JP3449097B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＰＵ、ゲートア
レイ、各種コントローラ、ドライバ等に使用される半導
体装置に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】近年、ＣＰＵ、ゲートアレイ、各種コン
トローラ、ドライバ等に使用される半導体装置用の半導
体チップの電極は狭ピッチ多電極化の要求が強く、従来
の半導体パッケージングの主流であるワイヤボンディン
グ方式の限界を越えるものは、テープキャリアによるＴ
ＡＢ実装方式が用いられている。 【０００３】以下に図面を用いて従来のＴＡＢ実装方式
による半導体装置について説明する。 【０００４】図３は従来のＴＡＢ実装方式による半導体
装置の構成を示した断面図であり、図３において１１は
半導体チップであり、１２はこの半導体チップ１１に配
設されたＡｕ、半田等よりなる突起電極である。１４は
ポリイミド樹脂やガラスエポキシ樹脂等からなるテープ
キャリアのベースフィルムであり、１８はこのベースフ
ィルム１４に設けられた開口部である。１３はＣｕやＣ
ｕ合金の表面にＳｎ、Ａｕ、半田等で表面処理された導
体配線のインナーリード部であり、１６は前記導体配線
と同一配線上に形成されたアウターリード部である。 【０００５】インナーリード部１３とアウターリード部
１６以外の導体配線はベースフィルム１４にエポキシ系
の接着剤１５で接着されており、インナーリード部１３
はベースフィルム１４の開口部１８に突出した構成とな
っており、これらのベースフィルム１４と接着剤１５と
インナーリード部１３とアウターリード部１６を総称し
てテープキャリアと呼ぶ。 【０００６】インナーリード部１３と突起電極１２は熱
圧着により接合され、その後接合部はエポキシ樹脂１９
により封止され、さらに電気的試験の後金型等により切
断され、アウターリード部１６で外部回路に接続される
ように構成されたものであった。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の半導体装置の構成では、半導体チップ１１の電極の狭
ピッチ化に対応するためには、インナーリード部１３を
細くする必要があり、そのために厚みの薄い導体配線材
を使用する必要があり、これを行うとインナーリード部
１３やアウターリード部１６のリード強度の低下は避け
られず、半導体チップ１１の突起電極１２とインナーリ
ード部１３を熱圧着により接合する際に、インナーリー
ド部１３にクラックが入りやすく信頼性の低下を招いた
り断線するという課題と、外部回路と接続されるアウタ
ーリード部１６を金型で切断する時に、リードが変形し
たり切れるという課題を有していた。 【０００８】本発明はこのような従来の課題を解決し、
半導体チップの狭ピッチ多電極化に対応することができ
るテープキャリアを用いた半導体装置を提供することを
目的とするものである。 【０００９】 【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明による半導体装置は、テープキャリアの導体配
線部を１層の金属層で形成し、半導体チップの突起電極
と接続されるテープキャリアの導体配線部であるインナ
ーリード部のベースフィルムに開口部を設けない構成に
したものであり、かつ半導体チップの突起電極とテープ
キャリアの他の導体配線部より厚みの薄い導体配線部で
あるインナーリード部との接続を、半導体チップの突起
電極とインナーリード部のテープキャリアとの間に硬化
時に樹脂収縮応力のある光硬化性絶縁樹脂または熱硬化
性樹脂を塗布するか、接着力のある導電性樹脂を塗布す
るか、半導体チップの突起電極とインナーリード部との
接合部分を熱で共晶化する半田やインジウム合金で処理
後加熱する構成にしたものである。 【００１０】この本発明によれば、半導体チップの突起
電極と接続されるテープキャリアのインナーリード部の
ベースフィルム部分に開口部がないので、テープキャリ
アのインナーリード部およびアウターリード部を含む導
体配線部に従来よりも厚みの薄い導体配線材を使用する
ことが可能となり、ベースフィルムに密着したインナー
リード部は厚みに対応した狭ピッチに微細化することが
できるので、半導体チップの狭ピッチ多電極化に容易に
対応することができる半導体装置が得られる。 【００１１】 【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、シート状のベースフィルムからなるテープキャリア
と、このテープキャリアに開口せずに１層の金属層の導
体配線部を形成すると共に、このテープキャリア上に搭
載され、上記導体配線部にその突起電極が光硬化性絶縁
樹脂または熱硬化性樹脂または導電性樹脂または半田ま
たはインジウム合金のいずれかを介して接続された半導
体チップとからなり、この半導体チップの上記突起電極
が接続される部分の上記導体配線部の厚さを、上記テー
プキャリアに形成される他の導体配線部の厚さより薄く
した構成としたものであり、テープキャリアに開口部が
ないので従来よりも厚みの薄い導体配線材を使用するこ
とが可能となり、半導体チップの電極の狭ピッチ多電極
化に対応して半導体チップの電極と接続されるテープキ
ャリアの導体配線部であるインナーリード部は微細化し
てもインナーリード部にはテープキャリアがあるため、
インナーリード部にクラックや断線といった問題が発生
しないという作用を有する。 【００１２】請求項２に記載の発明は、請求項１記載の
発明において、半導体チップの突起電極が接続される部
分の導体配線部の厚さを、テープキャリアに形成される
他の導体配線部の厚さより薄く構成したものであり、半
導体チップの電極と接続されるテープキャリアのインナ
ーリード部を部分的に薄くすることで、外部と接続され
るテープキャリアのアウターリード部のリード強度を低
下させずに半導体チップの電極の狭ピッチ多電極化に対
応した微細なインナーリード部パターンの形成ができる
という作用を有する。 【００１３】請求項３に記載の発明は、請求項１または
２記載の発明において、テープキャリアのベースフィル
ムか透明樹脂よりなる構成としたものであり、半導体チ
ップとテープキャリアの固着を光硬化性絶縁樹脂により
行う場合は、テープキャリアのベースフィルム越しに光
を照射することにより樹脂の硬化を短時間で確実に行え
るという作用を有する。 【００１４】以下、本発明の実施の形態について、図
１，図２を用いて説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の第１の実施の形態にお
ける半導体装置の構成を示した断面図であり、図１にお
いて、１は半導体チップであり、２はこの半導体チップ
１の表面に配設されたＡｕ、半田、導電性樹脂、インジ
ウム合金等よりなる突起電極である。４はポリイミド樹
脂やガラスエポキシ樹脂やポリエステル樹脂等からなる
テープキャリアのベースフィルムであり、３および６は
このテープキャリアのベースフィルム４のＣｕやＣｕ合
金等よりなり、表面にＡｕ、Ｓｎ、半田等で表面処理さ
れて形成された導体配線を示し、さらに３は半導体チッ
プ１の突起電極２と接続されるインナーリード部、６は
外部回路と接続されるアウターリード部である。 【００１５】５はベースフィルム４と上記導体配線のイ
ンナーリード部３、アウターリード部６を接着する接着
剤であり、７は半導体チップ１のテープキャリアへの固
着と突起電極２とインナーリード部３の接続および封止
を行うための光硬化性もしくは熱硬化性のエポキシ系ま
たはアクリル系の絶縁樹脂である。 【００１６】以下、このように構成された本実施の形態
における半導体装置を製造する製造工程について説明す
る。 【００１７】まず、テープキャリアのアウターリード部
６の部分のベースフィルム４を金型により開口し、次に
導体配線材となる（厚み１８〜３５ミクロン程度の）銅
箔等の導体を接着剤５により接着する。接着剤５の硬化
後、上記導体をフォトエッチングによりインナーリード
部３は半導体チップ１の突起電極２の配置に位置対応さ
せ、かつアウターリード部６は外部回路の接合部分と位
置対応させる等の必要なパターン形状に加工する。銅箔
等の導体パターンピッチの加工限界は、材質にもよるが
一般的に厚みの２．３倍から２．８倍であり、インナー
リード部３に必要な導体パターンピッチから銅箔等の導
体の厚みを選定またはフォトエッチング等により加工す
る。 【００１８】次に、インナーリード部３の上に絶縁樹脂
７を塗布し、半導体チップ１をその上に突起電極２とイ
ンナーリード部３の位置を合わせて加圧しながら搭載
し、同時に光照射もしくは加熱を行って絶縁樹脂７を硬
化させる。この際、絶縁樹脂７は突起電極２とインナー
リード部３との間で加圧により排除され、突起電極２と
インナーリード部３とは電気的接続がなされ、かつ絶縁
樹脂７が硬化後に持つ接着力と収縮応力によって突起電
極２とインナーリード部３との電気的接続の保持と半導
体チップ１とテープキャリアとの固着を保つという作用
を有する。さらに絶縁樹脂７は半導体チップ１の全面を
覆うために半導体チップ１の封止も兼ねており、新たな
封止用の樹脂等が不要となる。絶縁樹脂７の硬化後、電
気的試験を経て、金型等により切断したアウターリード
部６の部分で外部回路と半田付け等により接続を行うも
のである。 【００１９】この本発明によれば、半導体チップ１の突
起電極２と接続されるテープキャリアのインナーリード
部３のベースフィルム４部分に開口部がないので、テー
プキャリアのインナーリード部３およびアウターリード
部６を含む導体配線部に従来よりも厚みの薄い導体配線
材を使用することが可能となり、ベースフィルム４に密
着したインナーリード部３は厚みに対応した狭ピッチに
微細化することができ、かつ硬化後に接着力と収縮応力
を保有する絶縁樹脂７を接合部に塗布することによっ
て、半導体チップ１の狭ピッチ多電極化に容易に対応す
ることができる半導体装置が得られる。 【００２０】なお、本実施の形態ではベースフィルム４
と導体配線のインナーリード部３、アウターリード部６
を接着する接着剤５を有するテープキャリアを用いた
が、ベースフィルム４上にメッキにより導体配線のイン
ナーリード部３、アウターリード部６を形成し、接着剤
５を有しない２層構造のテープキャリアを用いた構成で
も同様の効果を得ることができる。 【００２１】さらに、本実施の形態ではアウターリード
部６の部分のベースフィルム４は開口させているが、ア
ウターリード部６の代わりに半田ボール等をグリッド状
に配列したテープキャリアを用いたＢＧＡパッケージに
おいても実施可能であり、同様の効果を得ることができ
る。 【００２２】（実施の形態２）図２は本発明の第２の実
施の形態による半導体装置の構成を示した断面図であ
り、図２における符号の説明は上記実施の形態１で用い
た図１と同じであるために省略する。 【００２３】図２においては、半導体チップ１の突起電
極２と接続されるインナーリード部３Ａの厚みを第１の
実施の形態と比べて、テープキャリアの他の導体配線部
よりも薄い構成としたものである。 【００２４】テープキャリアの他の導体配線部よりも薄
い厚みに形成されたインナーリード部３Ａは、第１の実
施の形態の形成工程の内、接着剤５の硬化後導体を必要
なパターン形状に加工するためのフォトエッチングの前
に、インナーリード部３Ａ以外の部分をマスクしてイン
ナーリード部３Ａの導体のみをエッチングすることによ
り得ることができ、他の製造工程は第１の実施の形態の
製造工程と同様なので省略する。 【００２５】この本発明によれば、ベースフィルム４の
開口部に位置するアウターリード部６の導体厚みを薄く
することが無いので、アウターリード部６のリード強度
を低下させること無く、ベースフィルム４に密着したイ
ンナーリード部３Ａは厚みに対応した狭ピッチに微細化
することができ、かつ硬化後に接着力と収縮応力を保有
する絶縁樹脂７を接合部に塗布することによって半導体
チップの狭ピッチ多電極化に容易に対応することができ
る半導体装置が得られる。 【００２６】（実施の形態３）本発明の第３の実施の形
態による半導体装置の構成を図１，図２（材質の違いの
みなので図面は兼用する）を用いて説明する。 【００２７】第３の実施の形態はテープキャリアのベー
スフィルム４に透明なポリエステル樹脂を用いた構成と
したものである。 【００２８】この構成によれば、半導体チップ１の突起
電極２と接続されるテープキャリアのインナーリード部
３のベースフィルム部分が透明であるために、半導体チ
ップ１の突起電極２とテープキャリアのインナーリード
部３の接着保持用に塗布する絶縁樹脂７に光硬化性樹脂
を用いる場合は、ベースフィルム越しに光を照射するこ
とができ、絶縁樹脂７の硬化を短時間にかつ確実に行え
るという効果が得られる。 【００２９】 【発明の効果】以上のように本発明による半導体装置
は、半導体チップの突起電極と接合するテープキャリア
のインナーリード部分のベースフィルムに開口部を設け
ず、かつ硬化後に接着力と収縮応力を保有する絶縁樹脂
を接合部に塗布する構成とすることにより、テープキャ
リアのインナーリード部を微細化してもインナーリード
部にクラックや断線が発生せず、さらにテープキャリア
の他の導体配線部の厚みよりインナーリード部の厚みを
部分的に薄くすることで外部回路と接続されるテープキ
ャリアのアウターリード部のリード強度を低下させずに
半導体チップの狭ピッチ多電極化に対応したインナーリ
ード部の微細なパターン形成が実現できるものである。
レイ、各種コントローラ、ドライバ等に使用される半導
体装置に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】近年、ＣＰＵ、ゲートアレイ、各種コン
トローラ、ドライバ等に使用される半導体装置用の半導
体チップの電極は狭ピッチ多電極化の要求が強く、従来
の半導体パッケージングの主流であるワイヤボンディン
グ方式の限界を越えるものは、テープキャリアによるＴ
ＡＢ実装方式が用いられている。 【０００３】以下に図面を用いて従来のＴＡＢ実装方式
による半導体装置について説明する。 【０００４】図３は従来のＴＡＢ実装方式による半導体
装置の構成を示した断面図であり、図３において１１は
半導体チップであり、１２はこの半導体チップ１１に配
設されたＡｕ、半田等よりなる突起電極である。１４は
ポリイミド樹脂やガラスエポキシ樹脂等からなるテープ
キャリアのベースフィルムであり、１８はこのベースフ
ィルム１４に設けられた開口部である。１３はＣｕやＣ
ｕ合金の表面にＳｎ、Ａｕ、半田等で表面処理された導
体配線のインナーリード部であり、１６は前記導体配線
と同一配線上に形成されたアウターリード部である。 【０００５】インナーリード部１３とアウターリード部
１６以外の導体配線はベースフィルム１４にエポキシ系
の接着剤１５で接着されており、インナーリード部１３
はベースフィルム１４の開口部１８に突出した構成とな
っており、これらのベースフィルム１４と接着剤１５と
インナーリード部１３とアウターリード部１６を総称し
てテープキャリアと呼ぶ。 【０００６】インナーリード部１３と突起電極１２は熱
圧着により接合され、その後接合部はエポキシ樹脂１９
により封止され、さらに電気的試験の後金型等により切
断され、アウターリード部１６で外部回路に接続される
ように構成されたものであった。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の半導体装置の構成では、半導体チップ１１の電極の狭
ピッチ化に対応するためには、インナーリード部１３を
細くする必要があり、そのために厚みの薄い導体配線材
を使用する必要があり、これを行うとインナーリード部
１３やアウターリード部１６のリード強度の低下は避け
られず、半導体チップ１１の突起電極１２とインナーリ
ード部１３を熱圧着により接合する際に、インナーリー
ド部１３にクラックが入りやすく信頼性の低下を招いた
り断線するという課題と、外部回路と接続されるアウタ
ーリード部１６を金型で切断する時に、リードが変形し
たり切れるという課題を有していた。 【０００８】本発明はこのような従来の課題を解決し、
半導体チップの狭ピッチ多電極化に対応することができ
るテープキャリアを用いた半導体装置を提供することを
目的とするものである。 【０００９】 【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明による半導体装置は、テープキャリアの導体配
線部を１層の金属層で形成し、半導体チップの突起電極
と接続されるテープキャリアの導体配線部であるインナ
ーリード部のベースフィルムに開口部を設けない構成に
したものであり、かつ半導体チップの突起電極とテープ
キャリアの他の導体配線部より厚みの薄い導体配線部で
あるインナーリード部との接続を、半導体チップの突起
電極とインナーリード部のテープキャリアとの間に硬化
時に樹脂収縮応力のある光硬化性絶縁樹脂または熱硬化
性樹脂を塗布するか、接着力のある導電性樹脂を塗布す
るか、半導体チップの突起電極とインナーリード部との
接合部分を熱で共晶化する半田やインジウム合金で処理
後加熱する構成にしたものである。 【００１０】この本発明によれば、半導体チップの突起
電極と接続されるテープキャリアのインナーリード部の
ベースフィルム部分に開口部がないので、テープキャリ
アのインナーリード部およびアウターリード部を含む導
体配線部に従来よりも厚みの薄い導体配線材を使用する
ことが可能となり、ベースフィルムに密着したインナー
リード部は厚みに対応した狭ピッチに微細化することが
できるので、半導体チップの狭ピッチ多電極化に容易に
対応することができる半導体装置が得られる。 【００１１】 【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、シート状のベースフィルムからなるテープキャリア
と、このテープキャリアに開口せずに１層の金属層の導
体配線部を形成すると共に、このテープキャリア上に搭
載され、上記導体配線部にその突起電極が光硬化性絶縁
樹脂または熱硬化性樹脂または導電性樹脂または半田ま
たはインジウム合金のいずれかを介して接続された半導
体チップとからなり、この半導体チップの上記突起電極
が接続される部分の上記導体配線部の厚さを、上記テー
プキャリアに形成される他の導体配線部の厚さより薄く
した構成としたものであり、テープキャリアに開口部が
ないので従来よりも厚みの薄い導体配線材を使用するこ
とが可能となり、半導体チップの電極の狭ピッチ多電極
化に対応して半導体チップの電極と接続されるテープキ
ャリアの導体配線部であるインナーリード部は微細化し
てもインナーリード部にはテープキャリアがあるため、
インナーリード部にクラックや断線といった問題が発生
しないという作用を有する。 【００１２】請求項２に記載の発明は、請求項１記載の
発明において、半導体チップの突起電極が接続される部
分の導体配線部の厚さを、テープキャリアに形成される
他の導体配線部の厚さより薄く構成したものであり、半
導体チップの電極と接続されるテープキャリアのインナ
ーリード部を部分的に薄くすることで、外部と接続され
るテープキャリアのアウターリード部のリード強度を低
下させずに半導体チップの電極の狭ピッチ多電極化に対
応した微細なインナーリード部パターンの形成ができる
という作用を有する。 【００１３】請求項３に記載の発明は、請求項１または
２記載の発明において、テープキャリアのベースフィル
ムか透明樹脂よりなる構成としたものであり、半導体チ
ップとテープキャリアの固着を光硬化性絶縁樹脂により
行う場合は、テープキャリアのベースフィルム越しに光
を照射することにより樹脂の硬化を短時間で確実に行え
るという作用を有する。 【００１４】以下、本発明の実施の形態について、図
１，図２を用いて説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の第１の実施の形態にお
ける半導体装置の構成を示した断面図であり、図１にお
いて、１は半導体チップであり、２はこの半導体チップ
１の表面に配設されたＡｕ、半田、導電性樹脂、インジ
ウム合金等よりなる突起電極である。４はポリイミド樹
脂やガラスエポキシ樹脂やポリエステル樹脂等からなる
テープキャリアのベースフィルムであり、３および６は
このテープキャリアのベースフィルム４のＣｕやＣｕ合
金等よりなり、表面にＡｕ、Ｓｎ、半田等で表面処理さ
れて形成された導体配線を示し、さらに３は半導体チッ
プ１の突起電極２と接続されるインナーリード部、６は
外部回路と接続されるアウターリード部である。 【００１５】５はベースフィルム４と上記導体配線のイ
ンナーリード部３、アウターリード部６を接着する接着
剤であり、７は半導体チップ１のテープキャリアへの固
着と突起電極２とインナーリード部３の接続および封止
を行うための光硬化性もしくは熱硬化性のエポキシ系ま
たはアクリル系の絶縁樹脂である。 【００１６】以下、このように構成された本実施の形態
における半導体装置を製造する製造工程について説明す
る。 【００１７】まず、テープキャリアのアウターリード部
６の部分のベースフィルム４を金型により開口し、次に
導体配線材となる（厚み１８〜３５ミクロン程度の）銅
箔等の導体を接着剤５により接着する。接着剤５の硬化
後、上記導体をフォトエッチングによりインナーリード
部３は半導体チップ１の突起電極２の配置に位置対応さ
せ、かつアウターリード部６は外部回路の接合部分と位
置対応させる等の必要なパターン形状に加工する。銅箔
等の導体パターンピッチの加工限界は、材質にもよるが
一般的に厚みの２．３倍から２．８倍であり、インナー
リード部３に必要な導体パターンピッチから銅箔等の導
体の厚みを選定またはフォトエッチング等により加工す
る。 【００１８】次に、インナーリード部３の上に絶縁樹脂
７を塗布し、半導体チップ１をその上に突起電極２とイ
ンナーリード部３の位置を合わせて加圧しながら搭載
し、同時に光照射もしくは加熱を行って絶縁樹脂７を硬
化させる。この際、絶縁樹脂７は突起電極２とインナー
リード部３との間で加圧により排除され、突起電極２と
インナーリード部３とは電気的接続がなされ、かつ絶縁
樹脂７が硬化後に持つ接着力と収縮応力によって突起電
極２とインナーリード部３との電気的接続の保持と半導
体チップ１とテープキャリアとの固着を保つという作用
を有する。さらに絶縁樹脂７は半導体チップ１の全面を
覆うために半導体チップ１の封止も兼ねており、新たな
封止用の樹脂等が不要となる。絶縁樹脂７の硬化後、電
気的試験を経て、金型等により切断したアウターリード
部６の部分で外部回路と半田付け等により接続を行うも
のである。 【００１９】この本発明によれば、半導体チップ１の突
起電極２と接続されるテープキャリアのインナーリード
部３のベースフィルム４部分に開口部がないので、テー
プキャリアのインナーリード部３およびアウターリード
部６を含む導体配線部に従来よりも厚みの薄い導体配線
材を使用することが可能となり、ベースフィルム４に密
着したインナーリード部３は厚みに対応した狭ピッチに
微細化することができ、かつ硬化後に接着力と収縮応力
を保有する絶縁樹脂７を接合部に塗布することによっ
て、半導体チップ１の狭ピッチ多電極化に容易に対応す
ることができる半導体装置が得られる。 【００２０】なお、本実施の形態ではベースフィルム４
と導体配線のインナーリード部３、アウターリード部６
を接着する接着剤５を有するテープキャリアを用いた
が、ベースフィルム４上にメッキにより導体配線のイン
ナーリード部３、アウターリード部６を形成し、接着剤
５を有しない２層構造のテープキャリアを用いた構成で
も同様の効果を得ることができる。 【００２１】さらに、本実施の形態ではアウターリード
部６の部分のベースフィルム４は開口させているが、ア
ウターリード部６の代わりに半田ボール等をグリッド状
に配列したテープキャリアを用いたＢＧＡパッケージに
おいても実施可能であり、同様の効果を得ることができ
る。 【００２２】（実施の形態２）図２は本発明の第２の実
施の形態による半導体装置の構成を示した断面図であ
り、図２における符号の説明は上記実施の形態１で用い
た図１と同じであるために省略する。 【００２３】図２においては、半導体チップ１の突起電
極２と接続されるインナーリード部３Ａの厚みを第１の
実施の形態と比べて、テープキャリアの他の導体配線部
よりも薄い構成としたものである。 【００２４】テープキャリアの他の導体配線部よりも薄
い厚みに形成されたインナーリード部３Ａは、第１の実
施の形態の形成工程の内、接着剤５の硬化後導体を必要
なパターン形状に加工するためのフォトエッチングの前
に、インナーリード部３Ａ以外の部分をマスクしてイン
ナーリード部３Ａの導体のみをエッチングすることによ
り得ることができ、他の製造工程は第１の実施の形態の
製造工程と同様なので省略する。 【００２５】この本発明によれば、ベースフィルム４の
開口部に位置するアウターリード部６の導体厚みを薄く
することが無いので、アウターリード部６のリード強度
を低下させること無く、ベースフィルム４に密着したイ
ンナーリード部３Ａは厚みに対応した狭ピッチに微細化
することができ、かつ硬化後に接着力と収縮応力を保有
する絶縁樹脂７を接合部に塗布することによって半導体
チップの狭ピッチ多電極化に容易に対応することができ
る半導体装置が得られる。 【００２６】（実施の形態３）本発明の第３の実施の形
態による半導体装置の構成を図１，図２（材質の違いの
みなので図面は兼用する）を用いて説明する。 【００２７】第３の実施の形態はテープキャリアのベー
スフィルム４に透明なポリエステル樹脂を用いた構成と
したものである。 【００２８】この構成によれば、半導体チップ１の突起
電極２と接続されるテープキャリアのインナーリード部
３のベースフィルム部分が透明であるために、半導体チ
ップ１の突起電極２とテープキャリアのインナーリード
部３の接着保持用に塗布する絶縁樹脂７に光硬化性樹脂
を用いる場合は、ベースフィルム越しに光を照射するこ
とができ、絶縁樹脂７の硬化を短時間にかつ確実に行え
るという効果が得られる。 【００２９】 【発明の効果】以上のように本発明による半導体装置
は、半導体チップの突起電極と接合するテープキャリア
のインナーリード部分のベースフィルムに開口部を設け
ず、かつ硬化後に接着力と収縮応力を保有する絶縁樹脂
を接合部に塗布する構成とすることにより、テープキャ
リアのインナーリード部を微細化してもインナーリード
部にクラックや断線が発生せず、さらにテープキャリア
の他の導体配線部の厚みよりインナーリード部の厚みを
部分的に薄くすることで外部回路と接続されるテープキ
ャリアのアウターリード部のリード強度を低下させずに
半導体チップの狭ピッチ多電極化に対応したインナーリ
ード部の微細なパターン形成が実現できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体装置の構
成を示した断面図 【図２】同実施の形態２における半導体装置の構成を示
した断面図 【図３】従来のＴＡＢ実装方式による半導体装置の構成
を示した断面図 【符号の説明】 １ 半導体チップ ２ 突起電極 ３，３Ａ インナーリード部 ４ ベースフィルム ５ 接着剤 ６ アウターリード部 ７ 絶縁樹脂
成を示した断面図 【図２】同実施の形態２における半導体装置の構成を示
した断面図 【図３】従来のＴＡＢ実装方式による半導体装置の構成
を示した断面図 【符号の説明】 １ 半導体チップ ２ 突起電極 ３，３Ａ インナーリード部 ４ ベースフィルム ５ 接着剤 ６ アウターリード部 ７ 絶縁樹脂
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平７−231009（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−215142（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−148844（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−144871（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−69130（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−119736（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−259222（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−123042（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−219933（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/60 311
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 シート状のベースフィルムからなるテー
プキャリアと、このテープキャリアに開口せずに１層の
金属層の導体配線部を形成すると共に、このテープキャ
リア上に搭載され、上記導体配線部にその突起電極が光
硬化性絶縁樹脂または熱硬化性樹脂または導電性樹脂ま
たは半田またはインジウム合金のいずれかを介して接続
された半導体チップとからなり、この半導体チップの上
記突起電極が接続される部分の上記導体配線部の厚さ
を、上記テープキャリアに形成される他の導体配線部の
厚さより薄くした半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2357496A JP3449097B2 (ja) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2357496A JP3449097B2 (ja) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09219418A JPH09219418A (ja) | 1997-08-19 |
| JP3449097B2 true JP3449097B2 (ja) | 2003-09-22 |
Family
ID=12114325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2357496A Expired - Fee Related JP3449097B2 (ja) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3449097B2 (ja) |
-
1996
- 1996-02-09 JP JP2357496A patent/JP3449097B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09219418A (ja) | 1997-08-19 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |