JPS61280626A - ワイヤボンデイング方法 - Google Patents

ワイヤボンデイング方法

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JPS61280626A
JPS61280626A JP60097445A JP9744585A JPS61280626A JP S61280626 A JPS61280626 A JP S61280626A JP 60097445 A JP60097445 A JP 60097445A JP 9744585 A JP9744585 A JP 9744585A JP S61280626 A JPS61280626 A JP S61280626A
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wire
ball
stitch
capillary
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徹 山下
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    • H01L2224/85951Forming additional members, e.g. for reinforcing
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    • H01L2924/01082Lead [Pb]

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ)産業上の利用分野 本発明は比較的硬度の高い半導体チップ上から柔軟性の
高い基板上へのワイヤボンドを行うワイヤボンディング
方法に関する。
口)従来の技術 従来半導体チップ上から、この半導体チップが搭載され
る基板上にワイヤボンドを行うに際しては第2図に示す
ように、ワイヤボンディング装置のワイヤ供給先端部と
なるキャピラリー(1)先端にボール状の溶融金属塊を
形成して、これを半導体チップ(2)上のボンディング
パット(3)に圧着してボールボンド(4)を行った後
、ワイヤ〈5)を基板(6)上のリード端子(7)に導
き加熱、圧着によるステッチボンド(8)を施してワイ
ヤを切断していた。このようなワイヤボンディング方法
は例えば特公昭48−26672号に示きれている。
ハ)発明が解決しようとする問題点 ところで、最近では液晶表示器用の駆動回路が形成きれ
た半導体チップを液晶パネル基板り10)に実装するに
際し、装着のし易さ等の点からガラスエポキシ樹脂等か
ら成る基台(11)に接着され、ポリエステル、ポリイ
ミド等の有機高分子材料から成る柔軟性を有するフレキ
シブルブリ、ント基板(9)(以下、FPCと称す)を
介して行われるようになっている。このような取付状態
を第3図に示す。尚、ここで(12〉はパネル基板(1
0)上の電極配線である。
こうしたFPC上に設けられた半導体テップとFPC(
9’)上のリード端子(7)とを上述した従来cy>方
法でワイヤ(5)ボンディングすると第3図のようにリ
ード端子(7)上にステッチボンドを行うときFPC(
9)が熱に弱いため、余り加熱出来ず、また、FPC(
9)の柔軟性のためキャピラリー(1)での圧接箇所が
沈んだり、キャピラリー(1)から与えられる超音波が
FpC(9)に吸収されたりして十分なボンディング強
度を得られないと云う問題があった。
二)問題点を解決するための手段 本発明は、硬度の高い半導体チップから柔軟性を有する
基板へワイヤポンドをするワイヤボンディングに際して
、上記半導体チップ上にボールボンドをする工程と、ワ
イヤを基板上へ導く工程と、このワイヤを基板上にステ
ッチボンドする工程と、このステッチボンドを行った同
じ箇所にボールボンドをする工程と、を有している。
ホ)作用 半導体チップ上から導いてきたワイヤをFPC上の所定
の箇所にステッチボンドをした後、その同じ箇所にボー
ルボンドを行っているので、柔軟な基板上へのワイヤボ
ンドの十分な強度が得られる。
へ)実施例 第1図A〜Gは本発明ワイヤボンディング方法を工程順
に示す断面模式図であって、これ等の図を用いて本発明
を説明する。これ等の図において、上記第2図、第3図
及び第4図と同一部分には同一符号が付しである。まず
、リード端子(7)が形成されたFPC(9)をガラス
エポキシ等より成る基台(11)上に接着し、このFP
C(9)上に液晶表示器を駆動する回路等が形成された
半導体チップ(2)を銀ペースト等の導電性接着材で取
り付けたものをボンディング装置(図示せず)に配置す
る。この状態でボンディング装置のキャピラリー(1)
先端にワイヤを形成する材料(Au、Ag等)でボール
状の溶融金属塊(13)を形成して(第1図A)、これ
を、半導体チップ(2)上のボンディングパット(3)
にキャピラリー(1)から超音波振動を与えながら圧着
してボールボンド(4)を行った後、ワイヤ(5)をF
PC(9)上のリード端子(7)に導き(第1図B)、
ステッチボンドを行ってワイヤ(5)を切断する(第1
図C)、その後、さらにキャピラリーく1)先端に溶融
金属塊(13)を形成して、それを上記リード端子(7
)のステッチボンド(8)箇所に圧着して(第1図D)
、ボールボンド(4)を行ってからキャピラリー(1)
を引き上げる(第1図E)。
尚、このボールボンド形成時のキャピラリー(1)から
与える超音波振動エネルギー及び圧着圧力はチップ(2
〉上へのボールボンド形成時より、高くしておき、圧着
時の力0熱はしないようにしておく。これにより圧着温
度は80°Cと通常(120℃)の場合より低い温度で
も十分な圧着が行える。統いてワイヤ(5)をキャピラ
リー(1)内に収納して行く状態で上記リード端子(7
)上のボールボンド(4)部に上記キャピラリー(1)
を垂下圧接して(第1図F)、ステッチボンドを行いワ
イヤ(5)を切断する(第1図G)、こうした一工程の
ワイヤボンディングを繰り返して半導体チップ(2)と
多数のリード端子(7)との接続を採る。
こうした、ワイヤボンディングを行うと、FPC(9)
上に形成されたリード端子(7)上にワイヤボンディン
グを行うときでもワイヤとリード端子(7)との圧着は
確実に強固に行われる。
(ト) 発明の効果 以上述べた如く、本発明ワイヤボンディング方法は硬度
の高い半導体チップから柔軟性を有する基板へワイヤポ
ンドをするワイヤボンディング方法に際して、上記半導
体チップ上にボールボンドをする工程と、ワイヤを基板
上へ導(工程と、このワイヤを基板上にステッチボンド
する工程と、このステッチボンドを行った同じ箇所にボ
ールボンドをする工程と、を有しているので、半導体チ
ップから柔軟性を有する基板上へのワイヤボンディング
がより確実に行え、チップとリード端子との接続状態が
強くなり、信頼性の向上が望める。
【図面の簡単な説明】
第1図A、、B、C,D、E、F、Gは本発明ワイヤボ
ンディング方法を工程順に示す断面模式図、第2図、第
4図は従来のワイヤボンディング方法を示す断面模式図
、第3図は半導体チップを液晶パネル基板に取り付けた
ときの断面模式図である。 (1)・・・キャピラリー、(2)・・・半導体チップ
、(3)・・・ボンディングパット、(4)(ta)・
・・ボールボンド、(5)・・・ワイヤ、(7)・・・
リード端子、(8)・−ステッチボンド、(9)・・・
FPC,(10)・・・液晶パネル基板、(11)・・
・基台、(13)・・・溶融金属塊。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)硬度の高い半導体チップから柔軟性を有する基板へ
    ワイヤボンディングをするワイヤボンディング方法にお
    いて、上記半導体チップ上にボールボンドをする工程と
    、ワイヤを基板上へ導く工程と、このワイヤを基板上に
    ステッチボンドする工程と、このステッチボンドを行っ
    た同じ箇所にボールボンドをする工程と、から成るワイ
    ヤボンディング方法。
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