JPH0945845A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップとインナーリード部とをより強
固に接合した構造の半導体装置およびその製造方法を提
供する。 【構成】 インナーリード部群３の下面全域に形成した
第１の樹脂部７ａ，７ｂおよび第２の樹脂部８ａ，８ｂ
で、半導体チップ２の表面と接合することで、インナー
リード部群３と半導体チップ２とが堅固に固定され、各
リード片の上下方向のばらつきを防止し、確実に固定し
てワイヤーボンドすることができ、インナーリード部３
と金属細線５との接合状態が安定した。そのため、樹脂
封止前の接合不良発生が大幅に低減する。また、半導体
チップ２に第１の樹脂部７ａ，７ｂ、第２の樹脂部８
ａ，８ｂの２層を介してインナーリード部群３ａ，３ｂ
を接合したため、半導体チップ２の表面へのワイヤーボ
ンド時の加圧力の影響が低減し、品質信頼性上の特性劣
化のない半導体装置を得ることができる。
固に接合した構造の半導体装置およびその製造方法を提
供する。 【構成】 インナーリード部群３の下面全域に形成した
第１の樹脂部７ａ，７ｂおよび第２の樹脂部８ａ，８ｂ
で、半導体チップ２の表面と接合することで、インナー
リード部群３と半導体チップ２とが堅固に固定され、各
リード片の上下方向のばらつきを防止し、確実に固定し
てワイヤーボンドすることができ、インナーリード部３
と金属細線５との接合状態が安定した。そのため、樹脂
封止前の接合不良発生が大幅に低減する。また、半導体
チップ２に第１の樹脂部７ａ，７ｂ、第２の樹脂部８
ａ，８ｂの２層を介してインナーリード部群３ａ，３ｂ
を接合したため、半導体チップ２の表面へのワイヤーボ
ンド時の加圧力の影響が低減し、品質信頼性上の特性劣
化のない半導体装置を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の実装技
術、とりわけＬＯＣ（Lead On Chip）構造の実装技術に
特徴を有する半導体装置およびその製造方法に関するも
のである。
術、とりわけＬＯＣ（Lead On Chip）構造の実装技術に
特徴を有する半導体装置およびその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、主にメモリ素子において、チップ
サイズが大型化する傾向が著しく、これに対してパッケ
ージ外形寸法は規格化され、できる限り小型パッケージ
に収容したいという要望が強いため、インナーリード部
群をチップ内部にまで延在させた、いわゆるＬＯＣ構造
のパッケージが用いられるようになりつつある。
サイズが大型化する傾向が著しく、これに対してパッケ
ージ外形寸法は規格化され、できる限り小型パッケージ
に収容したいという要望が強いため、インナーリード部
群をチップ内部にまで延在させた、いわゆるＬＯＣ構造
のパッケージが用いられるようになりつつある。
【０００３】従来のＬＯＣ構造の半導体装置について図
３を参照しながら説明する。図３において、従来の半導
体装置は、表面内側に電極１が形成された長方形の半導
体チップ２に対して、リードフレームのインナーリード
部群３ａ，３ｂが接着剤４により前記電極１付近に接合
されている。そして、インナーリード部群３ａ，３ｂと
電極１とがワイヤーボンド法によって金属細線５で配線
されている。半導体チップ２およびインナーリード部群
３ａ，３ｂを含む周囲は、封止樹脂６により封止されて
いる。なお、図３は、長方形の半導体チップの長手方向
の断面を示すものである。
３を参照しながら説明する。図３において、従来の半導
体装置は、表面内側に電極１が形成された長方形の半導
体チップ２に対して、リードフレームのインナーリード
部群３ａ，３ｂが接着剤４により前記電極１付近に接合
されている。そして、インナーリード部群３ａ，３ｂと
電極１とがワイヤーボンド法によって金属細線５で配線
されている。半導体チップ２およびインナーリード部群
３ａ，３ｂを含む周囲は、封止樹脂６により封止されて
いる。なお、図３は、長方形の半導体チップの長手方向
の断面を示すものである。
【０００４】次に従来の半導体装置の製造方法につい
て、図４を参照しながら説明する。まず、図４（ａ）に
示すように半導体チップ２に接合するためのリードフレ
ームのインナーリード部群３ａ，３ｂの先端部下面にテ
ープ状の接着剤４を加熱・加圧して接着する。次に、図
４（ｂ），（ｃ）に示すように、同様に加熱・加圧によ
りインナーリード部群３ａ，３ｂに接着した接着剤４を
半導体チップ２に接着し、接着剤４を介してインナーリ
ード部群３ａ，３ｂを半導体チップ２面上の電極１付近
に固定する。この状態で半導体チップ２上の電極パッド
１とインナーリード部群３ａ，３ｂとを金属細線５を用
いてワイヤーボンディング法により各々接続する。そし
て、これらを封止樹脂６で封止し、図３に示すようなＬ
ＯＣ構造の半導体装置を完成する。図３は、図４（ｃ）
におけるＡ−Ａ１線に沿った（長手方向）断面図であ
る。
て、図４を参照しながら説明する。まず、図４（ａ）に
示すように半導体チップ２に接合するためのリードフレ
ームのインナーリード部群３ａ，３ｂの先端部下面にテ
ープ状の接着剤４を加熱・加圧して接着する。次に、図
４（ｂ），（ｃ）に示すように、同様に加熱・加圧によ
りインナーリード部群３ａ，３ｂに接着した接着剤４を
半導体チップ２に接着し、接着剤４を介してインナーリ
ード部群３ａ，３ｂを半導体チップ２面上の電極１付近
に固定する。この状態で半導体チップ２上の電極パッド
１とインナーリード部群３ａ，３ｂとを金属細線５を用
いてワイヤーボンディング法により各々接続する。そし
て、これらを封止樹脂６で封止し、図３に示すようなＬ
ＯＣ構造の半導体装置を完成する。図３は、図４（ｃ）
におけるＡ−Ａ１線に沿った（長手方向）断面図であ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の構成では、樹脂封止前は、リードフレームのインナー
リード部群の各リード片の先端部にのみ接着剤を貼り付
けているため、半導体チップとインナーリード部群との
接合が弱く、インナーリード部群と金属細線との接合状
態が不安定であり、またインナーリード部群の各リード
片の上下方向のばらつきが発生していた。そのため樹脂
封止前までに接合不良が発生していた。
の構成では、樹脂封止前は、リードフレームのインナー
リード部群の各リード片の先端部にのみ接着剤を貼り付
けているため、半導体チップとインナーリード部群との
接合が弱く、インナーリード部群と金属細線との接合状
態が不安定であり、またインナーリード部群の各リード
片の上下方向のばらつきが発生していた。そのため樹脂
封止前までに接合不良が発生していた。
【０００６】その製造方法においては、半導体チップと
インナーリード部群とを相互に固定するための接着剤
が、インナーリード部群の各リード片毎に貼り付ける必
要があり、接着剤の貼り付け作業がインナーリード部群
の各リード片毎に必要であるため、工程が複雑化してい
た。
インナーリード部群とを相互に固定するための接着剤
が、インナーリード部群の各リード片毎に貼り付ける必
要があり、接着剤の貼り付け作業がインナーリード部群
の各リード片毎に必要であるため、工程が複雑化してい
た。
【０００７】本発明は、半導体チップとインナーリード
部とをより強固に接合した構造の半導体装置およびその
製造方法を提供することを目的とする。
部とをより強固に接合した構造の半導体装置およびその
製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明の半導体装置は、ポリイミド樹脂のみ
で半導体チップをインナーリード部群に接合した構造を
有している。また、インナーリード部群の先端のみなら
ず、インナーリード部群領域全部でポリイミド樹脂によ
り半導体チップを接合した構造を有している。
るために、本発明の半導体装置は、ポリイミド樹脂のみ
で半導体チップをインナーリード部群に接合した構造を
有している。また、インナーリード部群の先端のみなら
ず、インナーリード部群領域全部でポリイミド樹脂によ
り半導体チップを接合した構造を有している。
【０００９】また、本発明の製造方法においては、半導
体チップ表面にポリイミド樹脂を塗布し、ポリイミドコ
ーティング処理した後、さらに同質のポリイミド樹脂を
塗布し、塗布したポリイミド樹脂が接着力を有している
うちにリードフレームのインナーリード部群を押圧し、
ポリイミド樹脂を熱硬化させるものである。
体チップ表面にポリイミド樹脂を塗布し、ポリイミドコ
ーティング処理した後、さらに同質のポリイミド樹脂を
塗布し、塗布したポリイミド樹脂が接着力を有している
うちにリードフレームのインナーリード部群を押圧し、
ポリイミド樹脂を熱硬化させるものである。
【００１０】
【作用】本発明の半導体装置においては、上述のように
半導体チップ、リードフレームとの接着力の強い樹脂の
みで半導体チップをインナーリード部群に接合している
ので、強固に固定できる。またインナーリード部群全面
を第２の樹脂で半導体チップ表面に接合しているので、
接合力を向上できるとともに、インナーリードの上下方
向のばらつきを防止し、インナーリード部群と金属細線
との接合状態を安定にできる。さらに第１、第２の樹脂
には、ポリイミド樹脂を用いているので、α線対策にも
有効である。
半導体チップ、リードフレームとの接着力の強い樹脂の
みで半導体チップをインナーリード部群に接合している
ので、強固に固定できる。またインナーリード部群全面
を第２の樹脂で半導体チップ表面に接合しているので、
接合力を向上できるとともに、インナーリードの上下方
向のばらつきを防止し、インナーリード部群と金属細線
との接合状態を安定にできる。さらに第１、第２の樹脂
には、ポリイミド樹脂を用いているので、α線対策にも
有効である。
【００１１】また、本発明の製造方法においては、第１
の樹脂部を形成し、そして塗布直後の第２の樹脂に対し
て、インナーリード部群を押圧するので、樹脂が接着力
を有しているうちにインナーリード部群を半導体チップ
表面に接合することができる。すなわち、半導体チップ
表面にあらかじめポリイミドコートし、さらに同質のポ
リイミド樹脂によりインナーリード部群を接合するの
で、半導体チップ／ポリイミド樹脂／ポリイミド樹脂／
インナーリード部群の構造となり、半導体チップとイン
ナーリード部群との接合力が向上する。さらに、インナ
ーリード部群の各リード片毎に接着剤テープを貼り付け
る必要がなくなり、工程の簡素化および低コスト化が図
れる。
の樹脂部を形成し、そして塗布直後の第２の樹脂に対し
て、インナーリード部群を押圧するので、樹脂が接着力
を有しているうちにインナーリード部群を半導体チップ
表面に接合することができる。すなわち、半導体チップ
表面にあらかじめポリイミドコートし、さらに同質のポ
リイミド樹脂によりインナーリード部群を接合するの
で、半導体チップ／ポリイミド樹脂／ポリイミド樹脂／
インナーリード部群の構造となり、半導体チップとイン
ナーリード部群との接合力が向上する。さらに、インナ
ーリード部群の各リード片毎に接着剤テープを貼り付け
る必要がなくなり、工程の簡素化および低コスト化が図
れる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の半導体装置における一実施例
について、図面を参照しながら説明する。
について、図面を参照しながら説明する。
【００１３】図１は本発明の第１の実施例を示したもの
である。本実施例は、図１に示すように、表面内側に電
極１が配列形成された形状が長方形の半導体チップ２に
対して、リードフレームのインナーリード部群３ａ，３
ｂが第１の樹脂部７ａ，７ｂおよび第２の樹脂部８ａ，
８ｂにより前記半導体チップ２の上面の電極１付近に接
合されている。そして、第１の樹脂部７ａ，７ｂおよび
第２の樹脂部８ａ，８ｂは、インナーリード部群３ａ，
３ｂの各々の下面全域に設けられている。そして、イン
ナーリード部群３ａ，３ｂの各リード片と電極１とがワ
イヤーボンド法によって金属細線５で配線されている。
半導体チップ２およびインナーリード部群３ａ，３ｂを
含む周囲は、封止樹脂６により封止されている。なお、
半導体チップ２とインナーリード部群３ａ，３ｂとを接
合している第１の樹脂部７ａ，７ｂおよび第２の樹脂部
８ａ，８ｂは、ともにポリイミド樹脂である。なお、図
１は、長方形の半導体チップの長手方向の断面を示すも
のである。
である。本実施例は、図１に示すように、表面内側に電
極１が配列形成された形状が長方形の半導体チップ２に
対して、リードフレームのインナーリード部群３ａ，３
ｂが第１の樹脂部７ａ，７ｂおよび第２の樹脂部８ａ，
８ｂにより前記半導体チップ２の上面の電極１付近に接
合されている。そして、第１の樹脂部７ａ，７ｂおよび
第２の樹脂部８ａ，８ｂは、インナーリード部群３ａ，
３ｂの各々の下面全域に設けられている。そして、イン
ナーリード部群３ａ，３ｂの各リード片と電極１とがワ
イヤーボンド法によって金属細線５で配線されている。
半導体チップ２およびインナーリード部群３ａ，３ｂを
含む周囲は、封止樹脂６により封止されている。なお、
半導体チップ２とインナーリード部群３ａ，３ｂとを接
合している第１の樹脂部７ａ，７ｂおよび第２の樹脂部
８ａ，８ｂは、ともにポリイミド樹脂である。なお、図
１は、長方形の半導体チップの長手方向の断面を示すも
のである。
【００１４】以上のように、インナーリード部群３ａ，
３ｂの下面全域に形成した第１の樹脂部７ａ，７ｂおよ
び第２の樹脂部８ａ，８ｂで、半導体チップ２の表面と
接合することによって、インナーリード部群３ａ，３ｂ
と半導体チップ２とが堅固に固定され、各リード片の上
下方向のばらつきを防止し、確実に固定してワイヤーボ
ンドすることができ、インナーリード部群３ａ，３ｂと
金属細線５との接合状態が安定する。そのため、樹脂封
止前の接合不良発生を大幅に低減することができる。ま
た、半導体チップ２に第１の樹脂部７ａ，７ｂ、第２の
樹脂部８ａ，８ｂの２層を介してインナーリード部群３
ａ，３ｂを接合しているため、半導体チップ２の表面へ
のワイヤーボンド時の加圧力の影響が低減する。その結
果、品質信頼性上の特性劣化のない半導体装置を得るこ
とができる。
３ｂの下面全域に形成した第１の樹脂部７ａ，７ｂおよ
び第２の樹脂部８ａ，８ｂで、半導体チップ２の表面と
接合することによって、インナーリード部群３ａ，３ｂ
と半導体チップ２とが堅固に固定され、各リード片の上
下方向のばらつきを防止し、確実に固定してワイヤーボ
ンドすることができ、インナーリード部群３ａ，３ｂと
金属細線５との接合状態が安定する。そのため、樹脂封
止前の接合不良発生を大幅に低減することができる。ま
た、半導体チップ２に第１の樹脂部７ａ，７ｂ、第２の
樹脂部８ａ，８ｂの２層を介してインナーリード部群３
ａ，３ｂを接合しているため、半導体チップ２の表面へ
のワイヤーボンド時の加圧力の影響が低減する。その結
果、品質信頼性上の特性劣化のない半導体装置を得るこ
とができる。
【００１５】次に、本発明の半導体装置の製造方法にお
ける一実施例について、図２を参照しながら説明する。
ける一実施例について、図２を参照しながら説明する。
【００１６】まず、図２（ａ）に示すように、電極１を
その表面に有した半導体チップ２の表面全面に第１の樹
脂部７ａ，７ｂを形成する。図においては、チップ状態
を示しているが、第１の樹脂部７ａ，７ｂの形成は、半
導体チップ２が複数個形成され、まだ分割されていない
状態のウェハー状態で形成するものである。また、第１
の樹脂部７ａ，７ｂを形成する際には、半導体チップ２
の電極１に対応する部分を窓開けし、電極１の部分を露
出させておく。本実施例では、第１の樹脂部７ａ，７ｂ
としてα線対策用にポリイミド樹脂を用い、それを硬化
させておく。図中、第１の樹脂部７ａ，７ｂの領域に
は、説明の便宜上、ハッチングを付している。
その表面に有した半導体チップ２の表面全面に第１の樹
脂部７ａ，７ｂを形成する。図においては、チップ状態
を示しているが、第１の樹脂部７ａ，７ｂの形成は、半
導体チップ２が複数個形成され、まだ分割されていない
状態のウェハー状態で形成するものである。また、第１
の樹脂部７ａ，７ｂを形成する際には、半導体チップ２
の電極１に対応する部分を窓開けし、電極１の部分を露
出させておく。本実施例では、第１の樹脂部７ａ，７ｂ
としてα線対策用にポリイミド樹脂を用い、それを硬化
させておく。図中、第１の樹脂部７ａ，７ｂの領域に
は、説明の便宜上、ハッチングを付している。
【００１７】次に、図２（ｂ）に示すように、第１の樹
脂部７ａ，７ｂがコーティングされた半導体チップ２に
対して、さらに第２の樹脂部８ａ，８ｂを形成する。こ
の第２の樹脂部８ａ，８ｂの形成は、ノズル式の樹脂吐
出器９によりスポット的に行ない、半導体チップ２の電
極１部分に第２の樹脂部８ａ，８ｂが形成されないよう
に注意する。本実施例では、第２の樹脂部８ａ，８ｂと
して、第１の樹脂部７ａ，７ｂと同じ組成のポリイミド
樹脂を用いる。またこの工程は、チップ状態で行なう。
脂部７ａ，７ｂがコーティングされた半導体チップ２に
対して、さらに第２の樹脂部８ａ，８ｂを形成する。こ
の第２の樹脂部８ａ，８ｂの形成は、ノズル式の樹脂吐
出器９によりスポット的に行ない、半導体チップ２の電
極１部分に第２の樹脂部８ａ，８ｂが形成されないよう
に注意する。本実施例では、第２の樹脂部８ａ，８ｂと
して、第１の樹脂部７ａ，７ｂと同じ組成のポリイミド
樹脂を用いる。またこの工程は、チップ状態で行なう。
【００１８】そして図２（ｃ）に示すように、第２の樹
脂部８ａ，８ｂを樹脂吐出器９により形成した直後に連
続して、リードフレームのインナーリード部群３ａ，３
ｂを半導体チップ２の表面の第２の樹脂部８ａ，８ｂに
押圧する。ここでは、第２の樹脂部８ａ，８ｂがまだ乾
燥、硬化していず接着力を有しているうちにインナーリ
ード部群３ａ，３ｂを押圧する必要がある。そして、イ
ンナーリード部群３ａ，３ｂを押圧した後は、第２の樹
脂部８ａ，８ｂを熱処理等により硬化させ、半導体チッ
プ２とインナーリード部群３ａ，３ｂとを確実に接合す
る。
脂部８ａ，８ｂを樹脂吐出器９により形成した直後に連
続して、リードフレームのインナーリード部群３ａ，３
ｂを半導体チップ２の表面の第２の樹脂部８ａ，８ｂに
押圧する。ここでは、第２の樹脂部８ａ，８ｂがまだ乾
燥、硬化していず接着力を有しているうちにインナーリ
ード部群３ａ，３ｂを押圧する必要がある。そして、イ
ンナーリード部群３ａ，３ｂを押圧した後は、第２の樹
脂部８ａ，８ｂを熱処理等により硬化させ、半導体チッ
プ２とインナーリード部群３ａ，３ｂとを確実に接合す
る。
【００１９】そして、図２（ｄ）に示すように、半導体
チップ２表面上の電極１とインナーリード部群３ａ，３
ｂの各リード片とを、金属細線５によってワイヤーボン
ディング法で相互接続する。ここでは、インナーリード
部群３ａ，３ｂの全面を第２の樹脂部８ａ，８ｂで半導
体チップ２の表面に接合しているので、接合力が向上
し、インナーリードの上下方向のばらつきを防止し、半
導体チップ２とインナーリード部群３との金属細線５に
よる接合を確実に行なうことができる。
チップ２表面上の電極１とインナーリード部群３ａ，３
ｂの各リード片とを、金属細線５によってワイヤーボン
ディング法で相互接続する。ここでは、インナーリード
部群３ａ，３ｂの全面を第２の樹脂部８ａ，８ｂで半導
体チップ２の表面に接合しているので、接合力が向上
し、インナーリードの上下方向のばらつきを防止し、半
導体チップ２とインナーリード部群３との金属細線５に
よる接合を確実に行なうことができる。
【００２０】最後に半導体チップ２および接合したイン
ナーリード部群３ａ，３ｂを含む周囲を、封止樹脂６に
より封止する。以上の工程により、図１に示すようなＬ
ＯＣ構造の半導体装置が完成する。図１は、図２（ｄ）
におけるＡ−Ａ１線に沿った（長手方向）断面図であ
る。
ナーリード部群３ａ，３ｂを含む周囲を、封止樹脂６に
より封止する。以上の工程により、図１に示すようなＬ
ＯＣ構造の半導体装置が完成する。図１は、図２（ｄ）
におけるＡ−Ａ１線に沿った（長手方向）断面図であ
る。
【００２１】以上のように、本実施例では半導体チップ
２表面にあらかじめ第１の樹脂部７ａ，７ｂを形成し、
さらに同じ組成の第２の樹脂部８ａ，８ｂによりインナ
ーリード部群を接合するので、半導体チップ２／第１の
樹脂部／第２の樹脂部／インナーリード部群３ａ，３ｂ
の構造となり、半導体チップ２とインナーリード部群３
ａ，３ｂとの接合力が向上する。すなわち、第１の樹脂
部７ａ，７ｂと半導体チップ２との接合強度は、あらか
じめ第１の樹脂部７ａ，７ｂを形成しておくことで十分
になり、続いて第２の樹脂部８ａ，８ｂによってインナ
ーリード部群３ａ，３ｂを接合するので、インナーリー
ド部群３ａ，３ｂと第２の樹脂部８ａ，８ｂとの接合強
度を得て、第１の樹脂部７ａ，７ｂと第２の樹脂部８
ａ，８ｂとでは、同じ組成の樹脂であるので、接合強度
は十分であり、結果として、半導体チップ２とインナー
リード部群３ａ，３ｂとは、強固に接合されることにな
る。
２表面にあらかじめ第１の樹脂部７ａ，７ｂを形成し、
さらに同じ組成の第２の樹脂部８ａ，８ｂによりインナ
ーリード部群を接合するので、半導体チップ２／第１の
樹脂部／第２の樹脂部／インナーリード部群３ａ，３ｂ
の構造となり、半導体チップ２とインナーリード部群３
ａ，３ｂとの接合力が向上する。すなわち、第１の樹脂
部７ａ，７ｂと半導体チップ２との接合強度は、あらか
じめ第１の樹脂部７ａ，７ｂを形成しておくことで十分
になり、続いて第２の樹脂部８ａ，８ｂによってインナ
ーリード部群３ａ，３ｂを接合するので、インナーリー
ド部群３ａ，３ｂと第２の樹脂部８ａ，８ｂとの接合強
度を得て、第１の樹脂部７ａ，７ｂと第２の樹脂部８
ａ，８ｂとでは、同じ組成の樹脂であるので、接合強度
は十分であり、結果として、半導体チップ２とインナー
リード部群３ａ，３ｂとは、強固に接合されることにな
る。
【００２２】また、インナーリード部群３ａ，３ｂの各
リード片毎に接着剤テープを貼り付ける必要がなくな
り、工程の簡素化および低コスト化が図れる。
リード片毎に接着剤テープを貼り付ける必要がなくな
り、工程の簡素化および低コスト化が図れる。
【００２３】なお、本実施例では、第１の樹脂部７ａ，
７ｂ、第２の樹脂部８ａ，８ｂにはそれぞれポリイミド
樹脂を用いたが、ポリイミド樹脂以外でもよく、半導体
チップ２、インナーリード部群３ａ，３ｂとの接着に機
能する性質を有し、さらに絶縁性を有した樹脂であれば
よい。また、本実施例では、第１の樹脂部７ａ，７ｂ、
第２の樹脂部８ａ，８ｂは、半導体チップ２の電極１以
外のほぼ全域に形成しているが、樹脂の接着力の強度に
より、部分形成であってもよい。
７ｂ、第２の樹脂部８ａ，８ｂにはそれぞれポリイミド
樹脂を用いたが、ポリイミド樹脂以外でもよく、半導体
チップ２、インナーリード部群３ａ，３ｂとの接着に機
能する性質を有し、さらに絶縁性を有した樹脂であれば
よい。また、本実施例では、第１の樹脂部７ａ，７ｂ、
第２の樹脂部８ａ，８ｂは、半導体チップ２の電極１以
外のほぼ全域に形成しているが、樹脂の接着力の強度に
より、部分形成であってもよい。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、第１の樹脂部と第２の
樹脂部とにより、リードフレームのインナーリード部群
の下面と半導体チップの表面とを接合することによっ
て、インナーリード部群と半導体チップとが堅固に固定
され、インナーリード部と金属細線との接合状態が安定
した半導体装置を実現することができる。そして半導体
チップに２層の樹脂部を介してインナーリード部群を接
合しているため、半導体チップの表面へのワイヤーボン
ド時の加圧力の影響を低減させ、信頼性上の特性劣化の
ない半導体装置を実現できる。
樹脂部とにより、リードフレームのインナーリード部群
の下面と半導体チップの表面とを接合することによっ
て、インナーリード部群と半導体チップとが堅固に固定
され、インナーリード部と金属細線との接合状態が安定
した半導体装置を実現することができる。そして半導体
チップに２層の樹脂部を介してインナーリード部群を接
合しているため、半導体チップの表面へのワイヤーボン
ド時の加圧力の影響を低減させ、信頼性上の特性劣化の
ない半導体装置を実現できる。
【００２５】また、第１の樹脂部を形成し、そして塗布
直後の第２の樹脂に対して、インナーリード部群を押圧
するので、樹脂が接着力を有しているうちにインナーリ
ード部群を半導体チップ表面に接合することができる。
すなわち、半導体チップ表面にあらかじめポリイミドコ
ートし、さらに同質のポリイミド樹脂によりインナーリ
ード部群を接合するので、半導体チップ／ポリイミド樹
脂／ポリイミド樹脂／インナーリード部群の構造とな
り、半導体チップとインナーリード部群との接合力が向
上する。また、インナーリード部群全面を第２の樹脂で
半導体チップ表面に接合しているので、接合力が向上
し、インナーリードの上下方向のばらつきを防止し、半
導体チップとインナーリード部群との金属細線による接
合を確実に行なうことができる。さらに、インナーリー
ド部群の各リード片毎に接着剤テープを貼り付ける必要
がなくなり、工程の簡素化および低コスト化が図れる。
直後の第２の樹脂に対して、インナーリード部群を押圧
するので、樹脂が接着力を有しているうちにインナーリ
ード部群を半導体チップ表面に接合することができる。
すなわち、半導体チップ表面にあらかじめポリイミドコ
ートし、さらに同質のポリイミド樹脂によりインナーリ
ード部群を接合するので、半導体チップ／ポリイミド樹
脂／ポリイミド樹脂／インナーリード部群の構造とな
り、半導体チップとインナーリード部群との接合力が向
上する。また、インナーリード部群全面を第２の樹脂で
半導体チップ表面に接合しているので、接合力が向上
し、インナーリードの上下方向のばらつきを防止し、半
導体チップとインナーリード部群との金属細線による接
合を確実に行なうことができる。さらに、インナーリー
ド部群の各リード片毎に接着剤テープを貼り付ける必要
がなくなり、工程の簡素化および低コスト化が図れる。
【図１】本発明の半導体装置における一実施例の断面図
【図２】本発明の半導体装置の製造方法における一実施
例を説明するための工程図
例を説明するための工程図
【図３】従来の半導体装置の一例を示す断面図
【図４】従来の半導体装置の製造方法の一例を説明する
ための工程図
ための工程図
１ 電極 ２ 半導体チップ ３ａ，３ｂ インナーリード部群 ４ 接着剤 ５ 金属細線 ６ 封止樹脂 ７ａ，７ｂ 第１の樹脂部 ８ａ，８ｂ 第２の樹脂部 ９ 樹脂吐出器
Claims (5)
- 【請求項１】 表面に電極が形成された半導体チップ
と、前記半導体チップ上に接合された第１の樹脂部と、
前記第１の樹脂部上に接合された第２の樹脂部と、前記
第２の樹脂部と接合し、前記半導体チップ上の前記電極
付近に固定されたインナーリード部群を備えたリードフ
レームと、前記インナーリード部群の各リード片先端部
と前記半導体チップ上の前記電極とを接続した金属細線
と、前記半導体チップおよび前記インナーリード部群を
含む領域を封止した封止樹脂とよりなることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項２】 第１の樹脂部および第２の樹脂部は、と
もに同じ組成の樹脂であることを特徴とする請求項１記
載の半導体装置。 - 【請求項３】 第１の樹脂部および第２の樹脂部は、と
もに同じ組成のポリイミド系樹脂であることを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】 第１の樹脂部がその表面に形成された半
導体チップを準備する工程と、前記半導体チップの前記
第１の樹脂部上に第２の樹脂部を形成する工程と、前記
第２の樹脂部を形成する工程に連続して、前記第２の樹
脂部が乾燥しない間にリードフレームのインナーリード
部群の下面を前記半導体チップ上の第２の樹脂部に押圧
する工程と、前記第２の樹脂部を硬化させ、インナーリ
ード部群を前記第２の樹脂部に接合する工程と、前記半
導体チップの表面に形成された電極と前記インナーリー
ド部群の各リード片とを細線により相互接続する工程
と、前記半導体チップおよび固定したインナーリード部
群を含む領域を封止樹脂により封止する工程とを備えた
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 半導体チップ上の第１の樹脂部上に第２
の樹脂部を形成する工程が、樹脂吐出器により第２の樹
脂部を形成する工程であることを特徴とする請求項４記
載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19303595A JPH0945845A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19303595A JPH0945845A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945845A true JPH0945845A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16301088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19303595A Pending JPH0945845A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0945845A (ja) |
-
1995
- 1995-07-28 JP JP19303595A patent/JPH0945845A/ja active Pending
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