JPH034543A - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はテープキャリアを用いて半導体チップが実装さ
れた半導体装置の改良に関する。
れた半導体装置の改良に関する。
（従来の技術）
一般に、ワイヤボンディング方式の半導体装置において
は、その量産化と半導体チップの接続端子数の増加に対
応するために、テープキャリアが半導体チップのマウン
トとして広く用いられており、このようなテープキャリ
アはポリイミドを代表例とするテープ状の支持体に微細
幅の接続端子、すなわちリードが多数配設されたもので
構成されている。
は、その量産化と半導体チップの接続端子数の増加に対
応するために、テープキャリアが半導体チップのマウン
トとして広く用いられており、このようなテープキャリ
アはポリイミドを代表例とするテープ状の支持体に微細
幅の接続端子、すなわちリードが多数配設されたもので
構成されている。
上述のようなテープキャリアを用いた従来の半導体装置
としては、例えば第４図に示す特開昭６１−９９３４１
号公報に記載のものがある。第４図において、符号１は
前述のテープキャリアであり、テープキャリア１には半
導体チップ２が挿入される開口部３が穿設されており、
テープキャリア１の図中下面には半導体チップ２を支持
、固定する粘着性テープ４が開口部３の下端を覆うよう
に貼着されている。そして、半導体チップ２を開口部３
に挿入して粘着性テープ４に載置し、粘着性テープ４に
よって半導体チップ２をテープキャリア１に固定した状
態で、ボンディングワイヤ５による半導体チップ２の接
続端子とテープキャリア１に設けられたり一ド６のボン
ディングが行われる。さらに、ボッティング樹脂７が半
導体チ・ンプ２の上面、ボンディングワイヤ５およびリ
ード６の接続部を覆うように、また半導体チップ２と開
口部３の間隙を埋めるように充填されてポツティングが
行われ、その後ポツティング樹脂７の硬化に伴い、半導
体チップ２がテープキャリア１に一体化した状態で粘着
性テープ４がテープキャリア１から剥離され、単一の半
導体装置８が形成される。そして、このような半導体装
置８がテープキャリア１に沿って順次に形成され、さら
にテープキャリア１を切断することにより多数の半導体
装置８が形成されて半導体装置８の量産化を計ることが
可能である。なお、符号９はボッティング樹脂７の上面
をフラット化してボッティング樹脂７の高さを規制する
ために設けられたフィルムペレットである。このように
形成された半導体装置８においては、テープキャリア１
の下面と半導体チップ２の下面が同一平面上にあり、半
導体チップ２の厚さとテープキャリア１の厚さがラップ
するために完成された半導体装置８の総厚を薄（するこ
とが可能であり、同時に不良品の発生の防止、あるいは
経済性の向上を計ることができる。
としては、例えば第４図に示す特開昭６１−９９３４１
号公報に記載のものがある。第４図において、符号１は
前述のテープキャリアであり、テープキャリア１には半
導体チップ２が挿入される開口部３が穿設されており、
テープキャリア１の図中下面には半導体チップ２を支持
、固定する粘着性テープ４が開口部３の下端を覆うよう
に貼着されている。そして、半導体チップ２を開口部３
に挿入して粘着性テープ４に載置し、粘着性テープ４に
よって半導体チップ２をテープキャリア１に固定した状
態で、ボンディングワイヤ５による半導体チップ２の接
続端子とテープキャリア１に設けられたり一ド６のボン
ディングが行われる。さらに、ボッティング樹脂７が半
導体チ・ンプ２の上面、ボンディングワイヤ５およびリ
ード６の接続部を覆うように、また半導体チップ２と開
口部３の間隙を埋めるように充填されてポツティングが
行われ、その後ポツティング樹脂７の硬化に伴い、半導
体チップ２がテープキャリア１に一体化した状態で粘着
性テープ４がテープキャリア１から剥離され、単一の半
導体装置８が形成される。そして、このような半導体装
置８がテープキャリア１に沿って順次に形成され、さら
にテープキャリア１を切断することにより多数の半導体
装置８が形成されて半導体装置８の量産化を計ることが
可能である。なお、符号９はボッティング樹脂７の上面
をフラット化してボッティング樹脂７の高さを規制する
ために設けられたフィルムペレットである。このように
形成された半導体装置８においては、テープキャリア１
の下面と半導体チップ２の下面が同一平面上にあり、半
導体チップ２の厚さとテープキャリア１の厚さがラップ
するために完成された半導体装置８の総厚を薄（するこ
とが可能であり、同時に不良品の発生の防止、あるいは
経済性の向上を計ることができる。
ここで、第５図において、上述のように半導体装置８に
使用されるテープキャリア１の一般的な構成を説明する
。第５図に示すように、テープキャリアｌは半導体チッ
プ２がマウントされるテープ状の支持体１０、支持体１
０にコートされた接着剤１１および接着剤１１によって
貼着され、半導体チップ２の接続端子に対応して支持体
１０上に所定のピッチで配設された前述の多数のリード
６の３層からなるラミネート構造を有している。さらに
、支持体１０はボンディング時の加熱に耐え得るように
耐熱性を有するポリイミドから構成されるのが一般的で
あり、またリード６は銅を基体とする導電体、例えばＡ
ｕ−Ｎｉ−Ｃｕの３層からなる導電体により構成されて
いる。そして、前述のボンディング時には、キャピラリ
ツール１２に把持されたボンディングワイヤ５の一端が
サーモソニックワイヤボンディングの手法に基づいてリ
ード６に被着される。
使用されるテープキャリア１の一般的な構成を説明する
。第５図に示すように、テープキャリアｌは半導体チッ
プ２がマウントされるテープ状の支持体１０、支持体１
０にコートされた接着剤１１および接着剤１１によって
貼着され、半導体チップ２の接続端子に対応して支持体
１０上に所定のピッチで配設された前述の多数のリード
６の３層からなるラミネート構造を有している。さらに
、支持体１０はボンディング時の加熱に耐え得るように
耐熱性を有するポリイミドから構成されるのが一般的で
あり、またリード６は銅を基体とする導電体、例えばＡ
ｕ−Ｎｉ−Ｃｕの３層からなる導電体により構成されて
いる。そして、前述のボンディング時には、キャピラリ
ツール１２に把持されたボンディングワイヤ５の一端が
サーモソニックワイヤボンディングの手法に基づいてリ
ード６に被着される。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、このような従来の半導体装置にあっては
、半導体チップがテープキャリアのリード側から支持体
に支持される構成であったため、ボンディング時にボン
ディングワイヤとリードのボンディング不良が生じ易く
、このため製品の機能が阻害されるという不具合があっ
た。また、この対策としてリードの幅を大きくすると、
リードのピッチ間隔が大きくなって製品が大型化し、特
に多ビンチップ、すなわち接続端子数の多い半導体チッ
プの実装時には製品コストが高くなるという不具合があ
った。
、半導体チップがテープキャリアのリード側から支持体
に支持される構成であったため、ボンディング時にボン
ディングワイヤとリードのボンディング不良が生じ易く
、このため製品の機能が阻害されるという不具合があっ
た。また、この対策としてリードの幅を大きくすると、
リードのピッチ間隔が大きくなって製品が大型化し、特
に多ビンチップ、すなわち接続端子数の多い半導体チッ
プの実装時には製品コストが高くなるという不具合があ
った。
すなわち、第５図において、リード６とボンディングワ
イヤ５のボンディングが、接合材の加熱を必要とするサ
ーモソニックワイヤボンディングにより実施される場合
には、リード６が加熱ヒータ等に接着剤１１および支持
体１０を介して支持されるため、支持体１０のように耐
熱性の大きくない接着剤１１が加熱されて軟化する。こ
のため、キャピラリツール１２によってボンディングワ
イヤ５とリード６の間に生じる超音波振動が接着剤１１
に吸収されてボンディングワイヤ５のリード６への被着
が不充分となり、上述のようにボンディングワイヤ５と
リード６のボンディング不良が発生し易かった。また、
リード６自体の質量を太き（して超音波振動の吸収を抑
制しようとすると、リード６の幅が太き（なって製品の
大型化が避けられなかった。
イヤ５のボンディングが、接合材の加熱を必要とするサ
ーモソニックワイヤボンディングにより実施される場合
には、リード６が加熱ヒータ等に接着剤１１および支持
体１０を介して支持されるため、支持体１０のように耐
熱性の大きくない接着剤１１が加熱されて軟化する。こ
のため、キャピラリツール１２によってボンディングワ
イヤ５とリード６の間に生じる超音波振動が接着剤１１
に吸収されてボンディングワイヤ５のリード６への被着
が不充分となり、上述のようにボンディングワイヤ５と
リード６のボンディング不良が発生し易かった。また、
リード６自体の質量を太き（して超音波振動の吸収を抑
制しようとすると、リード６の幅が太き（なって製品の
大型化が避けられなかった。
さらに、第６図に示すように、半導体装置８をユーザ側
の基板１３に実装する場合には、半導体装置８のボッテ
ィング樹脂７が基板１３側に突出するため、基板１３に
逃げとしての開口部１３ａを必要とする不具合があった
。またさらに、第７図に示すように、基板１３が液晶の
ようにガラス基板１４に、例えばＩＴＯ（インジウム・
ティン・オキサイド）等からなる透明導電膜１５を重着
したもので構成されている場合には、基板１３に開口部
１３ａを形成することが不可能なため、リード６と半導
体チップ２の接続をボンディングワイヤ５に代えてバン
プ１７に顛らざるを得なかった。このため、ワイヤボン
ディング用として構成された半導体チップ２およびテー
プキャリア１の汎用性を損ない、製品のコストアンプを
招くという不具合があった。
の基板１３に実装する場合には、半導体装置８のボッテ
ィング樹脂７が基板１３側に突出するため、基板１３に
逃げとしての開口部１３ａを必要とする不具合があった
。またさらに、第７図に示すように、基板１３が液晶の
ようにガラス基板１４に、例えばＩＴＯ（インジウム・
ティン・オキサイド）等からなる透明導電膜１５を重着
したもので構成されている場合には、基板１３に開口部
１３ａを形成することが不可能なため、リード６と半導
体チップ２の接続をボンディングワイヤ５に代えてバン
プ１７に顛らざるを得なかった。このため、ワイヤボン
ディング用として構成された半導体チップ２およびテー
プキャリア１の汎用性を損ない、製品のコストアンプを
招くという不具合があった。
すなわち、第６図において、テープキャリア１および半
導体チップ２から構成された半導体装置８をユーザ側の
基板１３に実装するときには、半導体装置８を基板１３
に電気的に接続するＯＬＥ （アウター・リード・ボン
ディング）の必要があり、具体的には半導体装置８のリ
ード６と基板１３の表面に形成された導体１３ｂをボン
ディングする作業が行われる。この場合、基板１３およ
び導体１３ｂの材質的な制約を受けて半田付けあるいは
金共晶等の加熱を伴うボンディングが必ずしも可能では
なく、異方性導電膜１６を用いてボンディングが行われ
ることが多い。一方、テープキャリア１と半導体チップ
２の電気的接続、すなわちＩＬＢ（インナー・リード・
ボンディング）がワイヤボンディングで行われる場合に
は、第４図に示すように、半導体チップ２をテープキャ
リア１の開口部３に埋没させた状態でもポツティング樹
脂７がテープキャリア１から突出することは避けられず
、二のため基板１３側の逃げが必要とされていた。
導体チップ２から構成された半導体装置８をユーザ側の
基板１３に実装するときには、半導体装置８を基板１３
に電気的に接続するＯＬＥ （アウター・リード・ボン
ディング）の必要があり、具体的には半導体装置８のリ
ード６と基板１３の表面に形成された導体１３ｂをボン
ディングする作業が行われる。この場合、基板１３およ
び導体１３ｂの材質的な制約を受けて半田付けあるいは
金共晶等の加熱を伴うボンディングが必ずしも可能では
なく、異方性導電膜１６を用いてボンディングが行われ
ることが多い。一方、テープキャリア１と半導体チップ
２の電気的接続、すなわちＩＬＢ（インナー・リード・
ボンディング）がワイヤボンディングで行われる場合に
は、第４図に示すように、半導体チップ２をテープキャ
リア１の開口部３に埋没させた状態でもポツティング樹
脂７がテープキャリア１から突出することは避けられず
、二のため基板１３側の逃げが必要とされていた。
（発明の目的）
本発明は、上述のような従来技術の課題を背景としてな
されたものであり、半導体チップをテープキャリアのリ
ードとは反対側の支持体の表面に支持し、さらに支持体
の支持部に補強部材を設けることにより、リードのピッ
チ間隔を微小化し、ＩＬＢ時のボンディングの不良およ
びＯＬＢ時のユーザ側基板の逃げを解消するとともに部
品の汎用性を向上して、製品機能を常に確保可能で、同
時に微細化ピッチのワイヤボンディングが可能な、しか
もコストの低廉な半導体装置を提供することを目的とし
ている。
されたものであり、半導体チップをテープキャリアのリ
ードとは反対側の支持体の表面に支持し、さらに支持体
の支持部に補強部材を設けることにより、リードのピッ
チ間隔を微小化し、ＩＬＢ時のボンディングの不良およ
びＯＬＢ時のユーザ側基板の逃げを解消するとともに部
品の汎用性を向上して、製品機能を常に確保可能で、同
時に微細化ピッチのワイヤボンディングが可能な、しか
もコストの低廉な半導体装置を提供することを目的とし
ている。
（発明の構成）
本発明は、上記目的達成のため、半導体チップと、半導
体チップに接続されるリードをテープ状の支持体の裏面
に重着してなり、半導体チップを支持するテープキャリ
アと、を備えた半導体装置において、前記半導体チップ
をテープキャリアの支持体の表面に支持するとともに支
持体の裏面に半導体チップに対向して補強部材を設けた
ことを特徴とするものである。
体チップに接続されるリードをテープ状の支持体の裏面
に重着してなり、半導体チップを支持するテープキャリ
アと、を備えた半導体装置において、前記半導体チップ
をテープキャリアの支持体の表面に支持するとともに支
持体の裏面に半導体チップに対向して補強部材を設けた
ことを特徴とするものである。
以下、本発明の実施例に基づいて具体的に説明する。第
１図から第３図までは本発明による半導体装置の一実施
例を示す図である。
１図から第３図までは本発明による半導体装置の一実施
例を示す図である。
まず、構成を説明する。
第１図および第２図において、符号２１および２２はそ
れぞれ半導体チップおよび半導体チップ２１を支持する
テープキャリアであり、後者のテープキャリア２２は半
導体チップ２１の接続端子にボンディングワイヤ２３を
介して接続される多数のり−ド２４をテープ状の支持体
２５の裏面２５ｂに接着剤２６を介して重着したものか
らなっている。そして、テ−プキャリア２２の支持体２
５は耐熱性を有する樹脂素材、例えばポリイミドからな
り、支持体２５の表面２５ａにはリード２４に対向して
半導体チップ２１が載置、支持される。さらに、第２図
に示すように、支持体２５には半導体チップ２１の四周
を取り囲むようにスリット状の開口部２７ａ〜２７ｄが
予めバンチツブ等により接着剤２６とともに穿設されて
おり、リード２４の上面の一部がそれぞれ半導体チップ
２１側に露出した状態になっている。このため、第１図
において、上端が前述のサーモソニックワイヤボンディ
ングにより半導体チップ２１の接続端子に接続されたボ
ンディングワイヤ２３の下端を支持体２５の開口部２７
ａ −ｄを通してリード２４に接続することが可能で
ある。
れぞれ半導体チップおよび半導体チップ２１を支持する
テープキャリアであり、後者のテープキャリア２２は半
導体チップ２１の接続端子にボンディングワイヤ２３を
介して接続される多数のり−ド２４をテープ状の支持体
２５の裏面２５ｂに接着剤２６を介して重着したものか
らなっている。そして、テ−プキャリア２２の支持体２
５は耐熱性を有する樹脂素材、例えばポリイミドからな
り、支持体２５の表面２５ａにはリード２４に対向して
半導体チップ２１が載置、支持される。さらに、第２図
に示すように、支持体２５には半導体チップ２１の四周
を取り囲むようにスリット状の開口部２７ａ〜２７ｄが
予めバンチツブ等により接着剤２６とともに穿設されて
おり、リード２４の上面の一部がそれぞれ半導体チップ
２１側に露出した状態になっている。このため、第１図
において、上端が前述のサーモソニックワイヤボンディ
ングにより半導体チップ２１の接続端子に接続されたボ
ンディングワイヤ２３の下端を支持体２５の開口部２７
ａ −ｄを通してリード２４に接続することが可能で
ある。
一方、第１図および第２図において、符号２８は銅を基
体とする導電体、例えばＡｕ−Ｎｉ−Ｃｕの３層からな
る導電体により構成されるバット状の補強部材であり、
補強部材２８は支持体２５の裏面２５ｂに接着剤２６に
より貼着され、半導体チップ２１に対向して設けられて
おり、さらに補強部材２８は半導体チップ２１とリード
２４のボンディングワイヤ２３による接続時、すなわち
ＩＬＢ時に、支持体２５の半導体チップ２１の支持部の
強度を大きくしてボンディング性を向上する機能を有し
ている。なお、第１図において、符号２９はＩＬＢ後、
半導体チップ２１およびボンディングワイヤ２３を覆い
、支持体２５の開口部２７ａ−ｄを埋めるように充填さ
れるボッティング樹脂であり、ボッティング樹脂２９の
硬化後、テープキャリア２２が切断されて本実施例にお
ける半導体装置３０が完成する。また、第３図は上述の
半導体装置３０がユーザ側の基板３１に実装された状態
を示す正面断面図であり、基板３１には導体３１ａが重
着されており、半導体装置３０のリード２４がそれぞれ
異方性導電膜３２を介して導体３１ａに接続される、す
なＯＬＢが行われる場合を示している。さらに、上述の
テープキャリア２２のリード２４が銅を基体とする導電
体、例えばＡｕ−Ｎ１−Ｃｕの３層からなる導電体によ
り構成されていることは従来例と同様である。
体とする導電体、例えばＡｕ−Ｎｉ−Ｃｕの３層からな
る導電体により構成されるバット状の補強部材であり、
補強部材２８は支持体２５の裏面２５ｂに接着剤２６に
より貼着され、半導体チップ２１に対向して設けられて
おり、さらに補強部材２８は半導体チップ２１とリード
２４のボンディングワイヤ２３による接続時、すなわち
ＩＬＢ時に、支持体２５の半導体チップ２１の支持部の
強度を大きくしてボンディング性を向上する機能を有し
ている。なお、第１図において、符号２９はＩＬＢ後、
半導体チップ２１およびボンディングワイヤ２３を覆い
、支持体２５の開口部２７ａ−ｄを埋めるように充填さ
れるボッティング樹脂であり、ボッティング樹脂２９の
硬化後、テープキャリア２２が切断されて本実施例にお
ける半導体装置３０が完成する。また、第３図は上述の
半導体装置３０がユーザ側の基板３１に実装された状態
を示す正面断面図であり、基板３１には導体３１ａが重
着されており、半導体装置３０のリード２４がそれぞれ
異方性導電膜３２を介して導体３１ａに接続される、す
なＯＬＢが行われる場合を示している。さらに、上述の
テープキャリア２２のリード２４が銅を基体とする導電
体、例えばＡｕ−Ｎ１−Ｃｕの３層からなる導電体によ
り構成されていることは従来例と同様である。
次に作用を説明する。
第１図および第２図において、テープキャリア２２の支
持体２５の表面２５ａに四周を開口部２７ａ〜ｄにより
囲まれて半導体チップ２１が載置、支持され、引続き半
導体チップ２１の多数の接続端子とこれらに対応するリ
ード２４がボンディングワイヤ２３を介して接続され、
半導体装置３０のＩＬＢが実施される。この際、接着剤
２６を利用して支持体２５の裏面２５ｂには半導体チッ
プ２１に対向して補強部材２Ｂが既に貼着されており、
また、ボンディングワイヤ２３の上端は半導体チップ２
１の接続端子に、また下端は支持体２５の開口部２７ａ
−ｄを通してリード２４にそれぞれサーモソニックボン
ディングの手法に基づいて被着される。次いで、半導体
チップ２１およびボンディングワイヤ２３を覆い、支持
体２５の開口部２７ａ〜ｄを埋めるようにボッティング
樹脂２９が充填され、ポツティング樹脂２９の硬化後、
テープキャリア２２が切断されて半導体装置３０が完成
する。さらに、第３図において、ユーザ側の基板３１の
導体３１ａに異方性導電膜３２を介して半導体装置３０
のリード２４が接続されて半導体装ｔ３０のＯＬＢが行
われ、半導体装置３０の実装が完了する。
持体２５の表面２５ａに四周を開口部２７ａ〜ｄにより
囲まれて半導体チップ２１が載置、支持され、引続き半
導体チップ２１の多数の接続端子とこれらに対応するリ
ード２４がボンディングワイヤ２３を介して接続され、
半導体装置３０のＩＬＢが実施される。この際、接着剤
２６を利用して支持体２５の裏面２５ｂには半導体チッ
プ２１に対向して補強部材２Ｂが既に貼着されており、
また、ボンディングワイヤ２３の上端は半導体チップ２
１の接続端子に、また下端は支持体２５の開口部２７ａ
−ｄを通してリード２４にそれぞれサーモソニックボン
ディングの手法に基づいて被着される。次いで、半導体
チップ２１およびボンディングワイヤ２３を覆い、支持
体２５の開口部２７ａ〜ｄを埋めるようにボッティング
樹脂２９が充填され、ポツティング樹脂２９の硬化後、
テープキャリア２２が切断されて半導体装置３０が完成
する。さらに、第３図において、ユーザ側の基板３１の
導体３１ａに異方性導電膜３２を介して半導体装置３０
のリード２４が接続されて半導体装ｔ３０のＯＬＢが行
われ、半導体装置３０の実装が完了する。
上述の一連の作業のうち、半導体装置３ｏのＩＬＢにお
いては、サーモソニックボンディング時に使用される加
熱ヒータ上にテープキャリア２２のリード２４が位置し
、リード２４が加熱ヒータ上に直接固定された状態でボ
ンディングワイヤ２３の被着が行われるため、たとえ接
着剤２６が加熱によって軟化しても影響はなく、ボンデ
ィング時にボンディングワイヤ２３とリード２４の間に
生じる超音波振動が確実にボンディングワイヤ２３の被
着部に伝達された状態でボンディングが行われる。すな
わち、リード２４が半導体チップ２１のマウント側とは
反対の支持体２５の裏面２５ｂ側に設けられてテープキ
ャリア２２から露出した状態にある。このため、リード
２４を直接に固定することは容易であり、あたがもリー
ド２４がリードフレームに固定された状態でボンディン
グワイヤ２３がボンディングされるので、ボンディング
が確実になり、ＩＬＢ時のボンディング不良を解消する
ことができる。同時に、接着剤２６の軟化に対応してリ
ード２４の質量を大きくする必要がないので、リード２
４の幅を小さくしてリード２４のピンチ間隔を微小化す
ることができ、このため微細ピッチのワイヤボンディン
グが可能となる。
いては、サーモソニックボンディング時に使用される加
熱ヒータ上にテープキャリア２２のリード２４が位置し
、リード２４が加熱ヒータ上に直接固定された状態でボ
ンディングワイヤ２３の被着が行われるため、たとえ接
着剤２６が加熱によって軟化しても影響はなく、ボンデ
ィング時にボンディングワイヤ２３とリード２４の間に
生じる超音波振動が確実にボンディングワイヤ２３の被
着部に伝達された状態でボンディングが行われる。すな
わち、リード２４が半導体チップ２１のマウント側とは
反対の支持体２５の裏面２５ｂ側に設けられてテープキ
ャリア２２から露出した状態にある。このため、リード
２４を直接に固定することは容易であり、あたがもリー
ド２４がリードフレームに固定された状態でボンディン
グワイヤ２３がボンディングされるので、ボンディング
が確実になり、ＩＬＢ時のボンディング不良を解消する
ことができる。同時に、接着剤２６の軟化に対応してリ
ード２４の質量を大きくする必要がないので、リード２
４の幅を小さくしてリード２４のピンチ間隔を微小化す
ることができ、このため微細ピッチのワイヤボンディン
グが可能となる。
また、半導体装置３０のＯＬＢにおいては、第３図に示
すように、半導体チップ２１が支持体２５の表面２５ａ
に支持されて、リード２４とは反対側にあるため、半導
体チップ２１がボッティング樹脂２９を含めて基板３１
側に突出することがないので、従来例として第６図に示
したように、基板３１に逃げを設ける必要がない。さら
に、たとえ基板３１が液晶等であり、逃げを設けること
のできないものであっても、第７図に示すようなリード
にバンブを形成してＩＬＢを行う必要はなく、ワイヤボ
ンディング用として構成された半導体チップ２１、テー
プキャリア２２の部品の汎用性を損なうことはない。ま
たさらに、ＩＬＢ時には、半導体チップ２１のマウント
部に支持体２５よりも剛性の大きい補強部材２８が設け
られているため、ボンディングワイヤ２３の半導体チッ
プ２１側への被着を確実に行うことができ、結果的にＩ
ＬＢ時のボンディング性を向上し、併せて製品としての
半導体装Ｗ３０において支持体２５の裏面２５ｂ側の耐
吸湿性、耐透湿性を向上してその信頼性を向上すること
ができる。
すように、半導体チップ２１が支持体２５の表面２５ａ
に支持されて、リード２４とは反対側にあるため、半導
体チップ２１がボッティング樹脂２９を含めて基板３１
側に突出することがないので、従来例として第６図に示
したように、基板３１に逃げを設ける必要がない。さら
に、たとえ基板３１が液晶等であり、逃げを設けること
のできないものであっても、第７図に示すようなリード
にバンブを形成してＩＬＢを行う必要はなく、ワイヤボ
ンディング用として構成された半導体チップ２１、テー
プキャリア２２の部品の汎用性を損なうことはない。ま
たさらに、ＩＬＢ時には、半導体チップ２１のマウント
部に支持体２５よりも剛性の大きい補強部材２８が設け
られているため、ボンディングワイヤ２３の半導体チッ
プ２１側への被着を確実に行うことができ、結果的にＩ
ＬＢ時のボンディング性を向上し、併せて製品としての
半導体装Ｗ３０において支持体２５の裏面２５ｂ側の耐
吸湿性、耐透湿性を向上してその信頼性を向上すること
ができる。
このように本実施例においては、半導体チップ２１をテ
ープキャリア２２のリード２４とは反対側の支持体２５
の表面２５ａに支持してリード２４をテープキャリア２
２から露出した状態にしているので、リード２４を確実
に固定した状態でＩＬＢを実施することができ、リード
２４のピッチ間隔を微小化するとともにボンディングの
不良を解消することができる。また、ＯＬＢ時にユーザ
側の基板３１に逃げを必要とせず、このためワイヤボン
ディング用として構成された半導体チップ２１およびテ
ープキャリア２２の汎用性を損なうことがない。さらに
、支持体２５の半導体チップ２１の支持部に支持体２５
よりも剛性の大きい補強部材２８を設けているので、Ｉ
ＬＢ時に半導体チップ２１側のボンディングワイヤ２３
のボンディング性を向上し、同時に製品としての半導体
装置３０の信頼性を向上することができる。
ープキャリア２２のリード２４とは反対側の支持体２５
の表面２５ａに支持してリード２４をテープキャリア２
２から露出した状態にしているので、リード２４を確実
に固定した状態でＩＬＢを実施することができ、リード
２４のピッチ間隔を微小化するとともにボンディングの
不良を解消することができる。また、ＯＬＢ時にユーザ
側の基板３１に逃げを必要とせず、このためワイヤボン
ディング用として構成された半導体チップ２１およびテ
ープキャリア２２の汎用性を損なうことがない。さらに
、支持体２５の半導体チップ２１の支持部に支持体２５
よりも剛性の大きい補強部材２８を設けているので、Ｉ
ＬＢ時に半導体チップ２１側のボンディングワイヤ２３
のボンディング性を向上し、同時に製品としての半導体
装置３０の信頼性を向上することができる。
その結果、半導体装置３０の製品機能を常に確保でき、
同時に微細ピッチのワイヤボンディングが可能で、しか
も製品コストを低減することができる。
同時に微細ピッチのワイヤボンディングが可能で、しか
も製品コストを低減することができる。
（効果）
本発明によれば、半導体チップをテープキャリアのリー
ドとは反対側の支持体の表面に支持し、さらに支持体の
支持部に補強部材を設けているので、リードのピッチ間
隔を微小化し、ＩＬＢ時のボンディングの不良およびＯ
ＬＥ時のユーザ側基板の逃げを解消するとともに部品の
汎用性を向上することができる。したがって、本発明の
目的とする製品機能を常に確保可能で、同時に微細ピッ
チのワイヤボンディング可能な、しかもコストの低廉な
半導体装置を提供することができる。
ドとは反対側の支持体の表面に支持し、さらに支持体の
支持部に補強部材を設けているので、リードのピッチ間
隔を微小化し、ＩＬＢ時のボンディングの不良およびＯ
ＬＥ時のユーザ側基板の逃げを解消するとともに部品の
汎用性を向上することができる。したがって、本発明の
目的とする製品機能を常に確保可能で、同時に微細ピッ
チのワイヤボンディング可能な、しかもコストの低廉な
半導体装置を提供することができる。
第１図から第３図までは本発明に係る半導体装置の一実
施例を示す図であり、第１図はその構成を示す正面断面
図、第２図は第１図の■−■矢視断面図、第３図はその
半導体装置が実装さた状態を示す正面断面図である。第
４図から第７図までは従来の半導体装置を示す図であり
、第４図はその正面断面図、第５図はそのテープキャリ
アの構成とワイヤボンディングの状態を示す正面要部断
面図、第６図および第７図はそれぞれその半導体装置が
実装された状態を示す正面断面図である。 ２１・・・・・・半導体チップ１． ２２・・・・・・テープキャリア、 ２４・・・・・・リード、 ２５・・・・・・支持体、 ２５ａ・・・・・・表面、 ２５ｂ・・・・・・裏面、 ２８・・・・・・補強部材、 ３０・・・・・・半導体装置。 第１図 代 理 人 弁理士 有我軍一部 第２図 ５ 第 ３ 図 第 図 第 図 第 図 １す
施例を示す図であり、第１図はその構成を示す正面断面
図、第２図は第１図の■−■矢視断面図、第３図はその
半導体装置が実装さた状態を示す正面断面図である。第
４図から第７図までは従来の半導体装置を示す図であり
、第４図はその正面断面図、第５図はそのテープキャリ
アの構成とワイヤボンディングの状態を示す正面要部断
面図、第６図および第７図はそれぞれその半導体装置が
実装された状態を示す正面断面図である。 ２１・・・・・・半導体チップ１． ２２・・・・・・テープキャリア、 ２４・・・・・・リード、 ２５・・・・・・支持体、 ２５ａ・・・・・・表面、 ２５ｂ・・・・・・裏面、 ２８・・・・・・補強部材、 ３０・・・・・・半導体装置。 第１図 代 理 人 弁理士 有我軍一部 第２図 ５ 第 ３ 図 第 図 第 図 第 図 １す
Claims (1)
- 半導体チップと、半導体チップに接続されるリードを
テープ状の支持体の裏面に重着してなり、半導体チップ
を支持するテープキャリアと、を備えた半導体装置にお
いて、前記半導体チップをテープキャリアの支持体の表
面に支持するとともに支持体の裏面に半導体チップに対
向して補強部材を設けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14003489A JPH034543A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14003489A JPH034543A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH034543A true JPH034543A (ja) | 1991-01-10 |
Family
ID=15259420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14003489A Pending JPH034543A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH034543A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0734063A3 (fr) * | 1991-02-19 | 1997-01-29 | Gemplus Card Int | Micromodule de circuit intégré obtenu par un procédé d'assemblage en continu de bandes à motifs |
| US5831836A (en) * | 1992-01-30 | 1998-11-03 | Lsi Logic | Power plane for semiconductor device |
| US5869905A (en) * | 1996-01-15 | 1999-02-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Molded packaging for semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US6313524B1 (en) * | 1996-09-23 | 2001-11-06 | Infineon Technologies Ag | Chip module with a plurality of flat contact elements mountable on either an external printed circuit board or an external circuit board substrate |
| FR2817398A1 (fr) * | 2000-11-27 | 2002-05-31 | Orient Semiconductor Elect Ltd | Boitier en film ultra-mince |
| DE10318688A1 (de) * | 2003-04-24 | 2004-11-25 | W. C. Heraeus Gmbh & Co. Kg | Verfahren zum Trennen der elektrischen Verbindungsknoten bei IC-Frames und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils sowie von Frames dafür |
-
1989
- 1989-05-31 JP JP14003489A patent/JPH034543A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0734063A3 (fr) * | 1991-02-19 | 1997-01-29 | Gemplus Card Int | Micromodule de circuit intégré obtenu par un procédé d'assemblage en continu de bandes à motifs |
| US5831836A (en) * | 1992-01-30 | 1998-11-03 | Lsi Logic | Power plane for semiconductor device |
| US5869905A (en) * | 1996-01-15 | 1999-02-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Molded packaging for semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US6258632B1 (en) | 1996-01-15 | 2001-07-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Molded packaging for semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US6313524B1 (en) * | 1996-09-23 | 2001-11-06 | Infineon Technologies Ag | Chip module with a plurality of flat contact elements mountable on either an external printed circuit board or an external circuit board substrate |
| FR2817398A1 (fr) * | 2000-11-27 | 2002-05-31 | Orient Semiconductor Elect Ltd | Boitier en film ultra-mince |
| DE10318688A1 (de) * | 2003-04-24 | 2004-11-25 | W. C. Heraeus Gmbh & Co. Kg | Verfahren zum Trennen der elektrischen Verbindungsknoten bei IC-Frames und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils sowie von Frames dafür |
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