JPH0945847A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH0945847A JPH0945847A JP19303495A JP19303495A JPH0945847A JP H0945847 A JPH0945847 A JP H0945847A JP 19303495 A JP19303495 A JP 19303495A JP 19303495 A JP19303495 A JP 19303495A JP H0945847 A JPH0945847 A JP H0945847A
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- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73215—Layer and wire connectors
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 インナーリード部群と半導体チップとの接合
を強固かつ安定にした半導体装置およびその製造方法を
提供する。 【構成】 一括形成が可能な接合樹脂部７ａ，７ｂをリ
ードフレームのインナーリード部群３ａ，３ｂの各リー
ド片の先端部下面にブロック形成して、半導体チップ２
と接合する構造を有し、その接合樹脂部７ａ，７ｂを加
熱溶融し、半導体チップ２に接合したものである。その
結果、樹脂封止前の接合不良発生を大幅に低減すること
ができる。さらに、半導体チップ２に接合樹脂部７ａ，
７ｂを介してインナーリード部群３ａ，３ｂを接合した
ため、ワイヤーボンド時の加圧力を吸収し、半導体チッ
プ２表面へのワイヤーボンド時の加圧力の悪影響を低減
させることができる。
を強固かつ安定にした半導体装置およびその製造方法を
提供する。 【構成】 一括形成が可能な接合樹脂部７ａ，７ｂをリ
ードフレームのインナーリード部群３ａ，３ｂの各リー
ド片の先端部下面にブロック形成して、半導体チップ２
と接合する構造を有し、その接合樹脂部７ａ，７ｂを加
熱溶融し、半導体チップ２に接合したものである。その
結果、樹脂封止前の接合不良発生を大幅に低減すること
ができる。さらに、半導体チップ２に接合樹脂部７ａ，
７ｂを介してインナーリード部群３ａ，３ｂを接合した
ため、ワイヤーボンド時の加圧力を吸収し、半導体チッ
プ２表面へのワイヤーボンド時の加圧力の悪影響を低減
させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の実装技
術、とりわけＬＯＣ（Lead On Chip）構造の実装技術に
特徴を有する半導体装置およびその製造方法に関するも
のである。
術、とりわけＬＯＣ（Lead On Chip）構造の実装技術に
特徴を有する半導体装置およびその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、主にメモリチップにおいて、チッ
プサイズが大型化する傾向が著しく、これに対してパッ
ケージ外形寸法は規格化され、できる限り小型パッケー
ジに収容したいという要望が強いため、インナーリード
部群をチップ内部にまで延在させた、いわゆるＬＯＣ
（Lead On Chip）構造のパッケージが用いられるように
なりつつある。
プサイズが大型化する傾向が著しく、これに対してパッ
ケージ外形寸法は規格化され、できる限り小型パッケー
ジに収容したいという要望が強いため、インナーリード
部群をチップ内部にまで延在させた、いわゆるＬＯＣ
（Lead On Chip）構造のパッケージが用いられるように
なりつつある。
【０００３】従来のＬＯＣ構造の半導体装置について図
５を参照しながら説明する。図５において、従来の半導
体装置は、表面内側に電極１が形成された長方形の半導
体チップ２に対して、リードフレームのインナーリード
部群３ａ，３ｂが接着剤４により前記電極１付近に接合
されている。そして、インナーリード部群３ａ，３ｂと
電極１とがワイヤーボンド法によって金属細線５で配線
されている。半導体チップ２およびインナーリード部群
３ａ，３ｂを含む周囲は、封止樹脂６により封止されて
いる。
５を参照しながら説明する。図５において、従来の半導
体装置は、表面内側に電極１が形成された長方形の半導
体チップ２に対して、リードフレームのインナーリード
部群３ａ，３ｂが接着剤４により前記電極１付近に接合
されている。そして、インナーリード部群３ａ，３ｂと
電極１とがワイヤーボンド法によって金属細線５で配線
されている。半導体チップ２およびインナーリード部群
３ａ，３ｂを含む周囲は、封止樹脂６により封止されて
いる。
【０００４】次に従来の半導体装置の製造方法につい
て、図６を参照しながら説明する。まず図６（ａ）に示
すように半導体チップ２に接合するためのリードフレー
ムのインナーリード部群３ａ，３ｂの先端部下面にテー
プ状の接着剤４を加熱・加圧して接着する。次に図６
（ｂ），（ｃ）に示すように、同様に加熱・加圧により
前記インナーリード部群３ａ，３ｂに接着した接着剤４
を半導体チップ２に接着し、接着剤４を介してインナー
リード部群３ａ，３ｂを半導体チップ２面上の電極１付
近に固定させる。この状態で半導体チップ２上の電極パ
ッド１と、インナーリード部群３ａ，３ｂとを、金属細
線５を用いてワイヤーボンディング法により接続する。
そしてこれらを封止樹脂６で封止し、図５に示すような
ＬＯＣ構造の半導体装置が完成する。なお、図５は、図
６（ｃ）のＡ−Ａ１線に沿った（長手方向）断面図であ
る。
て、図６を参照しながら説明する。まず図６（ａ）に示
すように半導体チップ２に接合するためのリードフレー
ムのインナーリード部群３ａ，３ｂの先端部下面にテー
プ状の接着剤４を加熱・加圧して接着する。次に図６
（ｂ），（ｃ）に示すように、同様に加熱・加圧により
前記インナーリード部群３ａ，３ｂに接着した接着剤４
を半導体チップ２に接着し、接着剤４を介してインナー
リード部群３ａ，３ｂを半導体チップ２面上の電極１付
近に固定させる。この状態で半導体チップ２上の電極パ
ッド１と、インナーリード部群３ａ，３ｂとを、金属細
線５を用いてワイヤーボンディング法により接続する。
そしてこれらを封止樹脂６で封止し、図５に示すような
ＬＯＣ構造の半導体装置が完成する。なお、図５は、図
６（ｃ）のＡ−Ａ１線に沿った（長手方向）断面図であ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の構成では、樹脂封止前は、リードフレームのインナー
リード部群の各リード片の先端部にのみ接着剤を貼り付
けているため、半導体チップとインナーリード部群との
接合が弱い。そのため、インナーリード部群と金属細線
との接合状態が不安定であり、またインナーリード部群
の各リード片の上下方向にそのばらつきが発生し、樹脂
封止前までに接合不良が発生していた。また、半導体チ
ップ上の電極とインナーリード部群の各リード片との接
合において、超音波印加（ワイヤーボンド法）により金
属細線を接合しているが、その接合の第１ボンド目を半
導体チップ上の電極に、そして第２ボンド目をインナー
リード部上に打って接合している。この第２ボンド目で
は、半導体チップの能動エリアを土台として、接着剤の
層を介してインナーリード部上に金属細線を接合（ボン
ディング）しているので、接合時の加圧力で半導体チッ
プを傷つけ、破損させ、あるいは破損しないまでも、接
合時の加圧力の影響で半導体装置の信頼性を劣化させて
いた。
の構成では、樹脂封止前は、リードフレームのインナー
リード部群の各リード片の先端部にのみ接着剤を貼り付
けているため、半導体チップとインナーリード部群との
接合が弱い。そのため、インナーリード部群と金属細線
との接合状態が不安定であり、またインナーリード部群
の各リード片の上下方向にそのばらつきが発生し、樹脂
封止前までに接合不良が発生していた。また、半導体チ
ップ上の電極とインナーリード部群の各リード片との接
合において、超音波印加（ワイヤーボンド法）により金
属細線を接合しているが、その接合の第１ボンド目を半
導体チップ上の電極に、そして第２ボンド目をインナー
リード部上に打って接合している。この第２ボンド目で
は、半導体チップの能動エリアを土台として、接着剤の
層を介してインナーリード部上に金属細線を接合（ボン
ディング）しているので、接合時の加圧力で半導体チッ
プを傷つけ、破損させ、あるいは破損しないまでも、接
合時の加圧力の影響で半導体装置の信頼性を劣化させて
いた。
【０００６】製造方法においては、半導体チップとイン
ナーリード部群とを相互に固定するための接着剤を、イ
ンナーリード部群の各リード片毎に貼り付ける必要があ
り、接着剤の貼り付け作業をインナーリード部群の各リ
ード片毎にしなければならないため、工程が複雑化して
いた。
ナーリード部群とを相互に固定するための接着剤を、イ
ンナーリード部群の各リード片毎に貼り付ける必要があ
り、接着剤の貼り付け作業をインナーリード部群の各リ
ード片毎にしなければならないため、工程が複雑化して
いた。
【０００７】本発明は、インナーリード部群と半導体チ
ップとの接合を強固にかつ安定にした半導体装置および
その製造方法を提供することを目的とする。
ップとの接合を強固にかつ安定にした半導体装置および
その製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明の半導体装置は、一括形成が可能な接
合樹脂部をリードフレームのインナーリード部群の各リ
ード片の先端部下面にブロック形成して、半導体チップ
と接合する構造を有している。また、インナーリード部
群の先端部下面に形成する接合樹脂部をインナーリード
部群の根元まで延在させて設け、半導体チップと接合す
る構造を有している。
るために、本発明の半導体装置は、一括形成が可能な接
合樹脂部をリードフレームのインナーリード部群の各リ
ード片の先端部下面にブロック形成して、半導体チップ
と接合する構造を有している。また、インナーリード部
群の先端部下面に形成する接合樹脂部をインナーリード
部群の根元まで延在させて設け、半導体チップと接合す
る構造を有している。
【０００９】また、本発明の製造方法においては、リー
ドフレームのインナーリード部群の各リード片の先端下
面の全面に接合樹脂部を一括でブロック形成し、その接
合樹脂部を加熱溶融し、半導体チップに接合するもので
ある。またリードフレームのインナーリード部群の各リ
ード片の先端部下面から根元下面の全面領域に接合樹脂
部を一括でブロック形成し、その樹脂部を加熱溶融し、
半導体チップに接合するものである。
ドフレームのインナーリード部群の各リード片の先端下
面の全面に接合樹脂部を一括でブロック形成し、その接
合樹脂部を加熱溶融し、半導体チップに接合するもので
ある。またリードフレームのインナーリード部群の各リ
ード片の先端部下面から根元下面の全面領域に接合樹脂
部を一括でブロック形成し、その樹脂部を加熱溶融し、
半導体チップに接合するものである。
【００１０】
【作用】本発明の半導体装置においては、上述のように
インナーリード部群の先端部にブロック形成した接合樹
脂部により半導体チップを接合することによって、イン
ナーリード部群の先端部と半導体チップとが堅固に固定
され、またインナーリード部群の先端部全面に接合樹脂
部を各々ブロック形成して各リード片を固定しているの
で、各リード片の上下方向のばらつきを防止し、インナ
ーリード同士を確実に固定してワイヤーボンドすること
ができる。そのため、インナーリード部群と電気的接続
手段である金属細線との接合状態が安定する。その結
果、樹脂封止前の接合不良発生を大幅に低減させること
ができる。さらに、半導体チップに樹脂を介してインナ
ーリード部群を接合しているため、ワイヤーボンド時の
加圧力を吸収し、半導体チップ表面へのワイヤーボンド
時の加圧力の悪影響を、接着剤を介して接合した場合よ
りも低減させることができる。
インナーリード部群の先端部にブロック形成した接合樹
脂部により半導体チップを接合することによって、イン
ナーリード部群の先端部と半導体チップとが堅固に固定
され、またインナーリード部群の先端部全面に接合樹脂
部を各々ブロック形成して各リード片を固定しているの
で、各リード片の上下方向のばらつきを防止し、インナ
ーリード同士を確実に固定してワイヤーボンドすること
ができる。そのため、インナーリード部群と電気的接続
手段である金属細線との接合状態が安定する。その結
果、樹脂封止前の接合不良発生を大幅に低減させること
ができる。さらに、半導体チップに樹脂を介してインナ
ーリード部群を接合しているため、ワイヤーボンド時の
加圧力を吸収し、半導体チップ表面へのワイヤーボンド
時の加圧力の悪影響を、接着剤を介して接合した場合よ
りも低減させることができる。
【００１１】本発明の製造方法においては、接合樹脂部
を形成して後、その接合樹脂部を加熱溶融させること
で、その樹脂によりインナーリード部群と半導体チップ
とを接合させることができる。また、従来のように、イ
ンナーリード部群の各リード片毎に接着剤テープを貼り
付ける必要がなくなり、工程の簡素化および低コスト化
が図れる。またインナーリード部群の各リード片と金属
細線との接合状態をさらに改善するためには、インナー
リード部群下面に樹脂部が形成されたインナーリード部
群の表面にスパッタエッチング処理を施すことにより表
面改質が可能であり、金属細線との接合状態を向上させ
ることができる。
を形成して後、その接合樹脂部を加熱溶融させること
で、その樹脂によりインナーリード部群と半導体チップ
とを接合させることができる。また、従来のように、イ
ンナーリード部群の各リード片毎に接着剤テープを貼り
付ける必要がなくなり、工程の簡素化および低コスト化
が図れる。またインナーリード部群の各リード片と金属
細線との接合状態をさらに改善するためには、インナー
リード部群下面に樹脂部が形成されたインナーリード部
群の表面にスパッタエッチング処理を施すことにより表
面改質が可能であり、金属細線との接合状態を向上させ
ることができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の半導体装置の実施例につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
【００１３】図１は本発明の半導体装置における第１の
実施例の断面図である。図１に示す第１の実施例は、表
面内側に電極１が配列形成された、長方形の形状をした
半導体チップ２に対して、リードフレームのインナーリ
ード部群３ａ，３ｂが接合樹脂部７ａ，７ｂにより前記
半導体チップ２の上面の電極１付近に接合されている。
インナーリード部群３ａ，３ｂに各々設けた接合樹脂部
７ａ，７ｂは、インナーリード部群３ａ，３ｂの各々の
先端部に全面にブロック形成している。そして、インナ
ーリード部群３ａ，３ｂの各リード片と電極１とがワイ
ヤーボンド法によって金属細線５で配線されている。半
導体チップ２およびインナーリード部群３ａ，３ｂを含
む周囲は、封止樹脂６により封止されている。そして、
接合樹脂部７ａ，７ｂが、熱可塑性樹脂からなるので、
加熱処理により溶融させることができ、それにより接着
力を持たせることができ、半導体チップ２と接合するこ
とができる。
実施例の断面図である。図１に示す第１の実施例は、表
面内側に電極１が配列形成された、長方形の形状をした
半導体チップ２に対して、リードフレームのインナーリ
ード部群３ａ，３ｂが接合樹脂部７ａ，７ｂにより前記
半導体チップ２の上面の電極１付近に接合されている。
インナーリード部群３ａ，３ｂに各々設けた接合樹脂部
７ａ，７ｂは、インナーリード部群３ａ，３ｂの各々の
先端部に全面にブロック形成している。そして、インナ
ーリード部群３ａ，３ｂの各リード片と電極１とがワイ
ヤーボンド法によって金属細線５で配線されている。半
導体チップ２およびインナーリード部群３ａ，３ｂを含
む周囲は、封止樹脂６により封止されている。そして、
接合樹脂部７ａ，７ｂが、熱可塑性樹脂からなるので、
加熱処理により溶融させることができ、それにより接着
力を持たせることができ、半導体チップ２と接合するこ
とができる。
【００１４】以上のように、インナーリード部群３ａ，
３ｂの先端部下面に各々ブロック形成した接合樹脂部７
ａ，７ｂにより、半導体チップ２の上面と接合すること
によって、インナーリード部群３ａ，３ｂの先端部と半
導体チップ２とが堅固に固定され、インナーリード部３
と金属細線５との接合状態が安定する。そのため、樹脂
封止前の接合不良発生を大幅に低減することができる。
３ｂの先端部下面に各々ブロック形成した接合樹脂部７
ａ，７ｂにより、半導体チップ２の上面と接合すること
によって、インナーリード部群３ａ，３ｂの先端部と半
導体チップ２とが堅固に固定され、インナーリード部３
と金属細線５との接合状態が安定する。そのため、樹脂
封止前の接合不良発生を大幅に低減することができる。
【００１５】また、半導体チップ２に接合樹脂部７ａ，
７ｂを介してインナーリード部群３ａ，３ｂを接合して
いるため、半導体チップ２の表面へのワイヤーボンド時
の加圧力の影響が低減する。その結果、品質信頼性上の
特性劣化のない半導体装置を得ることができる。
７ｂを介してインナーリード部群３ａ，３ｂを接合して
いるため、半導体チップ２の表面へのワイヤーボンド時
の加圧力の影響が低減する。その結果、品質信頼性上の
特性劣化のない半導体装置を得ることができる。
【００１６】さらにまた、インナーリード部群３ａ，３
ｂの先端部全面に接合樹脂部７ａ，７ｂを各々ブロック
形成しているので、各リード片の上下方向のばらつきを
防止し、確実に固定してワイヤーボンドすることができ
る。
ｂの先端部全面に接合樹脂部７ａ，７ｂを各々ブロック
形成しているので、各リード片の上下方向のばらつきを
防止し、確実に固定してワイヤーボンドすることができ
る。
【００１７】なお、接合樹脂部７ａ，７ｂに用いる熱可
塑性樹脂は、半導体チップ２、インナーリード部３、封
止樹脂６との接合相性、また熱膨張係数の近似したもの
を用いることにより、半導体装置としての品質の信頼性
を向上させることができる。熱可塑性樹脂としてたとえ
ばアクリル樹脂を用いた場合には、６５〜１００℃で熱
処理をする。また、塩化ビニリデン樹脂を用いた場合に
は、１８０〜２００℃で熱処理をする。
塑性樹脂は、半導体チップ２、インナーリード部３、封
止樹脂６との接合相性、また熱膨張係数の近似したもの
を用いることにより、半導体装置としての品質の信頼性
を向上させることができる。熱可塑性樹脂としてたとえ
ばアクリル樹脂を用いた場合には、６５〜１００℃で熱
処理をする。また、塩化ビニリデン樹脂を用いた場合に
は、１８０〜２００℃で熱処理をする。
【００１８】図２は本発明の半導体装置における第２の
実施例の断面図である。図２において、主要な構成につ
いては図１に示した第１の実施例と同じであるが、もっ
とも異なるところは本実施例ではインナーリード部群３
ａ，３ｂの先端部から根元付近まで接合樹脂部８ａ，８
ｂを設けた構造としたことである。具体的には、リード
フレームのインナーリード部群３ａ，３ｂの各々の下面
全体に接合樹脂部８ａ，８ｂを設け、形状が長方形の半
導体チップ２と接合する面積を広くしたものである。な
お、接合樹脂部８を設ける領域は、半導体チップ２の大
きさに応じて設定する。
実施例の断面図である。図２において、主要な構成につ
いては図１に示した第１の実施例と同じであるが、もっ
とも異なるところは本実施例ではインナーリード部群３
ａ，３ｂの先端部から根元付近まで接合樹脂部８ａ，８
ｂを設けた構造としたことである。具体的には、リード
フレームのインナーリード部群３ａ，３ｂの各々の下面
全体に接合樹脂部８ａ，８ｂを設け、形状が長方形の半
導体チップ２と接合する面積を広くしたものである。な
お、接合樹脂部８を設ける領域は、半導体チップ２の大
きさに応じて設定する。
【００１９】このような構成とすることにより、第１の
実施例と同等なインナーリード部群３ａ，３ｂの各リー
ド片と半導体チップ２上の電極１との接合における効果
を得ることができる。
実施例と同等なインナーリード部群３ａ，３ｂの各リー
ド片と半導体チップ２上の電極１との接合における効果
を得ることができる。
【００２０】次に、本発明の半導体装置の製造方法の実
施例について説明する。図３は本発明の半導体装置の製
造方法における第１の実施例を説明するための工程図で
ある。
施例について説明する。図３は本発明の半導体装置の製
造方法における第１の実施例を説明するための工程図で
ある。
【００２１】まず、図３（ａ）に示すように、リードフ
レームのインナーリード部群３ａ，３ｂの先端部下面
に、トランスファー封止により熱可塑性樹脂を用いて接
合樹脂部７ａ，７ｂを各々ブロック形成する。
レームのインナーリード部群３ａ，３ｂの先端部下面
に、トランスファー封止により熱可塑性樹脂を用いて接
合樹脂部７ａ，７ｂを各々ブロック形成する。
【００２２】次に、図３（ｂ）に示すように、インナー
リード部群３ａ，３ｂの先端部に形成された接合樹脂部
７ａ，７ｂと、半導体チップ２表面内側の電極１付近と
を当接させる。
リード部群３ａ，３ｂの先端部に形成された接合樹脂部
７ａ，７ｂと、半導体チップ２表面内側の電極１付近と
を当接させる。
【００２３】そして、図３（ｃ）に示すように、加熱処
理して、接合樹脂部７ａ，７ｂを溶融させることによ
り、接合樹脂部７ａ，７ｂに接着力を持たせ、インナー
リード部群３ａ，３ｂと半導体チップ２とを接合する。
理して、接合樹脂部７ａ，７ｂを溶融させることによ
り、接合樹脂部７ａ，７ｂに接着力を持たせ、インナー
リード部群３ａ，３ｂと半導体チップ２とを接合する。
【００２４】そして、図３（ｄ）に示すように、半導体
チップ２表面上の電極１とインナーリード部群３ａ，３
ｂの各リード片とを、金属細線５によってワイヤーボン
ディング法で接続する。
チップ２表面上の電極１とインナーリード部群３ａ，３
ｂの各リード片とを、金属細線５によってワイヤーボン
ディング法で接続する。
【００２５】最後に、半導体チップ２および接合したイ
ンナーリード部群３ａ，３ｂを含む周囲を、封止樹脂６
により封止する。封止樹脂６による封止方法は、トラン
スファー封止、印刷封止等の封止法を用いる。封止樹脂
６としては、接合樹脂部７ａ，７ｂとの相性を考慮し、
たとえばエポキシ樹脂を用い、１６０〜１９０℃の範囲
内の温度で熱処理をする。以上の工程により、図１に示
すようなＬＯＣ構造の半導体装置が完成する。なお、図
１は、図３（ｄ）のＡ−Ａ１線に沿った（長手方向）断
面図である。
ンナーリード部群３ａ，３ｂを含む周囲を、封止樹脂６
により封止する。封止樹脂６による封止方法は、トラン
スファー封止、印刷封止等の封止法を用いる。封止樹脂
６としては、接合樹脂部７ａ，７ｂとの相性を考慮し、
たとえばエポキシ樹脂を用い、１６０〜１９０℃の範囲
内の温度で熱処理をする。以上の工程により、図１に示
すようなＬＯＣ構造の半導体装置が完成する。なお、図
１は、図３（ｄ）のＡ−Ａ１線に沿った（長手方向）断
面図である。
【００２６】次に、本発明の半導体装置の製造方法にお
ける第２の実施例について、図４を参照しながら説明す
る。
ける第２の実施例について、図４を参照しながら説明す
る。
【００２７】まず、図４（ａ）に示すように、リードフ
レームのインナーリード部群３ａ，３ｂの先端部から根
元までの下面全体に、トランスファー封止により接合樹
脂部８ａ，８ｂを各々ブロック形成する。この場合、接
合樹脂部８ａ，８ｂに突起部を形成し、それを半導体チ
ップとの位置合わせに用いたり、半導体チップを把持し
たりする手段に用いることもできる。
レームのインナーリード部群３ａ，３ｂの先端部から根
元までの下面全体に、トランスファー封止により接合樹
脂部８ａ，８ｂを各々ブロック形成する。この場合、接
合樹脂部８ａ，８ｂに突起部を形成し、それを半導体チ
ップとの位置合わせに用いたり、半導体チップを把持し
たりする手段に用いることもできる。
【００２８】次に、図４（ｂ）に示すように、インナー
リード部群３ａ，３ｂの先端部に形成された接合樹脂部
８ａ，８ｂと半導体チップ２表面内側の電極１付近とを
当接させる。
リード部群３ａ，３ｂの先端部に形成された接合樹脂部
８ａ，８ｂと半導体チップ２表面内側の電極１付近とを
当接させる。
【００２９】そして、図４（ｃ）に示すように、加熱処
理して接合樹脂部８ａ，８ｂを溶融させることにより、
接合樹脂部８に接着力を持たせ、インナーリード部群３
ａ，３ｂと半導体チップ２とを接合する。
理して接合樹脂部８ａ，８ｂを溶融させることにより、
接合樹脂部８に接着力を持たせ、インナーリード部群３
ａ，３ｂと半導体チップ２とを接合する。
【００３０】そして、図４（ｄ）に示すように、半導体
チップ２表面上の電極１とインナーリード部群３ａ，３
ｂの各リード片とを、金属細線５によってワイヤーボン
ディング法で相互接続する。
チップ２表面上の電極１とインナーリード部群３ａ，３
ｂの各リード片とを、金属細線５によってワイヤーボン
ディング法で相互接続する。
【００３１】最後に半導体チップ２および接合したイン
ナーリード部群３ａ，３ｂを含む周囲を、封止樹脂６に
より封止する。以上の工程により、図２に示すようなＬ
ＯＣ構造の半導体装置が完成する。なお、図２は、図４
（ｄ）のＡ−Ａ１線に沿った（長手方向）断面図であ
る。
ナーリード部群３ａ，３ｂを含む周囲を、封止樹脂６に
より封止する。以上の工程により、図２に示すようなＬ
ＯＣ構造の半導体装置が完成する。なお、図２は、図４
（ｄ）のＡ−Ａ１線に沿った（長手方向）断面図であ
る。
【００３２】この実施例の方法においては、半導体チッ
プ２と接合した際に、半導体チップ２の電極１を覆わな
いように接合樹脂部８ａ，８ｂを形成する必要がある。
プ２と接合した際に、半導体チップ２の電極１を覆わな
いように接合樹脂部８ａ，８ｂを形成する必要がある。
【００３３】以上の実施例においては、リードフレーム
のインナーリード部群３ａ，３ｂの先端部下面領域に、
接合樹脂部７ａ，７ｂまたは接合樹脂部８ａ，８ｂを設
けているため、インナーリード部群３ａ，３ｂの各リー
ド片上に接合樹脂部７ａ，７ｂまたは同８ａ，８ｂが薄
く形成されてしまうおそれがあり、リード側に対する金
属細線５のワイヤーボンド時に接着力が弱く、接合状態
が安定しない場合がある。この場合には、インナーリー
ド部群３ａ，３ｂの先端部表面にスパッタエッチング処
理を施し、樹脂除去の表面改質をすることによって、接
合状態を安定にすることができる。
のインナーリード部群３ａ，３ｂの先端部下面領域に、
接合樹脂部７ａ，７ｂまたは接合樹脂部８ａ，８ｂを設
けているため、インナーリード部群３ａ，３ｂの各リー
ド片上に接合樹脂部７ａ，７ｂまたは同８ａ，８ｂが薄
く形成されてしまうおそれがあり、リード側に対する金
属細線５のワイヤーボンド時に接着力が弱く、接合状態
が安定しない場合がある。この場合には、インナーリー
ド部群３ａ，３ｂの先端部表面にスパッタエッチング処
理を施し、樹脂除去の表面改質をすることによって、接
合状態を安定にすることができる。
【００３４】なお、本実施例に示す接合樹脂部７ａ，７
ｂまたは同８ａ，８ｂが熱可塑性樹脂からなるため、加
熱処理により溶融し、接着力を有するものであるが、熱
を加えない状態たとえば常温では硬化しているものであ
り、半導体装置の動作時にもその硬化性が保たれるもの
である。
ｂまたは同８ａ，８ｂが熱可塑性樹脂からなるため、加
熱処理により溶融し、接着力を有するものであるが、熱
を加えない状態たとえば常温では硬化しているものであ
り、半導体装置の動作時にもその硬化性が保たれるもの
である。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、リードフレームのイン
ナーリード部群の下面領域に各々ブロック形成した接合
樹脂部を加熱溶融させ、半導体チップの上面と接合する
ことによって、インナーリード部群と半導体チップとが
堅固に固定され、インナーリード部と金属細線との接合
状態が安定した半導体装置を実現することができる。そ
して、半導体チップに接合樹脂部を介してインナーリー
ド部群を接合しているため、半導体チップの表面へのワ
イヤーボンド時の加圧力による影響を低減させ、信頼性
上の特性劣化のない半導体装置を実現できる。
ナーリード部群の下面領域に各々ブロック形成した接合
樹脂部を加熱溶融させ、半導体チップの上面と接合する
ことによって、インナーリード部群と半導体チップとが
堅固に固定され、インナーリード部と金属細線との接合
状態が安定した半導体装置を実現することができる。そ
して、半導体チップに接合樹脂部を介してインナーリー
ド部群を接合しているため、半導体チップの表面へのワ
イヤーボンド時の加圧力による影響を低減させ、信頼性
上の特性劣化のない半導体装置を実現できる。
【００３６】また、インナーリード部群の下面に形成し
た接合樹脂部により、半導体チップと接合することによ
り、インナーリード部群と半導体チップ面との間に接着
剤を介在させない構成でＬＯＣ構造の半導体装置を実現
することもでき、生産性およびコスト対応力の面で大き
な効果がある。
た接合樹脂部により、半導体チップと接合することによ
り、インナーリード部群と半導体チップ面との間に接着
剤を介在させない構成でＬＯＣ構造の半導体装置を実現
することもでき、生産性およびコスト対応力の面で大き
な効果がある。
【図１】本発明の半導体装置における第１の実施例の断
面図
面図
【図２】本発明の半導体装置における第２の実施例の断
面図
面図
【図３】本発明の半導体装置の製造方法における第１の
実施例を説明するための工程図
実施例を説明するための工程図
【図４】本発明の半導体装置の製造方法における第２の
実施例を説明するための工程図
実施例を説明するための工程図
【図５】従来の半導体装置の一例の断面図
【図６】従来の半導体装置の製造方法の一例を説明する
ための工程図
ための工程図
１ 電極 ２ 半導体チップ ３ａ，３ｂ インナーリード部群 ４ 接着剤 ５ 金属細線 ６ 封止樹脂 ７ａ，７ｂ 接合樹脂部 ８ａ，８ｂ 接合樹脂部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ▲吉▼田 浩芳 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 (72)発明者 小賀 彰 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 表面内側に電極が配列形成された半導体
チップと、前記半導体チップ上の前記電極付近に固定さ
れたインナーリード部群を備えたリードフレームと、前
記インナーリード部群の各リード片先端部と前記半導体
チップ上の前記電極とを電気的接続した細線と、前記半
導体チップおよび前記リードフレームの前記インナーリ
ード部群を含む周囲を封止した封止樹脂とよりなる半導
体装置であって、前記半導体チップ上の前記電極付近に
固定されたインナーリード部群は、その先端下部全面に
接合樹脂部がブロック配設され、前記半導体チップ上の
電極付近と固定されていることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項２】 表面内側に電極が配列形成された半導体
チップと、前記半導体チップ上の前記電極付近に固定さ
れたインナーリード部群を備えたリードフレームと、前
記インナーリード部群の各リード片先端部と前記半導体
チップ上の前記電極とを電気的接続した細線と、前記半
導体チップおよび前記リードフレームの前記インナーリ
ード部群を含む周囲を封止した封止樹脂とよりなる半導
体装置であって、前記半導体チップ上の電極付近に固定
されたインナーリード部群は、その先端部から根元付近
まで下面全体に接合樹脂部がブロック配設され、前記半
導体チップ上の電極付近と固定されていることを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項３】 インナーリード部群の下部に設けられた
接合樹脂部は、熱可塑性樹脂であることを特徴とする請
求項１または請求項２記載の半導体装置。 - 【請求項４】 リードフレームのインナーリード部群の
先端部下面領域に接合樹脂部をブロック形成する工程
と、表面内側に電極が形成された半導体チップの前記電
極付近に前記リードフレームの前記インナーリード部群
の先端部に形成された接合樹脂部を配置する工程と、加
熱処理して前記接合樹脂部を溶融させ、半導体チップと
インナーリード部群とを接合する工程と、前記半導体チ
ップ表面上の電極と前記インナーリード部群の各リード
片とを電気的に細線で相互接続する工程と、前記半導体
チップおよび固定したインナーリード部群を含む周囲を
封止樹脂により封止する工程とを有することを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 リードフレームのインナーリード部群の
下面領域に前記インナーリード部群の先端部から根元付
近まで接合樹脂部をブロック形成する工程と、表面内側
に電極が形成された半導体チップの前記電極付近に前記
リードフレームの前記インナーリード部群の先端部から
根元付近まで形成された接合樹脂部を配置する工程と、
加熱処理して前記接合樹脂部を溶融させ、半導体チップ
とインナーリード部群とを接合する工程と、前記半導体
チップ表面上の電極と前記インナーリード部群の各リー
ド片とを電気的に細線で相互接続する工程と、前記半導
体チップおよび固定したインナーリード部群を含む周囲
を封止樹脂により封止する工程とを備えたことを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 インナーリード部群の下部に接合樹脂部
を形成する工程で、接合樹脂部に熱可塑性樹脂を用いる
ことを特徴とする請求項４または請求項５記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項７】 インナーリード部群の下面の接合樹脂部
をトランスファー封止法により形成することを特徴とす
る請求項４または請求項５記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項８】 リードフレームのインナーリード部群の
下面領域に接合樹脂部をブロック形成した後、前記イン
ナーリード部群の表面に対してスパッタエッチング処理
を施し、表面改質を行なう工程を有することを特徴とす
る請求項４または請求項５記載の半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19303495A JPH0945847A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19303495A JPH0945847A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945847A true JPH0945847A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16301071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19303495A Pending JPH0945847A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0945847A (ja) |
-
1995
- 1995-07-28 JP JP19303495A patent/JPH0945847A/ja active Pending
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