JPH04278548A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH04278548A JPH04278548A JP4039991A JP4039991A JPH04278548A JP H04278548 A JPH04278548 A JP H04278548A JP 4039991 A JP4039991 A JP 4039991A JP 4039991 A JP4039991 A JP 4039991A JP H04278548 A JPH04278548 A JP H04278548A
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- 239000011347 resin Substances 0.000 title description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title description 9
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 40
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 abstract 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置に
関し、特に大型の半導体ペレットを含む樹脂封止型半導
体装置に関する。
関し、特に大型の半導体ペレットを含む樹脂封止型半導
体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、通常の樹脂封止型半導体装置は、
金属薄板から成形されたリードフレームを使用して形成
されている。すなわち、半導体ペレットはリードフレー
ムの中央部に設けられたタブ（アイランド）上に接着固
定されており、半導体ペレット上に形成された電極パッ
ドはボンディング線によりタブの周囲に配置されたリー
ドと電気的に接続されている。そして、半導体ペレット
及びリードフレーム等は樹脂により封止されており、こ
の樹脂封止部から各リードが側方に導出されている。
金属薄板から成形されたリードフレームを使用して形成
されている。すなわち、半導体ペレットはリードフレー
ムの中央部に設けられたタブ（アイランド）上に接着固
定されており、半導体ペレット上に形成された電極パッ
ドはボンディング線によりタブの周囲に配置されたリー
ドと電気的に接続されている。そして、半導体ペレット
及びリードフレーム等は樹脂により封止されており、こ
の樹脂封止部から各リードが側方に導出されている。
【０００３】一方、近年半導体ペレットの大型化に伴い
、樹脂封止部の側面と半導体ペレット取り付け部である
タブとの間の距離が小さくなってきている。前述した構
造の樹脂封止型半導体装置においては、この距離が極端
に小さくなると、例えばリードの支持ができなくなる等
の不都合が発生する。このため、タブを無くし、リード
を絶縁シートを介して半導体ペレットに固定した構造の
樹脂封止型半導体装置が提案されている。（日経マイク
ロデバイス，１９８９年９月号，１０９〜１１４頁参照
）図５（Ａ），（Ｂ）は上述のタブを無くした構造の従
来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図及び主要部の平
面図である。
、樹脂封止部の側面と半導体ペレット取り付け部である
タブとの間の距離が小さくなってきている。前述した構
造の樹脂封止型半導体装置においては、この距離が極端
に小さくなると、例えばリードの支持ができなくなる等
の不都合が発生する。このため、タブを無くし、リード
を絶縁シートを介して半導体ペレットに固定した構造の
樹脂封止型半導体装置が提案されている。（日経マイク
ロデバイス，１９８９年９月号，１０９〜１１４頁参照
）図５（Ａ），（Ｂ）は上述のタブを無くした構造の従
来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図及び主要部の平
面図である。
【０００４】半導体ペレット１はその上面周辺部に電極
パッド５が形成されている。この半導体ペレット１ａ上
には、耐熱性の絶縁フィルム２ｂが接着され、この絶縁
フィルム２ｂにリード３ａが接着固定されている。この
絶縁フィルム２ｂは両面に接着剤２１ｅ，２１ｆが付着
しており、この接着剤２１ｅ，２１ｆにより半導体ペレ
ット１ａ及びリード３ａが接着固定される。また、半導
体ペレット１ａ上の各電極パッド１１はボンディング線
５により対応するリード３ａとそれぞれ電気的に接続さ
れている。そして半導体ペレット１ａ，絶縁フィルム２
ｂ，ボンディング線５及び各リード３ａの一部は樹脂封
止部６により封止されており、各リード３ａの所定の部
分が樹脂封止部から外部に延出している。
パッド５が形成されている。この半導体ペレット１ａ上
には、耐熱性の絶縁フィルム２ｂが接着され、この絶縁
フィルム２ｂにリード３ａが接着固定されている。この
絶縁フィルム２ｂは両面に接着剤２１ｅ，２１ｆが付着
しており、この接着剤２１ｅ，２１ｆにより半導体ペレ
ット１ａ及びリード３ａが接着固定される。また、半導
体ペレット１ａ上の各電極パッド１１はボンディング線
５により対応するリード３ａとそれぞれ電気的に接続さ
れている。そして半導体ペレット１ａ，絶縁フィルム２
ｂ，ボンディング線５及び各リード３ａの一部は樹脂封
止部６により封止されており、各リード３ａの所定の部
分が樹脂封止部から外部に延出している。
【０００５】ここで、電極パッド１１とリード３ａとを
接続するワイヤーボンディング工程においては、ボンデ
ィング線５を接続するため、半導体ペレット１ａ及びリ
ード３ａは１５０〜３００℃に加熱する必要があり、さ
らにボンディングキャピラリによってボンディング線５
をリード３ａに圧着させる。このときの圧力は５〜１０
ｋｇ／ｍｍ２ 程度である。
接続するワイヤーボンディング工程においては、ボンデ
ィング線５を接続するため、半導体ペレット１ａ及びリ
ード３ａは１５０〜３００℃に加熱する必要があり、さ
らにボンディングキャピラリによってボンディング線５
をリード３ａに圧着させる。このときの圧力は５〜１０
ｋｇ／ｍｍ２ 程度である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の樹脂封
止型半導体装置は、半導体ペレット１ａの上面に絶縁フ
ィルム２ｂを介して各リード３ａが接着固定され、これ
ら各リード３ａと対応する電極パッド１１とをボンディ
ング線５により接続する構造となっているので、ボンデ
ィング線５を接続するワイヤーボンディング工程におい
て、リード３ａと絶縁フィルム２ｂ、絶縁フィルム２ｂ
と半導体ペレット１ａとがそれぞれ密着していると、ボ
ンディングキャピラリの圧力によって半導体ペレット１
ａの回路形成領域に損傷を与えるという問題がある。逆
にリード３ａと絶縁フィルム２ｂ、絶縁フィルム２ｂと
半導体ペレット１ａとの接着面に気泡等が存在するよう
な状態では、ボンディングキャピラリの圧力がリード３
ａとボンディング線５との接続に有効に働かず、ボンデ
ィング線５とリード３ａとの接続強度が低くはがれて接
続不良になるという問題点があった。
止型半導体装置は、半導体ペレット１ａの上面に絶縁フ
ィルム２ｂを介して各リード３ａが接着固定され、これ
ら各リード３ａと対応する電極パッド１１とをボンディ
ング線５により接続する構造となっているので、ボンデ
ィング線５を接続するワイヤーボンディング工程におい
て、リード３ａと絶縁フィルム２ｂ、絶縁フィルム２ｂ
と半導体ペレット１ａとがそれぞれ密着していると、ボ
ンディングキャピラリの圧力によって半導体ペレット１
ａの回路形成領域に損傷を与えるという問題がある。逆
にリード３ａと絶縁フィルム２ｂ、絶縁フィルム２ｂと
半導体ペレット１ａとの接着面に気泡等が存在するよう
な状態では、ボンディングキャピラリの圧力がリード３
ａとボンディング線５との接続に有効に働かず、ボンデ
ィング線５とリード３ａとの接続強度が低くはがれて接
続不良になるという問題点があった。
【０００７】本発明の目的は、半導体ペレットの回路形
成領域に損傷を与えることなく半導体ペレットの各電極
とリードとを接続することができかつこれらの接続不良
が発生しない樹脂封止型半導体装置を提供することにあ
る。
成領域に損傷を与えることなく半導体ペレットの各電極
とリードとを接続することができかつこれらの接続不良
が発生しない樹脂封止型半導体装置を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、所定の機能をもつ回路が形成された回路形成
領域と、表面に形成され前記回路とそれぞれ接続する複
数の電極パッドとを含む半導体ペレットと、第１及び第
２の面に接着剤が施されこの第１の面を前記半導体ペレ
ットの表面の所定の位置に接着して固定する絶縁フィル
ムと、前記半導体ペレットの各電極とそれぞれ対応して
接続する複数のバンプと、これら各バンプとそれぞれ対
応して接続すると共に前記絶縁フィルムの第２の面に接
着して固定する複数のリードとを有している。
体装置は、所定の機能をもつ回路が形成された回路形成
領域と、表面に形成され前記回路とそれぞれ接続する複
数の電極パッドとを含む半導体ペレットと、第１及び第
２の面に接着剤が施されこの第１の面を前記半導体ペレ
ットの表面の所定の位置に接着して固定する絶縁フィル
ムと、前記半導体ペレットの各電極とそれぞれ対応して
接続する複数のバンプと、これら各バンプとそれぞれ対
応して接続すると共に前記絶縁フィルムの第２の面に接
着して固定する複数のリードとを有している。
【０００９】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
【００１０】図１（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第
１の実施例の要部斜視図及び要部断面図である。
１の実施例の要部斜視図及び要部断面図である。
【００１１】この実施例は、所定の機能をもつ回路が形
成された回路形成領域と、表面に形成され前記回路とそ
れぞれ接続する複数の電極パッド１１とを含む半導体ペ
レット１と、第１及び第２の面に接着剤２１ａ，２１ｂ
が施されこの第１の面を半導体ペレット１の表面の２辺
に沿って接着，固定する２つの絶縁フィルム２と、半導
体ペレット１の各電極１１とそれぞれ対応して接続する
複数のバンプ４と、先端をこれら各バンプ４とそれぞれ
対応して接続すると共に絶縁フィルム２の第２の面に接
着，固定する複数のリード３とを有する構造となってい
る。なお、バンプ４は、はじめにリード３の先に接続し
ておき、リード３を半導体チップ１に接着，固定すると
きにこのバンプ４を電極パッドに接続するようにしても
よい。また、バンプ４のリード３及び電極パッド１１と
の接続は熱圧着により行う。
成された回路形成領域と、表面に形成され前記回路とそ
れぞれ接続する複数の電極パッド１１とを含む半導体ペ
レット１と、第１及び第２の面に接着剤２１ａ，２１ｂ
が施されこの第１の面を半導体ペレット１の表面の２辺
に沿って接着，固定する２つの絶縁フィルム２と、半導
体ペレット１の各電極１１とそれぞれ対応して接続する
複数のバンプ４と、先端をこれら各バンプ４とそれぞれ
対応して接続すると共に絶縁フィルム２の第２の面に接
着，固定する複数のリード３とを有する構造となってい
る。なお、バンプ４は、はじめにリード３の先に接続し
ておき、リード３を半導体チップ１に接着，固定すると
きにこのバンプ４を電極パッドに接続するようにしても
よい。また、バンプ４のリード３及び電極パッド１１と
の接続は熱圧着により行う。
【００１２】このような構造とすることにより、ボンデ
ィングキャピラリによるワイヤーボンディング工程が不
要となり、熱圧着による圧力はボンディングキャピラリ
よりはるかに低く、しかも絶縁フィルム２は回路形成領
域外に接着されているので、半導体ペレット１の回路形
成領域に損傷を与えるようなことがなくなる。また、リ
ード３と電極パッド１１とは、バンプ４を介して確実に
接続される。更に、リード３の接着とリード３及び電極
パッド１１の接続とを同時に行うことができるので、製
造工程が短縮できるという利点もある。
ィングキャピラリによるワイヤーボンディング工程が不
要となり、熱圧着による圧力はボンディングキャピラリ
よりはるかに低く、しかも絶縁フィルム２は回路形成領
域外に接着されているので、半導体ペレット１の回路形
成領域に損傷を与えるようなことがなくなる。また、リ
ード３と電極パッド１１とは、バンプ４を介して確実に
接続される。更に、リード３の接着とリード３及び電極
パッド１１の接続とを同時に行うことができるので、製
造工程が短縮できるという利点もある。
【００１３】図２（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第
２の実施例の要部斜視図及び要部断面図である。
２の実施例の要部斜視図及び要部断面図である。
【００１４】この実施例は、絶縁フィルム２ａを、半導
体ペレット１の各電極パッド１１の部分を除く全表面に
接着，固定したものである。
体ペレット１の各電極パッド１１の部分を除く全表面に
接着，固定したものである。
【００１５】この実施例においては、第１の実施例と同
様の効果があるほか、電極パッド１１の配置の自由度が
大きくなるという利点があり、従って半導体ペレット１
上のリード３を長くすることができるので、リード３の
樹脂封止部外部からの水分の侵入経路を長くすることが
でき、耐湿性の向上をはかることができるという利点も
ある。
様の効果があるほか、電極パッド１１の配置の自由度が
大きくなるという利点があり、従って半導体ペレット１
上のリード３を長くすることができるので、リード３の
樹脂封止部外部からの水分の侵入経路を長くすることが
でき、耐湿性の向上をはかることができるという利点も
ある。
【００１６】本発明を適用したとき、組立不良が低減す
る様子を図３に、耐湿性が向上する様子を図４に示す。
る様子を図３に、耐湿性が向上する様子を図４に示す。
【００１７】なお、これら実施例においては、リード３
は、樹脂封止後に樹脂封止部の外部に出る部分では厚さ
が０．２ｍｍ、樹脂封止部の内部では厚さ０．０５ｍｍ
とし、絶縁フィルム２，２ａはその両面の接着剤の厚さ
を０．００２ｍｍ、絶縁フィルム２，２ａそのものの厚
さは０．０５ｍｍとした。
は、樹脂封止後に樹脂封止部の外部に出る部分では厚さ
が０．２ｍｍ、樹脂封止部の内部では厚さ０．０５ｍｍ
とし、絶縁フィルム２，２ａはその両面の接着剤の厚さ
を０．００２ｍｍ、絶縁フィルム２，２ａそのものの厚
さは０．０５ｍｍとした。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体ペ
レットとリードとを両面接着剤付きの絶縁フィルムで接
着，固定すると共に、半導体ペレット上の電極パッドと
リードとをバンプで接続する構造とすることにより、電
極パッドとリードとの接続を圧力の高いボンディングキ
ャピラリを使用しないで圧力の低い熱圧着により行うこ
とができるので、半導体ペレットの回路形成領域に損傷
を与えることがなくなり、しかも電極パッドとリードと
がバンプにより確実に接続され接続不良の発生を防止す
ることができる効果がある。
レットとリードとを両面接着剤付きの絶縁フィルムで接
着，固定すると共に、半導体ペレット上の電極パッドと
リードとをバンプで接続する構造とすることにより、電
極パッドとリードとの接続を圧力の高いボンディングキ
ャピラリを使用しないで圧力の低い熱圧着により行うこ
とができるので、半導体ペレットの回路形成領域に損傷
を与えることがなくなり、しかも電極パッドとリードと
がバンプにより確実に接続され接続不良の発生を防止す
ることができる効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例の要部斜視図及び要部断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の第２の実施例の要部斜視図及び要部断
面図である。
面図である。
【図３】図２に示された実施例の組立不良低減の様子を
示す棒グラフである。
示す棒グラフである。
【図４】図２に示された実施例の耐湿性向上の様子を示
す折線図である。
す折線図である。
【図５】従来の樹脂封止型半導体装置の一例を示す断面
図及び要部平面図である。
図及び要部平面図である。
１，１ａ 半導体ペレット
２，２ａ，２ｂ 絶縁フィルム
３，３ａ リード
４ バンプ
５ ボンディング線
６ 樹脂封止部
１１ 電極パッド
２１ａ〜２１ｆ 接着剤
Claims (1)
- 【請求項１】 所定の機能をもつ回路が形成された回
路形成領域と、表面に形成され前記回路とそれぞれ接続
する複数の電極パッドとを含む半導体ペレットと、第１
及び第２の面に接着剤が施されこの第１の面を前記半導
体ペレットの表面の所定の位置に接着して固定する絶縁
フィルムと、前記半導体ペレットの各電極とそれぞれ対
応して接続する複数のバンプと、これら各バンプとそれ
ぞれ対応して接続すると共に前記絶縁フィルムの第２の
面に接着して固定する複数のリードとを有することを特
徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4039991A JPH04278548A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4039991A JPH04278548A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04278548A true JPH04278548A (ja) | 1992-10-05 |
Family
ID=12579586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4039991A Pending JPH04278548A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04278548A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05136202A (ja) * | 1991-05-11 | 1993-06-01 | Goldstar Electron Co Ltd | 半導体パツケージ及びその製造方法 |
| EP0622845A2 (en) * | 1993-04-30 | 1994-11-02 | Hewlett-Packard Company | Apparatus and method for tape automated bonding beam lead insulation |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02310956A (ja) * | 1989-05-26 | 1990-12-26 | Hitachi Ltd | 高密度実装半導体パツケージ |
| JPH0485837A (ja) * | 1990-07-26 | 1992-03-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-03-07 JP JP4039991A patent/JPH04278548A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02310956A (ja) * | 1989-05-26 | 1990-12-26 | Hitachi Ltd | 高密度実装半導体パツケージ |
| JPH0485837A (ja) * | 1990-07-26 | 1992-03-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05136202A (ja) * | 1991-05-11 | 1993-06-01 | Goldstar Electron Co Ltd | 半導体パツケージ及びその製造方法 |
| EP0622845A2 (en) * | 1993-04-30 | 1994-11-02 | Hewlett-Packard Company | Apparatus and method for tape automated bonding beam lead insulation |
| EP0622845A3 (en) * | 1993-04-30 | 1995-03-29 | Hewlett Packard Co | Automatic tape assembly apparatus and method with beam lead isolation. |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19961210 |