト膜ＲＥを形成して、そのレジスト膜ＲＥをマスクとし
て前記薄膜２’をエッチングして、前記テープ材料１上
に金属配線２を形成する。このとき、図２（ａ）に示す
ように、前記金属配線２の先端部２Ａがバンプ５から遠
ざかるように、前記金属配線２を長く形成する。また、
前記金属配線２の先端部２Ａは、図２（ａ）に示すよう
に、円形にエッチングしてもよいし、従来のように矩形
にエッチングしてもよい。
２’上に配線を形成する部分をパターニングしたレジス
ト膜ＲＥを形成して、そのレジスト膜ＲＥをマスクとし
て前記薄膜２’をエッチングして、前記テープ材料１上
に金属配線２を形成する。このとき、図２（ａ）に示す
ように、前記金属配線２の先端部２Ａがバンプ５から遠
ざかるように、前記金属配線２を長く形成する。また、
前記金属配線２の先端部２Ａは、図２（ａ）に示すよう
に、円形にエッチングしてもよいし、従来のように矩形
にエッチングしてもよい。
【００３２】次に、図３（ｃ）に示すように、搭載され
る半導体チップ４の外周４Ａより外側に位置する金属配
線２を保護するために、ソルダーレジスト等の保護膜３
を形成する。その後、保護膜3で覆われておらず、露出
した部分の金属配線２にメッキ処理をする。以上の工程
で、本実施例１の半導体装置で用いるテープ基板が形成
される。
る半導体チップ４の外周４Ａより外側に位置する金属配
線２を保護するために、ソルダーレジスト等の保護膜３
を形成する。その後、保護膜3で覆われておらず、露出
した部分の金属配線２にメッキ処理をする。以上の工程
で、本実施例１の半導体装置で用いるテープ基板が形成
される。
【００３３】次に、図３（ｄ）に示すように、前記手順
に沿って形成されたテープ基板の金属配線２が形成され
た面と半導体チップ４の外部電極４Ｂ上に設けられたバ
ンプ５を向かい合わせて、前記バンプ５と金属配線２の
位置あわせをし、接触させる。
に沿って形成されたテープ基板の金属配線２が形成され
た面と半導体チップ４の外部電極４Ｂ上に設けられたバ
ンプ５を向かい合わせて、前記バンプ５と金属配線２の
位置あわせをし、接触させる。
【００３４】次に、従来の方法と同様にインナーリード
ボンディングを行い、例えば、前記半導体チップ４側を
固定して前記テープ材料１側からプレス機などで圧力を
加え、前記バンプ５と金属配線２を圧着する。その後、
前記半導体チップ４とテープ基板の間にできる隙間に、
封止樹脂（アンダーフィル）６を注入し、前記テープ基
板から切り出すと、図１及び図２に示したような半導体
装置になる。また、本実施例１では、半導体チップ４の
外部電極４Ｂ上にバンプ５を設けておいたが、これに限
らず、金属配線２上にバンプを設けておいてもよい。
ボンディングを行い、例えば、前記半導体チップ４側を
固定して前記テープ材料１側からプレス機などで圧力を
加え、前記バンプ５と金属配線２を圧着する。その後、
前記半導体チップ４とテープ基板の間にできる隙間に、
封止樹脂（アンダーフィル）６を注入し、前記テープ基
板から切り出すと、図１及び図２に示したような半導体
装置になる。また、本実施例１では、半導体チップ４の
外部電極４Ｂ上にバンプ５を設けておいたが、これに限
らず、金属配線２上にバンプを設けておいてもよい。
【００３５】以上説明したように、本実施例１によれ
ば、テープ基板に形成された金属配線２の先端部２Ａを
バンプ５から遠ざけることにより、インナーリードボン
ディングをする際に金属配線２に生じる応力を緩和しや
すくなり、前記金属配線２がテープ材料１からはがれる
ことを防ぎ、前記金属配線２のはがれに起因する接続信
頼性の低下を防ぐことができる。
ば、テープ基板に形成された金属配線２の先端部２Ａを
バンプ５から遠ざけることにより、インナーリードボン
ディングをする際に金属配線２に生じる応力を緩和しや
すくなり、前記金属配線２がテープ材料１からはがれる
ことを防ぎ、前記金属配線２のはがれに起因する接続信
頼性の低下を防ぐことができる。
【００３６】また、本実施例１では、テープ材料１上に
薄膜２’を形成し、前記薄膜２’をエッチングして金属
配線２を形成したが、これに限らず、レジスト膜や感光
性樹脂を用いたフォトリソグラフィーや樹脂のレーザ加
工で、前記テープ材料１上にあらかじめ配線を形成する
部分をパターニングしておき、それをマスクとして無電
解メッキをすることにより、前記テープ基板１上に直接
金属配線２を形成してもよい。この場合、前記テープ基
板１と金属配線２の間に接着剤がないため、インナーリ
ードボンディングをする際にバンプ５がくい込んで接着
剤がバンプ５の外側に流れ前記金属配線２が変形するの
を防げ、金属配線２のはがれがさらに少なくなり、接続
信頼性の低下を防ぐことができる。
薄膜２’を形成し、前記薄膜２’をエッチングして金属
配線２を形成したが、これに限らず、レジスト膜や感光
性樹脂を用いたフォトリソグラフィーや樹脂のレーザ加
工で、前記テープ材料１上にあらかじめ配線を形成する
部分をパターニングしておき、それをマスクとして無電
解メッキをすることにより、前記テープ基板１上に直接
金属配線２を形成してもよい。この場合、前記テープ基
板１と金属配線２の間に接着剤がないため、インナーリ
ードボンディングをする際にバンプ５がくい込んで接着
剤がバンプ５の外側に流れ前記金属配線２が変形するの
を防げ、金属配線２のはがれがさらに少なくなり、接続
信頼性の低下を防ぐことができる。
【００３７】（実施例２）図４及び図５は本発明による
実施例２の半導体装置の概略構成を示す模式図であり、
図４は本実施例２の半導体装置の平面図、図５（ａ）は
図４の部分拡大図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＢ−Ｂ’
線での断面図である。
実施例２の半導体装置の概略構成を示す模式図であり、
図４は本実施例２の半導体装置の平面図、図５（ａ）は
図４の部分拡大図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＢ−Ｂ’
線での断面図である。
【００３８】前記実施例１の半導体装置は、前記テープ
材料１上に形成された金属配線２のはがれによる接続信
頼性、半導体装置の低下を防ぐものであったが、本実施
例２の半導体装置は、インナーリードボンディング時の
金属配線の変形による金属配線と半導体チップの接触に
よるショート不良を防ぐものである。
材料１上に形成された金属配線２のはがれによる接続信
頼性、半導体装置の低下を防ぐものであったが、本実施
例２の半導体装置は、インナーリードボンディング時の
金属配線の変形による金属配線と半導体チップの接触に
よるショート不良を防ぐものである。
【００３９】本実施例２の半導体装置は、図４及び図５
に示すように、テープ材料１上に金属配線２及び前記金
属配線２を保護する保護膜３が形成されたテープ基板
と、前記テープ基板に搭載される半導体チップ４と、前
記半導体チップ４の外部電極４Ｂと前記テープ基板の金
属配線２を電気的に接続するバンプ５と、前記テープ基
板（テープ材料１）と半導体チップ４の間に充填され、
前記バンプ５を封止する封止樹脂６（アンダーフィル）
により構成されている。また、本実施例２の半導体装置
も、前記テープ材料１の金属配線２とバンプ５が接続さ
れる部分に開口部（デバイスホール）を持たないＣＯＦ
型の半導体装置であるとする。
に示すように、テープ材料１上に金属配線２及び前記金
属配線２を保護する保護膜３が形成されたテープ基板
と、前記テープ基板に搭載される半導体チップ４と、前
記半導体チップ４の外部電極４Ｂと前記テープ基板の金
属配線２を電気的に接続するバンプ５と、前記テープ基
板（テープ材料１）と半導体チップ４の間に充填され、
前記バンプ５を封止する封止樹脂６（アンダーフィル）
により構成されている。また、本実施例２の半導体装置
も、前記テープ材料１の金属配線２とバンプ５が接続さ
れる部分に開口部（デバイスホール）を持たないＣＯＦ
型の半導体装置であるとする。
【００４０】また、前記半導体チップ４の外周４Ａより
も外側の金属配線２を保護するように形成されている、
ソルダーレジスト等の保護膜３の内周３Ａは、図４に示
すように前記半導体チップ４の外周４Ａよりも内側にあ
る。そのため、前記金属配線２が変形しても、前記金属
配線２と半導体チップ４の間に保護膜３が介在し、前記
金属配線２と半導体チップ４の外周４Ａが直接接触する
ことを防げるため、ショート不良等による半導体装置の
信頼性の低下を防ぐことができる。
も外側の金属配線２を保護するように形成されている、
ソルダーレジスト等の保護膜３の内周３Ａは、図４に示
すように前記半導体チップ４の外周４Ａよりも内側にあ
る。そのため、前記金属配線２が変形しても、前記金属
配線２と半導体チップ４の間に保護膜３が介在し、前記
金属配線２と半導体チップ４の外周４Ａが直接接触する
ことを防げるため、ショート不良等による半導体装置の
信頼性の低下を防ぐことができる。
【００４１】また、本実施例２の半導体装置における、
半導体チップ４の外部電極４Ｂと金属配線２の接続部分
は、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、前記半導
体チップ４の外周４Ａの方向から伸びた金属配線２は、
従来の半導体装置と同様に、その先端部２Ａが前記バン
プ５よりもわずかに突出している。
半導体チップ４の外部電極４Ｂと金属配線２の接続部分
は、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、前記半導
体チップ４の外周４Ａの方向から伸びた金属配線２は、
従来の半導体装置と同様に、その先端部２Ａが前記バン
プ５よりもわずかに突出している。
【００４２】本実施例２の半導体装置の製造方法は、前
記実施例１で説明した製造方法と同様の手順であり、ま
ず、図３（ａ）に示すように、前記テープ材料１上に銅
（Ｃｕ）等の薄膜２’を形成し、次に、図３（ｂ）に示
すように、配線を形成する部分をパターニングしたレジ
スト膜ＲＥをマスクとして前記薄膜２’をエッチングし
て金属配線２を形成する。
記実施例１で説明した製造方法と同様の手順であり、ま
ず、図３（ａ）に示すように、前記テープ材料１上に銅
（Ｃｕ）等の薄膜２’を形成し、次に、図３（ｂ）に示
すように、配線を形成する部分をパターニングしたレジ
スト膜ＲＥをマスクとして前記薄膜２’をエッチングし
て金属配線２を形成する。
【００４３】次に、図３（ｃ）に示した保護膜３を形成
する際に、前記保護膜３の内周３Ａが、図４あるいは図
５に示すように、搭載される半導体チップ４の外周４Ａ
の内側までくるように保護膜３を形成する。
する際に、前記保護膜３の内周３Ａが、図４あるいは図
５に示すように、搭載される半導体チップ４の外周４Ａ
の内側までくるように保護膜３を形成する。
【００４４】その後は、従来の手順に沿って、インナー
リードボンディングで半導体チップ４の外部電極４Ｂ上
に設けられたバンプ５と金属配線２を接続し、封止樹脂
（アンダーフィル）６を注入する。
リードボンディングで半導体チップ４の外部電極４Ｂ上
に設けられたバンプ５と金属配線２を接続し、封止樹脂
（アンダーフィル）６を注入する。
【００４５】図６は、本実施例２の半導体装置における
他の作用効果を説明するための模式図である。
他の作用効果を説明するための模式図である。
【００４６】従来の半導体装置のように、前記保護膜３
の内周３Ａが、半導体チップ４の外周４Ａよりも外側に
ある場合、前記半導体チップ４とテープ基板の隙間に封
止樹脂６を注入したときに、前記封止樹脂６が前記保護
膜３上までとどかずに、前記金属配線の一部が露出して
しまう可能性がある。前記金属配線２の露出した部分２
Ｂからは、水分や汚染物質が浸入し半導体装置の信頼
性、寿命を低下させる原因となる。そのため、本実施例
２の半導体装置のように、保護膜３の内周３Ａが前記半
導体チップ４の外周４Ａの内側にくるように形成してお
くことにより、封止樹脂（アンダーフィル）６の未充填
による金属配線２の露出を防げ、耐湿信頼性等の低下を
防ぐことができる。
の内周３Ａが、半導体チップ４の外周４Ａよりも外側に
ある場合、前記半導体チップ４とテープ基板の隙間に封
止樹脂６を注入したときに、前記封止樹脂６が前記保護
膜３上までとどかずに、前記金属配線の一部が露出して
しまう可能性がある。前記金属配線２の露出した部分２
Ｂからは、水分や汚染物質が浸入し半導体装置の信頼
性、寿命を低下させる原因となる。そのため、本実施例
２の半導体装置のように、保護膜３の内周３Ａが前記半
導体チップ４の外周４Ａの内側にくるように形成してお
くことにより、封止樹脂（アンダーフィル）６の未充填
による金属配線２の露出を防げ、耐湿信頼性等の低下を
防ぐことができる。
【００４７】以上説明したように、本実施例２によれ
ば、テープ基板に形成された金属配線を保護する保護膜
を、搭載される半導体チップの外周よりも内側まで形成
するため、前記テープ基板の金属配線と半導体チップが
直接接触することを防げ、半導体装置の信頼性の低下を
防ぐことができる。また、半導体チップの外周の外側で
金属配線が露出することを防げ、半導体装置の耐湿信頼
性等の低下を防ぐこともできる。
ば、テープ基板に形成された金属配線を保護する保護膜
を、搭載される半導体チップの外周よりも内側まで形成
するため、前記テープ基板の金属配線と半導体チップが
直接接触することを防げ、半導体装置の信頼性の低下を
防ぐことができる。また、半導体チップの外周の外側で
金属配線が露出することを防げ、半導体装置の耐湿信頼
性等の低下を防ぐこともできる。
【００４８】（実施例３）図７は、本発明による実施例
３の半導体装置の概略構成を示す模式図であり、図７
（ａ）は配線接続部分の拡大平面図、図７（ｂ）は図７
（ａ）のＣ−Ｃ’線での断面図、図７（ｃ）は本実施例
３の半導体装置の作用効果を説明するための断面図であ
る。
３の半導体装置の概略構成を示す模式図であり、図７
（ａ）は配線接続部分の拡大平面図、図７（ｂ）は図７
（ａ）のＣ−Ｃ’線での断面図、図７（ｃ）は本実施例
３の半導体装置の作用効果を説明するための断面図であ
る。
【００４９】本実施例３の半導体装置は、前記実施例１
の半導体装置及び前記実施例２の半導体装置の特徴を組
み合わせたものであり、金属配線のはがれによる接続信
頼性の低下を防ぐとともに、金属配線と半導体チップの
接触による不良を防ぐものである。
の半導体装置及び前記実施例２の半導体装置の特徴を組
み合わせたものであり、金属配線のはがれによる接続信
頼性の低下を防ぐとともに、金属配線と半導体チップの
接触による不良を防ぐものである。
【００５０】本実施例３の半導体装置は、図７（ａ）及
び図７（ｂ）に示すように、前記金属配線２のはがれに
よる接続信頼性を防ぐために、前記金属配線２の先端部
２Ａがバンプ５から離れて形成されている。また、前記
半導体チップ４の外周４Ａより外側の金属配線２を保護
する保護膜３の内周３Ａは、前記半導体チップ４の外周
４Ａよりも内側にある。また、本実施例３の半導体装置
では、前記金属配線２の先端部２Ａを保護する保護膜３
も形成されている。言い換えると、前記金属配線２は、
バンプ５と接続された領域以外が前記保護膜３で保護さ
れている。また、本実施例３の半導体装置も、前記テー
プ材料１の金属配線２とバンプ５が接続される部分に開
口部（デバイスホール）を持たないＣＯＦ型の半導体装
置であるとする。
び図７（ｂ）に示すように、前記金属配線２のはがれに
よる接続信頼性を防ぐために、前記金属配線２の先端部
２Ａがバンプ５から離れて形成されている。また、前記
半導体チップ４の外周４Ａより外側の金属配線２を保護
する保護膜３の内周３Ａは、前記半導体チップ４の外周
４Ａよりも内側にある。また、本実施例３の半導体装置
では、前記金属配線２の先端部２Ａを保護する保護膜３
も形成されている。言い換えると、前記金属配線２は、
バンプ５と接続された領域以外が前記保護膜３で保護さ
れている。また、本実施例３の半導体装置も、前記テー
プ材料１の金属配線２とバンプ５が接続される部分に開
口部（デバイスホール）を持たないＣＯＦ型の半導体装
置であるとする。
【００５１】前記実施例１で説明したように、前記金属
配線２の先端部２Ａをバンプ５から遠ざけることによ
り、インナーリードボンディング時に、前記バンプ５上
の金属配線２にかかる応力を先端部２Ａ側に効率よく分
散させて緩和することで、金属配線２のはがれを防げる
が、前記バンプ５からの突出量が多くなるため、図７
（ｃ）に示すように、バンプ５のくい込みにより金属配
線２が変形しやすく、先端部２Ａと半導体チップ４が接
触しやすくなってしまう。そのため、図７（ｂ）に示す
ように、金属配線２の先端部２Ａも保護膜３で覆うこと
により、先端部２Ａと半導体チップ４が直接接触するこ
とを防げるため、半導体装置の信頼性の低下を防ぐこと
ができる。
配線２の先端部２Ａをバンプ５から遠ざけることによ
り、インナーリードボンディング時に、前記バンプ５上
の金属配線２にかかる応力を先端部２Ａ側に効率よく分
散させて緩和することで、金属配線２のはがれを防げる
が、前記バンプ５からの突出量が多くなるため、図７
（ｃ）に示すように、バンプ５のくい込みにより金属配
線２が変形しやすく、先端部２Ａと半導体チップ４が接
触しやすくなってしまう。そのため、図７（ｂ）に示す
ように、金属配線２の先端部２Ａも保護膜３で覆うこと
により、先端部２Ａと半導体チップ４が直接接触するこ
とを防げるため、半導体装置の信頼性の低下を防ぐこと
ができる。
【００５２】（実施例４）図８は本発明による実施例４
の半導体装置の概略構成を示す模式図であり、図８
（ａ）は配線接続部の拡大平面図、図８（ｂ）は図８
（ａ）のＤ−Ｄ’線での断面図である。
の半導体装置の概略構成を示す模式図であり、図８
（ａ）は配線接続部の拡大平面図、図８（ｂ）は図８
（ａ）のＤ−Ｄ’線での断面図である。
【００５３】前記実施例１あるいは前記実施例３の半導
体装置では、金属配線のはがれを防ぐために、金属配線
を長くして、先端部がバンプから遠ざかるようにした
が、本実施例４では、金属配線を長くする代わりに、バ
ンプを長くする。
体装置では、金属配線のはがれを防ぐために、金属配線
を長くして、先端部がバンプから遠ざかるようにした
が、本実施例４では、金属配線を長くする代わりに、バ
ンプを長くする。
【００５４】本実施例４の半導体装置は、図８（ａ）及
び図８（ｂ）に示すように、テープ材料１上に金属配線
２及び前記金属配線２を保護する保護膜３が形成された
テープ基板と、前記テープ基板に搭載される半導体チッ
プ４と、前記半導体チップ４の外部電極４Ｂと前記金属
配線２を接続するバンプ５と、前記半導体チップ４とテ
ープ基板の間に充填された封止樹脂（アンダーフィル）
６により構成されている。また、前記外部電極４Ｂ上の
バンプ５は、半導体チップ４の内側、言い換えると前記
金属配線２の先端部２Ａの方向に伸びる、例えば、長さ
１００μｍ程度のものが形成されており、その一端５Ａ
が金属配線２の先端部２Ａよりも内側に突出している。
そのため、前記金属配線２の先端部２Ａがバンプ５上に
あり、インナーリードボンディング時に前記金属配線２
にかかる応力が先端部２Ａに集中して、前記金属配線２
の先端部２Ａが変形し、前記テープ材料１からはがれる
ことを防げる。
び図８（ｂ）に示すように、テープ材料１上に金属配線
２及び前記金属配線２を保護する保護膜３が形成された
テープ基板と、前記テープ基板に搭載される半導体チッ
プ４と、前記半導体チップ４の外部電極４Ｂと前記金属
配線２を接続するバンプ５と、前記半導体チップ４とテ
ープ基板の間に充填された封止樹脂（アンダーフィル）
６により構成されている。また、前記外部電極４Ｂ上の
バンプ５は、半導体チップ４の内側、言い換えると前記
金属配線２の先端部２Ａの方向に伸びる、例えば、長さ
１００μｍ程度のものが形成されており、その一端５Ａ
が金属配線２の先端部２Ａよりも内側に突出している。
そのため、前記金属配線２の先端部２Ａがバンプ５上に
あり、インナーリードボンディング時に前記金属配線２
にかかる応力が先端部２Ａに集中して、前記金属配線２
の先端部２Ａが変形し、前記テープ材料１からはがれる
ことを防げる。
【００５５】また、前記金属配線２を保護する保護膜３
の内周３Ａは、前記実施例２で説明したように、前記半
導体チップ４の外周４Ａよりも内側にあり、前記金属配
線２が変形して半導体チップ４と直接接触することを防
いでいる。
の内周３Ａは、前記実施例２で説明したように、前記半
導体チップ４の外周４Ａよりも内側にあり、前記金属配
線２が変形して半導体チップ４と直接接触することを防
いでいる。
【００５６】本実施例４の半導体装置の製造方法も、従
来と同様の手順で、半導体チップ４の外部電極４Ｂ上
に、前記金属配線２の先端部２Ａの方向への長さが約１
００μｍのバンプ５を形成しておき、前記バンプ５の一
端５Ａが前記金属配線２の先端部２Ａよりも突出するよ
うしておけばよいので、詳細な説明は省略する。
来と同様の手順で、半導体チップ４の外部電極４Ｂ上
に、前記金属配線２の先端部２Ａの方向への長さが約１
００μｍのバンプ５を形成しておき、前記バンプ５の一
端５Ａが前記金属配線２の先端部２Ａよりも突出するよ
うしておけばよいので、詳細な説明は省略する。
【００５７】以上説明したように、本実施例４によれ
ば、金属配線２の先端部２Ａがバンプ５上にあるので、
インナーリードボンディング時にかかる応力による前記
金属配線２のはがれが起こりにくく、接続信頼性の低下
を防ぐことができる。
ば、金属配線２の先端部２Ａがバンプ５上にあるので、
インナーリードボンディング時にかかる応力による前記
金属配線２のはがれが起こりにくく、接続信頼性の低下
を防ぐことができる。
【００５８】また、前記金属配線２の先端部２Ａよりも
内側まで伸びる長いバンプ５を形成することにより、バ
ンプ５と金属配線２の接触面積が増えて接触抵抗を低く
することができるため、電気的特性が向上する。
内側まで伸びる長いバンプ５を形成することにより、バ
ンプ５と金属配線２の接触面積が増えて接触抵抗を低く
することができるため、電気的特性が向上する。
【００５９】また、前記バンプ５を大きくすることによ
り、半導体チップ４の位置がずれた場合でも、前記バン
プ５と金属配線２の接続を行いやすく、接続信頼性の低
下を防ぐことができる。
り、半導体チップ４の位置がずれた場合でも、前記バン
プ５と金属配線２の接続を行いやすく、接続信頼性の低
下を防ぐことができる。
【００６０】図９は、本実施例４の半導体装置における
他の作用効果を説明するための模式平面図である。
他の作用効果を説明するための模式平面図である。
【００６１】本実施例４のように、前記金属配線２の先
端部２Ａの方向に伸びたバンプ５を使用する代わりに、
再配線工程などで、従来半導体チップ４の外周４Ａに近
い所に形成していた外部電極４Ｂを、半導体チップ４の
内側に形成することも可能であり、前記バンプ５を半導
体チップ４の内側に形成することにより、図９（ａ）に
示すように、金属配線２も半導体チップ４の内側に寄せ
て形成することができる。前記金属配線２とバンプ５の
接続部が半導体チップ４の内側になると、前記金属配線
２の変形の影響で前記金属配線２と半導体チップ４の外
周４Ａが接触しやすくなってしまうが、前記実施例で説
明したように、保護膜３の内周３Ａが前記半導体チップ
４の外周４Ａよりも内側にあるため、前記金属配線２と
半導体チップ４が直接接触することを防げる。そのた
め、図９（ａ）に示した、半導体装置のテープ材料１
（テープ基板）の配線方向の幅Ｗ１を、図９（ｂ）に示
した、従来の半導体装置における前記テープ材料１の配
線方向の幅Ｗ２に比べて短くできるので、半導体装置を
小型化することが可能である。
端部２Ａの方向に伸びたバンプ５を使用する代わりに、
再配線工程などで、従来半導体チップ４の外周４Ａに近
い所に形成していた外部電極４Ｂを、半導体チップ４の
内側に形成することも可能であり、前記バンプ５を半導
体チップ４の内側に形成することにより、図９（ａ）に
示すように、金属配線２も半導体チップ４の内側に寄せ
て形成することができる。前記金属配線２とバンプ５の
接続部が半導体チップ４の内側になると、前記金属配線
２の変形の影響で前記金属配線２と半導体チップ４の外
周４Ａが接触しやすくなってしまうが、前記実施例で説
明したように、保護膜３の内周３Ａが前記半導体チップ
４の外周４Ａよりも内側にあるため、前記金属配線２と
半導体チップ４が直接接触することを防げる。そのた
め、図９（ａ）に示した、半導体装置のテープ材料１
（テープ基板）の配線方向の幅Ｗ１を、図９（ｂ）に示
した、従来の半導体装置における前記テープ材料１の配
線方向の幅Ｗ２に比べて短くできるので、半導体装置を
小型化することが可能である。
【００６２】以上、本発明を、前記実施例に基づき具体
的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変
更可能であることはもちろんである。
的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変
更可能であることはもちろんである。
【００６３】図１０及び図１１は、本発明による半導体
装置の応用例を示す模式図である。
装置の応用例を示す模式図である。
【００６４】前記実施例で説明した半導体装置では、半
導体チップの各外部電極４Ｂとバンプ５を介して接続さ
れる金属配線２は、それぞれ独立しているものとして示
しているが、本発明の一つである金属配線のバンプが接
続される領域の近傍以外を保護膜で覆うことを利用すれ
ば、図１０（ａ）に示すように、半導体チップの内側に
回りこむような金属配線を設けることも可能である。例
えば、図１０（ａ）に示したような、電源電圧（Ｖｃ
ｃ）や、グランド電極（ＧＮＤ）などの外部電極は、１
つの半導体チップに複数個設けられている場合がある。
そのような場合、一つのグランド電極用金属配線７ある
いは電源電圧用金属配線８を分岐して、配線を半導体チ
ップ４の内側に回りこませ、図１０（ｂ）に示すよう
に、前記金属配線のバンプ５が接続される近傍以外を保
護膜３で覆ってしまうことにより、前記半導体チップの
内側に回り込んだ金属配線７が変形して前記半導体チッ
プ４と接触することも防げる。そのため、効率のよい配
線を行うことができ、半導体装置をより小型化すること
が可能になると考えられる。
導体チップの各外部電極４Ｂとバンプ５を介して接続さ
れる金属配線２は、それぞれ独立しているものとして示
しているが、本発明の一つである金属配線のバンプが接
続される領域の近傍以外を保護膜で覆うことを利用すれ
ば、図１０（ａ）に示すように、半導体チップの内側に
回りこむような金属配線を設けることも可能である。例
えば、図１０（ａ）に示したような、電源電圧（Ｖｃ
ｃ）や、グランド電極（ＧＮＤ）などの外部電極は、１
つの半導体チップに複数個設けられている場合がある。
そのような場合、一つのグランド電極用金属配線７ある
いは電源電圧用金属配線８を分岐して、配線を半導体チ
ップ４の内側に回りこませ、図１０（ｂ）に示すよう
に、前記金属配線のバンプ５が接続される近傍以外を保
護膜３で覆ってしまうことにより、前記半導体チップの
内側に回り込んだ金属配線７が変形して前記半導体チッ
プ４と接触することも防げる。そのため、効率のよい配
線を行うことができ、半導体装置をより小型化すること
が可能になると考えられる。
【００６５】また、前記実施例で説明した半導体装置
は、テープ材料１に開口部（デバイスホール）が設けら
れておらず、前記テープ材料１上から金属配線２とバン
プ５との接触部分を加圧して圧着するＣＯＦ型の半導体
装置を例にあげて説明したが、これに限らず、図１１に
示したような、開口部（デバイスホール）が設けられて
おり、デバイスホール内に突出した金属配線２とバンプ
５を直接圧着する半導体装置に適用してもよいことは言
うまでもない。このような半導体装置では、前記デバイ
スホール側から封止樹脂６を注入することが多く、従来
のように、前記保護膜３の内周３Ａが半導体チップ４の
外周４Ａの外側にある場合、前記封止樹脂６が前記保護
膜３の内周３Ａまでとどかずに、前記半導体チップの外
周４Ａと保護膜３の内周３Ａの間の金属配線２が露出し
てしまう可能性が高い。そのため、前記実施例で説明し
たように、前記保護膜３の内周３Ａが半導体チップ４の
外周４Ａの内側になるようにすることで、金属配線２の
露出を防ぎ、水分や汚染物質の浸入による半導体装置の
信頼性の低下を防ぐことができる。
は、テープ材料１に開口部（デバイスホール）が設けら
れておらず、前記テープ材料１上から金属配線２とバン
プ５との接触部分を加圧して圧着するＣＯＦ型の半導体
装置を例にあげて説明したが、これに限らず、図１１に
示したような、開口部（デバイスホール）が設けられて
おり、デバイスホール内に突出した金属配線２とバンプ
５を直接圧着する半導体装置に適用してもよいことは言
うまでもない。このような半導体装置では、前記デバイ
スホール側から封止樹脂６を注入することが多く、従来
のように、前記保護膜３の内周３Ａが半導体チップ４の
外周４Ａの外側にある場合、前記封止樹脂６が前記保護
膜３の内周３Ａまでとどかずに、前記半導体チップの外
周４Ａと保護膜３の内周３Ａの間の金属配線２が露出し
てしまう可能性が高い。そのため、前記実施例で説明し
たように、前記保護膜３の内周３Ａが半導体チップ４の
外周４Ａの内側になるようにすることで、金属配線２の
露出を防ぎ、水分や汚染物質の浸入による半導体装置の
信頼性の低下を防ぐことができる。
【００６６】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００６７】（１）テープ状の配線基板に形成された金
属配線と半導体チップの外部電極を突起電極により接続
した半導体装置において、前記金属配線のはがれによ
る、半導体装置の信頼性の低下を防ぐことができる。
属配線と半導体チップの外部電極を突起電極により接続
した半導体装置において、前記金属配線のはがれによ
る、半導体装置の信頼性の低下を防ぐことができる。
【００６８】（２）テープ状の配線基板に形成された金
属配線と半導体チップの外部電極を突起電極により接続
した半導体装置において、前記金属配線の変形による、
半導体装置の信頼性の低下を防ぐことができる。
属配線と半導体チップの外部電極を突起電極により接続
した半導体装置において、前記金属配線の変形による、
半導体装置の信頼性の低下を防ぐことができる。
【図１】本発明による実施例１の半導体装置の概略構成
を示す模式平面図である。
を示す模式平面図である。
【図２】図１の部分拡大図である。
【図３】本実施例１の半導体装置の製造方法を説明する
ための模式図である。
ための模式図である。
【図４】本発明による実施例２の半導体装置の概略構成
を示す模式平面図である。
を示す模式平面図である。
【図５】図４の部分拡大図である。
【図６】本実施例２の半導体装置における他の作用効果
を説明するための模式図である。
を説明するための模式図である。
【図７】本発明による実施例３の半導体装置の概略構成
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図８】本発明による実施例４の半導体装置の概略構成
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図９】本実施例４の半導体装置における他の作用効果
を説明するための模式図である。
を説明するための模式図である。
【図１０】本発明による半導体装置の応用例を示す模式
図である。
図である。
【図１１】本発明による半導体装置の応用例を示す模式
図である。
図である。
【図１２】従来の半導体装置の課題を説明するための模
式図である。
式図である。
１…テープ材料、２…金属配線、２Ａ…金属配線の先端
部、２Ｂ…露出部、２Ｄ…半導体チップの外周に近い部
分、２Ｃ…バンプ接続部、２’…薄膜、３…保護膜、３
Ａ…保護膜の内周、３Ｂ…保護膜の外周、４…半導体チ
ップ、４Ａ…半導体チップの外周、４Ｂ…外部電極、５
…バンプ、５Ａ…バンプの一端、６…封止樹脂（アンダ
ーフィル）、７…グランド電極用金属配線、８…電源電
圧用金属配線、ＲＥ…レジスト膜。
部、２Ｂ…露出部、２Ｄ…半導体チップの外周に近い部
分、２Ｃ…バンプ接続部、２’…薄膜、３…保護膜、３
Ａ…保護膜の内周、３Ｂ…保護膜の外周、４…半導体チ
ップ、４Ａ…半導体チップの外周、４Ｂ…外部電極、５
…バンプ、５Ａ…バンプの一端、６…封止樹脂（アンダ
ーフィル）、７…グランド電極用金属配線、８…電源電
圧用金属配線、ＲＥ…レジスト膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金光 伸弥 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 (72)発明者 市原 誠一 東京都小平市上水本町５丁目22番１号 株 式会社日立超エル・エス・アイ・システム ズ内 Ｆターム(参考） 5F044 KK03 MM03 MM08 MM16 MM25 MM44 NN07
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体チップと、絶縁性のテープ材料の
表面に金属配線及び前記金属配線を保護する保護膜が形
成されたテープ基板と、前記半導体チップの外部電極と
前記テープ基板の金属配線を接続する突起電極と、前記
半導体チップと前記テープ基板の間に充填された封止樹
脂からなる半導体装置において、前記テープ基板に形成
された金属配線の先端と前記突起電極が接続される部分
は、少なくとも、前記突起電極と前記金属配線の接続部
にかかる応力を分散し、前記金属配線の前記テープ材料
からのはがれを低減できる程度の距離だけ離れているこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 半導体チップと、絶縁性のテープ材料の
表面に金属配線及び前記金属配線を保護する保護膜が形
成されたテープ基板と、前記半導体チップの外部電極と
前記テープ基板の金属配線を接続する突起電極と、前記
半導体チップと前記テープ基板の間に充填された封止樹
脂からなる半導体装置において、前記突起電極は、前記
半導体チップの外部電極から前記金属配線の先端方向に
伸びており、前記テープ基板に形成された金属配線の先
端が、前記突起電極上に位置していることを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項３】 前記請求項１または２に記載の半導体装
置において、前記保護膜は、前記金属配線の前記突起電
極と接続された領域の近傍まで形成されており、その内
周が前記半導体チップの外周よりも内側にあることを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 前記請求項１乃至３のいずれか一項に記
載の半導体装置において、前記金属配線の前記突起電極
と接続された領域の近傍以外が、前記保護膜により保護
されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 絶縁性のテープ材料の表面に金属配線を
形成し、前記金属配線上に保護膜を形成したテープ基板
を準備する工程と、前記テープ基板の金属配線と半導体
チップの外部電極とを突起電極を介して接続する工程
と、前記半導体チップと前記テープ基板の間に封止樹脂
を充填する工程を有する半導体装置の製造方法であっ
て、前記テープ基板を準備する工程は、前記テープ材料
の表面に金属薄膜を張りつけ、前記金属薄膜上の金属配
線を形成する部分にレジスト膜を形成し、前記レジスト
膜をマスクとして金属薄膜をエッチングして、先端が突
起電極を接続する位置から離れた金属配線を形成する工
程と、前記テープ材料表面の金属配線上に絶縁性の保護
膜を形成し、前記金属配線と突起電極が接続される領域
の保護膜を除去して、前記金属配線を露出させることを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 絶縁性のテープ材料の表面に金属配線を
形成し、前記金属配線上に保護膜を形成したテープ基板
を準備する工程と、前記テープ基板の金属配線と半導体
チップの外部電極とを突起電極を介して接続する工程
と、前記半導体チップと前記テープ基板の間に封止樹脂
を充填する半導体装置の製造方法であって、前記金属配
線と半導体チップの外部電極とを突起電極を介して接続
する工程は、前記半導体チップの外部電極上に、前記外
部電極から前記金属配線の先端の方向に伸び、前記金属
配線の先端よりも突出した突起電極を形成し、前記半導
体チップの外部電極と前記テープ基板の金属配線を向か
い合わせて、前記金属配線の先端が前記突起電極上にく
るように位置あわせをして、前記突起電極と金属配線を
接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000179877A JP2001358170A (ja) | 2000-06-15 | 2000-06-15 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000179877A JP2001358170A (ja) | 2000-06-15 | 2000-06-15 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001358170A true JP2001358170A (ja) | 2001-12-26 |
Family
ID=18681071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000179877A Withdrawn JP2001358170A (ja) | 2000-06-15 | 2000-06-15 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001358170A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004127974A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | Ｃｏｆテープキャリア、半導体素子、半導体装置 |
| WO2005101495A1 (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Nippon Mektron, Ltd. | 半導体チップ実装用可撓性プリント回路基板 |
| US7101732B2 (en) | 2002-01-18 | 2006-09-05 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2009016451A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板と電子部品との接続構造 |
| JP2010212396A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Seiko Epson Corp | 電子装置、電気光学装置および基板の接続構造 |
-
2000
- 2000-06-15 JP JP2000179877A patent/JP2001358170A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7101732B2 (en) | 2002-01-18 | 2006-09-05 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2004127974A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | Ｃｏｆテープキャリア、半導体素子、半導体装置 |
| US6809406B2 (en) | 2002-09-30 | 2004-10-26 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | COF tape carrier, semiconductor element, COF semiconductor device, and method for manufacturing of COF semiconductor device |
| WO2005101495A1 (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Nippon Mektron, Ltd. | 半導体チップ実装用可撓性プリント回路基板 |
| JP2009016451A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板と電子部品との接続構造 |
| US8354599B2 (en) | 2007-07-02 | 2013-01-15 | Nitto Denko Corporation | Connection structure between printed circuit board and electronic component |
| KR101488996B1 (ko) * | 2007-07-02 | 2015-02-02 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 배선 회로 기판과 전자 부품의 접속 구조 |
| JP2010212396A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Seiko Epson Corp | 電子装置、電気光学装置および基板の接続構造 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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