JPH11243102A - 樹脂封止半導体装置および樹脂封止半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止半導体装置および樹脂封止半導体装置の製造方法Info
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- JPH11243102A JPH11243102A JP10042628A JP4262898A JPH11243102A JP H11243102 A JPH11243102 A JP H11243102A JP 10042628 A JP10042628 A JP 10042628A JP 4262898 A JP4262898 A JP 4262898A JP H11243102 A JPH11243102 A JP H11243102A
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 封止樹脂材に含まれるフィラーにより半導体
チップが傷つけられることのない、ＬＯＣ型の樹脂封止
半導体装置を提供する。 【解決手段】 インナーリード１１の半導体チップ１３
と重なる部分において、この半導体チップ１３に対向す
る面上に、このインナーリード１１の厚さを他の部分の
厚さの約半分とする凹部１１ｂを形成する。
チップが傷つけられることのない、ＬＯＣ型の樹脂封止
半導体装置を提供する。 【解決手段】 インナーリード１１の半導体チップ１３
と重なる部分において、この半導体チップ１３に対向す
る面上に、このインナーリード１１の厚さを他の部分の
厚さの約半分とする凹部１１ｂを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ等の半導体
チップを樹脂により封止して構成される樹脂封止半導体
装置および樹脂封止半導体装置の製造方法に関する。
チップを樹脂により封止して構成される樹脂封止半導体
装置および樹脂封止半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止半導体装置は、半導体チップと
この半導体チップの電極に接続されたリードとを備え、
半導体チップおよびリードの一端部を樹脂により封止し
て構成されている。近年の半導体装置の小型化、高集積
化に伴い、封止樹脂を含めた半導体装置全体の大きさを
小さくするために、リードの先端を半導体チップに重な
る位置まで引き込んで配置するＬＯＣ（Lead on Chip）
型の構造が用いられている。
この半導体チップの電極に接続されたリードとを備え、
半導体チップおよびリードの一端部を樹脂により封止し
て構成されている。近年の半導体装置の小型化、高集積
化に伴い、封止樹脂を含めた半導体装置全体の大きさを
小さくするために、リードの先端を半導体チップに重な
る位置まで引き込んで配置するＬＯＣ（Lead on Chip）
型の構造が用いられている。
【０００３】図５は従来のＬＯＣ型の樹脂封止半導体装
置の製造方法を示す工程図である。以下、図５を用い
て、従来の樹脂封止半導体装置の製造方法を説明する。
半導体チップ５３の回路形成面５３ａ上にリード５１の
一端部を絶縁テープ５２により接着する（図５
（ａ））。ここで、絶縁テープ５２は１００μｍ前後の
厚さを有するため、リード５１と半導体チップ５３との
間には、１００μｍ程度の幅を有する空間が生じる。
置の製造方法を示す工程図である。以下、図５を用い
て、従来の樹脂封止半導体装置の製造方法を説明する。
半導体チップ５３の回路形成面５３ａ上にリード５１の
一端部を絶縁テープ５２により接着する（図５
（ａ））。ここで、絶縁テープ５２は１００μｍ前後の
厚さを有するため、リード５１と半導体チップ５３との
間には、１００μｍ程度の幅を有する空間が生じる。
【０００４】次に、このリード５１と半導体チップ５３
の回路形成面５３ａ上に形成されたパッド５４とを、金
線５５によりワイヤボンドする（図５（ｂ））。そし
て、リード５１ごとこの半導体チップ５３を樹脂封止用
の金型５６内に設置し、封止樹脂材５７をゲート５６ａ
から金型５６内に注入した後に（図５（ｃ））、この封
止樹脂材５７を加熱硬化させる。
の回路形成面５３ａ上に形成されたパッド５４とを、金
線５５によりワイヤボンドする（図５（ｂ））。そし
て、リード５１ごとこの半導体チップ５３を樹脂封止用
の金型５６内に設置し、封止樹脂材５７をゲート５６ａ
から金型５６内に注入した後に（図５（ｃ））、この封
止樹脂材５７を加熱硬化させる。
【０００５】なお、半導体チップ５３およびインナーリ
ード５１の一端部を封止する封止樹脂材５７は、一般
に、重量比で２０％程度のエポキシ系等の樹脂と、残り
の８０％を占めるフィラーとが混合された材料からな
る。フィラーは、粒径が５０〜１００μｍのシリカ系の
固体であり、硬化後においてこの封止樹脂材の硬度を維
持するとともに実使用の際にチップから発生される熱に
よる樹脂の熱膨張を抑えるために混入されている。
ード５１の一端部を封止する封止樹脂材５７は、一般
に、重量比で２０％程度のエポキシ系等の樹脂と、残り
の８０％を占めるフィラーとが混合された材料からな
る。フィラーは、粒径が５０〜１００μｍのシリカ系の
固体であり、硬化後においてこの封止樹脂材の硬度を維
持するとともに実使用の際にチップから発生される熱に
よる樹脂の熱膨張を抑えるために混入されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図６（ａ）は、上述し
た方法により封止樹脂材５７が金型５６内に充填された
状態を示す縦断面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）
のリード５１近傍を拡大した図である。前述したよう
に、従来のＬＯＣ型の樹脂封止半導体装置の樹脂封止工
程では、金型５６の下方（リードフレーム５１よりも半
導体チップ５３側）に形成されたゲート５６ａから、封
止樹脂材５７が注入される。このため、封止樹脂材５７
注入の際、半導体チップ５３には樹脂の注入圧力がかか
り、図６（ｂ）に示すように半導体チップ５３がリード
５１側に押し上げられる。これにより、封止樹脂材５７
注入の初期の段階で半導体チップ５３とリード５１との
間の隙間に入り込んだフィラー５７ａが半導体チップ５
３に押しつけられることにより、半導体チップ５３の回
路形成面５３ａが傷つけられてしまうという問題があっ
た。このような問題は、近年の半導体装置の小型化の要
求に伴い、リード５１の厚さが薄くなってきたことで、
さらに顕著になっている。
た方法により封止樹脂材５７が金型５６内に充填された
状態を示す縦断面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）
のリード５１近傍を拡大した図である。前述したよう
に、従来のＬＯＣ型の樹脂封止半導体装置の樹脂封止工
程では、金型５６の下方（リードフレーム５１よりも半
導体チップ５３側）に形成されたゲート５６ａから、封
止樹脂材５７が注入される。このため、封止樹脂材５７
注入の際、半導体チップ５３には樹脂の注入圧力がかか
り、図６（ｂ）に示すように半導体チップ５３がリード
５１側に押し上げられる。これにより、封止樹脂材５７
注入の初期の段階で半導体チップ５３とリード５１との
間の隙間に入り込んだフィラー５７ａが半導体チップ５
３に押しつけられることにより、半導体チップ５３の回
路形成面５３ａが傷つけられてしまうという問題があっ
た。このような問題は、近年の半導体装置の小型化の要
求に伴い、リード５１の厚さが薄くなってきたことで、
さらに顕著になっている。
【０００７】そこで、フィラーにより半導体チップ表面
が傷つけられることのない、樹脂封止半導体装置を提供
することを、本発明の目的とする。また、このような樹
脂封止半導体装置を容易に製造できる製造方法を提供す
ることを、本発明の他の目的とする。
が傷つけられることのない、樹脂封止半導体装置を提供
することを、本発明の目的とする。また、このような樹
脂封止半導体装置を容易に製造できる製造方法を提供す
ることを、本発明の他の目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の樹脂封止半導体装置の第１の態様は、回路
形成面に複数の電極が形成された半導体チップと、先端
が前記半導体チップに重なる位置まで引き込まれた状態
で絶縁性の接着部材によりこの半導体チップ上に固定さ
れるとともに、前記各電極に対して電気的に接続された
複数のリードと、前記リードの前記半導体チップに対向
する面上において前記半導体チップに重なる部分に形成
された凹部と、フィラーを含む樹脂材料からなる封止樹
脂層であって、前記半導体チップおよびこの半導体チッ
プ上に固定された前記リードの先端を封止する封止樹脂
層とを備えることを特徴とする。
に、本発明の樹脂封止半導体装置の第１の態様は、回路
形成面に複数の電極が形成された半導体チップと、先端
が前記半導体チップに重なる位置まで引き込まれた状態
で絶縁性の接着部材によりこの半導体チップ上に固定さ
れるとともに、前記各電極に対して電気的に接続された
複数のリードと、前記リードの前記半導体チップに対向
する面上において前記半導体チップに重なる部分に形成
された凹部と、フィラーを含む樹脂材料からなる封止樹
脂層であって、前記半導体チップおよびこの半導体チッ
プ上に固定された前記リードの先端を封止する封止樹脂
層とを備えることを特徴とする。
【０００９】すなわち、本発明の第１態様の樹脂封止半
導体装置では、リードの半導体チップに重なる面上に、
当該リードの他の部分よりも厚さが薄い凹部が形成され
ている。このため、樹脂注入の際の圧力により半導体チ
ップがリード側に押し上げられても、リードと半導体チ
ップとの間隔を充分に保つことができるため、樹脂材料
に含まれるフィラーにより半導体チップが傷つけられる
のを防ぐことができる。
導体装置では、リードの半導体チップに重なる面上に、
当該リードの他の部分よりも厚さが薄い凹部が形成され
ている。このため、樹脂注入の際の圧力により半導体チ
ップがリード側に押し上げられても、リードと半導体チ
ップとの間隔を充分に保つことができるため、樹脂材料
に含まれるフィラーにより半導体チップが傷つけられる
のを防ぐことができる。
【００１０】なお、上記構成の樹脂封止半導体装置を用
いる場合には、前記リードに形成された凹部と前記半導
体チップ表面との間隔は、前記封止樹脂層に含まれるフ
ィラーの径よりも大きいことが望ましい。
いる場合には、前記リードに形成された凹部と前記半導
体チップ表面との間隔は、前記封止樹脂層に含まれるフ
ィラーの径よりも大きいことが望ましい。
【００１１】また、本発明の樹脂封止半導体装置の第２
の態様は、回路形成面に複数の電極が形成された半導体
チップと、先端が前記半導体チップに重なる位置まで引
き込まれた状態で絶縁性の接着部材によりこの半導体チ
ップ上に固定されるとともに、前記各電極に対して電気
的に接続された複数のリードであって、前記接着部材が
接着される部分の厚さが前記接着部材の厚さ分だけ当該
リードの他の部分の厚さよりも薄く形成されたリード
と、フィラーを含む樹脂材料からなる封止樹脂層であっ
て、前記半導体チップおよびこの半導体チップ上に固定
された前記リードの先端を封止する封止樹脂層とを備え
ることを特徴とする。
の態様は、回路形成面に複数の電極が形成された半導体
チップと、先端が前記半導体チップに重なる位置まで引
き込まれた状態で絶縁性の接着部材によりこの半導体チ
ップ上に固定されるとともに、前記各電極に対して電気
的に接続された複数のリードであって、前記接着部材が
接着される部分の厚さが前記接着部材の厚さ分だけ当該
リードの他の部分の厚さよりも薄く形成されたリード
と、フィラーを含む樹脂材料からなる封止樹脂層であっ
て、前記半導体チップおよびこの半導体チップ上に固定
された前記リードの先端を封止する封止樹脂層とを備え
ることを特徴とする。
【００１２】このように、第２態様の樹脂封止半導体装
置では、リードにおいて接着部材が接着される部分の厚
さを薄くすることにより、リードを半導体チップに接す
るように固定することができる。このため、樹脂注入の
際に、フィラーがリードと半導体チップとの間に入り込
むことがないので、半導体チップが傷つけられるのを防
ぐことができる。
置では、リードにおいて接着部材が接着される部分の厚
さを薄くすることにより、リードを半導体チップに接す
るように固定することができる。このため、樹脂注入の
際に、フィラーがリードと半導体チップとの間に入り込
むことがないので、半導体チップが傷つけられるのを防
ぐことができる。
【００１３】また、本発明の樹脂封止半導体装置の第３
の態様は、回路形成面に複数の電極が形成された半導体
チップと、先端が前記半導体チップに重なる位置まで引
き込まれた状態で、前記各電極に対して電気的に接続さ
れた複数のリードと、前記リードの前記半導体チップに
重なる部分の全域に接着されることにより前記リードを
前記半導体チップ上に固定する接着部材と、フィラーを
含む樹脂材料からなる封止樹脂層であって、前記半導体
チップおよびこの半導体チップ上に固定された前記リー
ドの先端を封止する封止樹脂層とを備えることを特徴と
する。
の態様は、回路形成面に複数の電極が形成された半導体
チップと、先端が前記半導体チップに重なる位置まで引
き込まれた状態で、前記各電極に対して電気的に接続さ
れた複数のリードと、前記リードの前記半導体チップに
重なる部分の全域に接着されることにより前記リードを
前記半導体チップ上に固定する接着部材と、フィラーを
含む樹脂材料からなる封止樹脂層であって、前記半導体
チップおよびこの半導体チップ上に固定された前記リー
ドの先端を封止する封止樹脂層とを備えることを特徴と
する。
【００１４】上記第３態様の樹脂封止半導体装置におい
ては、リードの半導体チップと重なる部分の全域にわた
って接着部材が接着されているので、樹脂注入の際にフ
ィラーがリードと半導体チップとの間に入り込むのを防
ぐことができる。
ては、リードの半導体チップと重なる部分の全域にわた
って接着部材が接着されているので、樹脂注入の際にフ
ィラーがリードと半導体チップとの間に入り込むのを防
ぐことができる。
【００１５】また、本発明の樹脂封止半導体装置の製造
方法は、リードの先端が半導体チップ上に重なる位置ま
で引き込まれ、このリードが接着部材により半導体チッ
プ上に固定され、この半導体チップおよびリードを封止
樹脂層により封止して構成される樹脂封止半導体装置の
製造方法であって、（i）リード材料の金属薄板上にお
いて前記リードの前記接着部材が接着されるべき位置の
全域にシート状の接着部材を貼り付ける接着部材貼着工
程と、（ii）前記接着部材貼着工程において前記接着部
材が貼り付けられたリード材料金属薄板を前記リードの
形状に形成するリード形成工程と、（iii）前記リード
形成工程において形成されたリードを前記リードに貼り
付けられた接着部材により前記半導体チップ上に固定す
るリード固定工程とを有することを特徴とする。
方法は、リードの先端が半導体チップ上に重なる位置ま
で引き込まれ、このリードが接着部材により半導体チッ
プ上に固定され、この半導体チップおよびリードを封止
樹脂層により封止して構成される樹脂封止半導体装置の
製造方法であって、（i）リード材料の金属薄板上にお
いて前記リードの前記接着部材が接着されるべき位置の
全域にシート状の接着部材を貼り付ける接着部材貼着工
程と、（ii）前記接着部材貼着工程において前記接着部
材が貼り付けられたリード材料金属薄板を前記リードの
形状に形成するリード形成工程と、（iii）前記リード
形成工程において形成されたリードを前記リードに貼り
付けられた接着部材により前記半導体チップ上に固定す
るリード固定工程とを有することを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて、本発明の
実施の形態を説明する。 ＜第１実施形態＞図１に本発明の第１実施形態による樹
脂封止半導体装置の部分的断面図を示す。本実施形態に
よる樹脂封止半導体装置は、半導体チップ１３と、この
半導体チップ１３において図１中上面となる回路形成面
１３ａ上に絶縁テープ１２（接着部材）を介してその先
端が接着された複数のリード１０と、これらリード１０
の一端部および半導体チップ１３全体を覆う封止樹脂層
１４とを備えるＬＯＣ型の樹脂封止半導体装置である。
実施の形態を説明する。 ＜第１実施形態＞図１に本発明の第１実施形態による樹
脂封止半導体装置の部分的断面図を示す。本実施形態に
よる樹脂封止半導体装置は、半導体チップ１３と、この
半導体チップ１３において図１中上面となる回路形成面
１３ａ上に絶縁テープ１２（接着部材）を介してその先
端が接着された複数のリード１０と、これらリード１０
の一端部および半導体チップ１３全体を覆う封止樹脂層
１４とを備えるＬＯＣ型の樹脂封止半導体装置である。
【００１７】半導体チップ１３の回路形成面１３ａ上に
は、複数の薄板状の金属からなるリード１０の一端部が
この半導体チップ１３に重ねられて配置されている。こ
れら各リード１０の先端部分は、ポリイミド等からなる
絶縁性のシート状物の両面に接着剤が塗布された絶縁テ
ープ１２により、この半導体チップ１３上に接着されて
いる。リード１０は、図示せぬ金線を介して半導体チッ
プ１３の回路形成面１３ａに形成された図示せぬパッド
（電極）にそれぞれ電気的に接続されている。そして、
リード１０の半導体チップ１３に接着された側の一端部
がこの半導体チップ１３とともに封止樹脂層１４により
樹脂封止されるとともに、他端部が封止樹脂層１４から
外部に延出されている。このリード１０を介して、半導
体チップ１３内の各回路と外部回路との間の信号の授受
が行われる。なお、以下、リード１０の封止樹脂層１４
により樹脂封止される部分を「インナーリード１１」と
いい、封止樹脂層１４から外部に延出される部分を「ア
ウターリード」という。
は、複数の薄板状の金属からなるリード１０の一端部が
この半導体チップ１３に重ねられて配置されている。こ
れら各リード１０の先端部分は、ポリイミド等からなる
絶縁性のシート状物の両面に接着剤が塗布された絶縁テ
ープ１２により、この半導体チップ１３上に接着されて
いる。リード１０は、図示せぬ金線を介して半導体チッ
プ１３の回路形成面１３ａに形成された図示せぬパッド
（電極）にそれぞれ電気的に接続されている。そして、
リード１０の半導体チップ１３に接着された側の一端部
がこの半導体チップ１３とともに封止樹脂層１４により
樹脂封止されるとともに、他端部が封止樹脂層１４から
外部に延出されている。このリード１０を介して、半導
体チップ１３内の各回路と外部回路との間の信号の授受
が行われる。なお、以下、リード１０の封止樹脂層１４
により樹脂封止される部分を「インナーリード１１」と
いい、封止樹脂層１４から外部に延出される部分を「ア
ウターリード」という。
【００１８】インナーリード１１において、半導体チッ
プ１３に対向する面１１ａには、インナーリード１１の
厚さを他の部分の厚さの約半分とする凹部１１ｂが形成
されている。この凹部１１ｂは、インナーリード１１に
おける絶縁テープ１２が接着された部分よりもアウター
リード側の位置から、半導体チップ１３の周縁に重なる
位置よりもややアウターリード側の位置にわたって形成
されている。凹部１１ｂは、インナーリード１１表面の
エッチング、あるいはプレスなどの塑性変形により形成
されている。
プ１３に対向する面１１ａには、インナーリード１１の
厚さを他の部分の厚さの約半分とする凹部１１ｂが形成
されている。この凹部１１ｂは、インナーリード１１に
おける絶縁テープ１２が接着された部分よりもアウター
リード側の位置から、半導体チップ１３の周縁に重なる
位置よりもややアウターリード側の位置にわたって形成
されている。凹部１１ｂは、インナーリード１１表面の
エッチング、あるいはプレスなどの塑性変形により形成
されている。
【００１９】なお、このリード１０の厚さは約１５０μ
ｍであり、インナーリード１１において凹部１１ｂが形
成された部分の厚さは約７５μｍである。すなわち、こ
の凹部１１ｂの深さは、約７５μｍである。そして、絶
縁テープ１２は、約１００μｍの厚さを有しているの
で、インナーリード１１の凹部１１ｂの底と半導体チッ
プ１３の回路形成面１３ａとの間隔は約１７５μｍとな
る。
ｍであり、インナーリード１１において凹部１１ｂが形
成された部分の厚さは約７５μｍである。すなわち、こ
の凹部１１ｂの深さは、約７５μｍである。そして、絶
縁テープ１２は、約１００μｍの厚さを有しているの
で、インナーリード１１の凹部１１ｂの底と半導体チッ
プ１３の回路形成面１３ａとの間隔は約１７５μｍとな
る。
【００２０】封止樹脂層は１４は、粒径が５０〜１００
μｍのシリカ系のフィラーを重量比で約８０％含み、残
りの２０％がエポキシ系の樹脂からなる封止樹脂材（樹
脂材料）により構成されている。フィラーは、この封止
樹脂層の強度を維持するとともに、樹脂封止半導体装置
の実使用の際に半導体チップから放出される熱による熱
膨張を抑えるために混入されている。封止樹脂層１４
は、予めリード１０が接着された半導体チップ１３を金
型内にセットし、この金型内に注入された封止樹脂剤を
加熱硬化させることにより形成されている。
μｍのシリカ系のフィラーを重量比で約８０％含み、残
りの２０％がエポキシ系の樹脂からなる封止樹脂材（樹
脂材料）により構成されている。フィラーは、この封止
樹脂層の強度を維持するとともに、樹脂封止半導体装置
の実使用の際に半導体チップから放出される熱による熱
膨張を抑えるために混入されている。封止樹脂層１４
は、予めリード１０が接着された半導体チップ１３を金
型内にセットし、この金型内に注入された封止樹脂剤を
加熱硬化させることにより形成されている。
【００２１】ここで、封止樹脂剤を金型内に注入する際
に、樹脂の注入圧力により半導体チップ１３がインナー
リード１１側に押し上げられることにより、インナーリ
ード１１と半導体チップ１３との間隔が狭まれてしま
う。しかし、本実施形態の半導体装置は、前述したよう
に、インナーリード１１の半導体チップ１３に対向する
面１１ａ上に凹部１１ｂが形成されているため、従来よ
りもインナーリード１１と半導体チップ１３との間隔を
大きく保つことができる。従って、樹脂の注入圧力によ
り半導体チップ１３がインナーリード１１側に押し上げ
られても、インナーリード１１と半導体チップ１３との
間にはフィラー径よりも充分大きな間隔が保たれるた
め、半導体チップ１３の表面がフィラーにより傷つけら
れることがない。しかも、インナーリード１１の凹部１
１ｂ以外の部分は従来と同様の厚さを有しているので、
リード１０の強度が低下することもない。
に、樹脂の注入圧力により半導体チップ１３がインナー
リード１１側に押し上げられることにより、インナーリ
ード１１と半導体チップ１３との間隔が狭まれてしま
う。しかし、本実施形態の半導体装置は、前述したよう
に、インナーリード１１の半導体チップ１３に対向する
面１１ａ上に凹部１１ｂが形成されているため、従来よ
りもインナーリード１１と半導体チップ１３との間隔を
大きく保つことができる。従って、樹脂の注入圧力によ
り半導体チップ１３がインナーリード１１側に押し上げ
られても、インナーリード１１と半導体チップ１３との
間にはフィラー径よりも充分大きな間隔が保たれるた
め、半導体チップ１３の表面がフィラーにより傷つけら
れることがない。しかも、インナーリード１１の凹部１
１ｂ以外の部分は従来と同様の厚さを有しているので、
リード１０の強度が低下することもない。
【００２２】さらに、従来よりも、インナーリード１１
と半導体チップ１３との間隔が大きくなるため、封止樹
脂材の注入時において、インナーリード１１と半導体チ
ップ１３の間の隙間での封止樹脂材の流れをスムーズに
することができ、封止樹脂材の未充填などを防ぐことも
できる。
と半導体チップ１３との間隔が大きくなるため、封止樹
脂材の注入時において、インナーリード１１と半導体チ
ップ１３の間の隙間での封止樹脂材の流れをスムーズに
することができ、封止樹脂材の未充填などを防ぐことも
できる。
【００２３】＜第２実施形態＞図２は、本発明の第２実
施形態による半導体装置の部分的概略図である。第２実
施形態の半導体装置は第１実施形態と同様のＬＯＣ型半
導体装置であって、インナーリードにおいて絶縁テープ
が接着される先端部分のみの厚さを他の部分よりも薄く
形成することを特徴とする。
施形態による半導体装置の部分的概略図である。第２実
施形態の半導体装置は第１実施形態と同様のＬＯＣ型半
導体装置であって、インナーリードにおいて絶縁テープ
が接着される先端部分のみの厚さを他の部分よりも薄く
形成することを特徴とする。
【００２４】リード２０において封止樹脂層１４に封止
されたインナーリード２１は、その端部が半導体チップ
１３の回路形成面１３ａ上に重ねられており、半導体チ
ップ１３に対向する面２１ａにおける先端部２１ｂが絶
縁テープ１２（接着部材）によって半導体チップ１３上
に接着されている。インナーリード２１の先端部２１ｂ
は、他の部分よりも絶縁テープ１２の厚さの分だけ薄く
形成されている。この先端部２１ｂはエッチングあるい
はプレスによって加工されている。
されたインナーリード２１は、その端部が半導体チップ
１３の回路形成面１３ａ上に重ねられており、半導体チ
ップ１３に対向する面２１ａにおける先端部２１ｂが絶
縁テープ１２（接着部材）によって半導体チップ１３上
に接着されている。インナーリード２１の先端部２１ｂ
は、他の部分よりも絶縁テープ１２の厚さの分だけ薄く
形成されている。この先端部２１ｂはエッチングあるい
はプレスによって加工されている。
【００２５】このような構成により、インナーリード２
１は、その先端部２１ｂが絶縁テープ１２に嵌合して半
導体チップ１３に接着されている。従って、インナーリ
ード２１と半導体チップ１３とは接した状態となってお
り、封止樹脂材注入の際にインナーリード２１と半導体
チップ１３との間にフィラーが入り込むことがない。こ
れにより、フィラーによる半導体チップ１３表面（回路
成形面１３ａ）へのダメージを防ぐことができる。ま
た、通常、半導体チップ１３の回路形成面１３ａ上には
樹脂等によりウェハコートが施されているので、インナ
ーリード２１が半導体チップ１３の回路成形面１３ａに
接していても、インナーリード２１が他の回路や素子と
ショートすることもない。
１は、その先端部２１ｂが絶縁テープ１２に嵌合して半
導体チップ１３に接着されている。従って、インナーリ
ード２１と半導体チップ１３とは接した状態となってお
り、封止樹脂材注入の際にインナーリード２１と半導体
チップ１３との間にフィラーが入り込むことがない。こ
れにより、フィラーによる半導体チップ１３表面（回路
成形面１３ａ）へのダメージを防ぐことができる。ま
た、通常、半導体チップ１３の回路形成面１３ａ上には
樹脂等によりウェハコートが施されているので、インナ
ーリード２１が半導体チップ１３の回路成形面１３ａに
接していても、インナーリード２１が他の回路や素子と
ショートすることもない。
【００２６】また、インナーリード２１の絶縁テープ１
２が接着されている先端部２１ｂが他の部分よりも薄く
形成されているため、封止樹脂層を含めた半導体装置全
体の厚さを、絶縁テープ１２の厚さの分だけ従来よりも
薄くすることができる。あるいは、半導体装置を従来と
同様の厚さに形成する場合においては、インナーリード
２１の外側（面２１ａの裏面側）の封止樹脂層１４を厚
く設定することができるため、封止樹脂材注入時の封止
樹脂材の流れを円滑にすることができる。
２が接着されている先端部２１ｂが他の部分よりも薄く
形成されているため、封止樹脂層を含めた半導体装置全
体の厚さを、絶縁テープ１２の厚さの分だけ従来よりも
薄くすることができる。あるいは、半導体装置を従来と
同様の厚さに形成する場合においては、インナーリード
２１の外側（面２１ａの裏面側）の封止樹脂層１４を厚
く設定することができるため、封止樹脂材注入時の封止
樹脂材の流れを円滑にすることができる。
【００２７】さらに、インナーリード２１の先端部２１
ｂが他の部分よりも薄く形成されているので、リード２
０を半導体チップ１３に接着する際は、この先端部２１
ｂが絶縁テープ１２に嵌合されるようにこのリード２０
の位置を決めればよい。従って、リード２０を半導体チ
ップ１３に接着する際の位置決め精度の向上が期待でき
る。
ｂが他の部分よりも薄く形成されているので、リード２
０を半導体チップ１３に接着する際は、この先端部２１
ｂが絶縁テープ１２に嵌合されるようにこのリード２０
の位置を決めればよい。従って、リード２０を半導体チ
ップ１３に接着する際の位置決め精度の向上が期待でき
る。
【００２８】＜第３実施形態＞図３（ａ）は、第３実施
形態による樹脂封止半導体装置の部分的断面図であり、
図３（ｂ）は、（ａ）のインナーリード部分の斜視図で
ある。第３実施形態の樹脂封止半導体装置は、ＬＯＣ型
の樹脂封止半導体装置において、インナーリード表面の
半導体チップに対向する部分の全域にわたって絶縁テー
プを貼着することを特徴とする。
形態による樹脂封止半導体装置の部分的断面図であり、
図３（ｂ）は、（ａ）のインナーリード部分の斜視図で
ある。第３実施形態の樹脂封止半導体装置は、ＬＯＣ型
の樹脂封止半導体装置において、インナーリード表面の
半導体チップに対向する部分の全域にわたって絶縁テー
プを貼着することを特徴とする。
【００２９】図３に示すように、リード３０のインナー
リード３１における半導体チップ１３と対向する面３１
ａ上には、この半導体チップ１３と重なる部分全体にわ
たってインナーリード３１とほぼ同様の平面形状を有す
る絶縁テープ３２（接着部材）が貼着されている。この
ような構造の樹脂装置半導体装置を用いることにより、
樹脂注入の際でも、インナーリード３１と半導体チップ
１３との間に封止樹脂材が入り込むことがないので、封
止樹脂材に含まれるフィラーによる半導体チップ１３表
面へのダメージを防ぐことができる。また、絶縁テープ
３２はインナーリード３１と同じ平面形状を有している
ため、絶縁テープ３２の接着面には封止樹脂層１４と直
接接する部分がない。よって、絶縁テープ３２と封止樹
脂層１４との剥離が生じることもない。
リード３１における半導体チップ１３と対向する面３１
ａ上には、この半導体チップ１３と重なる部分全体にわ
たってインナーリード３１とほぼ同様の平面形状を有す
る絶縁テープ３２（接着部材）が貼着されている。この
ような構造の樹脂装置半導体装置を用いることにより、
樹脂注入の際でも、インナーリード３１と半導体チップ
１３との間に封止樹脂材が入り込むことがないので、封
止樹脂材に含まれるフィラーによる半導体チップ１３表
面へのダメージを防ぐことができる。また、絶縁テープ
３２はインナーリード３１と同じ平面形状を有している
ため、絶縁テープ３２の接着面には封止樹脂層１４と直
接接する部分がない。よって、絶縁テープ３２と封止樹
脂層１４との剥離が生じることもない。
【００３０】以下、図４の工程図を用いて、本実施形態
の樹脂封止半導体装置を構成するリードの製造方法を説
明する。まず、図４（ａ）に示すようなリード材料から
なる薄板状のリードフレームベア４１のインナーリード
が形成される部分に、絶縁テープ４２を貼り付ける（図
４（ｂ））。そして、図４（ｃ）に示すように、この絶
縁テープ４２ごとリードフレームベア４１にプレス加工
を施すことにより、リード形状を形成する。すると、図
３に示すような、リード３０の平面形状における中心部
分、すなわちインナーリード３１の半導体チップ１３と
重なる部分の表面のみにこのリード３０と同様の平面形
状を有する絶縁テープ３２が貼着されたリードの構造を
得ることができる。
の樹脂封止半導体装置を構成するリードの製造方法を説
明する。まず、図４（ａ）に示すようなリード材料から
なる薄板状のリードフレームベア４１のインナーリード
が形成される部分に、絶縁テープ４２を貼り付ける（図
４（ｂ））。そして、図４（ｃ）に示すように、この絶
縁テープ４２ごとリードフレームベア４１にプレス加工
を施すことにより、リード形状を形成する。すると、図
３に示すような、リード３０の平面形状における中心部
分、すなわちインナーリード３１の半導体チップ１３と
重なる部分の表面のみにこのリード３０と同様の平面形
状を有する絶縁テープ３２が貼着されたリードの構造を
得ることができる。
【００３１】このように、予め、リードフレームベア４
１のインナーリード部分に絶縁テープ４２を貼着し、プ
レス等を用いてこの絶縁テープ４１とともにリード形状
を形成することにより、上述したリードフレームの構造
を少ない工程数で容易に得ることができる。
１のインナーリード部分に絶縁テープ４２を貼着し、プ
レス等を用いてこの絶縁テープ４１とともにリード形状
を形成することにより、上述したリードフレームの構造
を少ない工程数で容易に得ることができる。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、ＬＯＣ型の樹脂封止半
導体装置において、半導体チップが樹脂注入の際に封止
樹脂材に含まれるフィラーによって傷つけられることの
ない、信頼性の高い樹脂封止半導体装置を得ることがで
きる。
導体装置において、半導体チップが樹脂注入の際に封止
樹脂材に含まれるフィラーによって傷つけられることの
ない、信頼性の高い樹脂封止半導体装置を得ることがで
きる。
【図１】 本発明の第１実施形態による樹脂封止半導体
装置の部分的断面図
装置の部分的断面図
【図２】 本発明の第２実施形態による樹脂封止半導体
装置の部分的断面図
装置の部分的断面図
【図３】 本発明の第３実施形態による樹脂封止半導体
装置の部分的断面図（ａ），および部分的斜視図（ｂ）
装置の部分的断面図（ａ），および部分的斜視図（ｂ）
【図４】 本発明の第３実施形態による樹脂封止半導体
装置の製造方法を示す工程図
装置の製造方法を示す工程図
【図５】 従来技術による樹脂封止半導体装置の製造方
法を示す工程図
法を示す工程図
【図６】 （ａ）従来技術による樹脂封止半導体装置の
断面図，および（ｂ）従来技術の問題点を説明するため
の図６（ａ）の拡大図
断面図，および（ｂ）従来技術の問題点を説明するため
の図６（ａ）の拡大図
１０，２０，３０ リード １１，２１，３１ インナーリード １２，３２，４２ 絶縁テープ １３ 半導体チップ １４ 封止樹脂層 ４１ リードフレームベア
Claims (5)
- 【請求項１】回路形成面に複数の電極が形成された半導
体チップと、 先端が前記半導体チップに重なる位置まで引き込まれた
状態で絶縁性の接着部材によりこの半導体チップ上に固
定されるとともに、前記各電極に対して電気的に接続さ
れた複数のリードと、 前記リードの前記半導体チップに対向する面上において
前記半導体チップに重なる部分に形成された凹部と、 フィラーを含む樹脂材料からなる封止樹脂層であって、
前記半導体チップおよびこの半導体チップ上に固定され
た前記リードの先端を封止する封止樹脂層とを備えるこ
とを特徴とする樹脂封止半導体装置。 - 【請求項２】前記リードに形成された凹部と前記半導体
チップ表面との間隔は、前記封止樹脂層に含まれるフィ
ラーの径よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の
樹脂封止半導体装置。 - 【請求項３】回路形成面に複数の電極が形成された半導
体チップと、 先端が前記半導体チップに重なる位置まで引き込まれた
状態で絶縁性の接着部材によりこの半導体チップ上に固
定されるとともに、前記各電極に対して電気的に接続さ
れた複数のリードであって、前記接着部材が接着される
部分の厚さが前記接着部材の厚さ分だけ当該リードの他
の部分の厚さよりも薄く形成されたリードと、 フィラーを含む樹脂材料からなる封止樹脂層であって、
前記半導体チップおよびこの半導体チップ上に固定され
た前記リードの先端を封止する封止樹脂層とを備えるこ
とを特徴とする樹脂封止半導体装置。 - 【請求項４】回路形成面に複数の電極が形成された半導
体チップと、 先端が前記半導体チップに重なる位置まで引き込まれた
状態で、前記各電極に対して電気的に接続された複数の
リードと、 前記リードの前記半導体チップに重なる部分の全域に接
着されることにより前記リードを前記半導体チップ上に
固定する接着部材と、 フィラーを含む樹脂材料からなる封止樹脂層であって、
前記半導体チップおよびこの半導体チップ上に固定され
た前記リードの先端を封止する封止樹脂層とを備えるこ
とを特徴とする樹脂封止半導体装置。 - 【請求項５】リードの先端が半導体チップ上に重なる位
置まで引き込まれ、このリードが接着部材により半導体
チップ上に固定され、この半導体チップおよびリードを
封止樹脂層により封止して構成される樹脂封止半導体装
置の製造方法であって、 リード材料の金属薄板上において前記リードの前記接着
部材が接着されるべき位置の全域にシート状の接着部材
を貼り付ける接着部材貼着工程と、 前記接着部材貼着工程において前記接着部材が貼り付け
られたリード材料金属薄板を前記リードの形状に形成す
るリード形成工程と、 前記リード形成工程において形成されたリードを前記リ
ードに貼り付けられた接着部材により前記半導体チップ
上に固定するリード固定工程とを有することを特徴とす
る樹脂封止半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10042628A JPH11243102A (ja) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | 樹脂封止半導体装置および樹脂封止半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10042628A JPH11243102A (ja) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | 樹脂封止半導体装置および樹脂封止半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11243102A true JPH11243102A (ja) | 1999-09-07 |
Family
ID=12641292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10042628A Pending JPH11243102A (ja) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | 樹脂封止半導体装置および樹脂封止半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11243102A (ja) |
-
1998
- 1998-02-24 JP JP10042628A patent/JPH11243102A/ja active Pending
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