JP2002261183A - 配線基板、半導体装置、及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】配線基板上の配線上に形成される突起導体（バ
ンプ）の位置の精度を向上させる。 【解決手段】テープ状の絶縁性基材の一主面に配線が設
けられ、前記絶縁性基材の配線が形成された面と対向す
る主面に、スルーホール配線により前記配線と電気的に
接続される外部接続端子が設けられた配線基板におい
て、前記配線には、半導体チップの外部電極と接続され
る第１接続端子、前記スルーホール配線により前記外部
接続端子と接続される第２接続端子、及びそれらの中間
のスプリング部が設けられており、前記配線の少なくと
も前記第１接続端子の表面に接合性のよい金属薄膜層が
設けられ、前記第１接続端子上に前記薄膜層を介して突
起導体が設けられている配線基板である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板、半導体
装置、及びその製造方法に関し、特に、配線基板上に半
導体チップをフリップチップ接合し、前記配線基板上の
配線を部分的に浮かせた半導体装置に適用して有効な技
術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、絶縁性基材上に配線を形成した配
線基板に半導体チップを搭載した半導体装置には、半導
体チップの回路形成面、言い換えると外部電極が形成さ
れた面を配線基板と向かい合わせてフリップチップ接合
させた半導体装置がある。

【０００３】前記半導体チップをフリップチップ接合さ
せた半導体装置では、一般に、前記配線基板に設けられ
た配線と前記半導体チップの外部電極を向かい合わせ
て、はんだバンプ等の突起導体により前記外部電極と前
記配線とを接続している。また、前記配線の一端は、前
記絶縁性基材に設けられたスルーホール配線により前記
配線が形成された面と対向する面に設けられる外部接続
端子と接続されている。前記外部接続端子はマザーボー
ド等の実装基板や外部装置と接続される端子であり、例
えば、前記外部接続端子にＰｂ−Ｓｎ系はんだ等のボー
ル端子を接続するとＢＧＡ（Ball Grid Array ）型の半
導体装置になる。

【０００４】また、前記半導体装置では、前記配線基板
と前記半導体チップの熱膨張係数が異なるため、前記半
導体装置の製造工程や使用中の半導体チップからの発熱
などにより前記配線基板及び前記半導体チップに反りが
生じる。前記半導体チップをフリップチップ接合させた
半導体装置の場合、前記配線基板及び前記半導体チップ
の反り（変形）による応力は、前記配線と前記半導体チ
ップの外部電極との接続部（接合部）に集中するため、
この応力を十分に緩和できないと、前記接続部で剥れや
断線が生じて接続不良となってしまう。そのため、前記
半導体チップをフリップチップ接合させた半導体装置で
は、前記配線基板と前記半導体チップの間に絶縁性の弾
性体（エラストマ）を設けて前記配線基板及び半導体チ
ップの反りによる応力を緩和している。

【０００５】また、近年では、図２１に示すように、前
記絶縁性基材１上に設けられた配線２の第１接続端子２
０１及びスプリング部２０３を前記絶縁性基材１から剥
して浮かせた状態にして、前記第１接続端子２０１と半
導体チップ４の外部電極４０１とをはんだバンプ等の突
起導体５により接続し、前記絶縁性基材１と半導体チッ
プ４との間を封止絶縁体６で封止した半導体装置も提案
されている。

【０００６】図２１に示した半導体装置の、前記配線２
の第２接続端子２０２は、図２２に示すように、接着層
８Ａにより前記絶縁性基材１と接着されている。また、
前記第２接続端子２０２部分の前記絶縁性基材１にはス
ルーホール１０１が設けられており、前記スルーホール
１０１に沿って形成されたスルーホール配線（スルーホ
ールめっき）９により、前記絶縁性基材１の配線形成面
と対向する面に設けられた外部接続端子３と電気的に接
続されている。ここで、図２２は、図２１のＪ−Ｊ’線
での模式断面図を示している。

【０００７】また、前記絶縁性基材１の前記外部接続端
子３が形成された面には、前記外部接続端子３の所定位
置が開口するようにソルダーレジスト等の保護膜１０が
設けられている。前記外部接続端子３には、例えば、図
２２に示すように、前記保護膜１０の開口部に設けられ
た錫めっき層１１を介して、Ｐｂ−Ｓｎ系はんだ等のボ
ール端子７が接続されている。

【０００８】図２１及び図２２に示したような、前記第
１接続端子２０１及びスプリング部２０３を前記絶縁性
基材１（配線基板）から浮かせた半導体装置では、前記
スプリング部２０３が比較的自由に動き、柔軟性がある
ため、前記絶縁性基材１（配線基板）と半導体チップ４
との間に封止絶縁体（エラストマ）６を設けただけの場
合に比べて、前記第１接続端子２０１と前記半導体チッ
プ４の外部電極４０１の接続部（接合部）にかかる応力
を前記スプリング部２０３に逃がして緩和しやすくなり
接続信頼性が向上する。また、前記スプリング部２０３
に柔軟性があるため、外部からの機械的な振動等に対し
ても接続信頼性の強い半導体装置を得ることができる。

【０００９】前記第１接続端子２０１及びスプリング部
２０３を浮かせた半導体装置に用いられる配線基板は、
図２３、及び図２３のＫ−Ｋ’線での断面図である図２
４（ａ）に示すように、半導体チップ４の外部電極４０
１と接続される第１接続端子２０１、前記スルーホール
配線９により前記外部接続端子３と接続される第２接続
端子２０２、及びそれらの中間のスプリング部２０３を
有する配線２が、接着層８Ａを介して前記絶縁性基材１
上に設けられており、前記第１接続端子２０１上にはは
んだ等の突起導体（はんだバンプ）５’が設けられてい
る。

【００１０】また、前記第２接続端子２０２は、図２４
（ａ）に示すように、前記絶縁性基材１に設けられたス
ルーホール１０１に沿って形成されたスルーホール配線
９により、前記絶縁性基材１の配線形成面と対向する面
に接着層８Ｂにより接着された外部接続端子３と電気的
に接続されている。また、前記絶縁性基材１及び前記接
着層８Ａの、前記第１接続端子２０１及び前記スプリン
グ部２０３の周辺は、図２４（ａ）、及び図２３のＬ−
Ｌ’線での断面図である図２４（ｂ）に示すように、凹
型に削られており、凹型に削られた絶縁性基材１の端面
１０２は、前記第１接続端子２０１及び前記スプリング
部２０３の下面まで達している。

【００１１】図２１及び図２２に示したような、前記第
１接続端子２０１及び前記スプリング部２０３を前記絶
縁性基材１から浮かせた半導体装置の製造方法を簡単に
説明すると、まず、図２５（ａ）及び図２５（ｂ）に示
すように、前記絶縁性基材１の第１主面上に接着層８Ｂ
を介して外部接続端子３が形成され、前記絶縁性基材の
第２主面上に接着層８Ａを介して図２３に示したような
配線２が形成され、前記配線２の第１接続端子２０１上
に前記突起導体５’が形成され、前記配線２の第２接続
端子２０２と前記外部接続端子３が、前記絶縁性基材１
に形成されたスルーホール１０１に沿って形成されたス
ルーホール配線９により電気的に接続され、前記外部接
続端子３の所定位置が露出するように保護膜１０を形成
され、前記外部接続端子３の露出面にＳｎめっき層１１
が形成された配線基板を形成する。

【００１２】前記図２５（ａ）及び図２５（ｂ）に示し
た配線基板は、例えば、以下のような方法で製造され
る。まず、ポリイミドテープなどの絶縁性基材１の第１
主面上、及び第１主面と対向する第２主面上に、銅箔な
どの導電性薄膜を前記接着層８Ａ，８Ｂにより接着して
導電性薄膜層が２層のテープ材料（両面銅箔付きテープ
材料）を形成する。

【００１３】次に、前記絶縁性基材１の第１主面上の接
着層、言い換えると、図２５（ａ）に示した接着層８Ｂ
により接着された導電性薄膜層をエッチングして外部接
続端子３を形成する。次に、前記外部接続端子３の所定
位置にレーザ等でスルーホール１０１を形成し、前記ス
ルーホール１０１の側壁に沿ってスルーホール配線９を
形成する。

【００１４】次に、前記絶縁性基材１の外部接続端子３
が形成された面と対向する第２主面、言い換えると、図
２５（ａ）に示した接着層８Ａにより接着された導電性
薄膜層を、例えば、アディティブめっき法などを用い
て、図２３に示したような、半導体チップ４の外部電極
４０１と接続される第１接続端子２０１、前記スルーホ
ール配線９により前記外部接続端子３と接続される第２
接続端子２０２、及びそれらの中間のスプリング部２０
３を有する配線２を形成する。

【００１５】次に、前記絶縁性基材１の前記外部接続端
子３が形成された面（第１主面）に、前記外部接続端子
３の所定位置が露出するようにソルダーレジスト等の保
護膜１０を形成し、前記外部接続端子３の露出面に、例
えば、無電解めっき法を用いて錫めっき層１１を形成す
る。

【００１６】その後、図２３及び図２５（ａ）に示すよ
うに、前記第１接続端子２０１上に、はんだ等により突
起導体（はんだバンプ）５’を形成する。このとき、前
記はんだバンプ５’は、例えば、スクリーン版などを用
いて前記第１接続端子２０１上にはんだペーストを印刷
し、前記はんだペーストを加熱、溶融させてボール状に
成形することにより形成される。

【００１７】以上のような手順で形成した、図２５
（ａ）及び図２５（ｂ）に示したような配線基板では、
前記配線２と前記絶縁性基材１を接着する接着層８Ａの
接着強度が高いため、前記第１接続端子２０１及び前記
スプリング部２０３を前記絶縁性基材１（接着層８Ａ）
から剥離するのが難しい。そのため、例えば、図２６
（ａ）及び図２６（ｂ）に示すように、前記第２接続端
子２０２上を覆うようなマスク１２を前記絶縁性基材１
の配線形成面上に配置してプラズマ１３を照射し、前記
接着層８Ａ及び前記絶縁性基材１を部分的にエッチング
する。このとき、前記絶縁性基材１のエッチング端面１
０２が、前記第１接続端子２０１及び前記スプリング部
２０３の下面側へ広がり、前記第１接続端子２０１と前
記スプリング部２０３は、図２６（ａ）及び図２６
（ｂ）に示したように、前記絶縁性基材１（接着層８
Ａ）と部分的に接着された状態になる。このように、前
記第１接続端子２０１及び前記スプリング部２０３の下
面（接着界面）の絶縁性基材１をエッチングして削るこ
とにより、前記第１接続端子２０１及び前記スプリング
部２０３と、前記絶縁性基材１（接着層８Ａ）との接着
面積が小さくなり、接着強度が弱くなる。

【００１８】図２６（ａ）及び図２６（ｂ）に示したよ
うに、前記第１接続端子２０１及び前記スプリング部２
０３の下部の前記絶縁性基材１（接着層８Ａ）をエッチ
ングして接着強度を低下させた後、前記絶縁性基材１
（配線基板）上の配線２の第１接続端子２０１と半導体
チップ４の外部電極４０１が向かい合うように配置し、
図２７に示すように、前記外部電極４０１と前記第１接
続端子２０１を前記はんだバンプ５’により接続（接
合）する。次に、前記絶縁性基材１（配線基板）を固定
したまま前記半導体チップ４を所定の方向に所定の高さ
だけ引き上げる。このとき、前記第１接続端子２０１及
び前記スプリング部２０３は、部分的に前記絶縁性基材
１（接着層８Ａ）と接着されている状態なので、前記第
１接続端子２０１が前記絶縁性基材１（接着層８Ａ）か
ら容易に剥れる。前記第１接続端子２０１が前記絶縁性
基材１（接着層８Ａ）から剥れると、前記スプリング部
２０３は連続的に剥がれていき、前記第１接続端子２０
１及び前記スプリング部２０３が前記絶縁性基材１から
浮いた状態になる。またこのとき、前記第２接続端子２
０２は前記接着層８Ａ及び前記スルーホール配線９によ
り前記絶縁性基材１に固定されているため剥れない。こ
の状態で前記絶縁性基材１（配線基板）と前記半導体チ
ップ４の間に液状の封止絶縁体（エラストマ）６を注入
し、加熱、硬化させる。

【００１９】その後、前記外部接続端子３にＳｎめっき
層１１を介して、例えば、Ｐｂ−Ｓｎ系はんだ等のボー
ル端子７を接続し、前記絶縁性基材１（配線基板）を所
定の形状に切断すると、図２１及び図２２に示したよう
な半導体装置を得ることができる。

【００２０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の技術では、前記半導体装置の小型化にともない、前
記配線基板上の配線を微細化させたときに、前記第１接
続端子２０１の面積が狭くなり、前記第１接続端子２０
１上に形成する突起導体５’の直径も小さくなる。その
ため、前記第１接続端子２０１上に、例えば、直径約６
０μｍの突起導体（はんだバンプ）５’を形成するとき
に、印刷用のスクリーン版等を用いて前記第１接続端子
２０１上にはんだペーストを印刷しようとすると、前記
スクリーン版に設けられた穴と前記第１接続端子２０１
の位置合わせが難しいという問題があった。

【００２１】前記はんだペーストを前記第１接続端子２
０１上に印刷するときに、印刷した前記はんだペースト
に位置ずれが生じると、前記はんだペーストを加熱した
ときに、前記第１接続端子２０１上の所定位置にバンプ
５’が形成できないことがある。これは、前記配線２の
材料として主に用いられている銅のはんだ濡れ性が低い
ためで、はんだペーストの位置がずれると、前記はんだ
ペーストが溶融したときに、前記銅（第１接続端子２０
１）の表面に広がりにくく、溶融したはんだの表面張力
により印刷された位置の周辺で球状になってしまうため
である。前記はんだバンプ５’が所定位置に形成されて
いない場合、前記半導体チップ４をフリップチップ接続
するときに、前記半導体チップ４の外部電極４０１と前
記突起導体（はんだバンプ）５’の位置が揃わずに接続
不良になるという問題があった。

【００２２】また、半導体装置の小型化により、前記第
１接続端子２０１上に形成する前記突起導体（はんだバ
ンプ）５’の直径が小さくなると、はんだペーストを印
刷する際に使用する前記スクリーン版に設けられる穴の
直径も小さくなる。このとき、前記はんだペーストの粒
子が粗いと前記スクリーン版の穴に、前記はんだペース
トを均一に刷り込めずに、形成された前記はんだバンプ
５’の大きさが不均一になる。また、場合によっては前
記はんだペーストが印刷されず、前記はんだバンプ５’
が形成されない可能性がある。前記第１接続端子２０１
上に形成した前記はんだバンプ５’の形状が不均一であ
ると、前記第１接続端子２０１と前記半導体チップ４の
外部電極４０１を接続したときに十分な接続強度が得ら
れない、あるいは接続されないといった接続不良、また
は接続信頼性が低下するという問題があった。

【００２３】本発明の目的は、配線基板上の配線上に形
成される突起導体（バンプ）の位置の精度を向上させる
ことが可能な技術を提供することにある。

【００２４】本発明の他の目的は、配線基板上の配線上
に形成される突起導体（バンプ）の形状を均一にするこ
とが可能な技術を提供することにある。

【００２５】本発明の他の目的は、配線基板上に半導体
チップをフリップチップ接合させた半導体装置におい
て、配線と半導体チップの外部電極の接続信頼性を向上
させることが可能な技術を提供することにある。

【００２６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明ら
かになるであろう。

【００２７】

【課題を解決するための手段】本発明において開示され
る発明の概要を説明すれば、以下のとおりである。

【００２８】（１）テープ状の絶縁性基材の一主面に配
線が設けられ、前記絶縁性基材の配線が形成された面と
対向する主面に、スルーホール配線により前記配線と電
気的に接続される外部接続端子が設けられた配線基板に
おいて、前記配線には、半導体チップの外部電極と接続
される第１接続端子、前記スルーホール配線により前記
外部接続端子と接続される第２接続端子、及びそれらの
中間のスプリング部が設けられており、前記配線の少な
くとも前記第１接続端子の表面に接合性のよい金属薄膜
層が設けられ、前記第１接続端子上に前記薄膜層を介し
て突起導体が設けられている配線基板である。

【００２９】前記（１）の手段によれば、半導体チップ
の外部電極と接続される第１接続端子上にはんだ濡れ性
のよい前記薄膜層を形成することにより、前記突起導体
として、例えば、前記第１接続端子上にはんだペースト
を塗布し、加熱してはんだバンプを形成する際に、溶融
した前記はんだが前記第１接続端子上に広がりやすく、
前記第１接続端子上の所定位置に前記はんだバンプを形
成することができるとともに、前記はんだバンプと前記
第１接続端子の接続性がよくなる。このとき、前記薄膜
層は、少なくとも前記第１接続端子上に設けられておれ
ばよいので、前記配線の全面に一括してめっきを形成す
るといった方法により容易に設けることができる。

【００３０】また、前記配線の全面に前記薄膜層を形成
すると、前記第１接続端子上にはんだペーストを塗布
し、加熱してはんだバンプを形成する際に、前記配線の
前記第１接続端子と接続されたスプリング部に前記はん
だが広がってしまう可能性がある。

【００３１】前記スプリング部に前記はんだが広がって
しまうと、前記第１接続端子上に所定の大きさの突起導
体（バンプ）を形成することができず、半導体チップの
外部電極との接続不良、または接続信頼性の低下の原因
となる。そのため、例えば、前記配線の全面に前記薄膜
層を形成した後、前記スプリング部の、前記第１接続端
子の近傍の前記薄膜層をレーザ等で酸化させて、前記ス
プリング部のはんだ濡れ性を低下させると、前記はんだ
ペーストを加熱し、溶融させたときに前記はんだが前記
スプリング部に広がらず、前記第１接続端子上の所定位
置に所定の大きさの突起導体（バンプ）を設けることが
できる。

【００３２】また、前記配線の全面に設けられた前記薄
膜層を部分的に酸化させてはんだ濡れ性を低下させる代
わりに、例えば、前記第１接続端子の周辺のみが開口し
たレジスト膜を利用して、前記第１接続端子及びその近
傍のスプリング部の表面のみに薄膜層を設けることもで
きる。この場合は、前記配線のスプリング部及び第２接
続端子上には薄膜層が形成されておらず、母材の銅が露
出した状態なのではんだ濡れ性が低く、前記第１接続端
子上で溶融した前記はんだが前記スプリング部へ広がる
のを防げる。そのため、前記第１接続端子上に所定の大
きさの突起導体（バンプ）を設けることができる。

【００３３】また、前記第１接続端子上には、前記薄膜
層として、例えば、金薄膜層又は錫薄膜層など、はんだ
濡れ性の良い金属や合金などを設けてもよい。

【００３４】また、前記配線基板の前記絶縁性基材は、
前記第１接続端子及び前記スプリング部の下部位置に凹
部を設け、前記第１接続端子及び前記スプリング部が、
部分的に前記接着層により前記絶縁性基材に接着されて
いる状態にすることで、前記第１接続端子及び前記スプ
リング部を前記絶縁性基材から容易に引き剥がすことが
できる。

【００３５】（２）テープ状の絶縁性基材の一主面に配
線が設けられ、前記絶縁性基材の配線が形成された面と
対向する主面に、スルーホール配線により前記配線と接
続される外部接続端子が設けられた配線基板に、前記配
線と外部電極が向かい合うように半導体チップが実装さ
れ、前記配線と前記半導体チップの外部電極とが突起導
体により接続され、前記配線基板と半導体チップの間が
絶縁体（エラストマ）で封止された半導体装置におい
て、前記配線は、前記半導体チップの外部電極と接続さ
れる第１接続端子、前記スルーホール配線により前記外
部接続端子と接続される第２接続端子、及びそれらの中
間のスプリング部が設けられ、前記第１接続端子は、前
記スプリング部により前記絶縁性基材から浮いており、
前記配線の少なくとも前記第１接続端子と前記突起導体
の間に接合性のよい金属薄膜層が設けられている半導体
装置である。

【００３６】前記（２）の手段によれば、前記第１接続
端子と突起導体の間に前記薄膜層が設けられていること
により、前記第１接続端子上の所定位置に前記突起導体
が設けられているため、前記突起導体の位置ずれや形状
不良による半導体チップの外部電極との接続不良の少な
い半導体装置を得ることができる。

【００３７】また、前記薄膜層は、前記第１接続端子と
前記突起導体の間だけに限らず、前記スプリング部及び
前記第２接続端子にも設けられていても良い。

【００３８】また、前記薄膜層を前記配線の全面に設け
た場合、例えば、錫薄膜層が突起導体として用いられる
はんだに対して濡れ性がよいため、前記第１接続端子と
前記半導体チップの外部電極とを接続するときに、溶融
した前記はんだが前記スプリング部へ広がってしまう可
能性がある。前記はんだが前記スプリング部に広がる
と、前記第１接続端子と前記スプリング部の境界の剛性
が高くなり、前記第１接続端子及び前記スプリング部を
前記絶縁性基材から剥がして浮かせたときに変形して折
れ曲がってしまう可能性がある。前記第１接続端子と前
記スプリング部の境界で折れ曲がりが生じると、前記ス
プリング部がスプリングの機能を果たせない可能性があ
る。そのため、前記スプリング部の、前記第１接続端子
の近傍の前記薄膜層を、例えばレーザ等で酸化させては
んだ濡れ性を低下させておくことにより、前記溶融した
はんだが前記スプリング部に広がるのを防ぐことができ
る。

【００３９】また、前記薄膜層を配線の全面に設けた場
合、従来の薄膜層を設けない場合に比べて剛性が高くな
っているため、前記スプリング部と前記第１接続端子ま
たは前記第２接続端子の境界部分で折れ曲がりが起きや
すくなる可能性がある。そのため、前記第１接続端子上
のみに薄膜層を形成することで、前記スプリング部の柔
軟性が損なわれることなく、応力を緩和しやすくするこ
とができる。

【００４０】また、前記第１接続端子と前記突起導体の
間には、前記薄膜層として、金薄膜層又は錫薄膜層、あ
るいは前記突起導体に対する濡れ性のよい金属または合
金の薄膜層が設けられていてもよい。

【００４１】（３）テープ状の絶縁性基材の第１主面
上、及び前記第１主面と対向する第２主面上に導電性薄
膜層を形成し、前記絶縁性基材の第１主面上に形成され
た導電性薄膜をエッチングして外部接続端子を形成し、
前記外部接続端子と前記絶縁性基材の第２主面上に形成
された導電性薄膜を接続するスルーホール配線を形成
し、前記絶縁性基材の第２主面上に形成された導電性薄
膜をエッチングして、半導体チップの外部電極と接続さ
れる第１接続端子、前記スルーホール配線により前記外
部接続端子と接続される第２接続端子、及びそれらの中
間のスプリング部が設けられた配線を形成し、前記絶縁
性基材の第１主面上に前記外部接続端子の所定位置が露
出するように保護膜を形成し、前記外部接続端子の露出
面、及び前記配線の表面に接合性のよい金属薄膜層を形
成し、前記第１接続端子上に突起導体を形成する配線基
板の製造方法である。

【００４２】前記（３）の手段によれば、前記第１接続
端子上に突起導体を形成する前に、前記配線の全面に金
属薄膜層を形成することにより、前記突起導体として、
例えば、前記第１接続端子上に、スクリーン版を用いて
はんだペーストを印刷し、加熱してはんだバンプを形成
する場合に、溶融した前記はんだが濡れ性のよい金属薄
膜層上に広がり、前記第１接続端子上にはんだバンプ
（突起導体）を形成することができる。そのため、前記
突起導体を形成する際に、前記突起導体の位置ずれや形
状の不均一を低減させることができる。このときの前記
突起導体（はんだバンプ）の形成方法には、例えば、ス
クリーン版を用いてはんだペーストを印刷し、加熱して
形成する方法の他に、例えば、ボンディングツールを用
いてスタッドバンプを形成する方法があげられる。

【００４３】また、前記配線の表面に前記薄膜層を形成
した後、そのまま突起導体（はんバンプ）を形成する
と、例えば、前記はんだが前記スプリング部へと広がっ
てしまい、前記第１接続端子上の前記はんだバンプの形
状が不均一になる可能性がある。そのため、配線全面に
前記薄膜層を形成した後、前記はんだが前記スプリング
部に広がらないように、前記スプリング部上の薄膜を、
例えばレーザ等で酸化させてはんだ濡れ性を低下させて
から、前記はんだバンプのような突起導体を形成するこ
とにより、前記第１接続端子上の突起導体（はんだバン
プ）の形状が不均一になることをさらに低減させること
ができる。

【００４４】また、前記はんだが前記スプリング部に広
がるのを防ぐには、前記配線を形成した後、前記絶縁性
基材の配線形成面上に前記第１接続端子及びその周辺が
開口されたレジスト膜を形成し、前記第１接続端子上に
のみ前記薄膜層を形成し、前記第１接続端子上に前記突
起導体を形成してもよい。この場合、前記配線を形成す
るのに用いられる導電性材料が、銅等のはんだ濡れ性が
低い材料であるため、溶融した前記はんだが前記スプリ
ング部に広がることを防げる。

【００４５】また、前記第１接続端子上にのみ前記薄膜
層を形成する代わりに、前記配線の全面に前記薄膜層を
形成した後、前記第１接続端子上にレジスト膜を形成
し、前記配線の、前記第１接続端子上を除く領域の薄膜
層を除去しても良い。

【００４６】また、前記配線の前記第１接続端子上に形
成する薄膜層は、例えば、金薄膜層又は錫薄膜層等、前
記突起導体として用いられる前記はんだに対して濡れ性
のよい金属または合金であっても良い。前記第１接続端
子上に金薄膜層を形成する場合には、例えば、前記外部
接続端子の露出面に錫めっき層を形成した後、前記配線
の第１接続端子上が開口されたレジスト膜を形成し、例
えば、前記開口部に金フラッシュめっきを形成する方法
がある。

【００４７】以下、本発明について、図面を参照して実
施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。

【００４８】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは、同一符号をつけ、その繰
り返しの説明は省略する。

【００４９】

【発明の実施の形態】本発明の実施例を説明する前に、
まず、本発明に関わる半導体装置の構成について説明す
る。

【００５０】図１及び図２は、本発明に関わる半導体装
置の概略構成を示す模式図であり、図１は半導体装置の
模式側面図、図２は図１のＡ−Ａ’線での模式断面図で
ある。

【００５１】図１及び図２において、１は絶縁性基材、
１０１はスルーホール、１０２は絶縁性基材の端面、２
は配線、２０１は第１接続端子（ダイボンドパッド）、
２０２は第２接続端子（スルーホール接続パッド）、２
０３は第１接続端子と第２接続端子の中間部（スプリン
グ部）、２０４は錫薄膜層（錫めっき層）、３は外部接
続端子（ボールパッド）、４は半導体チップ、４０１は
半導体チップの外部電極、５は突起導体（はんだバン
プ）、６は封止絶縁体（エラストマ）、７はボール端
子、８Ａ，８Ｂは接着層、９はスルーホール配線（スル
ーホールめっき）、１０は保護膜、１１は錫めっき層で
ある。

【００５２】本発明に関わる半導体装置は、図１に示す
ように、絶縁性基材１上に設けられた配線２の第１接続
端子２０１及びスプリング部２０３を前記絶縁性基材１
から剥して浮かせた状態にして、前記第１接続端子２０
１と半導体チップ４の外部電極４０１とをはんだバンプ
等の突起導体５により接続し、前記絶縁性基材１と半導
体チップ４との間を封止絶縁体６で封止した半導体装置
である。また、前記絶縁性基材１の配線形成面と対向す
る面には、前記絶縁性基材１に設けられたスルーホール
１０１を通して前記配線２の第２接続端子２０２と接続
される外部接続端子３が設けられており、前記外部接続
端子３には、例えば、ボール端子７が接続されている。

【００５３】図１に示した半導体装置の、前記配線２の
第２接続端子２０２は、図２に示すように、接着層８Ａ
により前記絶縁性基材１と接着されている。また、前記
第１接続端子２０１の前記半導体チップ４の外部電極４
０１との接続面及び前記第２接続端子２０２の表面に
は、例えば、錫薄膜層２０４が設けられている。また、
図では示していないが、前記スプリング部２０３の表面
にも前記錫薄膜層２０４が設けられている。ただし、前
記錫薄膜層２０４は、前記第２接続端子２０２及び前記
スプリング部２０３の表面には設けられていなくてもよ
い。

【００５４】また、前記第２接続端子２０２部分の前記
絶縁性基材１にはスルーホール１０１が設けられてお
り、前記スルーホール１０１に沿って形成されたスルー
ホール配線９により、前記絶縁性基材１の配線形成面と
対向する面に設けられた外部接続端子３と電気的に接続
されている。

【００５５】また、前記絶縁性基材１の前記外部接続端
子３が形成された面には、前記外部接続端子３の所定位
置が開口するようにソルダーレジスト等の保護膜１０が
設けられている。前記外部接続端子３には、例えば、図
２に示すように、前記外部接続端子３の露出面に設けら
れた錫めっき層１１を介してボール端子７が接続されて
いる。

【００５６】図１及び図２に示したような、前記第１接
続端子２０１及びスプリング部２０３を前記絶縁性基材
１（配線基板）から浮かせた半導体装置では、前記スプ
リング部２０３が比較的自由に動き、柔軟性があるた
め、前記絶縁性基材１（配線基板）と半導体チップ４と
の間に封止絶縁体（エラストマ）６を設けただけの場合
に比べて、前記第１接続端子２０１と半導体チップ４の
外部電極４０１の接続部分にかかる応力を前記スプリン
グ部２０３に逃がして緩和しやすくなる。また、前記ス
プリング部２０３に柔軟性があるため、外部からの機械
的な振動等に対しても接続信頼性の強い半導体装置を得
ることができる。

【００５７】以下、本発明にかかる半導体装置に用いら
れる配線基板の構成及びその製造方法について説明す
る。

【００５８】（実施例１）図３及び図４は、本発明によ
る実施例１の配線基板の概略構成を示す模式図であり、
図３は配線基板全体の模式平面図、図４（ａ）は図３の
Ｂ−Ｂ’線での断面図、図４（ｂ）は図３のＣ−Ｃ’線
での断面図である。

【００５９】本実施例１の配線基板は、図３、図４
（ａ）、及び図４（ｂ）に示すように、絶縁性基材１の
一主面上に、半導体チップの外部電極と接続される第１
接続端子（ダイボンドパッド）２０１、スルーホール配
線により外部接続端子３と接続される第２接続端子（ス
ルーホール接続パッド）２０２、及びその中間のスプリ
ング部２０３を有する配線２が設けられており、前記ス
プリング部２０３は曲線状に設けられている。また前記
配線２の第１接続端子２０１、前記第２接続端子２０
２、及び前記スプリング部２０３の表面には、図４
（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、錫薄膜層（錫めっ
き層）２０４が設けられている。

【００６０】また、前記配線２の第２接続端子２０２
は、図４（ａ）に示すように、前記絶縁性基材１に設け
られた前記スルーホール１０１に沿って形成されたスル
ーホール配線９により、前記配線２が形成された面と対
向する面に接着層８Ｂを介して設けられた外部接続端子
３と接続されている。また、前記絶縁性基材１の外部接
続端子３が形成された面には、前記外部接続端子３の所
定位置が露出するように保護膜１０が設けられており、
前記外部接続端子３の露出面には錫めっき層１１が設け
られている。

【００６１】また、前記絶縁性基材１及び配線形成面側
の接着層８Ａは、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すよう
に、前記第１接続端子２０１及び前記スプリング部２０
３の周辺が凹型に削られて、前記絶縁性基材１の端面１
０２が前記第１接続端子２０１及び前記スプリング部２
０３の下面に広がっている。そのため、前記第１接続端
子２０１及び前記スプリング部２０３は、部分的に前記
絶縁性基材１と接着されている状態になっている。

【００６２】また、前記第１接続端子２０１上には、前
記錫薄膜層２０４を介してはんだ等の突起導体（スタッ
ドバンプ）５が形成されている。

【００６３】図５乃至図９は、本実施例１の配線基板の
製造方法を説明するための模式図で、図５（ａ）、図６
（ａ）、図７（ａ）、図８（ａ）、及び図９は各製造工
程における図３のＢ−Ｂ’線の断面図に相当し、図５
（ｂ）、図６（ｂ）、図７（ｂ）、及び図８（ｂ）は各
製造工程における図３のＣ−Ｃ’線での断面図に相当す
る。

【００６４】以下、図５乃至図９に沿って、本実施例１
の配線基板の製造方法について説明する。

【００６５】まず、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すよ
うに、例えば、ポリイミドテープなどの絶縁性基材１の
第１主面上、及び第１主面と対向する第２主面上に、銅
箔などの導電性薄膜を接着層８Ａ，８Ｂにより接着して
導電性薄膜層が２層のテープ材料（両面銅箔付きテープ
材料）を形成し、前記絶縁性基材１の第１主面上の接着
層、言い換えると、図５（ａ）に示した接着層８Ｂによ
り接着された導電性薄膜層をエッチングして外部接続端
子３を形成する。次に、前記外部接続端子３の所定位置
にレーザ等でスルーホール１０１を形成し、前記スルー
ホール１０１の側壁に沿ってスルーホール配線（スルー
ホールめっき）９を形成した後、前記絶縁性基材１の前
記外部接続端子３が形成された面と対向する第２主面、
言い換えると、図５（ａ）に示した接着層８Ａにより接
着された導電性薄膜層を、例えば、アディティブめっき
法などを用いて、図３に示したような、半導体チップの
外部電極と接続される第１接続端子２０１、スルーホー
ル配線９により前記外部接続端子３と接続される第２接
続端子２０２、及びそれらの中間のスプリング部２０３
を有する配線２を形成する。また、前記両面銅箔付きテ
ープ材料は、前記手順に限らず、例えば、導電性薄膜の
片面に、例えば、ポリイミド系樹脂などで絶縁性基材を
形成し、前記絶縁性基材の表面に導電性薄膜を形成して
もよい。また、前記両面銅箔付きテープ材料、前記配
線、及び前記外部接続端子等の形成方法は、前記手順に
限らず、従来より用いられている種々の方法で形成する
ことができる。

【００６６】次に、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すよ
うに、前記絶縁性基材１の前記外部接続端子３が形成さ
れた面（第１主面）に、前記外部接続端子３の所定位置
が露出するようにソルダーレジスト等の保護膜１０を形
成し、前記外部接続端子３の露出面に、例えば、無電解
めっき法を用いて錫めっき層１１を形成する。またこの
とき、同時に前記第１接続端子２０１、前記第２接続端
子２０２、及び前記スプリング部２０３の表面にも錫め
っき層（錫薄膜層）２０４を形成する。

【００６７】その後、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示す
ように、前記第１接続端子２０１上に、はんだバンプ等
の突起導体５を形成する。前記はんだバンプ５は、例え
ば、ボンディングツールを用いてはんだワイヤを前記第
１接続端子２０１上に熱圧着させてボール状にした後、
前記はんだワイヤを切断したスタッドバンプ５を形成す
る。このとき、前記第１接続端子２０１上には、はんだ
濡れ性のよい錫めっき層２０４が形成されているため、
前記はんだバンプ５と前記錫めっき層２０４の接着性、
言い換えると前記はんだバンプ５と第１接続端子２０１
の接着性がよくなる。また、前記スタッドバンプを形成
する際に使用するボンディングツールは、従来より用い
られているものであり、位置決めの精度がよいため、配
線の微細化により、例えば、直径が約６０μｍ程度の小
さいはんだバンプ５を形成する場合にも、位置ずれが少
ない。また、はんだペーストを印刷する場合と異なり、
前記第１接続端子２０１上に直接形成できるため、前記
はんだバンプ５の形状が不均一になりにくく、前記第１
接続端子２０１と半導体チップ４の外部電極４０１との
接続不良を防ぐことができる。

【００６８】以上のような手順で形成した、図７（ａ）
及び図７（ｂ）に示したような配線基板では、前記配線
２と前記絶縁性基材１を接着する接着層８Ａの接着強度
が高いため、前記第１接続端子２０１及び前記スプリン
グ部２０３を剥離するのが難しい。そのため、例えば、
図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、前記第２接続
端子２０２上を覆うようなマスク１２を前記絶縁性基材
１の配線形成面上に配置してプラズマ１３を照射し、前
記接着層８Ａ及び前記絶縁性基材１をエッチングする。
このとき、前記絶縁性基材１のエッチング端面１０２
が、前記第１接続端子２０１及び前記スプリング部２０
３の下部へ広がり、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示した
ように、前記絶縁性基材１（接着層８Ａ）と部分的に接
着された状態になる。このように、前記第１接続端子２
０１及び前記スプリング部２０３の下部位置（接着界
面）の絶縁性基材１をエッチングして削ることにより、
前記第１接続端子２０１及び前記スプリング部２０３
と、前記絶縁性基材１（接着層８Ａ）との接着面積が小
さくなり、接着強度が弱くなる。

【００６９】図８（ａ）及び図８（ｂ）に示したよう
に、前記第１接続端子２０１及びスプリング部２０３の
下部位置の前記絶縁性基材１（接着層８Ａ）をエッチン
グして接着強度を低下させた後、前記絶縁性基材１（配
線基板）上の前記配線２の第１接続端子２０１と半導体
チップ４の外部電極４０１が向かい合うように配置し、
図９に示すように、前記外部電極４０１と前記第１接続
端子２０１を前記はんだバンプ５により接続する。次
に、前記絶縁性基材１（配線基板）を固定したまま前記
半導体チップ４を所定の方向に所定の高さだけ引き上げ
る。このとき、前記第１接続端子２０１及び前記スプリ
ング部２０３は、部分的に前記絶縁性基材１（接着層８
Ａ）に接着されている状態なので、前記第１接続端子２
０１が前記絶縁性基材１（接着層８Ａ）から容易に剥れ
る。また、前記第１接続端子２０１が前記絶縁性基材１
（接着層８Ａ）から剥れると前記スプリング部２０３は
連続的に剥がれていき、前記第１接続端子２０１及び前
記スプリング部２０３が前記絶縁性基材１から浮いた状
態になる。またこのとき、前記第２接続端子２０２は前
記接着層８Ａ及びスルーホール配線９により前記絶縁性
基材１に固定されているため剥れない。この状態で前記
絶縁性基材１（配線基板）と前記半導体チップ４の間に
液状の封止絶縁体（エラストマ）６を注入し、加熱、硬
化させる。

【００７０】その後、前記外部接続端子３にＳｎめっき
層１１を介して、例えば、Ｐｂ−Ｓｎ系はんだ等のボー
ル端子７を接続し、前記絶縁性基材１（配線基板）を所
定の形状に切断すると、図１及び図２に示したような半
導体装置を得ることができる。

【００７１】以上説明したように、本実施例１によれ
ば、絶縁性基材１上に形成された配線２の表面に錫（Ｓ
ｎ）薄膜層（錫めっき層）２０４を形成した後、前記配
線２の第１接続端子２０１上に突起導体５として、はん
だ等のスタッドバンプを形成することにより、前記第１
接続端子２０１上の突起導体（はんだバンプ）５の位置
ずれや形状の不均一を防ぐことができる。そのため、半
導体チップ４をフリップチップ接合させるときに、前記
配線２上の突起導体５と前記半導体チップ４の外部電極
４０１の接続不良を低減させることができる。

【００７２】（実施例２）図１０及び図１１は、本発明
による実施例２の配線基板の概略構成を示す模式図であ
り、図１０は本実施例２の配線基板の模式平面図、図１
１（ａ）は図１０のＤ−Ｄ’線での断面図、図１１
（ｂ）は図１０のＥ−Ｅ’線での断面図である。

【００７３】本実施例２の配線基板の概略構成は、前記
実施例１の配線基板と同様であり、図１０、図１１
（ａ）、及び図１１（ｂ）に示すように、絶縁性基材１
の一主面上に、半導体チップの外部電極と接続される第
１接続端子（ダイボンドパッド）２０１、スルーホール
配線により外部接続端子３と接続される第２接続端子
（スルーホール接続パッド）２０２、及びその中間のス
プリング部２０３を有する配線２が設けられており、前
記スプリング部２０３は曲線状に設けられている。また
前記配線２の前記第１接続端子２０１、前記第２接続端
子２０２、及び前記スプリング部２０３の表面には、図
１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、錫薄膜層
（めっき層）２０４が設けられている。

【００７４】また、前記配線２の第２接続端子２０２
は、図１１（ａ）に示すように、前記絶縁性基材１に設
けられたスルーホール１０１に沿って形成されたスルー
ホール配線９により、前記配線２が形成された面と対向
する面に接着層８Ｂを介して設けられた外部接続端子３
と接続されている。また、前記絶縁性基材１の前記外部
接続端子３が形成された面には、前記外部接続端子３の
所定位置が露出するように保護膜１０が設けられてお
り、前記外部接続端子３の露出面には錫めっき層１１が
設けられている。

【００７５】また、前記絶縁性基材１及び配線形成面側
の接着層８Ａは、図１１（ａ）に示すように、前記第１
接続端子２０１の周辺が凹型に削られており、図では示
していないが前記スプリング部２０３の周辺も、例え
ば、図４（ｂ）に示したような形状に削られており、前
記絶縁性基材１のエッチング端面１０２が前記第１接続
端子２０１及び前記スプリング部２０３の下部に広がっ
ている。そのため、前記第１接続端子２０１及び前記ス
プリング部２０３は、部分的に前記絶縁性基材１と接着
されている状態になっている。

【００７６】また、前記第１接続端子２０１上には、前
記錫薄膜層２０４を介して突起導体（はんだバンプ）
５’が形成されている。

【００７７】本実施例２の配線基板と前記実施例１の配
線基板の異なる点は、図１０及び図１１（ｂ）に示すよ
うに、前記配線２上に形成された前記錫薄膜層２０４の
うち、前記スプリング部２０３の所定位置、例えば、前
記第１接続端子２０１との境界付近に、前記錫薄膜２０
４を酸化させて錫酸化膜２０４’を設けた点である。前
記錫酸化膜２０４’は、前記錫薄膜２０４と異なり、は
んだ濡れ性が低いため、前記第１接続端子２０１上に設
けられた前記はんだバンプ５’が溶融したとき、前記ス
プリング部２０３へ広がるのを防ぐことができる。

【００７８】以下、本実施例２の配線基板の製造方法を
簡単に説明するが、前記実施例１の配線基板の製造方法
と同様の工程については、前記実施例１で用いた図を利
用して説明する。

【００７９】まず、前記実施例１で説明した手順に沿っ
て、図５（ａ）、及び図５（ｂ）に示したように、絶縁
性基材１の第１主面に外部接続端子３を形成し、前記絶
縁性基材１の第２主面に、図１０に示したような、半導
体チップの外部電極と接続される第１接続端子２０１、
スルーホール配線９により外部接続端子３と接続される
第２接続端子２０２、及びそれらの中間のスプリング部
２０３を有する配線２を形成し、前記外部接続端子３と
前記配線２の第２接続端子２０２を、スルーホール１０
１に沿って形成されたスルーホール配線９で接続する。

【００８０】次に、前記絶縁性基材１の前記外部接続端
子３が形成された面に、前記外部接続端子３の所定位置
が開口するようにソルダーレジスト等の保護膜１０を形
成した後、例えば、無電解めっき法を用いて、図６
（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、前記外部接続端子
３の露出面の錫めっき層１１及び前記配線２の表面の錫
めっき層２０４を形成する。

【００８１】次に、図１０及び図１１（ｂ）に示すよう
に、前記スプリング部２０３の、前記第１接続端子２０
１との境界付近の錫めっき２０４に、レーザ等を照射し
て酸化させ、錫酸化膜２０４’を形成する。

【００８２】次に、例えば、印刷用のスクリーン版を用
いて、前記配線２の第１接続端子２０１上に、はんだペ
ーストを印刷し、加熱して突起導体（はんだバンプ）
５’を形成する。このとき、前記第１接続端子２０１上
は、はんだ濡れ性の良い錫薄膜層２０４が形成されてい
るが、前記第１接続端子２０１と接続された前記スプリ
ング部２０３にはんだ濡れ性の悪い錫酸化膜２０４’が
形成されているため、従来のようにはんだペーストを印
刷する際に位置ずれが生じても、はんだ濡れ性の低い前
記スプリング部２０３上の前記錫酸化膜２０４’部分よ
り先にはんだが広がらず、溶融させたときのはんだの表
面張力により、前記第１接続端子２０１上にはんだバン
プを形成することができる。また、前記スプリング部２
０３にはんだ濡れ性の悪い錫酸化膜２０４’を形成して
おくことにより、前記第１接続端子２０１の外側までは
んだペーストを印刷しても、前記第１接続端子２０１上
に突起導体（はんだバンプ）５’を形成することができ
るので、はんだペーストを印刷する際に用いるマスクの
穴の直径を大きくすることができ、はんだペーストの粒
子が粗いときでも印刷不良が起きにくく、前記はんだバ
ンプ５’の形状を均一にそろえやすい。そのため、前記
半導体チップ４の外部電極４０１と接続するときの接続
不良を低減させることができる。

【００８３】前記配線２の前記第１接続端子２０１上に
前記突起導体（はんだバンプ）５’を形成した後は、前
記実施例１と同様の手順で、例えば、図８（ａ）及び図
８（ｂ）に示すように、前記絶縁性基材１の配線形成面
（第２主面）に、前記第２接続端子２０２部分を覆うよ
うなマスク１２を配置してプラズマ１３を照射し、図８
（ａ）及び図８（ｂ）に示したように、前記第２接続端
子２０２の周辺を除く領域の絶縁性基材１（接着層８
Ａ）をエッチングして凹部を形成するする。このとき、
前記絶縁性基材１のエッチング端面１０２は前記第１接
続端子２０１及び前記スプリング部２０３の下部位置へ
広がり、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、前記
第１接続端子２０１は、その中央部分が接着層８Ａによ
り絶縁性基材１と接着され、前記スプリング部２０３は
中心線付近のみが接着層８Ａにより絶縁性基材１と接着
された状態になる。このように前記絶縁性基材１をプラ
ズマエッチングすることにより、前記第１接続端子２０
１及びスプリング部２０３と前記絶縁性基材１の接着力
が低下し、絶縁性基材１から剥しやすくなる。

【００８４】前記手順に沿って製造された配線基板を用
いた半導体装置の製造は、前記実施例１で説明した手順
に沿って行われるので、その説明は省略する。

【００８５】以上説明したように、本実施例２によれ
ば、前記配線２の表面に形成された錫薄膜層２０４は突
起導体５’として用いられるはんだに対する濡れ性が良
いが、前記錫薄膜層２０４を酸化した錫酸化膜層２０
４’は、はんだに対する濡れ性が悪いため、例えば、前
記第１接続端子２０１上にはんだペーストを印刷し、加
熱したときに、溶融した前記はんだの広がりを、前記錫
酸化膜２０４’が形成された部分で止めることができ
る。そのため、前記第１接続端子２０１上に所定の形状
のはんだバンプを形成することができ、突起導体（はん
だバンプ）５’の位置ずれや形状の不均一を防ぐことが
できる。

【００８６】また、前記配線２の前記スプリング部２０
３に、はんだ濡れ性が悪い錫酸化膜２０４’を形成する
ことにより、はんだペーストを印刷、加熱してはんだバ
ンプ５’を形成する際に、溶融した前記はんだが、はん
だ濡れ性のよい前記第１接続端子２０１上に集まり、前
記配線２の前記スプリング部２０３に沿って広がること
を防げるので、前記はんだペーストを印刷する際に用い
るスクリーン版の穴の直径を大きくすることができ、前
記はんだペーストの粒子が粗い場合でも、印刷不良を低
減させ、前記突起導体（はんだバンプ）５’の形状を均
一にすることができる。

【００８７】（実施例３）図１２及び図１３は、本発明
による実施例３の配線基板の概略構成を示す模式図であ
り、図１２は本実施例３の配線基板の模式平面図、図１
３（ａ）は図１２のＦ−Ｆ’線での断面図、図１３
（ｂ）は図１２のＧ−Ｇ’線での断面図である。

【００８８】本実施例３の配線基板は、図１２、図１３
（ａ）、及び図１３（ｂ）に示すように、絶縁性基材１
の一主面上に、半導体チップの外部電極と接続される第
１接続端子（ダイボンドパッド）２０１、スルーホール
配線により外部接続端子３と接続される第２接続端子
（スルーホール接続パッド）２０２、及びその中間のス
プリング部２０３を有する配線２が設けられており、前
記スプリング部２０３は曲線状に設けられている。ま
た、本実施例３の配線基板は、前記実施例１及び実施例
２と異なり、図１２、図１３（ａ）、及び図１３（ｂ）
に示すように、前記配線２の前記第１接続端子２０１上
にのみ錫薄膜層（錫めっき層）２０４が設けられてい
る。

【００８９】また、前記配線２の第２接続端子２０２
は、図１３（ａ）に示すように、前記絶縁性基材１に設
けられたスルーホール１０１に沿って形成されたスルー
ホール配線９により、前記配線２が形成された面と対向
する面に接着層８Ｂを介して設けられた外部接続端子３
と接続されている。また、前記絶縁性基材１の前記外部
接続端子３が形成された面には、前記外部接続端子３の
所定位置が露出するように保護膜１０が設けられてお
り、前記外部接続端子３の露出面には錫めっき層１１が
設けられている。

【００９０】また、前記絶縁性基材１及び配線形成面側
の接着層８Ａは、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示す
ように、前記第１接続端子２０１及びスプリング部２０
３の周辺が凹型に削られて、前記絶縁性基材１の端面１
０２が前記第１接続端子２０１及び前記スプリング部２
０３の下部位置へ広がっている。そのため、前記第１接
続端子２０１及び前記スプリング部２０３は、部分的に
前記絶縁性基材１と接着されている状態になっている。

【００９１】また、前記第１接続端子２０１上には、前
記錫薄膜層２０４を介してはんだバンプ等の突起導体
５’が形成されている。

【００９２】図１４及び図１５は、本実施例３の配線基
板の製造方法を説明するための模式図であり、図１４は
錫薄膜層２０４を形成する工程の模式平面図、図１５
（ａ）及び図１５（ｂ）は錫薄膜層２０４を形成する工
程の模式断面図である。

【００９３】以下、本実施例３の配線基板の製造方法を
簡単に説明するが、前記実施例１の配線基板の製造方法
と同様の工程については、前記実施例１で用いた図を利
用して説明する。

【００９４】まず、前記実施例１で説明した手順に沿っ
て、図５（ａ）、及び図５（ｂ）に示したように、絶縁
性基材１の第１主面に外部接続端子３を形成し、前記絶
縁性基材１の第２主面に、図１２に示したような、半導
体チップの外部電極と接続される第１接続端子２０１、
スルーホール配線９により外部接続端子３と接続される
第２接続端子２０２、及びそれらの中間のスプリング部
２０３を有する配線２を形成し、前記外部接続端子３と
前記配線２の第２接続端子２０２を、スルーホール１０
１に沿って形成されたスルーホール配線９で接続する。

【００９５】次に、前記実施例１と同様に、前記絶縁性
基材１の前記外部接続端子３が形成された面（第１主
面）に、前記外部接続端子３の所定位置が露出するよう
に保護膜１０を形成する。その後、図１４、図１５
（ａ）、及び図１５（ｂ）に示すように、前記絶縁性基
材１の配線形成面に、前記第１接続端子２０１上に開口
部１４Ａを有するレジスト膜１４を形成し、前記外部接
続端子３の露出面、及び前記配線２の前記第１接続端子
２０１上に、例えば、無電解めっき法を用いて錫めっき
層１１を形成する。このとき、前記第２接続端子２０
２、及びスプリング部２０３の表面はレジスト膜１４で
覆われているために前記錫めっき層２０４は形成されな
い。

【００９６】その後、前記レジスト膜１４を除去し、図
１３（ａ）に示したように、前記第１接続端子２０１上
に、はんだバンプ等の突起導体５’を形成する。前記は
んだバンプ５’は、例えば、スクリーン版を用いて前記
第１接続端子２０１上にはんだペーストを印刷し、加熱
して前記第１接続端子２０１上でボール状に成形する。
このとき、前記第１接続端子２０１上には、はんだ濡れ
性のよい錫めっき層２０４が形成されているため、前記
はんだバンプ５’と錫めっき層２０４の接着性、言い換
えると前記はんだバンプ５’と第１接続端子２０１の接
着性がよくなる。また、前記錫めっき層２０４のはんだ
濡れ性がよいため、前記はんだペーストが溶融したとき
に前記第１接続端子２０１上に集まり、ボール状に成形
されるので、位置決めの精度がよく、配線の微細化によ
り直径の小さいはんだバンプを形成する場合にも位置ず
れが少ない。また、前記はんだペーストを印刷した時に
位置ずれが生じても、前記スプリング部２０３の方へ広
がることがなく、前記はんだバンプ５’の形状が不均一
になりにくく、前記第１接続端子２０１と半導体チップ
４の外部電極４０１との接続不良を防ぐことができる。

【００９７】前記配線２の前記第１接続端子２０１上に
前記突起導体（はんだバンプ）５’を形成した後は、前
記実施例１と同様の手順で、例えば、図８（ａ）及び図
８（ｂ）に示すように、前記絶縁性基材１の配線形成面
（第２主面）に、前記第２接続端子２０２部分を覆うよ
うなマスク１２を配置してプラズマ１３を照射し、図８
（ａ）及び図８（ｂ）に示したように、前記第２接続端
子２０２の周辺を除く領域の絶縁性基材１（接着層８
Ａ）をエッチングして凹部を形成する。このとき、前記
絶縁性基材１のエッチング端面１０２は前記第１接続端
子２０１及び前記スプリング部２０３の下部位置へ広が
り、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、前記第１
接続端子２０１は、その中央部分が接着層８Ａにより絶
縁性基材１と接着され、前記スプリング部２０３は中心
線付近のみが接着層８Ａにより絶縁性基材１と接着され
た状態になる。このように前記絶縁性基材１をプラズマ
エッチングすることにより、前記第１接続端子２０１及
びスプリング部２０３と前記絶縁性基材１の接着力が低
下し、絶縁性基材１から剥しやすくなる。

【００９８】前記手順に沿って製造された配線基板を用
いた半導体装置の製造は、前記実施例１で説明した手順
に沿って行われるので、その説明は省略する。

【００９９】以上説明したように、本実施例３によれ
ば、前記配線２の第１接続端子２０１上に形成された錫
薄膜層２０４は、はんだに対する濡れ性が良いが、前記
スプリング部２０３は前記錫薄膜層２０４が形成されて
おらず、母材の銅がはんだに対する濡れ性が悪いため、
例えば、前記第１接続端子２０１上にはんだペーストを
印刷し、加熱したときに、溶融した前記はんだの広がり
を、前記銅が露出した部分で止めることができる。その
ため、溶融した前記はんだを前記第１接続端子２０１上
に集めてはんだバンプ５’を形成することができ、前記
はんだバンプ５’の位置ずれや形状の不均一を防ぐこと
ができる。

【０１００】また、前記配線２のスプリング部２０３
に、はんだ濡れ性が悪い銅を露出させることにより、は
んだペーストを印刷、加熱してはんだバンプ５’を形成
する際に、前記スプリング部２０３に沿って広がること
がないので、はんだペーストを印刷する際に用いるマス
クの穴の直径を大きくすることができ、前記はんだペー
ストの粒子が粗い場合でも、印刷不良を低減させ、はん
だバンプの形状を均一にすることができる。

【０１０１】図１６は、前記実施例３の配線基板の製造
方法の変形例を説明するための模式断面図で、図１６
（ａ）及び図１６（ｂ）はそれぞれ図１５（ａ）及び図
１５（ｂ）の断面と対応する断面図である。

【０１０２】前記実施例３では、前記絶縁性基材１上に
配線２を形成した後、前記ダイボンドパッド２０１上に
開口部１４Ａが設けられたレジスト膜１４を形成して、
前記配線２の第１接続端子２０１上のみに錫薄膜層２０
４を形成したが、これに限らず、例えば、前記実施例１
で説明したように、前記配線２の全面に錫薄膜層２０４
を形成した後、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示すよ
うに、前記第１接続端子２０１上のみを覆うレジスト膜
１４’を形成して、エッチング処理により、前記第２接
続端子２０２上及び前記スプリング部２０３上の錫薄膜
層２０４を除去しても良いことはいうまでもない。

【０１０３】（実施例４）図１７及び図１８は、本発明
による実施例４の配線基板の概略構成を示す模式図であ
り、図１７は本実施例４の配線基板の模式平面図、図１
８（ａ）は図１７のＨ−Ｈ’線での断面図、図１８
（ｂ）は図１７のＩ−Ｉ’線での断面図である。

【０１０４】本実施例４の配線基板は、図１７、図１８
（ａ）、及び図１８（ｂ）に示すように、絶縁性基材１
の一主面上に、半導体チップの外部電極と接続される第
１接続端子（ダイボンドパッド）２０１、スルーホール
により外部接続端子３と接続される第２接続端子（スル
ーホール接続パッド）２０２、及びその中間のスプリン
グ部２０３を有する配線２が設けられており、前記スプ
リング部２０３は曲線状に設けられている。また、本実
施例４の配線基板は、前記実施例１、実施例２、及び実
施例３と異なり、図１７、図１８（ａ）、及び図１８
（ｂ）に示すように、前記配線２の第１接続端子２０１
上にのみ金薄膜層（金めっき層）２０５が設けられてい
る。

【０１０５】また、前記配線２の第２接続端子２０２
は、図１８（ａ）に示すように、前記絶縁性基材１に設
けられたスルーホール１０１に沿って形成されたスルー
ホール配線９により、前記配線２が形成された面と対向
する面に接着層８Ｂを介して設けられた外部接続端子３
と接続されている。また、前記絶縁性基材１の前記外部
接続端子３が形成された面には、前記外部接続端子３の
所定位置が露出するように保護膜１０が設けられてお
り、前記外部接続端子３の露出面には錫めっき層１１が
設けられている。

【０１０６】また、前記絶縁性基材１及び配線形成面側
の接着層８Ａは、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）に示す
ように、前記第１接続端子２０１及び前記スプリング部
２０３の周辺が凹型に削られて、前記絶縁性基材１のエ
ッチング端面１０２が前記第１接続端子２０１及び前記
スプリング部２０３の下部位置へ広がっている。そのた
め、前記第１接続端子２０１及び前記スプリング部２０
３は、部分的に前記絶縁性基材１と接着されている状態
になっている。

【０１０７】また、前記第１接続端子２０１上には、前
記錫薄膜層２０４を介してはんだバンプ等の突起導体
５’が形成されている。

【０１０８】図１９及び図２０は、本実施例４の配線基
板の製造方法を説明するための模式図であり、図１９は
金薄膜層２０５を形成する工程の模式平面図、図２０
（ａ）及び図２０（ｂ）は金薄膜層２０５を形成する工
程の模式断面図である。

【０１０９】以下、本実施例４の配線基板の製造方法に
ついて説明するが、前記実施例１と同様の手順である部
分に関しては、その詳細な説明を省略する。

【０１１０】まず、前記実施例１で説明した手順に沿っ
て、図５（ａ）、及び図５（ｂ）に示したように、絶縁
性基材１の第１主面に外部接続端子３を形成し、前記絶
縁性基材１の第２主面に、図１２に示したような、半導
体チップの外部電極と接続される第１接続端子２０１、
スルーホール配線９により外部接続端子３と接続される
第２接続端子２０２、及びそれらの中間のスプリング部
２０３を有する配線２を形成し、前記外部接続端子３と
前記配線２の第２接続端子２０２を、スルーホール１０
１に沿って形成されたスルーホール配線９で接続する。

【０１１１】次に、前記実施例１と同様に、前記絶縁性
基材１の前記外部接続端子３が形成された面（第１主
面）に、前記外部接続端子３の所定位置が露出するよう
に保護膜１０を形成し、前記外部接続端子３の露出面
に、例えば、無電解めっき法を用いて錫めっき層１１を
形成する。このとき、前記絶縁性基材１の配線形成面側
はレジスト膜（図示しない）を形成しておき、前記配線
２の表面には錫めっき層を形成しない。

【０１１２】次に、図１９、図２０（ａ）、及び図２０
（ｂ）に示すように、前記絶縁性基材１の配線形成面
に、前記第１接続端子２０１上に開口部１５Ａを有する
レジスト膜１５を形成し、前記第１接続端子２０１上に
金のフラッシュめっき２０５を形成する。

【０１１３】その後、前記レジスト膜１５を除去し、図
１３（ａ）に示したように、前記第１接続端子２０１上
に、はんだバンプ等の突起導体５’を形成する。前記は
んだバンプ５’は、例えば、スクリーン版を用いて前記
第１接続端子２０１上にはんだペーストを印刷し、加熱
して前記第１接続端子２０１上でボール状に成形する。
このとき、前記第１接続端子２０１上には、はんだ濡れ
性のよい金めっき層２０５が形成されているため、前記
はんだバンプ５’と金めっき層２０５の接着性、言い換
えると前記はんだバンプ５’と第１接続端子２０１の接
着性がよくなる。また、前記金めっき層２０５のはんだ
濡れ性がよいため、前記はんだペーストが溶融したとき
に前記第１接続端子２０１上に集まり、ボール状に成形
されるので、位置決めの精度がよく、配線の微細化によ
り直径の小さいはんだバンプを形成する場合にも、位置
ずれが少ない。また、はんだペーストを印刷した時に位
置ずれが生じても、前記スプリング部２０３の方へ広が
ることがなく、前記はんだバンプ５’の形状が不均一に
なりにくく、前記第１接続端子２０１と半導体チップ４
の外部電極４０１との接続不良を防ぐことができる。

【０１１４】前記配線２の前記第１接続端子２０１上に
前記突起導体（はんだバンプ）５’を形成した後は、前
記実施例１と同様の手順で、例えば、図８（ａ）及び図
８（ｂ）に示すように、前記絶縁性基材１の配線形成面
（第２主面）に、前記第２接続端子２０２部分を覆うよ
うなマスク１２を配置してプラズマ１３を照射し、図８
（ａ）及び図８（ｂ）に示したように、前記第２接続端
子２０２の周辺を除く領域の絶縁性基材１（接着層８
Ａ）をエッチングして凹部を形成するする。このとき、
前記絶縁性基材１のエッチング端面１０２は前記第１接
続端子２０１及び前記スプリング部２０３の下部へ広が
り、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、前記第１
接続端子２０１は、その中央部分が接着層８Ａにより絶
縁性基材１と接着され、前記スプリング部２０３は中心
線付近のみが接着層８Ａにより絶縁性基材１と接着され
た状態になる。このように前記絶縁性基材１をプラズマ
エッチングすることにより、前記第１接続端子２０１及
びスプリング部２０３と前記絶縁性基材１の接着力が低
下し、絶縁性基材１から剥しやすくなる。

【０１１５】前記手順に沿って製造された配線基板を用
いた半導体装置の製造は、前記実施例１で説明した手順
に沿って行われるので、その説明は省略する。

【０１１６】以上説明したように、本実施例４によれ
ば、前記配線２の第１接続端子２０１上に形成された金
めっき層２０５は、突起導体５として用いられるはんだ
に対する濡れ性が良いが、前記金めっき層２０５が形成
されていない前記スプリング部２０３は母材の銅が露出
し、はんだに対する濡れ性が悪いため、例えば、前記第
１接続端子２０１上にはんだペーストを印刷し、加熱し
たときに、溶融した前記はんだが前記第１接続端子２０
１上の金めっき層２０５に集まり、前記はんだが前記ス
プリング部２０３に広がることを防げる。そのため、前
記第１接続端子２０１上にはんだバンプ５’を形成する
ことができ、前記はんだバンプの位置ずれや形状の不均
一を防ぐことができる。

【０１１７】また、前記配線２の前記スプリング部２０
３に、はんだ濡れ性が悪い銅を露出させることにより、
前記はんだペーストを印刷、加熱してはんだバンプ５’
を形成する際に、溶融した前記はんだが前記スプリング
部２０３に沿って広がらず、前記第１接続端子２０１上
に集めることができるので、前記はんだペーストを印刷
する際に用いるマスクの穴の直径を大きくすることがで
き、前記はんだペーストの粒子が粗い場合でも、印刷不
良を低減させ、はんだバンプ５’の形状を均一にするこ
とができる。

【０１１８】以上、本発明を、前記実施例に基づき具体
的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変
更可能であることはもちろんである。

【０１１９】

【発明の効果】本発明において開示される発明のうち、
代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれ
ば、以下のとおりである。

【０１２０】（１）配線基板上の配線上に形成される突
起導体（バンプ）の位置の精度を向上させることができ
る。

【０１２１】（２）配線基板上の配線上に形成される突
起導体（バンプ）の形状を均一にすることができる。

【０１２２】（３）配線基板上に半導体チップをフリッ
プチップ接合させた半導体装置において、配線と半導体
チップの外部電極の接続信頼性を向上させることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる半導体装置の概略構成を示す模
式側面図である。

【図２】図１のＡ−Ａ’線での模式断面図である。

【図３】本発明による実施例１の配線基板の概略構成を
示す模式平面図である。

【図４】本発明による実施例１の配線基板の概略構成を
示す模式図であり、図４（ａ）は図３のＢ−Ｂ’線での
断面図、図４（ｂ）は図３のＣ−Ｃ’線での断面図であ
る。

【図５】本実施例１の配線基板の製造方法を説明するた
めの模式図であり、図５（ａ）は図３のＢ−Ｂ’線での
断面図、図５（ｂ）は図３のＣ−Ｃ’線での断面図であ
る。

【図６】本実施例１の配線基板の製造方法を説明するた
めの模式図であり、図６（ａ）は図３のＢ−Ｂ’線での
断面図、図６（ｂ）は図３のＣ−Ｃ’線での断面図であ
る。

【図７】本実施例１の配線基板の製造方法を説明するた
めの模式図であり、図７（ａ）は図３のＢ−Ｂ’線での
断面図、図７（ｂ）は図３のＣ−Ｃ’線での断面図であ
る。

【図８】本実施例１の配線基板の製造方法を説明するた
めの模式図であり、図８（ａ）は図３のＢ−Ｂ’線での
断面図、図８（ｂ）は図８のＣ−Ｃ’線での断面図であ
る。

【図９】本実施例１の配線基板を用いた半導体装置の製
造方法を説明するための模式断面図である。

【図１０】本発明による実施例２の配線基板の概略構成
を示す模式平面図である。

【図１１】本発明による実施例２の配線基板の概略構成
を示す模式平面図であり、図１１（ａ）は図１０のＤ−
Ｄ’線での断面図、図１１（ｂ）は図１０のＥ−Ｅ’線
での断面図である。

【図１２】本発明による実施例３の配線基板の概略構成
を示す模式平面図である。

【図１３】本発明による実施例３の配線基板の概略構成
を示す模式平面図であり、図１３（ａ）は図１２のＦ−
Ｆ’線での断面図、図１４（ｂ）は図１３のＧ−Ｇ’線
での断面図である。

【図１４】本実施例３の配線基板の製造方法を説明する
ための模式平面図である。

【図１５】本実施例３の配線基板の製造方法を説明する
ための模式図であり、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は
錫めっき層２０４を形成する工程の模式断面図である。

【図１６】前記実施例３の配線基板の製造方法の変形例
を説明するための模式図であり、図１７（ａ）及び図１
７（ｂ）は錫めっき層２０４を形成する工程の模式断面
図である。

【図１７】本発明による実施例４の配線基板の概略構成
を示す模式平面図である。

【図１８】本発明による実施例４の配線基板の概略構成
を示す模式図であり、図１８（ａ）は図１７のＨ−Ｈ’
線での断面図、図１８（ｂ）は図１７のＩ−Ｉ’線での
断面図である。

【図１９】本実施例４の配線基板の製造方法を説明する
ための模式平面図である。

【図２０】本実施例４の配線基板の製造方法を説明する
ための模式図であり、図２０（ａ）及び図２０（ｂ）は
金めっき層を形成する工程の断面図である。

【図２１】従来の半導体装置の概略構成を示す模式側面
図である。

【図２２】図２１のＪ−Ｊ’線での模式断面図である。

【図２３】従来の配線基板の概略構成を示す模式平面図
である。

【図２４】従来の配線基板の概略構成を示す模式図であ
り、図２４（ａ）は図２３のＫ−Ｋ’線での断面図、図
２４（ｂ）は図２３のＬ−Ｌ’線での断面図である。

【図２５】従来の配線基板の製造方法を説明するための
模式図であり、図２５（ａ）は図２３のＫ−Ｋ’線での
断面図、図２５（ｂ）は図２３のＬ−Ｌ’線での断面図
である。

【図２６】従来の配線基板の製造方法を説明するための
模式図であり、図２６（ａ）は図２３のＫ−Ｋ’線での
断面図、図２６（ｂ）は図２３のＬ−Ｌ’線での断面図
である。

【図２７】従来の配線基板を用いた半導体装置の製造方
法を説明するための模式図である。

【符号の説明】

１ 絶縁性基材 １０１ スルーホール １０２ 絶縁性基材のエッチング端面 ２ 配線 ２０１ 第１接続端子（ダイボンドパッド） ２０２ 第２接続端子（スルーホール接続パッド） ２０３ 第１接続端子と第２接続端子の接続部（スプリ
ング部） ２０４ 錫薄膜層（錫めっき層） ２０４’ 錫酸化膜 ２０５ 金薄膜層（金めっき層） ３ 外部接続端子（ボールパッド） ４ 半導体チップ ４０１ 半導体チップの外部電極 ５，５’ 突起導体（はんだバンプ） ６ 弾性体（エラストマ） ７ ボール端子 ８Ａ，８Ｂ 接着層 ９ スルーホール配線 １０ 保護膜 １１ 錫めっき層 １２ プラズマエッチング用のマスク １３ プラズマ １４，１５ レジスト膜 １４Ａ，１５Ａ 開口部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉本 洋 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社総合技術研究所内 Ｆターム(参考） 5E319 AA03 AB05 AC01 BB04

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】テープ状の絶縁性基材の一主面に配線が設
   けられ、前記絶縁性基材の配線が形成された面と対向す
   る主面に、スルーホール配線により前記配線と電気的に
   接続される外部接続端子が設けられた配線基板におい
   て、 前記配線には、半導体チップの外部電極と接続される第
   １接続端子、前記スルーホール配線により前記外部接続
   端子と接続される第２接続端子、及びそれらの中間のス
   プリング部が設けられており、 前記配線の少なくとも前記第１接続端子の表面に接合性
   のよい金属薄膜層が設けられ、 前記第１接続端子上に前記薄膜層を介して突起導体が設
   けられていることを特徴とする配線基板。
2. 【請求項２】前記請求項1 に記載の配線基板において、 前記薄膜層は前記配線の全面に設けられており、前記ス
   プリング部の、前記第１接続端子の近傍の前記薄膜層が
   部分的に酸化されていることを特徴とする配線基板。
3. 【請求項３】前記請求項1 に記載の配線基板において、 前記薄膜層は、前記第１接続端子の表面のみに設けられ
   ていることを特徴とする配線基板。
4. 【請求項４】前記請求項１乃至３のいずれか１項に記載
   の配線基板において、 前記薄膜層は、金（Ａｕ）薄膜層又は錫（Ｓｎ）薄膜層
   であることを特徴とする配線基板。
5. 【請求項５】前記請求項１乃至４のいずれか１項に記載
   の配線基板において、 前記絶縁性基材は、前記第１接続端子及び前記スプリン
   グ部の下部位置に凹部が設けられ、 前記第１接続端子及び前記スプリング部が、部分的に接
   着層により前記絶縁性基材に接着されていることを特徴
   とする配線基板。
6. 【請求項６】テープ状の絶縁性基材の一主面に配線が設
   けられ、前記絶縁性基材の配線が形成された面と対向す
   る主面に、スルーホール配線により前記配線と電気的に
   接続される外部接続端子が設けられた配線基板に、前記
   配線と外部電極が向かい合うように半導体チップが実装
   され、前記配線と前記半導体チップの外部電極とが突起
   導体により接続され、前記配線基板と前記半導体チップ
   の間が絶縁体（エラストマ）で封止された半導体装置に
   おいて、 前記配線は、前記半導体チップの外部電極と接続される
   第１接続端子、前記スルーホール配線により前記外部接
   続端子と接続される第２接続端子、及びそれらの中間の
   スプリング部が設けられ、 前記第１接続端子は、前記スプリング部により前記絶縁
   性基材から浮いており、 前記配線の少なくとも前記第１接続端子と前記突起導体
   の間に接合性のよい金属薄膜層が設けられていることを
   特徴とする半導体装置。
7. 【請求項７】前記請求項６に記載の半導体装置におい
   て、 前記薄膜層は前記配線の全面に設けられており、前記ス
   プリング部の、前記第１接続端子の近傍の前記薄膜層が
   部分的に酸化されていることを特徴とする半導体装置。
8. 【請求項８】前記請求項６に記載の半導体装置におい
   て、 前記薄膜層は、前記第１接続端子と前記突起導体の間の
   みに設けられていることを特徴とする半導体装置。
9. 【請求項９】前記請求項６乃至８のいずれか１項に記載
   の半導体装置において、 前記薄膜層は、金（Ａｕ）薄膜層又は錫（Ｓｎ）薄膜層
   であることを特徴とする半導体装置。
10. 【請求項１０】テープ状の絶縁性基材の第１主面上、及
    び前記第１主面と対向する第２主面上に導電性薄膜層を
    形成し、 前記絶縁性基材の第１主面上に形成された導電性薄膜層
    をエッチングして外部接続端子を形成し、 前記外部接続端子と前記絶縁性基材の第２主面上に形成
    された導電性薄膜層を接続するスルーホール配線を形成
    し、 前記絶縁性基材の第２主面上に形成された導電性薄膜層
    をエッチングして、半導体チップの外部電極と接続され
    る第１接続端子、前記スルーホール配線により前記外部
    接続端子と接続される第２接続端子、及びそれらの中間
    のスプリング部を有する配線を形成し、 前記絶縁性基材の第１主面上に、前記外部接続端子の所
    定位置が露出するように保護膜を形成し、 前記外部接続端子の露出面、及び前記配線の表面に接合
    性のよい金属薄膜層を形成し、 前記第１接続端子上に突起導体を形成することを特徴と
    する配線基板の製造方法。
11. 【請求項１１】前記請求項１０に記載の配線基板の製造
    方法において、 前記薄膜層を形成した後、 前記スプリング部の、前記第１接続端子の近傍の前記薄
    膜層を部分的に酸化し、 前記第１接続端子上に突起導体を形成することを特徴と
    する配線基板の製造方法。
12. 【請求項１２】前記請求項１０に記載の配線基板の製造
    方法において、 前記薄膜層を形成した後、 前記絶縁性基材の配線形成面上に、前記第１接続端子を
    覆うレジスト膜を形成し、 前記配線の前記第１接続端子上を除く領域の前記薄膜層
    を除去し、 前記第１接続端子上に突起導体を形成することを特徴と
    する配線基板の製造方法。
13. 【請求項１３】前記請求項１０に記載の配線基板の製造
    方法において、 前記薄膜層は、金（Ａｕ）薄膜層又は錫（Ｓｎ）薄膜層
    であることを特徴とする配線基板の製造方法。
14. 【請求項１４】テープ状の絶縁性基材の第１主面上、及
    び前記第１主面と対向する第２主面上に導電性薄膜層を
    形成し、 前記絶縁性基材の第１主面上に形成された前記導電性薄
    膜層をエッチングして外部接続端子を形成し、 前記外部接続端子と前記絶縁性基材の第２主面上に形成
    された導電性薄膜を接続するスルーホール配線を形成
    し、 前記絶縁性基材の第２主面上に形成された導電性薄膜層
    をエッチングして、半導体チップの外部電極と接続され
    る第１接続端子、前記スルーホール配線により前記外部
    接続端子と接続される第２接続端子、及びそれらの中間
    のスプリング部を有する配線を形成し、 前記絶縁性基材の第１主面上に、前記外部接続端子の所
    定位置が露出するように保護膜を形成し、 前記絶縁性基材の第２主面上に、前記第１接続端子上が
    開口されたレジスト膜を形成し、 前記外部接続端子の露出面、及び前記第１接続端子の表
    面に接合性のよい金属薄膜層を形成し、 前記第１接続端子上に突起導体を形成することを特徴と
    する配線基板の製造方法。
15. 【請求項１５】前記請求項１４に記載の配線基板の製造
    方法において、 前記薄膜層は、金（Ａｕ）薄膜層又は錫（Ｓｎ）薄膜層
    であることを特徴とする配線基板の製造方法。
16. 【請求項１６】テープ状の絶縁性基材の第１主面上、及
    び前記第１主面と対向する第２主面上に導電性薄膜層を
    形成し、 前記絶縁性基材の第１主面上に形成された導電性薄膜層
    をエッチングして外部接続端子を形成し、 前記外部接続端子と前記絶縁性基材の第２主面上に形成
    された導電性薄膜層を接続するスルーホール配線を形成
    し、 前記絶縁性基材の第２主面上に形成された導電性薄膜層
    をエッチングして、半導体チップの外部電極と接続され
    る第１接続端子、前記スルーホール配線により前記外部
    接続端子と接続される第２接続端子、及びそれらの中間
    のスプリング部を有する配線を形成し、 前記絶縁性基材の第１主面上に前記外部接続端子の所定
    位置が露出されるように保護膜を形成し、 前記外部接続端子の露出面に錫薄膜層を形成し、 前記第１接続端子の表面に金薄膜層を形成し、 前記第１接続端子上に突起導体を形成することを特徴と
    する配線基板の製造方法。
17. 【請求項１７】前記請求項１０乃至１４のいずれか１項
    に記載の配線基板の製造方法において、 前記突起導体は、 ワイヤ状のはんだを前記第１接続端子上に熱圧着してボ
    ール状のバンプを形成し、 前記ボール状バンプのワイヤ部分を切断して形成するこ
    とを特徴とする配線基板の製造方法。
18. 【請求項１８】前記請求項１０乃至１４のいずれか１項
    に記載の配線基板の製造方法において、 前記突起導体は、 前記第１接続端子上にはんだペーストを塗布し、 前記はんだペーストを加熱してボール状のバンプを形成
    することを特徴とする配線基板の製造方法。