JPH05198615A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05198615A JPH05198615A JP4007853A JP785392A JPH05198615A JP H05198615 A JPH05198615 A JP H05198615A JP 4007853 A JP4007853 A JP 4007853A JP 785392 A JP785392 A JP 785392A JP H05198615 A JPH05198615 A JP H05198615A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- leads
- film carrier
- lead
- carrier tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来のバンプを形成することによるコスト
高、及び半導体チップの電極に熱的及び機械的ストレス
を加えるため電極部が破壊し易く信頼性が劣る等の欠点
を解決する。 【構成】 半導体チップ７ａの表面にポリイミドコート
２ａを形成しフィルムキャリヤテープ６ａのリード１２
ａを直接アルミパッド１ａに低圧力で仮接合した後熱硬
化性で絶縁性がありアルミ合金ガラス等と接着可能で且
つ熱により軟化する接着剤４ａを保護板１３ａを通じて
熱圧着する。接着剤４ａは熱により軟化しリード１２ａ
とアルミパッド１ａの接合部までは浸透後硬化する。こ
の現象により仮止めの接合は完全な接合となる。更に保
護板１３ａは外部からのストレスを防ぎ従来のトランス
ファモールドパッケージと同等な取扱いが可能となる。
高、及び半導体チップの電極に熱的及び機械的ストレス
を加えるため電極部が破壊し易く信頼性が劣る等の欠点
を解決する。 【構成】 半導体チップ７ａの表面にポリイミドコート
２ａを形成しフィルムキャリヤテープ６ａのリード１２
ａを直接アルミパッド１ａに低圧力で仮接合した後熱硬
化性で絶縁性がありアルミ合金ガラス等と接着可能で且
つ熱により軟化する接着剤４ａを保護板１３ａを通じて
熱圧着する。接着剤４ａは熱により軟化しリード１２ａ
とアルミパッド１ａの接合部までは浸透後硬化する。こ
の現象により仮止めの接合は完全な接合となる。更に保
護板１３ａは外部からのストレスを防ぎ従来のトランス
ファモールドパッケージと同等な取扱いが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フィルムキャリヤ方式
による半導体装置の製造方法に関し、特にバンプ無しで
低圧力接合が可能な半導体装置の製造方法に関する。
による半導体装置の製造方法に関し、特にバンプ無しで
低圧力接合が可能な半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のフィルムキャリヤ方式による半導
体装置の製造方法は、図１１（ａ）に示す如く、搬送及
び位置決め用のスプロケットホール１１ａ″と半導体チ
ップ７ａ″が入る開孔部で、デバイスホール５ａ″を有
するポリイミド等の絶縁フィルム上に胴等の金属箔を接
着し、金属箔をエッチング等により所望の形状のリード
１２ａ″と電気選別の為のパッド１０ａ″とを形成した
フィルムキャリヤテープ６ａ″とあらかじめ電極端子上
に金属突起物であるバンプ３ａを設けた半導体チップ７
ａ″とを準備し、次にフィルムキャリヤテープのリード
１２ａ″と半導体チップのバンプ３ａとを熱圧着または
共晶法等によりインナーリードボンディングし、フィル
ムキャリヤテープの状態で電気選別用パッド１０ａ″上
に接触子を接触させて、電気選別やデバイス試験を実施
し、次にリード１２ａ″を所望の長さに切断する。
体装置の製造方法は、図１１（ａ）に示す如く、搬送及
び位置決め用のスプロケットホール１１ａ″と半導体チ
ップ７ａ″が入る開孔部で、デバイスホール５ａ″を有
するポリイミド等の絶縁フィルム上に胴等の金属箔を接
着し、金属箔をエッチング等により所望の形状のリード
１２ａ″と電気選別の為のパッド１０ａ″とを形成した
フィルムキャリヤテープ６ａ″とあらかじめ電極端子上
に金属突起物であるバンプ３ａを設けた半導体チップ７
ａ″とを準備し、次にフィルムキャリヤテープのリード
１２ａ″と半導体チップのバンプ３ａとを熱圧着または
共晶法等によりインナーリードボンディングし、フィル
ムキャリヤテープの状態で電気選別用パッド１０ａ″上
に接触子を接触させて、電気選別やデバイス試験を実施
し、次にリード１２ａ″を所望の長さに切断する。
【０００３】ついで、例えば図１１（ｂ）に示すように
プリント基板８ａ上に接着剤９ａにより半導体チップ７
ａ″を固着後、リード１２ａ″をプリント基板８ａ上の
ボンディングパッドにアウターリードボンディングを行
なうことにより、完成するものである。
プリント基板８ａ上に接着剤９ａにより半導体チップ７
ａ″を固着後、リード１２ａ″をプリント基板８ａ上の
ボンディングパッドにアウターリードボンディングを行
なうことにより、完成するものである。
【０００４】上記のようなフィルムキャリヤ方式による
半導体装置の製造方法は、ボンディングがリードの数と
無関係に一度で可能であるため、スピードが速いこと、
フィルムキャリヤテープを使用するため、ボンディング
等の組立と電気選別作業の自動化がはかれ量産性が優れ
ている等の利点を有している。
半導体装置の製造方法は、ボンディングがリードの数と
無関係に一度で可能であるため、スピードが速いこと、
フィルムキャリヤテープを使用するため、ボンディング
等の組立と電気選別作業の自動化がはかれ量産性が優れ
ている等の利点を有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のフィルムキャリヤ半導体装置は、半導体チップ
の電極上にバンプを形成する必要があり、ウエハー状態
で主に電解メッキ法により実施するバンプ形成のための
コストが高いという欠点がある。これを解決するために
幾つかのバンプ形成法が紹介されている。一例としてＳ
ｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ日本版１
９７８年１１月号３３ｐ〜３５ｐ等で紹介されているバ
ンプ付きフィルムキャリヤテープ（以下Ｂ−Ｔａｐ
ｅ）、Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｒｅｐ
ｏｒｔ Ｖｏｌ．３１ No．３ Ｊｕｎ１９８５ １１
６ｐ〜１２４ｐ等で紹介されている転写バンプ、特開昭
５４−２６６２号、特開昭６０−１９４５４３号等で紹
介されているワイヤーボンディングにおける金属ボール
をバンプとする方法（以下ボールバンプ）等がある。
た従来のフィルムキャリヤ半導体装置は、半導体チップ
の電極上にバンプを形成する必要があり、ウエハー状態
で主に電解メッキ法により実施するバンプ形成のための
コストが高いという欠点がある。これを解決するために
幾つかのバンプ形成法が紹介されている。一例としてＳ
ｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ日本版１
９７８年１１月号３３ｐ〜３５ｐ等で紹介されているバ
ンプ付きフィルムキャリヤテープ（以下Ｂ−Ｔａｐ
ｅ）、Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｒｅｐ
ｏｒｔ Ｖｏｌ．３１ No．３ Ｊｕｎ１９８５ １１
６ｐ〜１２４ｐ等で紹介されている転写バンプ、特開昭
５４−２６６２号、特開昭６０−１９４５４３号等で紹
介されているワイヤーボンディングにおける金属ボール
をバンプとする方法（以下ボールバンプ）等がある。
【０００６】これらのうちＢ−Ｔａｐｅは、フィルムキ
ャリヤテープのリード先端部を残して他のリード部分を
ハーフエッチングし、ハーフエッチングされず凸状で残
ったリード先端部をバンプとするものであるが、リード
の一部をハーフエッチングするため、金属箔のみの一層
フィルムキャリヤで実施する。
ャリヤテープのリード先端部を残して他のリード部分を
ハーフエッチングし、ハーフエッチングされず凸状で残
ったリード先端部をバンプとするものであるが、リード
の一部をハーフエッチングするため、金属箔のみの一層
フィルムキャリヤで実施する。
【０００７】従って、各リードは電気的に接続されてお
り、フィルムキャリヤテープ状態での電気的選別が困難
であるという欠点を有している。
り、フィルムキャリヤテープ状態での電気的選別が困難
であるという欠点を有している。
【０００８】これを解決するため従来のような絶縁フィ
ルム上に形成されたリードに同様にバンプを形成するこ
とも可能であるが、工程が複雑であり、逆にコスト高に
なるという欠点がある。
ルム上に形成されたリードに同様にバンプを形成するこ
とも可能であるが、工程が複雑であり、逆にコスト高に
なるという欠点がある。
【０００９】転写バンプは、ガラス等の基板上に電解メ
ッキ法によりバンプを形成しフィルムキャリヤテープの
リードをボンディングしてバンプを基板からリードに転
写する方法があるが、バンプを電解メッキ法により形成
すること、リードに転写するためのボンディングが必要
であること等から、従来のウエハ状態でのバンプ形成法
と比べてコスト的に利点は多いが完全ではない。
ッキ法によりバンプを形成しフィルムキャリヤテープの
リードをボンディングしてバンプを基板からリードに転
写する方法があるが、バンプを電解メッキ法により形成
すること、リードに転写するためのボンディングが必要
であること等から、従来のウエハ状態でのバンプ形成法
と比べてコスト的に利点は多いが完全ではない。
【００１０】ボールバンプは熱圧着ワイヤーボンディン
グの際、形成する金属ボールのみを半導体チップの電極
上に接着してバンプとするものであるが、バンプ形成時
及びフィルムキャリヤテープのリードをバンプにボンデ
ィングする時の二度にわたり半導体チップの電極に熱的
及び機械的ストレスを加えるため、電極部が破壊し易
く、信頼性的に劣るという欠点がある。また、ボンディ
ング後の半導体チップ表面とリード下面の距離が２０μ
m 程度しかないため、半導体チップの傾きや、リードの
方向の変形が少しでもあると、半導体チップのエッジと
リードが触れてショートを起こし易いという欠点もあ
る。
グの際、形成する金属ボールのみを半導体チップの電極
上に接着してバンプとするものであるが、バンプ形成時
及びフィルムキャリヤテープのリードをバンプにボンデ
ィングする時の二度にわたり半導体チップの電極に熱的
及び機械的ストレスを加えるため、電極部が破壊し易
く、信頼性的に劣るという欠点がある。また、ボンディ
ング後の半導体チップ表面とリード下面の距離が２０μ
m 程度しかないため、半導体チップの傾きや、リードの
方向の変形が少しでもあると、半導体チップのエッジと
リードが触れてショートを起こし易いという欠点もあ
る。
【００１１】そこで、本発明の技術的課題は、上記欠点
に鑑み、製造コストを低減し、電極部の信頼性を高める
半導体の製造方法を提供することである。
に鑑み、製造コストを低減し、電極部の信頼性を高める
半導体の製造方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、半導体ウエハーの表面が少なくともポリイミ
ド等からなる樹脂材料を付着、形成する工程と、前記ポ
リイミド被膜を前記半導体ウエハーの表面の各電極パッ
ドが露出する様、所望の形状に選択的にエッチング加工
する工程と、前記半導体ウエハーを半導体チップとなる
様切断する工程と、少くとも搬送及び位置決め用の孔と
所定の形状のリードを有するフィルムキャリヤテープに
おいて、前記リードの長さを前記半導体チップの電極パ
ッドの幅よりも短く且つ電極パッドのセンターよりも長
い様に加工したフィルムキャリヤテープを準備する工程
と、前記リードと前記半導体チップの電極パッドを仮接
合する工程と仮接合された半導体チップの表面に少なく
とも常温は、固体であり、加熱すると軟化後硬化する熱
硬化性で且つ絶縁性である様な熱硬化固体接着剤を放置
する工程と前記熱硬化固体接着剤の表面に絶縁材等から
なる保護板を放置する工程と前記保護板の表面をツール
により加熱加圧する工程とを少なくとも有している。
造方法は、半導体ウエハーの表面が少なくともポリイミ
ド等からなる樹脂材料を付着、形成する工程と、前記ポ
リイミド被膜を前記半導体ウエハーの表面の各電極パッ
ドが露出する様、所望の形状に選択的にエッチング加工
する工程と、前記半導体ウエハーを半導体チップとなる
様切断する工程と、少くとも搬送及び位置決め用の孔と
所定の形状のリードを有するフィルムキャリヤテープに
おいて、前記リードの長さを前記半導体チップの電極パ
ッドの幅よりも短く且つ電極パッドのセンターよりも長
い様に加工したフィルムキャリヤテープを準備する工程
と、前記リードと前記半導体チップの電極パッドを仮接
合する工程と仮接合された半導体チップの表面に少なく
とも常温は、固体であり、加熱すると軟化後硬化する熱
硬化性で且つ絶縁性である様な熱硬化固体接着剤を放置
する工程と前記熱硬化固体接着剤の表面に絶縁材等から
なる保護板を放置する工程と前記保護板の表面をツール
により加熱加圧する工程とを少なくとも有している。
【００１３】
【実施例】次に本発明の実施例について、図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１４】図１から図１０は、本発明の一実施例であ
り、フィルムキャリヤテープ方式半導体装置の製造工程
の平面図と断面図である。
り、フィルムキャリヤテープ方式半導体装置の製造工程
の平面図と断面図である。
【００１５】図１に示す如く、半導体チップ７ａは、ア
ルミパッド１ａが露出する様、ポリイミド等からなる樹
脂材料で表面をコーティングされ、厚みは例えば２０μ
m 程度である。
ルミパッド１ａが露出する様、ポリイミド等からなる樹
脂材料で表面をコーティングされ、厚みは例えば２０μ
m 程度である。
【００１６】フィルムキャリヤテープ６ａのリード１２
ａの先端の長さは、例えばリード１２ａの先端を前記ア
ルミパッド１ａに接合した場合、アルミパッド１ａから
はみ出さない程度とする。リードの材質は銅材であり表
面処理は、金メッキを実施し、厚みはリードのピッチに
応じて、狭ピッチ程薄くするが１８〜３５μm 程度とす
る。
ａの先端の長さは、例えばリード１２ａの先端を前記ア
ルミパッド１ａに接合した場合、アルミパッド１ａから
はみ出さない程度とする。リードの材質は銅材であり表
面処理は、金メッキを実施し、厚みはリードのピッチに
応じて、狭ピッチ程薄くするが１８〜３５μm 程度とす
る。
【００１７】上記フィルムキャリヤテープ６ａのリード
１２ａと前記半導体チップ７ａのアルミパッド１ａと
を、一括で接合可能な様に熱と圧力とを同時に加えるこ
とができるボンディングツール１５ａを使用し、仮止め
接合を図５に如く実施する。次に熱硬化固体接着剤４ａ
と保護板１３ａを準備する。
１２ａと前記半導体チップ７ａのアルミパッド１ａと
を、一括で接合可能な様に熱と圧力とを同時に加えるこ
とができるボンディングツール１５ａを使用し、仮止め
接合を図５に如く実施する。次に熱硬化固体接着剤４ａ
と保護板１３ａを準備する。
【００１８】図２に示す如く、熱硬化固体接着剤４ａ
は、前記半導体チップ７ａのアルミパッド１ａの内側と
なるポリイミドコート２ａより多少小さくなる様加工さ
れ、材質は合成エラストマーと、熱可塑性、及び熱硬化
性樹脂からなり、厚みは、例えば５０μm 程度とする。
は、前記半導体チップ７ａのアルミパッド１ａの内側と
なるポリイミドコート２ａより多少小さくなる様加工さ
れ、材質は合成エラストマーと、熱可塑性、及び熱硬化
性樹脂からなり、厚みは、例えば５０μm 程度とする。
【００１９】保護板１３ａは前記半導体チップ７ａと同
一の形状もしくは、前記フィルムキャリヤ６ａのリード
１２ａを所望の長さまで保護する様、図３如く加工さ
れ、材質はガラス材・セラミックス材・アルミ陽極可材
料等からなり、厚みは、例えば５０μm 程度とする。
一の形状もしくは、前記フィルムキャリヤ６ａのリード
１２ａを所望の長さまで保護する様、図３如く加工さ
れ、材質はガラス材・セラミックス材・アルミ陽極可材
料等からなり、厚みは、例えば５０μm 程度とする。
【００２０】上述した熱硬化固体接着剤４ａと前記保護
板１３ａを前記フィルムキャリヤテープ６ａと前記半導
体チップ７ａとを仮接合したうえに図１の（ｆ）の如く
設置する。ついで、熱硬化固体接着剤４ａを軟化及び硬
化させるための接着剤硬化用ツール１６ａにより、保護
板１３ａの表面を熱圧着することで、熱硬化固体接着剤
を加熱溶融後、硬化させ本実施例の半導体装置が製造さ
れる。
板１３ａを前記フィルムキャリヤテープ６ａと前記半導
体チップ７ａとを仮接合したうえに図１の（ｆ）の如く
設置する。ついで、熱硬化固体接着剤４ａを軟化及び硬
化させるための接着剤硬化用ツール１６ａにより、保護
板１３ａの表面を熱圧着することで、熱硬化固体接着剤
を加熱溶融後、硬化させ本実施例の半導体装置が製造さ
れる。
【００２１】次に第２の実施例について説明する。
【００２２】図１０の（ａ′）に示す如く、実施例１と
同様に半導体チップ７ａ′は、アルミパッド１ａ′だけ
を露出させる様、ポリイミド等からなる材質で表面をコ
ーティングされ、厚みは例えば２０μm 程度とする。
同様に半導体チップ７ａ′は、アルミパッド１ａ′だけ
を露出させる様、ポリイミド等からなる材質で表面をコ
ーティングされ、厚みは例えば２０μm 程度とする。
【００２３】フィルムキャリヤテープ６ａ′のリード１
２ａ′の先端の長さは、例えばリード１２ａ′の先端を
先アルミパッド１ａ′に接合した場合、アルミパッド１
ａ′からはみ出さない程度とする。材質は銅材であり、
表面処理は、金メッキを実施し、厚みは１８〜３５μm
程度である。上記フィルムキャリヤテープ６ａ′のリー
ド１２ａ′と半導体チップ７ａ′のアルミパッド１ａ′
とを、１点毎で接合可能な様に熱と圧力と超音波振動と
を加えることができるボンディングツール１５ａ′を使
用し、仮止め接合を図９の如く実施する。その以降の工
程は、実施例１と同様であり、図１０の（ｂ′）の如く
製造される。
２ａ′の先端の長さは、例えばリード１２ａ′の先端を
先アルミパッド１ａ′に接合した場合、アルミパッド１
ａ′からはみ出さない程度とする。材質は銅材であり、
表面処理は、金メッキを実施し、厚みは１８〜３５μm
程度である。上記フィルムキャリヤテープ６ａ′のリー
ド１２ａ′と半導体チップ７ａ′のアルミパッド１ａ′
とを、１点毎で接合可能な様に熱と圧力と超音波振動と
を加えることができるボンディングツール１５ａ′を使
用し、仮止め接合を図９の如く実施する。その以降の工
程は、実施例１と同様であり、図１０の（ｂ′）の如く
製造される。
【００２４】この実施例では、実施例１と比較し、品種
切替時にボンディングツール１５ａを変換する必要がな
く、更に１点毎のボンディングとなるため、確実に仮止
め接合が可能となる。
切替時にボンディングツール１５ａを変換する必要がな
く、更に１点毎のボンディングとなるため、確実に仮止
め接合が可能となる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明は、半導体チ
ップの表面にポリイミドコートを形成し、フィルムキャ
リヤテープのリードを直接、アルミパッドに低圧力で仮
接合した後、熱硬化性且つ絶縁性であり、熱を加えると
軟化する接着剤を保護板を通じて熱圧着することで完全
接合となる半導体装置を製造する為、以下の効果があ
る。
ップの表面にポリイミドコートを形成し、フィルムキャ
リヤテープのリードを直接、アルミパッドに低圧力で仮
接合した後、熱硬化性且つ絶縁性であり、熱を加えると
軟化する接着剤を保護板を通じて熱圧着することで完全
接合となる半導体装置を製造する為、以下の効果があ
る。
【００２６】１．バンプやリードのボンディング後のつ
ぶれにより、リードの狭ピッチ化が妨げられていたが、
低圧力接合によりつぶれ量が制御でき、狭ピッチ化、多
ピン化が可能となる。
ぶれにより、リードの狭ピッチ化が妨げられていたが、
低圧力接合によりつぶれ量が制御でき、狭ピッチ化、多
ピン化が可能となる。
【００２７】２．リードを直接アルミパッドに接合する
ことにより、バンプを形成する必要がない。
ことにより、バンプを形成する必要がない。
【００２８】３．低圧力で接合することにより、アルミ
パッドに対するストレスが低減でき、信頼性が向上す
る。
パッドに対するストレスが低減でき、信頼性が向上す
る。
【００２９】４．保護板の大きさを半導体チップの大き
さと同一以上にすることにより、リードとアルミパッド
との接合部及び境界部に直接ストレスが加わらなくな
り、信頼性が向上する。
さと同一以上にすることにより、リードとアルミパッド
との接合部及び境界部に直接ストレスが加わらなくな
り、信頼性が向上する。
【００３０】５．接着剤の硬化によりアルミパッドとリ
ードとを完全に接合することができ、これによりアルミ
パッドに直接衝撃を与えないことができ、信頼性が向上
する。
ードとを完全に接合することができ、これによりアルミ
パッドに直接衝撃を与えないことができ、信頼性が向上
する。
【００３１】６．半導体チップの表面にポリイミドコー
トを形成していることにより、リードが何らかのストレ
スで傾いたとしてもエッジタッチとなる恐れが無い。
トを形成していることにより、リードが何らかのストレ
スで傾いたとしてもエッジタッチとなる恐れが無い。
【００３２】７．接着剤により、半導体チップの表面が
大気にさらされている部分を被覆し、封止した状態とな
る、更に保護板により、外部からのストレスを防ぐこと
により、従来のトランスファーモールド封止によるパッ
ケージと同等の取扱いが可能となり超薄型パッケージ、
例えば４０５μm 〜４５０μm 程度を製造できる。
大気にさらされている部分を被覆し、封止した状態とな
る、更に保護板により、外部からのストレスを防ぐこと
により、従来のトランスファーモールド封止によるパッ
ケージと同等の取扱いが可能となり超薄型パッケージ、
例えば４０５μm 〜４５０μm 程度を製造できる。
【図１】本発明の一実施例の平面図及び断面図。
【図２】本発明の一実施例の平面図及び断面図。
【図３】本発明の一実施例の平面図及び断面図。
【図４】本発明の一実施例の平面図及び断面図。
【図５】本発明の一実施例の平面図及び断面図。
【図６】本発明の一実施例の平面図及び断面図。
【図７】本発明の一実施例の平面図及び断面図。
【図８】本発明の一実施例の平面図及び断面図。
【図９】本発明の一実施例の平面図及び断面図。
【図１０】本発明の一実施例の平面図及び断面図。
【図１１】従来の実施例の平面図及び断面図。
１ａ，１ａ′ アルミパッド ２ａ，２ａ′ ポリイミドコート ３ａ バンプ ４ａ，４ａ′ 熱硬化固体接着剤 ５ａ，５ａ′，５ａ″ デバイスホール ６ａ，６ａ′，６ａ″ フィルムキャリヤテープ ７ａ，７ａ′，７ａ″ 半導体チップ ８ａ プリント基板 ９ａ 接着剤 １０ａ，１０ａ′，１０ａ″ 選別用パッド １１ａ，１１ａ′，１１ａ″ スプロケットホール １２ａ，１２ａ′，１２ａ″ リード １３ａ，１３ａ′ 保護板 １４ａ，１４ａ′ アウターリードホール １５ａ，１５ａ′ ボンディングツール １６ａ，１６ａ′ 接着剤硬化用ツール
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウエハーの表面に樹脂材料にて、
樹脂被膜を形成する工程と、前記樹脂被膜を前記半導体
ウエハーの表面の各電極パッドが露出する様、所定の形
状に加工する工程と、前記半導体ウエハーを半導体チッ
プとなる様、切断する工程と、少くとも搬送及び位置決
め用の孔と所定の形状のリードを有するフィルムキャリ
ヤテープに対し、前記リードの長さを前記半導体チップ
の電極パッドの幅よりも短く且つ電極パッドのセンター
よりも長い様に加工したフィルムキャリヤテープを準備
する工程と、前記リードと前記半導体チップの電極パッ
ドを仮接合する工程と、仮接合された半導体チップの表
面に、少なくとも常温は、固体であり加熱すると軟化後
硬化する熱硬化性で且つ絶縁性である様な、熱硬化固体
接着剤を設置する工程と、前記熱硬化固体接着剤の表面
に絶縁材からなる保護板を設置する工程と、前記保護板
の表面を加熱加圧する工程とを、有することを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4007853A JPH05198615A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4007853A JPH05198615A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198615A true JPH05198615A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=11677190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4007853A Withdrawn JPH05198615A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05198615A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006324602A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US10600672B2 (en) * | 2015-12-03 | 2020-03-24 | Nexperia B.V. | Backend taping using fluid assisted fixation |
-
1992
- 1992-01-20 JP JP4007853A patent/JPH05198615A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006324602A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP4708090B2 (ja) * | 2005-05-20 | 2011-06-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US10600672B2 (en) * | 2015-12-03 | 2020-03-24 | Nexperia B.V. | Backend taping using fluid assisted fixation |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5140404A (en) | Semiconductor device manufactured by a method for attaching a semiconductor die to a leadframe using a thermoplastic covered carrier tape | |
| JPH11121507A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US6921682B2 (en) | Method for manufacturing encapsulated electronic components, particularly integrated circuits | |
| JP2626621B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3531580B2 (ja) | ボンディング方法 | |
| JPH05198615A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6194780B1 (en) | Tape automated bonding method and bonded structure | |
| JPH0350736A (ja) | 半導体チップのバンプ製造方法 | |
| JP4485210B2 (ja) | 半導体デバイス、電子機器、半導体デバイスの製造方法及び電子機器の製造方法 | |
| JP2004253529A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS6313337A (ja) | 半導体素子の実装方法 | |
| JPH10261735A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3472342B2 (ja) | 半導体装置の実装体の製造方法 | |
| JP2748759B2 (ja) | フィルムキャリアテープの製造方法 | |
| JPH11121509A (ja) | 強誘電体メモリチップの電気的導通構造、およびこれを有する半導体装置、ならびにこの半導体装置の製造方法 | |
| JP2000216299A (ja) | 半導体パッケ―ジ、半導体装置、及び半導体パッケ―ジの製造方法 | |
| JP2751726B2 (ja) | フィルムキャリア半導体装置の製造方法 | |
| JPH07201894A (ja) | 電子部品搭載装置の製造方法 | |
| JP3449097B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07263487A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0417346A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPH05136192A (ja) | 電子部品の実装方法 | |
| JP2000188307A (ja) | 固定リードフレームおよびその製造方法 | |
| KR20010039116A (ko) | 외부 단자 형성용 테이프 | |
| JPH11288951A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |