JPH09246326A - フリップチップ実装方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は複数の半導体素子を基板上にフェイス
ダウンで実装するフリップチップ実装方法に関し、高密
度実装化を可能とすることを課題とする。 【解決手段】まず、ベアチップ１０Ａに形成されたスタ
ッドバンプ１２の先端に接着剤として機能する熱硬化型
の樹脂１４を付着させ、その後に導電性フィラーを絶縁
材料でコーティングしたマイクロカプセル１５を前記樹
脂１４に付着させ、この状態を維持しつつベアチップ１
０Ａを実装基板１１に形成された電極パッド２１Ａにフ
リップフリップチップボンディングにより熱圧着する。
続いて、上記と同様の処理によりベアチップ１０Ｂを電
極パッド２１Ｂにフリップフリップチップボンディング
により熱圧着する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はフリップチップ実装
方法に係り、特に複数の半導体素子を基板上にフェイス
ダウンで実装するフリップチップ実装方法に関する。近
年、半導体集積回路や混成集積回路の集積度が増加し、
大規模化する傾向がますます強くなってきている。これ
に伴い、これらの集積回路を搭載する回路基板も、絶縁
層を介して多層に導体回路パターンが積層された多層回
路基板や、両面実装回路基板を多く利用されるようにな
ってきている。

【０００２】特に、集積度が高く微細パターンを必要と
する場合には、セラミック基板に相関絶縁膜としてポリ
イミド樹脂を使用し、薄膜導体回路パターンや薄膜抵抗
素子を配設した薄膜多層回路基板が優れており、大型電
子計算機や高速信号伝送モジュール等に使用され始めて
いる。また、このような多層回路基板上に高密度にベア
チップを実装する方法として、ソルダーレスフリップチ
ップ実装が注目を集めている。

【０００３】

【従来の技術】図１１乃至図１４は従来におけるフリッ
プチップ実装方法の一例を示している。各図では、複数
（以下の説明では２個）のベアチップ１Ａ，１Ｂを多層
セラミック基板２にフリップチップ実装する例を示して
いる。

【０００４】ベアチップ１Ａを多層セラミック基板２に
実装するには、先ず図１１に示されるように、多層セラ
ミック基板２に予め形成されている電極パッド３に異方
性導電性接着剤４を塗布する。具体的には、多層セラミ
ック基板２にマスク５を配設し、異方性導電性接着剤４
をスキージ６を用いて多層セラミック基板２に形成され
ている全ての電極パッド３に印刷（塗布）する。尚、異
方性導電性接着剤４は、絶縁性樹脂に導電性フィラーが
混入されたものである。

【０００５】続いて、図１２に示されるように、予めス
タッドバンプ７が形成されているベアチップ１Ａを、ボ
ンディングツール８を用いて所定の電極パッド３に搭載
する。この際、ボンディングツール８はベアチップ１Ａ
を多層セラミック基板２に向け押圧する。上記のよう
に、電極パッド３上には異方性導電性接着剤４が塗布さ
れているため、スタッドバンプ７が電極パッド３に圧接
されることにより、スタッドバンプ７と電極パッド３は
異方性導電性接着剤４に混入された導電性フィラーによ
り電気的に導通される。

【０００６】また、ボンディングツール８にはヒーター
が組み込まれており、ベアチップ１Ａが多層セラミック
基板２に搭載された状態で加熱処理が行われ、異方性導
電性接着剤４に含まれる絶縁性樹脂が熱硬化することに
よりベアチップ１Ａは多層セラミック基板２に実装され
る。尚、電極パッド３の外部に位置する異方性導電性接
着剤４はアンダーフィルレジンとして機能する。

【０００７】このように１個目のベアチップ１Ａが多層
セラミック基板２に仮止めされると、図１３に示される
ように、上記と同様の処理を行うことにより２個目のベ
アチップ１Ｂが多層セラミック基板２に実装される。上
記したフリップチップ実装方法では、ハンダを用いるこ
となくベアチップ１Ａ，１Ｂを多層セラミック基板２に
実装できるため（このハンダを用いない実装方法をソル
ダーレスフリップチップ実装という）、実装処理を容易
に行うことができる。

【０００８】また、加熱温度を低くすることができるた
めベアチップ１Ａ，１Ｂに与えるダメージが少なく、ま
たハンダを用いた場合には用いることができなかった材
料（例えばプラスチック等）の実装基板に対してもフリ
ップチップ実装を行うことが可能となる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記したよ
うに近年では半導体集積回路や混成集積回路の集積度が
増加し、これに伴い多層セラミック基板２上に配設され
た複数のベアチップ１Ａ，１Ｂを近接させる必要が生じ
てきている。

【００１０】しかるに、従来のフリップチップ実装方法
において複数のベアチップ１Ａ，１Ｂを近接させると、
１個目のベアチップ１Ａを多層セラミック基板２に搭載
しボンディングツール８により加熱処理を行う際、ボン
ディングツール８の熱が多層セラミック基板２を熱伝導
し、隣接する２個目のベアチップ１Ｂの配設位置まで加
熱されてしまう。

【００１１】図１４は従来のフリップチップ実装方法に
おいて複数のベアチップ１Ａ，１Ｂを近接させた状態を
示している。同図に示されるように、従来のフリップチ
ップ実装方法では、多層セラミック基板２上の電極パッ
ド３上に予め異方性導電性接着剤４が塗布されているた
め、ボンディングツール８の熱により２個目のベアチッ
プ１Ｂの配設位置まで加熱されると、２個目のベアチッ
プ１Ｂに対応する電極パッド３に塗布された異方性導電
性接着剤（図１４に符号４ａで示す）も硬化してしま
う。

【００１２】よって、１個目のベアチップ１Ａを多層セ
ラミック基板２に仮止めした後、２個目のベアチップ１
Ｂを多層セラミック基板２に仮止めしようとしても、上
記のように異方性導電性接着剤４ａが硬化しているため
に仮止めを行うことができなくなる。このため、従来の
フリップチップ実装方法ではベアチップ１Ａ，１Ｂを高
密度実装することができないという問題点があった。

【００１３】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、高密度実装化を可能とするフリップチップ実装方
法を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記の課題は、以下の手
段を講じることにより解決することができる。請求項１
記載の発明では、バンプが形成された複数個の半導体素
子を実装基板に形成された電極にフリップチップボンデ
ィングにより実装するフリップチップ実装方法におい
て、前記半導体素子に形成されたバンプの先端に樹脂を
付着させ、その後に導電性フィラーを絶縁材料でコーテ
ィングしたマイクロカプセルを前記樹脂に付着させ、こ
の状態の前記半導体素子を前記実装基板に形成された電
極にフリップフリップチップボンディングにより熱圧着
することを特徴とするものである。

【００１５】また、請求項２記載の発明では、バンプが
形成された複数個の半導体素子を実装基板に形成された
電極にフリップチップボンディングにより実装するフリ
ップチップ実装方法において、前記半導体素子に形成さ
れたバンプの先端に樹脂を付着させ、その後に導電性フ
ィラーを絶縁材料でコーティングしたマイクロカプセル
を前記樹脂に付着させ、この状態の前記半導体素子を前
記実装基板に形成された電極にフリップフリップチップ
ボンディングにより熱圧着し、前記処理を複数個の各半
導体素子に対して繰り返し実施することを特徴とするも
のである。

【００１６】また、請求項３記載の発明では、前記請求
項２記載のフリップチップ実装方法において、前記複数
個の半導体素子を前記実装基板に実装した後、前記複数
個の半導体素子と前記実装基板との間にアンダーフィル
レジンを介装し、前記アンダーフィルレジンを熱硬化さ
せることにより前記複数個の半導体素子を一括的に前記
実装基板に接合することを特徴とするものである。

【００１７】また、請求項４記載の発明では、バンプが
形成された複数の半導体素子を実装基板に形成された電
極にフリップチップボンディングにより実装するフリッ
プチップ実装方法において、前記半導体素子に形成され
たバンプの先端に、導電性フィラーを絶縁材料でコーテ
ィングしたマイクロカプセルが混入された樹脂を付着さ
せ、この状態の前記半導体素子を前記実装基板に形成さ
れた電極にフリップフリップチップボンディングにより
熱圧着し、前記処理を複数個の各半導体素子に対して繰
り返し実施することを特徴とするものである。

【００１８】また、請求項５記載の発明では、前記請求
項４記載のフリップチップ実装方法において、前記複数
個の半導体素子を前記実装基板に実装した後、前記複数
個の半導体素子と前記実装基板との間にアンダーフィル
レジンを介装し、前記アンダーフィルレジンを熱硬化さ
せることにより前記複数個の半導体素子を一括的に前記
実装基板に接合することを特徴とするものである。

【００１９】更に、請求項６記載の発明では、前記請求
項１乃至５のいずれかに記載のフリップチップ実装方法
において、前記バンプとしてスタッドバンプを用いてた
ことを特徴とするものである。上記した各手段は、次の
ように作用する。

【００２０】請求項１及び２記載の発明によれば、半導
体素子に形成されたバンプの先端に樹脂を付着させ、そ
の後にバンプ先端に付着した樹脂にマイクロカプセルを
付着させるため、樹脂及びマイクロカプセルは実装基板
側ではなく、半導体素子に形成された個々のバンプに配
設された構成となる。

【００２１】そして、このマイクロカプセル及び樹脂が
バンプに付着した状態の半導体素子を実装基板上にフリ
ップチップボンディングすることにより、バンプと電極
との間にマイクロカプセルが介在することとなり、バン
プが電極に向け押圧されることにより導電性フィラーを
コーティングした絶縁材料は破れ導電性フィラーにより
バンプと電極とは電気的に接続する。更に、樹脂はフリ
ップチップボンディング時に加熱されるため熱硬化し、
半導体素子は実装基板に固定される。

【００２２】この際、本請求項に係るフリップチップ実
装方法では、従来のように実装基板の電極に樹脂を塗布
することは行わず、各バンプ（半導体素子側）に樹脂を
付着させる構成としている。このため、ある半導体素子
に対し熱圧着処理を行うことにより、熱が隣接する電極
に印加されても、隣接する電極がこの熱により影響を受
けることはなく、よって実装基板上に半導体素子を近接
配置することが可能となる。これにより、半導体素子を
実装基板上に高密度に配置することができる。

【００２３】また、請求項３及び請求項５記載の発明に
よれば、実装された複数個の半導体素子と実装基板との
間にアンダーフィルレジンを介装し、このアンダーフィ
ルレジンを熱硬化させることにより複数個の半導体素子
を一括的に実装基板に接合することにより、各半導体素
子を実装基板に確実に固定することができ実装の信頼性
を向上することができる。

【００２４】また、固定後に熱が印加されたような場合
であっても、半導体素子と実装基板との熱膨張差による
応力発生をアンダーフィルレジンで抑制することがで
き、これによっても信頼性を向上することができる。更
に、請求項４記載の発明によれば、半導体素子に形成さ
れたバンプの先端にマイクロカプセルが混入された樹脂
を付着させる方法を用いているため、請求項１のフリッ
プチップ実装方法ではマイクロカプセルをバンプに付着
させるのに樹脂の付着工程とマイクロカプセルの付着工
程との二つの工程が必要であったものを、本請求項に係
る方法では一つの工程で行うことができる。よって、フ
リップチップ実装における工程の簡略化を図ることがで
きる。

【００２５】

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面と共に説明する。図１乃至図９は、本発明の一実施
例であるフリップチップ実装方法を示している。尚、以
下の説明においては、説明及び図示の便宜上、２個の半
導体素子１０Ａ，１０Ｂを多層セラミックス基板１１
（以下、実装基板１１という）に実装するマルチ・チッ
プ・モジュール（ＭＣＭ）を例に挙げて説明する。

【００２６】本実施例に係るフリップチップ実装方法で
は、先ず図１に示されるように、半導体素子１０Ａ（１
０Ｂ）を用意する。この半導体素子１０Ａ（１０Ｂ）
は、パッケージングされていないベアチップ（以下、半
導体素子１０Ａ，１０Ｂをベアチップ１０Ａ，１０Ｂと
いう）であり、その一面には複数のスタッドバンプ１２
が形成されている。

【００２７】このスタッドバンプ１２は、例えばワイヤ
ボンディング装置を用いて形成されるものであり、各ベ
アチップ１０Ａ，１０Ｂに金ワイヤをボンディングした
後、キャピラリ（図示せず）を所定量上動させた上で金
ワイヤを切断し、高さの均一化処理を行うことにより形
成される。

【００２８】上記構成とされたベアチップ１０Ａ（１０
Ｂ）は、図２に示される樹脂供給容器１３に装着され
る。樹脂供給容器１３は上部に形成された凹部に樹脂１
４が装填されている。この樹脂１４は例えばエポキシ径
樹脂等の熱硬化性樹脂であり、また硬化される前の状態
においては所定の粘性を有し、接着剤として機能するも
のが選定されている。ベアチップ１０Ａ（１０Ｂ）は、
この樹脂供給容器１３に装着された状態で、スタッドバ
ンプ１２の先端部がこの樹脂１４内に浸漬される構成と
されている。

【００２９】続いて、ベアチップ１０Ａ（１０Ｂ）を樹
脂供給容器１３から引き上げることにより、スタッドバ
ンプ１２の先端部には樹脂１４が付着する。この際、樹
脂１４は各スタッドバンプ１２の先端部にのみ付着して
おり、ベアチップ１０Ａ（１０Ｂ）の本体部分には付着
していない。

【００３０】上記のようにベアチップ１０Ａ（１０Ｂ）
に形成されている各スタッドバンプ１２の先端部に樹脂
１４が付着されると、続いて図３に示されるように、各
スタッドバンプ１２の先端部には樹脂１４を接着剤とし
てマイクロカプセル１５が付着される。図３において、
１６はマイクロカプセル供給容器であり、その上部に形
成された凹部には多数のマイクロカプセル１５が装填さ
れている。

【００３１】ベアチップ１０Ａ（１０Ｂ）は下動するこ
とによりこのマイクロカプセル供給容器１６に装着さ
れ、装着状態においてスタッドバンプ１２の先端部はマ
イクロカプセル供給容器１６に装填されている多数のマ
イクロカプセル１５内に進入する。

【００３２】続いて、ベアチップ１０Ａ（１０Ｂ）をマ
イクロカプセル供給容器１６から引き上げると、スタッ
ドバンプ１２の先端部には接着剤として機能する樹脂１
４が付着しているため、この樹脂１４にマイクロカプセ
ル１５が付着し、結果としてスタッドバンプ１２の先端
部にマイクロカプセル１５が付着する。

【００３３】図４は、スタッドバンプ１２の先端部にマ
イクロカプセル１５が付着した状態を拡大して示してい
る。前記したように、樹脂１４は各スタッドバンプ１２
の先端部にのみ付着している。このため、同図に示され
るように、マイクロカプセル１５も各スタッドバンプ１
２の先端部にのみ付着した構成となっている。

【００３４】ここで、マイクロカプセル１５の構造につ
いて説明する。マイクロカプセル１５は、図４（Ｂ）に
示されるように、導電性フィラー１７を絶縁膜１８でコ
ーティングした構造とされている。導電性フィラー１７
は例えば銀（Ａｇ）等の導電性金属の微粒体であり、ま
た絶縁膜１８は後述するように絶縁性樹脂により形成さ
れている。この絶縁膜１８は外部圧力により破壊される
構成とされており、破壊されることにより内部に位置す
る導電性フィラー１７が露出する構成とされている。

【００３５】従って、図８に示されるように、このマイ
クロカプセル１５をスタッドバンプ１２と実装基板１１
の電極パッド２１との間に介装すると、スタッドバンプ
１２の押圧力により絶縁膜１８は破壊され、導電性フィ
ラー１７はスタッドバンプ１２及び電極パッド２１に共
に接続する。

【００３６】これにより、スタッドバンプ１２と電極パ
ッド２１は導電性フィラー１７を介して電気的に接続さ
れた構成となる。但し、側部においては絶縁膜１８は残
存した構成となっているため、スタッドバンプ１２と電
極パッド２１との対向方向（図中上下方向）に対しては
導電性を発揮するものの、これと直行する方向（図中左
右方向）に対しては絶縁性を有した構成となっている。
即ち、このマイクロカプセル１５は異方性導電性を有し
た構成となる。

【００３７】続いて、マイクロカプセル１５の製造方法
について説明する。マイクロカプセル１５を製造するに
は、先ず水３７０ミリリットル中にポリビニルアルコー
ル２０ｇと乳化剤２ｇを溶解させて水相を作る。また、
ジクロロエタン３０ミリリットルにビスマレイミド（以
下、略してＢＭＩという）を７ｇとジアミノジフェニル
メタン（以下、略してＤＤＭ）を４ｇ溶解させ、これに
粒径が 0.3〜 0.5μｍの導電性フィラー１７となる銀
（Ａｇ）粉を５ｇとチタネートカップリング剤（品名Ｋ
Ｒ−３８Ｓ，味の素（株））を 0.1ｇを加えて油相を作
る。そして、この油相に３０分間にわたり超音波振動を
加えて凝集しているＡｇ粉を均一に分散させる。

【００３８】次に、ホモジナイザを用い、水相を７００
０ｒｐｍで攪拌しながら油相を徐々に滴下し、Ａｇ粉の
表面に油相が存在するサスペンジョンを形成する。この
サスペンジョンをスリーワンモータで２００ｒｐｍで攪
拌しながら、３０ミリリットルの水に１ｇの触媒（ジア
ザビシクロウンデセン）を溶解させたものを２時間かけ
て滴下し、６５℃に昇温して４時間攪拌を続けることに
より、Ａｇ粉の表面でＢＭＩとＤＤＭとを反応させ、以
上の工程を経ることにより導電性フィラー１７となるＡ
ｇ粉の表面に約 0.1μｍの絶縁膜１８が形成される。

【００３９】図５に戻り、再び本実施例に係るフリップ
チップ実装方法の説明を続ける。図１乃至図４を用いて
説明したように、ベアチップ１０Ａ（１０Ｂ）に形成さ
れたスタッドバンプ１２の先端に樹脂１４及びマイクロ
カプセル１５が付着されると、図５に示されるように、
１個目のベアチップ１０Ａが実装基板１１に実装され
る。

【００４０】実装基板１１は、前記したように多層セラ
ミック基板であり、その内部には内部配線２０が形成さ
れると共に、ベアチップ１０Ａ（１０Ｂ）が実装される
所定位置には電極パッド２１Ａ，２１Ｂが形成されてい
る。尚、電極パッド２１Ａは最初に実装されるベアチッ
プ１０Ａに対応した電極パッドであり、電極パッド２１
Ｂはベアチップ１０Ａの実装後に実装されるベアチップ
１０Ｂに対応した電極パッドである。

【００４１】ベアチップ１０Ａを実装基板１１に実装す
るには、先ずベアチップ１０Ａをボンディングツール２
２に装着し、ボンディングツール２２を駆動することに
よりベアチップ１０Ａを実装基板１１に圧着する。これ
により、ベアチップ１０Ａに形成されているスタッドバ
ンプ１２は実装基板１１に形成されている電極パッド２
１Ａに押圧される。

【００４２】また、上記のようにスタッドバンプ１２の
先端部にはマイクロカプセル１５が付着されているた
め、図７に示されるように、このマイクロカプセル１５
はスタッドバンプ１２と電極パッド２１Ａとの間に介装
された状態となる。そして、ボンディングツール２２に
よりスタッドバンプ１２が電極パッド２１Ａに向け押圧
されることにより、マイクロカプセル１５を構成する絶
縁膜１８は破壊され、図８に示されるように、導電性フ
ィラー１７によりスタッドバンプ１２と電極パッド２１
Ａとは電気的に接続される。

【００４３】また、ボンディングツール２２にはヒータ
ーが組み込まれており、ベアチップ１０Ａが実装基板１
１に搭載された状態で加熱処理が行われる。これによ
り、熱硬化性を有する樹脂１４は熱硬化し、従ってスタ
ッドバンプ１２と電極パッド２１Ａとは樹脂１４により
接合された状態となる。

【００４４】このように、スタッドバンプ１２と電極パ
ッド２１Ａとが樹脂１４により接合さることにより、ベ
アチップ１０Ａは実装基板１１に仮止めされた状態とな
る。即ち、ベアチップ１０Ａは実装基板１１にフリップ
チップボンディングされることにより仮止めされた状態
となる。

【００４５】ここで、樹脂１４によるベアチップ１０Ａ
と実装基板１１との仮止め状態に注目し、以下説明す
る。本実施例に係るフリップチップ実装方法では、上記
のようにベアチップ１０Ａに形成されたスタッドバンプ
１２の先端に樹脂１４を付着させ、その後にこの樹脂１
４にマイクロカプセル１５を付着させるため、樹脂１４
及びマイクロカプセル１５は実装基板１１側ではなく、
ベアチップ１０Ａに形成された個々のスタッドバンプ１
２に配設された構成となる。

【００４６】そして、この樹脂１４及びマイクロカプセ
ル１５がスタッドバンプ１２に付着した状態のベアチッ
プ１０Ａを実装基板１１上にフリップチップボンディン
グすることにより、樹脂１４はボンディングツール２２
により加熱されて熱硬化し、ベアチップ１０Ａは実装基
板１１に実装（仮止め）される。

【００４７】この際、上記のように本実施例に係るフリ
ップチップ実装方法は、従来のように多層セラミック基
板２（実装基板）の電極パッド３に樹脂１４を塗布（図
１１及び図１２参照）するのではなく、各スタッドバン
プ１２に（即ち、ベアチップ１０Ａ側に）樹脂１４を付
着させる構成としている。

【００４８】このため、図５に示されるように、ベアチ
ップ１０Ａを実装基板１１に熱圧着処理し、この熱が隣
接するベアチップ１０Ｂ用の電極パッド２１Ｂに印加さ
れても、電極パッド２１Ｂには樹脂１４は塗布されてい
ないため、この電極パッド２１Ｂがこの熱により影響を
受けることはない。

【００４９】１個目のベアチップ１０Ａの仮止めが終了
すると、続いて図６に示されるように２個目のベアチッ
プ１０Ｂが１個目のベアチップ１０Ａの実装方法と同様
の方法で実装基板１１に仮止めされる。この際、２個目
のベアチップ１０Ｂもスタッドバンプ１２の先端に樹脂
１４及びマイクロカプセル１５を付着した構成とされて
いるため、１個目のベアチップ１０Ａに拘わらずベアチ
ップ１０Ｂを実装基板１１に仮止めすることができる。

【００５０】従って、本実施例に係るフリップチップ実
装方法によれば、実装基板１１上にベアチップ１０Ａ，
１０Ｂを近接配置することが可能となり、これによりベ
アチップ１０Ａ，１０Ｂを実装基板１１上に高密度に配
置することができる。上記のようにベアチップ１０Ａ，
１０Ｂが実装基板１１に仮止めされると、続いて図９に
示されるように、ベアチップ１０Ａ，１０Ｂと実装基板
１１との間にアンダーフィルレジン２３（例えば、エポ
キシ系の樹脂）を介装する。そして、このアンダーフィ
ルレジン２３を熱硬化させることによりベアチップ１０
Ａ，１０Ｂを一括的に実装基板１１に固定する。

【００５１】このように、ベアチップ１０Ａ，１０Ｂと
実装基板１１との間にアンダーフィルレジン２３を介装
することによりベアチップ１０Ａ，１０Ｂを実装基板１
１に固定することにより、各ベアチップ１０Ａ，１０Ｂ
を実装基板１１に確実に固定することができ実装の信頼
性を向上することができる。

【００５２】また、固定後に熱が印加されたような場合
（実装基板１１を他の回路基板に装着する場合等）であ
っても、ベアチップ１０Ａ，１０Ｂと実装基板１１との
熱膨張差による応力発生をアンダーフィルレジン２３で
抑制することができ、これによっても信頼性を向上する
ことができる。

【００５３】図１０は、上記したフリップチップ実装方
法の変形例を示している。上記した実施例では、樹脂１
４及びマイクロカプセル１５をスタッドバンプ１２の先
端に付着するために、図２に示すように先ずスタッドバ
ンプ１２の先端に樹脂１４を付着し、その後に樹脂１４
を接着剤としてマイクロカプセル１５を付着させる構成
としていた。

【００５４】これに対し本変形例では、予めマイクロカ
プセル１５を樹脂１４に混入したマイクロカプセル混入
樹脂２４（以下、ＭＣ混合樹脂という）を作製してお
き、これを混合樹脂供給容器２５の上部に形成された凹
部に装填しておく。そして、この混合樹脂供給容器２５
にスタッドバンプ１２が形成されたベアチップ１０Ａ，
１０Ｂを装着することにより、ＭＣ混合樹脂２４をスタ
ッドバンプ１２の先端に付着させる。

【００５５】上記した本変形例による方法を用いること
により、図２及び図３に示した方法ではマイクロカプセ
ル１５をスタッドバンプ１２に付着させるのに二つの工
程が必要であったものを、一つの工程で行うことがで
き、よってフリップチップ実装における工程の簡略化を
図ることができる。

【００５６】尚、上記した各実施例においては、ベアチ
ップ１０Ａ，１０Ｂを実装基板１１に実装する方法を例
に挙げて説明したが、本発明に係るフリップチップ実装
方法は、例えばＢＧＡ(Ball Grid Allay) 構造の半導体
装置の実装、及びＴＡＢ(Tape Automated Bonding)にお
ける半導体チップのＴＡＢテープへの接合等に幅広く応
用できるものである。

【００５７】

【発明の効果】上述の如く本発明によれば、以下の種々
の硬化を実現することができる。請求項１及び２記載の
発明によれば、ある半導体素子に対し熱圧着処理を行う
ことにより熱が隣接する電極に印加されても、隣接する
電極がこの熱により影響を受けることはなく、よって実
装基板上に半導体素子を近接配置することが可能とな
り、これにより半導体素子を実装基板上に高密度に配置
することができる。

【００５８】また、請求項３及び請求項５記載の発明に
よれば、アンダーフィルレジンにより複数個の半導体素
子を一括的に実装基板に接合することにより、各半導体
素子を実装基板に確実に固定することができ実装の信頼
性を向上することができる。また、固定後に熱が印加さ
れたような場合であっても、半導体素子と実装基板との
熱膨張差による応力発生をアンダーフィルレジンで抑制
することができ、これによっても信頼性を向上すること
ができる。

【００５９】また、請求項４記載の発明によれば、請求
項１のフリップチップ実装方法ではマイクロカプセルを
バンプに付着させるのに二つの工程が必要であるもの
を、本請求項に係る方法では一つの工程で行うことがで
き、よってフリップチップ実装における工程の簡略化を
図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を説明するための図であり、
スタッドバンプが形成されたベアチップを示す図であ
る。

【図２】本発明の一実施例を説明するための図であり、
スタッドバンプに樹脂を付着させる処理を示す図であ
る。

【図３】本発明の一実施例を説明するための図であり、
スタッドバンプにマイクロカプセルを付着させる処理を
示す図である。

【図４】本発明の一実施例を説明するための図であり、
スタッドバンプに付着した樹脂及びマイクロカプセルを
拡大して示す図である。

【図５】本発明の一実施例を説明するための図であり、
１個目のベアチップを実装基板に仮止めする処理を示す
図である。

【図６】本発明の一実施例を説明するための図であり、
２個目のベアチップを実装基板に仮止めする処理を示す
図である。

【図７】本発明の一実施例を説明するための図であり、
マイクロカプセルによるスタッドバンプと電極パッドと
の電気的接続を説明するための図である。

【図８】本発明の一実施例を説明するための図であり、
マイクロカプセルによるスタッドバンプと電極パッドと
の電気的接続位置を拡大して示す図である。

【図９】本発明の一実施例を説明するための図であり、
アンダーフィルレジンを装填する処理を示す図である。

【図１０】本発明の変形例を説明するための図である。

【図１１】従来のフリップチップ実装方法の一例を説明
するための図であり、異方性導電性樹脂を印刷する処理
を示す図である。

【図１２】従来のフリップチップ実装方法の一例を説明
するための図であり、１個目のベアチップを仮止めする
処理を示す図である。

【図１３】従来のフリップチップ実装方法の一例を説明
するための図であり、２個目のベアチップを仮止めする
処理を示す図である。

【図１４】従来の問題点を説明するための図である。

【符号の説明】

１０Ａ，１０Ｂ ベアチップ １１ 実装基板 １２ スタッドバンプ １３ 樹脂供給容器 １４ 樹脂 １５ マイクロカプセル １６ マイクロカプセル供給容器 １７ 導電性フィラー １８ 絶縁膜 ２１，２１Ａ，２１Ｂ 電極パッド ２２ ボンディングツール

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 バンプが形成された複数個の半導体素子
   を実装基板に形成された電極にフリップチップボンディ
   ングにより実装するフリップチップ実装方法において、 前記半導体素子に形成されたバンプの先端に樹脂を付着
   させ、 その後に導電性フィラーを絶縁材料でコーティングした
   マイクロカプセルを前記樹脂に付着させ、 この状態の前記半導体素子を前記実装基板に形成された
   電極にフリップフリップチップボンディングにより熱圧
   着することを特徴とするフリップチップ実装方法。
2. 【請求項２】 バンプが形成された複数個の半導体素子
   を実装基板に形成された電極にフリップチップボンディ
   ングにより実装するフリップチップ実装方法において、 前記半導体素子に形成されたバンプの先端に樹脂を付着
   させ、 その後に導電性フィラーを絶縁材料でコーティングした
   マイクロカプセルを前記樹脂に付着させ、 この状態の前記半導体素子を前記実装基板に形成された
   電極にフリップフリップチップボンディングにより熱圧
   着し、 前記処理を複数個の各半導体素子に対して繰り返し実施
   することを特徴とするフリップチップ実装方法。
3. 【請求項３】 請求項２記載のフリップチップ実装方法
   において、 前記複数個の半導体素子を前記実装基板に実装した後、
   前記複数個の半導体素子と前記実装基板との間にアンダ
   ーフィルレジンを介装し、 前記アンダーフィルレジンを熱硬化させることにより前
   記複数個の半導体素子を一括的に前記実装基板に接合す
   ることを特徴とするフリップチップ実装方法。
4. 【請求項４】 バンプが形成された複数の半導体素子を
   実装基板に形成された電極にフリップチップボンディン
   グにより実装するフリップチップ実装方法において、 前記半導体素子に形成されたバンプの先端に、導電性フ
   ィラーを絶縁材料でコーティングしたマイクロカプセル
   が混入された樹脂を付着させ、 この状態の前記半導体素子を前記実装基板に形成された
   電極にフリップフリップチップボンディングにより熱圧
   着し、 前記処理を複数個の各半導体素子に対して繰り返し実施
   することを特徴とするフリップチップ実装方法。
5. 【請求項５】 請求項４記載のフリップチップ実装方法
   において、 前記複数個の半導体素子を前記実装基板に実装した後、
   前記複数個の半導体素子と前記実装基板との間にアンダ
   ーフィルレジンを介装し、 前記アンダーフィルレジンを熱硬化させることにより前
   記複数個の半導体素子を一括的に前記実装基板に接合す
   ることを特徴とするフリップチップ実装方法。
6. 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれかに記載のフリ
   ップチップ実装方法において、 前記バンプとしてスタッドバンプを用いてたことを特徴
   とするフリップチップ実装方法。