JP3422099B2 - 接着材及びそれを用いた半導体装置用リードフレームの製造方法 - Google Patents
接着材及びそれを用いた半導体装置用リードフレームの製造方法Info
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- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用の接着材及
びそれを用いた半導体装置用リードフレームの製造方法
に関するものである。
びそれを用いた半導体装置用リードフレームの製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置における情報の高密度
化，処理速度の高速化に伴い、半導体チップに生じる熱
を外部に放出するヒートスプレッダを設けたリードフレ
ームが実用化されている。
化，処理速度の高速化に伴い、半導体チップに生じる熱
を外部に放出するヒートスプレッダを設けたリードフレ
ームが実用化されている。
【０００３】以下に従来の接着材及びそれを用いた半導
体装置用リードフレームの製造方法について、図面を参
照しながら説明する。図４は従来の接着材及びそれを用
いた半導体装置用リードフレームの断面図であり、図５
は従来の接着材及びそれを用いた半導体装置用リードフ
レームの要部断面図である。１はリードフレーム、２は
リードフレーム１に形成されて後述のボンディングワイ
ヤ６によって後述の半導体チップ５の電極（図示せず）
に接続されるインナリード、３はインナリード２の下面
に接着固定されるヒートスプレッダ、４はインナリード
２とヒートスプレッダ３の間に形成される接着テープ、
５はヒートスプレッダ３の上面に搭載される半導体チッ
プ、６は半導体チップ５の電極（図示せず）とインナリ
ード２を接続するボンディングワイヤ、７はインナリー
ド２，半導体チップ５及びヒートスプレッダ３等を被覆
する樹脂である。図５において、８は接着テープ４を構
成するポリイミド等の熱可塑性樹脂フィルムで作製され
たテープ、９はテープ８の両面に塗布される接着材であ
る。
体装置用リードフレームの製造方法について、図面を参
照しながら説明する。図４は従来の接着材及びそれを用
いた半導体装置用リードフレームの断面図であり、図５
は従来の接着材及びそれを用いた半導体装置用リードフ
レームの要部断面図である。１はリードフレーム、２は
リードフレーム１に形成されて後述のボンディングワイ
ヤ６によって後述の半導体チップ５の電極（図示せず）
に接続されるインナリード、３はインナリード２の下面
に接着固定されるヒートスプレッダ、４はインナリード
２とヒートスプレッダ３の間に形成される接着テープ、
５はヒートスプレッダ３の上面に搭載される半導体チッ
プ、６は半導体チップ５の電極（図示せず）とインナリ
ード２を接続するボンディングワイヤ、７はインナリー
ド２，半導体チップ５及びヒートスプレッダ３等を被覆
する樹脂である。図５において、８は接着テープ４を構
成するポリイミド等の熱可塑性樹脂フィルムで作製され
たテープ、９はテープ８の両面に塗布される接着材であ
る。
【０００４】以上のように構成された従来の半導体装置
用リードフレームについて、以下その製造方法を説明す
る。まず、リードフレーム１に形成されているインナリ
ード２とヒートスプレッダ３の間に接着テープ４を配設
して、加熱することによりインナリード２とヒートスプ
レッダ３を接着固定する。次に、インナーリード２に接
着固定されたヒートスプレッダ３の上面に半導体チップ
５を搭載し、半導体チップ５の電極（図示せず）とイン
ナリード２の先端をボンディングワイヤ６で接続する。
更に、半導体チップ５を搭載した半導体装置用リードフ
レームを樹脂７で封止する。
用リードフレームについて、以下その製造方法を説明す
る。まず、リードフレーム１に形成されているインナリ
ード２とヒートスプレッダ３の間に接着テープ４を配設
して、加熱することによりインナリード２とヒートスプ
レッダ３を接着固定する。次に、インナーリード２に接
着固定されたヒートスプレッダ３の上面に半導体チップ
５を搭載し、半導体チップ５の電極（図示せず）とイン
ナリード２の先端をボンディングワイヤ６で接続する。
更に、半導体チップ５を搭載した半導体装置用リードフ
レームを樹脂７で封止する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、接着テープを構成しているテープと前記テ
ープに塗布されている接着材の親和性が悪く、接着強度
のばらつきが大きい為に、生産時にインナリードとヒー
トスプレッダ間に剥離または滑りが発生して、半導体装
置用リードフレームとしての品質の低下及び歩留りの低
下を招き信頼性，生産性に欠けるという問題点を有して
いた。
の構成では、接着テープを構成しているテープと前記テ
ープに塗布されている接着材の親和性が悪く、接着強度
のばらつきが大きい為に、生産時にインナリードとヒー
トスプレッダ間に剥離または滑りが発生して、半導体装
置用リードフレームとしての品質の低下及び歩留りの低
下を招き信頼性，生産性に欠けるという問題点を有して
いた。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、半硬化接着材と前記半硬化接着材に塗布される接着
材を融合させ、一体形成することにより高い接着強度を
与え、取扱いが容易で作業性を高め、かつ、インナリー
ドとヒートスプレッダ間の電気的絶縁性を損なうことの
ない高品質で接着作業の生産性を向上させることのでき
る接着材の提供及び生産時にインナリードとヒートスプ
レッダ間に発生する剥離または滑りを防止して、半導体
装置用リードフレームとしての品質の向上及び歩留りの
向上をはかることができる信頼性，生産性に優れた半導
体装置用リードフレームの製造方法を提供することを目
的とする。
で、半硬化接着材と前記半硬化接着材に塗布される接着
材を融合させ、一体形成することにより高い接着強度を
与え、取扱いが容易で作業性を高め、かつ、インナリー
ドとヒートスプレッダ間の電気的絶縁性を損なうことの
ない高品質で接着作業の生産性を向上させることのでき
る接着材の提供及び生産時にインナリードとヒートスプ
レッダ間に発生する剥離または滑りを防止して、半導体
装置用リードフレームとしての品質の向上及び歩留りの
向上をはかることができる信頼性，生産性に優れた半導
体装置用リードフレームの製造方法を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の請求項１に記載の接着材は、インナリードに
放熱用ヒートスプレッダを接着固定する接着材であっ
て、キュアを行う前の前記接着材が、半硬化接着材（ガ
ラスクロスに含浸させた半硬化接着材を除く）と、前記
半硬化接着材の少なくとも一面に塗布形成される前記半
硬化接着材と同種類の接着材とを備えた構成を有してお
り、請求項２に記載の半導体装置用リードフレームの製
造方法は、接着材をキュアして形成された半硬化接着材
（ガラスクロスに含浸させた半硬化接着材を除く）の少
なくとも一面に接着材を塗布して製作された接着材をイ
ンナリードとヒートスプレッダ間に配設し加圧及び加熱
して前記インナリードとヒートスプレッダを仮固定する
仮固定工程と、前記仮固定工程で仮固定された接着材を
キュアして前記半硬化接着材と該半硬化接着材の少なく
とも一面に塗布形成された接着材を一旦軟化して融合
し、キュアの進行で一体形成するキュア工程と、を有し
ている。
に本発明の請求項１に記載の接着材は、インナリードに
放熱用ヒートスプレッダを接着固定する接着材であっ
て、キュアを行う前の前記接着材が、半硬化接着材（ガ
ラスクロスに含浸させた半硬化接着材を除く）と、前記
半硬化接着材の少なくとも一面に塗布形成される前記半
硬化接着材と同種類の接着材とを備えた構成を有してお
り、請求項２に記載の半導体装置用リードフレームの製
造方法は、接着材をキュアして形成された半硬化接着材
（ガラスクロスに含浸させた半硬化接着材を除く）の少
なくとも一面に接着材を塗布して製作された接着材をイ
ンナリードとヒートスプレッダ間に配設し加圧及び加熱
して前記インナリードとヒートスプレッダを仮固定する
仮固定工程と、前記仮固定工程で仮固定された接着材を
キュアして前記半硬化接着材と該半硬化接着材の少なく
とも一面に塗布形成された接着材を一旦軟化して融合
し、キュアの進行で一体形成するキュア工程と、を有し
ている。
【０００８】ここで、接着材としては、エポキシ系接着
材，フェノール系接着材，アクリル系接着材等の熱硬化
性接着材又はポリイミド系接着材，ポリアミド系接着材
等の熱可塑性接着材が用いられる。半硬化接着材（ガラ
スクロスに含浸させた半硬化接着材を除く）としては、
前記半硬化接着材に塗布する接着材と同種類のものが用
られる。半硬化状接着材の形態としてはテープ状，チッ
プ状等が好適に用いられ取扱いが容易でかつ電気的絶縁
性を確保できる。また、製造方法としては、熱硬化性接
着材としてエポキシ接着材を使用した場合には、半硬化
接着材形成工程において、略１５０℃で略１０分間キュ
アするのが望ましい。仮固定工程においては、２〜１０
kg／mm2好ましくは５kg／mm2で加圧及び略１７０℃で１
〜５秒間好ましくは２秒間加熱するのが望ましい。キュ
ア工程においては、略２００℃で略３０分間キュアする
のが望ましい。
材，フェノール系接着材，アクリル系接着材等の熱硬化
性接着材又はポリイミド系接着材，ポリアミド系接着材
等の熱可塑性接着材が用いられる。半硬化接着材（ガラ
スクロスに含浸させた半硬化接着材を除く）としては、
前記半硬化接着材に塗布する接着材と同種類のものが用
られる。半硬化状接着材の形態としてはテープ状，チッ
プ状等が好適に用いられ取扱いが容易でかつ電気的絶縁
性を確保できる。また、製造方法としては、熱硬化性接
着材としてエポキシ接着材を使用した場合には、半硬化
接着材形成工程において、略１５０℃で略１０分間キュ
アするのが望ましい。仮固定工程においては、２〜１０
kg／mm2好ましくは５kg／mm2で加圧及び略１７０℃で１
〜５秒間好ましくは２秒間加熱するのが望ましい。キュ
ア工程においては、略２００℃で略３０分間キュアする
のが望ましい。
【０００９】
【作用】この構成によって、接着材と同種類のもので、
かつ、半硬化状に形成した半硬化状接着材を用いる為
に、接着材の純度が高く、キュアした際の親和性が向上
し、接着強度を高めることができる。また、仮固定工程
が接着材をキュアして形成された半硬化接着材の少なく
とも一面に接着材を塗布して製作された接着材をインナ
リードとヒートスプレッダ間に配設し加圧及び加熱して
前記インナリードとヒートスプレッダを仮固定し、キュ
ア工程が仮固定工程で仮固定された接着材をキュアして
半硬化接着材と前記半硬化接着材の少なくとも一面に塗
布形成された接着材を融合して一体形成するために、接
着強度を高め、インナリードとヒートスプレッダ間に生
じていた剥離や滑りを防止することができる。
かつ、半硬化状に形成した半硬化状接着材を用いる為
に、接着材の純度が高く、キュアした際の親和性が向上
し、接着強度を高めることができる。また、仮固定工程
が接着材をキュアして形成された半硬化接着材の少なく
とも一面に接着材を塗布して製作された接着材をインナ
リードとヒートスプレッダ間に配設し加圧及び加熱して
前記インナリードとヒートスプレッダを仮固定し、キュ
ア工程が仮固定工程で仮固定された接着材をキュアして
半硬化接着材と前記半硬化接着材の少なくとも一面に塗
布形成された接着材を融合して一体形成するために、接
着強度を高め、インナリードとヒートスプレッダ間に生
じていた剥離や滑りを防止することができる。
【００１０】
【実施例】以下本発明の一実施例における接着材及びそ
れを用いた半導体装置用リードフレームについて、図面
を参照しながら説明する。図１は本発明の一実施例にお
ける接着材及びそれを用いた半導体装置用リードフレー
ムの断面図であり、図２は本発明の一実施例における接
着材及びそれを用いた半導体装置用リードフレームの要
部断面図であり、図３は本発明の一実施例における接着
材及びそれを用いた半導体装置用リードフレームの平面
図である。１はリードフレーム、２はインナリード、３
はヒートスプレッダ、５は半導体チップ、６はボンディ
ングワイヤ、７は樹脂であり従来例と同様なものなので
説明を省略する。１０はリードフレーム１とヒートスプ
レッダ３間に形成されている接着材である。図２におい
て、１１は後述の接着材１２と同種類のものを半硬化状
に形成した半硬化接着材、１２は半硬化接着材１１の少
なくとも一面に塗布形成される接着材である。
れを用いた半導体装置用リードフレームについて、図面
を参照しながら説明する。図１は本発明の一実施例にお
ける接着材及びそれを用いた半導体装置用リードフレー
ムの断面図であり、図２は本発明の一実施例における接
着材及びそれを用いた半導体装置用リードフレームの要
部断面図であり、図３は本発明の一実施例における接着
材及びそれを用いた半導体装置用リードフレームの平面
図である。１はリードフレーム、２はインナリード、３
はヒートスプレッダ、５は半導体チップ、６はボンディ
ングワイヤ、７は樹脂であり従来例と同様なものなので
説明を省略する。１０はリードフレーム１とヒートスプ
レッダ３間に形成されている接着材である。図２におい
て、１１は後述の接着材１２と同種類のものを半硬化状
に形成した半硬化接着材、１２は半硬化接着材１１の少
なくとも一面に塗布形成される接着材である。
【００１１】以上のように構成された本発明の一実施例
における接着材及びそれを用いた半導体装置用リードフ
レームについて、以下その製造方法を説明する。ここで
は、熱硬化性接着材であるエポキシ接着材を用いた場合
について説明する。まず、エポキシ接着材を略１５０℃
で略１０分間仮キュアして半硬化状態に形成し、テープ
状，チップ状に加工した半硬化接着材を得る。次に、半
硬化接着材１１の少なくとも一面に半硬化接着材１１と
同種類の接着材１２を塗布形成して、接着材１０を形成
する。次に、仮固定工程によって、接着材１０をリード
フレーム１のインナリード２とヒートスプレッダ３間に
配設して、２〜１０kg／mm2 で加圧及び略１７０℃で１
〜５秒間加熱することにより、接着材１２を半硬化させ
インナリード２とヒートスプレッダ３を仮固定する。次
に、キュア工程によって、仮固定工程でインナリード２
にヒートスプレッダ３を仮固定されたリードフレーム１
を略２００℃で略３０分間キュアして、半硬化接着材１
１を一旦軟化させ、半硬化接着材１１の少なくとも一面
に塗布形成されている接着材１２と融合させる。更にキ
ュアが進行すると、半硬化接着材１１及び接着材１２が
一体形成され完全に硬化してインナリード２とヒートス
プレッダ３を接着固定するとともに電気的に絶縁する。
次に、キュア工程で、インナリード２に接着固定された
ヒートスプレッダ３に半導体チップ５を搭載し、半導体
チップ５の電極（図示せず）とインナリード２の先端を
ボンディングワイヤ６で接続した後、樹脂７で封止す
る。
における接着材及びそれを用いた半導体装置用リードフ
レームについて、以下その製造方法を説明する。ここで
は、熱硬化性接着材であるエポキシ接着材を用いた場合
について説明する。まず、エポキシ接着材を略１５０℃
で略１０分間仮キュアして半硬化状態に形成し、テープ
状，チップ状に加工した半硬化接着材を得る。次に、半
硬化接着材１１の少なくとも一面に半硬化接着材１１と
同種類の接着材１２を塗布形成して、接着材１０を形成
する。次に、仮固定工程によって、接着材１０をリード
フレーム１のインナリード２とヒートスプレッダ３間に
配設して、２〜１０kg／mm2 で加圧及び略１７０℃で１
〜５秒間加熱することにより、接着材１２を半硬化させ
インナリード２とヒートスプレッダ３を仮固定する。次
に、キュア工程によって、仮固定工程でインナリード２
にヒートスプレッダ３を仮固定されたリードフレーム１
を略２００℃で略３０分間キュアして、半硬化接着材１
１を一旦軟化させ、半硬化接着材１１の少なくとも一面
に塗布形成されている接着材１２と融合させる。更にキ
ュアが進行すると、半硬化接着材１１及び接着材１２が
一体形成され完全に硬化してインナリード２とヒートス
プレッダ３を接着固定するとともに電気的に絶縁する。
次に、キュア工程で、インナリード２に接着固定された
ヒートスプレッダ３に半導体チップ５を搭載し、半導体
チップ５の電極（図示せず）とインナリード２の先端を
ボンディングワイヤ６で接続した後、樹脂７で封止す
る。
【００１２】尚、本実施例では熱硬化性接着材としてエ
ポキシ接着材を用いたが、フェノール系接着材，アクリ
ル系接着材等を用いることもできる。また、ポリイミド
系接着材，ポリアミド系接着材等の熱可塑性接着材を用
いることもできる。
ポキシ接着材を用いたが、フェノール系接着材，アクリ
ル系接着材等を用いることもできる。また、ポリイミド
系接着材，ポリアミド系接着材等の熱可塑性接着材を用
いることもできる。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明は、接着材と同種類
のもので、かつ、半硬化状に形成した半硬化状接着材を
用いる為に、接着材の純度が高く、キュアした際の親和
性が向上し、接着強度を高めることができるのでインナ
リードとヒートスプレッダ間に生じていた剥離や滑りを
防止することができる高性能の接着材を実現することが
できる。また、仮固定工程が接着材をキュアして形成さ
れた半硬化接着材の少なくとも一面に接着材を塗布して
製作された接着材をインナリードとヒートスプレッダ間
に配設し加圧及び加熱して前記インナリードとヒートス
プレッダを仮固定し、キュア工程が仮固定工程で仮固定
された接着材をキュアして半硬化接着材と前記半硬化接
着材の少なくとも一面に塗布形成された接着材を融合し
て一体形成するために、接着強度を高め、インナリード
とヒートスプレッダ間に生じていた剥離や滑りを防止す
ることができる為に、生産時における半導体装置用リー
ドフレームの品質の向上及び歩留りの向上をはかること
ができる信頼性，生産性に優れた半導体装置用リードフ
レームの製造方法を実現できるものである。
のもので、かつ、半硬化状に形成した半硬化状接着材を
用いる為に、接着材の純度が高く、キュアした際の親和
性が向上し、接着強度を高めることができるのでインナ
リードとヒートスプレッダ間に生じていた剥離や滑りを
防止することができる高性能の接着材を実現することが
できる。また、仮固定工程が接着材をキュアして形成さ
れた半硬化接着材の少なくとも一面に接着材を塗布して
製作された接着材をインナリードとヒートスプレッダ間
に配設し加圧及び加熱して前記インナリードとヒートス
プレッダを仮固定し、キュア工程が仮固定工程で仮固定
された接着材をキュアして半硬化接着材と前記半硬化接
着材の少なくとも一面に塗布形成された接着材を融合し
て一体形成するために、接着強度を高め、インナリード
とヒートスプレッダ間に生じていた剥離や滑りを防止す
ることができる為に、生産時における半導体装置用リー
ドフレームの品質の向上及び歩留りの向上をはかること
ができる信頼性，生産性に優れた半導体装置用リードフ
レームの製造方法を実現できるものである。
【図１】本発明の一実施例における接着材及びそれを用
いた半導体装置用リードフレームの断面図
いた半導体装置用リードフレームの断面図
【図２】本発明の一実施例における接着材及びそれを用
いた半導体装置用リードフレームの要部断面図
いた半導体装置用リードフレームの要部断面図
【図３】本発明の一実施例における接着材及びそれを用
いた半導体装置用リードフレームの平面図
いた半導体装置用リードフレームの平面図
【図４】従来の接着材及びそれを用いた半導体装置用リ
ードフレームの断面図
ードフレームの断面図
【図５】従来の接着材及びそれを用いた半導体装置用リ
ードフレームの要部断面図
ードフレームの要部断面図
１ リードフレーム
２ インナリード
３ ヒートスプレッダ
４ 接着テープ
５ 半導体チップ
６ ボンディングワイヤ
７ 樹脂
８ テープ
９，１２ 接着材
１０ 接着材
１１ 半硬化接着材
Claims (2)
- 【請求項１】 インナリードに放熱用ヒートスプレッダ
を接着固定する接着材であって、キュアを行う前の前記
接着材が、半硬化接着材（ガラスクロスに含浸させた半
硬化接着材を除く）と、前記半硬化接着材の少なくとも
一面に塗布形成される前記半硬化接着材と同種類の接着
材とを備えことを特徴とする接着材。 - 【請求項２】 接着材をキュアして形成された半硬化接
着材（ガラスクロスに含浸させた半硬化接着材を除く）
の少なくとも一面に接着材を塗布して製作された接着材
をインナリードとヒートスプレッダ間に配設し加圧及び
加熱して前記インナリードとヒートスプレッダを仮固定
する仮固定工程と、前記仮固定工程で仮固定された接着
材をキュアして前記半硬化接着材と該半硬化接着材の少
なくとも一面に塗布形成された接着材を一旦軟化して融
合し、キュアの進行で一体形成するキュア工程と、を有
していることを特徴とする半導体装置用リードフレーム
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25812994A JP3422099B2 (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | 接着材及びそれを用いた半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25812994A JP3422099B2 (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | 接着材及びそれを用いた半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08125090A JPH08125090A (ja) | 1996-05-17 |
| JP3422099B2 true JP3422099B2 (ja) | 2003-06-30 |
Family
ID=17315920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25812994A Expired - Fee Related JP3422099B2 (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | 接着材及びそれを用いた半導体装置用リードフレームの製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3422099B2 (ja) |
-
1994
- 1994-10-24 JP JP25812994A patent/JP3422099B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08125090A (ja) | 1996-05-17 |
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