JP2002324873A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂と金属、樹脂とＬＳＩとの接続を確か
なものにでき、信頼性の高い半導体装置及びその製造方
法を提供することができる。 【解決手段】 表面に複数の電極が形成された半導体チ
ップ４５１４と、第１の表面と、この第１の表面と反対
側の第２の表面とを有する金属片と、この金属片の第１
の表面と半導体チップ４５１４の電極とを接続するワイ
ヤ４４０６，４４１６と、前記金属片の第２の表面を露
出して半導体チップ４５１４および前記金属片の第１の
表面を封止する封止樹脂４６５０とを備え、前記金属片
の少なくとも一部は半導体チップ４５１４の裏面を通っ
て半導体チップ４５１４の一辺から他の一辺に延在して
いることを特徴とする。
なものにでき、信頼性の高い半導体装置及びその製造方
法を提供することができる。 【解決手段】 表面に複数の電極が形成された半導体チ
ップ４５１４と、第１の表面と、この第１の表面と反対
側の第２の表面とを有する金属片と、この金属片の第１
の表面と半導体チップ４５１４の電極とを接続するワイ
ヤ４４０６，４４１６と、前記金属片の第２の表面を露
出して半導体チップ４５１４および前記金属片の第１の
表面を封止する封止樹脂４６５０とを備え、前記金属片
の少なくとも一部は半導体チップ４５１４の裏面を通っ
て半導体チップ４５１４の一辺から他の一辺に延在して
いることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩのパッケー
ジに係り、特に、ＬＳＩチップと略同じ大きさの半導体
装置及びその製造方法に関するものである。
ジに係り、特に、ＬＳＩチップと略同じ大きさの半導体
装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のパッケージは、μ−ＢＧ
Ａ、チップサイズパッケージ、ＣＳＰ等種々の名前で呼
ばれ、また色々なタイプのチップサイズパッケージが開
発されている。
Ａ、チップサイズパッケージ、ＣＳＰ等種々の名前で呼
ばれ、また色々なタイプのチップサイズパッケージが開
発されている。
【０００３】このような、第２のチップサイズパッケー
ジについては、例えば、実践講座「ＶＬＳＩパッケージ
ング技術（下）」、日経ＢＰ社発行、１９９３年５月３
１日 １７４頁に記載されるものがあった。
ジについては、例えば、実践講座「ＶＬＳＩパッケージ
ング技術（下）」、日経ＢＰ社発行、１９９３年５月３
１日 １７４頁に記載されるものがあった。
【０００４】図１１はかかる従来のチップサイズパッケ
ージがセラミック基板に実装された全体断面図、図１２
は図１１のＡ部拡大断面図である。
ージがセラミック基板に実装された全体断面図、図１２
は図１１のＡ部拡大断面図である。
【０００５】これらの図に示すように、ＬＳＩチップ１
のアルミニューム電極２にＡｕのスタッドバンプ３が形
成され、これが２層配線のセラミック基板５にフリップ
チップボンディングされている。
のアルミニューム電極２にＡｕのスタッドバンプ３が形
成され、これが２層配線のセラミック基板５にフリップ
チップボンディングされている。
【０００６】セラミック基板５の上配線層７と下配線層
８はビアホール６でつながっている。このセラミック基
板５とこのスタッドバンプ３とは、ＡｇＰｄペースト４
で電気的につながり、このＡｇＰｄペースト４はこのセ
ラミック基板５のビアホール６と電気的に接続されてい
る。そのＬＳＩチップ１とこのセラミック基板５とは両
者間に注入された封止樹脂９で固定されている。このセ
ラミック基板５の裏面にはランド８Ａが形成され、ビア
ホール６と電気的に接続され、さらにこのランド８Ａは
外部配線に接続される。
８はビアホール６でつながっている。このセラミック基
板５とこのスタッドバンプ３とは、ＡｇＰｄペースト４
で電気的につながり、このＡｇＰｄペースト４はこのセ
ラミック基板５のビアホール６と電気的に接続されてい
る。そのＬＳＩチップ１とこのセラミック基板５とは両
者間に注入された封止樹脂９で固定されている。このセ
ラミック基板５の裏面にはランド８Ａが形成され、ビア
ホール６と電気的に接続され、さらにこのランド８Ａは
外部配線に接続される。
【０００７】また、２層のプリント基板にＬＳＩをワイ
ヤボンド後、ＬＳＩ搭載側をモールドし、パッケージ裏
面にエリヤ状に半田バンプを形成する（実装は、この半
田バンプにより、基板に直接ハンダ付けする）。
ヤボンド後、ＬＳＩ搭載側をモールドし、パッケージ裏
面にエリヤ状に半田バンプを形成する（実装は、この半
田バンプにより、基板に直接ハンダ付けする）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の構造ではＬＳＩを配線基板に実装するのに、２
多層のセラミック基板を用いるので高価格となる。ま
た、セラミックの膨張係数等の影響を除去するには、セ
ラミックの厚さを０．４ｍｍ以下にする必要があり、安
定に操作するにはセラミックとしては薄すぎる。
た従来の構造ではＬＳＩを配線基板に実装するのに、２
多層のセラミック基板を用いるので高価格となる。ま
た、セラミックの膨張係数等の影響を除去するには、セ
ラミックの厚さを０．４ｍｍ以下にする必要があり、安
定に操作するにはセラミックとしては薄すぎる。
【０００９】また、以下のような問題点を有している。
【００１０】（１）プリント基板（上記文献ではエポキ
シ樹脂）とモールド樹脂間の密着性が悪く、両者の接合
面からしばしば剥離が生ずる。
シ樹脂）とモールド樹脂間の密着性が悪く、両者の接合
面からしばしば剥離が生ずる。
【００１１】（２）プリント基板とモールド材の熱膨張
係数の違いから、リフロー時、パッケージに反りが生
じ、信頼性のある搭載が不可能となる。
係数の違いから、リフロー時、パッケージに反りが生
じ、信頼性のある搭載が不可能となる。
【００１２】（３）２層のプリント基板を配線基板に実
装することになるので、価格が割高となる。
装することになるので、価格が割高となる。
【００１３】（４）モールド用の金型が必要であり、し
かも、モールド材に離型剤の添加が必要である（モール
ド樹脂と基板、配線金属等の密着が悪くなる）。
かも、モールド材に離型剤の添加が必要である（モール
ド樹脂と基板、配線金属等の密着が悪くなる）。
【００１４】（５）放熱が良くない。
【００１５】（６）プリント基板（文献ではエポキシ樹
脂）を用いるので、プリント基板の耐熱性を超える用途
には用いられない。
脂）を用いるので、プリント基板の耐熱性を超える用途
には用いられない。
【００１６】など、多数の問題点があり、ファインピッ
チＱＦＰの未達分野をフォローする技術と称せられなが
ら、その一般的な実用化が今なお危ぶまれている。
チＱＦＰの未達分野をフォローする技術と称せられなが
ら、その一般的な実用化が今なお危ぶまれている。
【００１７】本発明は、上記問題点を除去し、樹脂と金
属、樹脂とＬＳＩとの接続を確かなものにでき、信頼性
の高い半導体装置及びその製造方法を提供することを目
的とする。
属、樹脂とＬＳＩとの接続を確かなものにでき、信頼性
の高い半導体装置及びその製造方法を提供することを目
的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕半導体装置の製造方法において、第１の表面と、
この第１の表面と反対側の第２の表面と、基準孔とを有
する金属基板の前記第１の表面上に、表面に複数の電極
を有する半導体チップを搭載する工程と、前記複数の電
極と前記金属基板の前記第１の表面とを、前記基準孔を
基準にしてワイヤにより接続する工程と、前記半導体チ
ップ、前記ワイヤおよび前記金属基板の前記第１の表面
を封止樹脂で封止する工程と、前記金属板をそれぞれの
前記電極に対応させて分離する工程と、を含むことを特
徴とする。
成するために、 〔１〕半導体装置の製造方法において、第１の表面と、
この第１の表面と反対側の第２の表面と、基準孔とを有
する金属基板の前記第１の表面上に、表面に複数の電極
を有する半導体チップを搭載する工程と、前記複数の電
極と前記金属基板の前記第１の表面とを、前記基準孔を
基準にしてワイヤにより接続する工程と、前記半導体チ
ップ、前記ワイヤおよび前記金属基板の前記第１の表面
を封止樹脂で封止する工程と、前記金属板をそれぞれの
前記電極に対応させて分離する工程と、を含むことを特
徴とする。
【００１９】〔２〕上記〔１〕記載の半導体装置の製造
方法において、前記金属板の前記第１の表面上には複数
の前記半導体チップが搭載され、前記封止樹脂により、
前記複数の半導体チップ間を含む前記金属基板の前記第
１の表面を封止した後に、前記半導体チップ間の前記封
止樹脂部分で分割することを特徴とする。
方法において、前記金属板の前記第１の表面上には複数
の前記半導体チップが搭載され、前記封止樹脂により、
前記複数の半導体チップ間を含む前記金属基板の前記第
１の表面を封止した後に、前記半導体チップ間の前記封
止樹脂部分で分割することを特徴とする。
【００２０】〔３〕上記〔１〕又は〔２〕記載の半導体
装置の製造方法において、前記金属基板を分離した後
に、前記分離した金属基板の前記第２の表面上に半田ボ
ールを形成する工程を含むことを特徴とする。
装置の製造方法において、前記金属基板を分離した後
に、前記分離した金属基板の前記第２の表面上に半田ボ
ールを形成する工程を含むことを特徴とする。
【００２１】〔４〕半導体装置の製造方法において、第
１の表面と、この第１の表面と反対側の第２の表面と、
基準孔とを有する金属基板の前記第１の表面上に、表面
に複数の電極を有する半導体チップを搭載する工程と、
前記複数の電極と前記金属基板の前記第１の表面とを電
気的に接続する工程と、前記半導体チップおよび前記金
属基板の前記第１の表面を封止樹脂で封止する工程と、
前記基準孔を基準に前記金属板をそれぞれの前記電極に
対応させて分離する工程と、を含むことを特徴とする。
１の表面と、この第１の表面と反対側の第２の表面と、
基準孔とを有する金属基板の前記第１の表面上に、表面
に複数の電極を有する半導体チップを搭載する工程と、
前記複数の電極と前記金属基板の前記第１の表面とを電
気的に接続する工程と、前記半導体チップおよび前記金
属基板の前記第１の表面を封止樹脂で封止する工程と、
前記基準孔を基準に前記金属板をそれぞれの前記電極に
対応させて分離する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２２】〔５〕上記〔４〕記載の半導体装置の製造
方法において、前記金属板の前記第１の表面上には複数
の前記半導体チップが搭載され、前記封止樹脂により、
前記複数の半導体チップ間を含む前記金属基板の前記第
１の表面を封止した後に、前記半導体チップ間の前記封
止樹脂部分で分割することを特徴とする。
方法において、前記金属板の前記第１の表面上には複数
の前記半導体チップが搭載され、前記封止樹脂により、
前記複数の半導体チップ間を含む前記金属基板の前記第
１の表面を封止した後に、前記半導体チップ間の前記封
止樹脂部分で分割することを特徴とする。
【００２３】〔６〕上記〔４〕又は〔５〕記載の半導体
装置の製造方法において、前記金属基板を分離した後
に、前記分離した前記金属基板の前記第２の表面上に半
田ボールを形成する工程を含むことを特徴とする。
装置の製造方法において、前記金属基板を分離した後
に、前記分離した前記金属基板の前記第２の表面上に半
田ボールを形成する工程を含むことを特徴とする。
【００２４】〔７〕半導体装置の製造方法において、表
面と裏面とを有する金属基板の前記表面上に、表面に複
数の電極を有する半導体チップを搭載する工程と、前記
複数の電極をそれぞれ前記金属基板にワイヤにより接続
する工程と、前記半導体チップと前記ワイヤとを封止樹
脂で封止する工程と、前記金属板を、前記半導体チップ
が搭載された第１の領域と、前記ワイヤにより接続され
た複数の第２の領域とにそれぞれ分離する工程と、前記
樹脂から露出する前記第１の領域上に熱伝導良好材を設
ける工程と、を含むことを特徴とする。
面と裏面とを有する金属基板の前記表面上に、表面に複
数の電極を有する半導体チップを搭載する工程と、前記
複数の電極をそれぞれ前記金属基板にワイヤにより接続
する工程と、前記半導体チップと前記ワイヤとを封止樹
脂で封止する工程と、前記金属板を、前記半導体チップ
が搭載された第１の領域と、前記ワイヤにより接続され
た複数の第２の領域とにそれぞれ分離する工程と、前記
樹脂から露出する前記第１の領域上に熱伝導良好材を設
ける工程と、を含むことを特徴とする。
【００２５】〔８〕上記〔７〕記載の半導体装置の製造
方法において、前記熱伝導良好材は半田であることを特
徴とする。
方法において、前記熱伝導良好材は半田であることを特
徴とする。
【００２６】
〔９〕半導体装置の製造方法において、互
いに独立した第１の金属片と第２の金属片とが金属基板
の表面に接着剤により張り付けられたテープを準備する
工程と、前記第１の金属片上に、表面に複数の電極を有
する半導体チップを搭載する工程と、前記電極と前記第
２の金属片とをワイヤにより接続する工程と、前記半導
体チップと前記ワイヤと前記第１および第２の金属片と
を封止樹脂で封止する工程と、を含むことを特徴とす
る。
いに独立した第１の金属片と第２の金属片とが金属基板
の表面に接着剤により張り付けられたテープを準備する
工程と、前記第１の金属片上に、表面に複数の電極を有
する半導体チップを搭載する工程と、前記電極と前記第
２の金属片とをワイヤにより接続する工程と、前記半導
体チップと前記ワイヤと前記第１および第２の金属片と
を封止樹脂で封止する工程と、を含むことを特徴とす
る。
【００２７】〔１０〕上記
〔９〕記載の半導体装置の製
造方法において、前記封止樹脂はエポキシ樹脂であるこ
とを特徴とする。
造方法において、前記封止樹脂はエポキシ樹脂であるこ
とを特徴とする。
【００２８】〔１１〕半導体装置の製造方法において、
表面と裏面とを有する金属基板の前記表面上に、表面に
複数の電極を有する半導体チップを搭載し、前記電極を
前記金属基板の第１の部分に電気的に接続する工程と、
前記半導体チップを含む前記金属板の前記表面を封止樹
脂で封止する工程と、前記第１の部分と、前記第１の部
分とは異なる第２の部分と、前記半導体チップが搭載さ
れた領域内に設けられた、前記第１の部分と前記第２の
部分とを接続する第３の部分とを残して前記金属基板を
除去する工程と、を含むことを特徴とする。
表面と裏面とを有する金属基板の前記表面上に、表面に
複数の電極を有する半導体チップを搭載し、前記電極を
前記金属基板の第１の部分に電気的に接続する工程と、
前記半導体チップを含む前記金属板の前記表面を封止樹
脂で封止する工程と、前記第１の部分と、前記第１の部
分とは異なる第２の部分と、前記半導体チップが搭載さ
れた領域内に設けられた、前記第１の部分と前記第２の
部分とを接続する第３の部分とを残して前記金属基板を
除去する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２９】〔１２〕上記〔１１〕記載の半導体装置の
製造方法において、前記第２の部分に半田ボールを形成
する工程を含むことを特徴とする。
製造方法において、前記第２の部分に半田ボールを形成
する工程を含むことを特徴とする。
【００３０】〔１３〕半導体装置において、表面に複数
の電極が形成された半導体チップと、第１の表面と、こ
の第１の表面と反対側の第２の表面とを有する金属片
と、前記金属片の前記第１の表面と前記半導体チップの
前記電極とを接続するワイヤと、前記金属片の前記第２
の表面を露出して前記半導体チップおよび前記金属片の
前記第１の表面を封止する封止樹脂とを備え、前記金属
片の少なくとも一部は前記半導体チップの裏面を通って
前記半導体チップの一辺から他の一辺に延在しているこ
とを特徴とする。
の電極が形成された半導体チップと、第１の表面と、こ
の第１の表面と反対側の第２の表面とを有する金属片
と、前記金属片の前記第１の表面と前記半導体チップの
前記電極とを接続するワイヤと、前記金属片の前記第２
の表面を露出して前記半導体チップおよび前記金属片の
前記第１の表面を封止する封止樹脂とを備え、前記金属
片の少なくとも一部は前記半導体チップの裏面を通って
前記半導体チップの一辺から他の一辺に延在しているこ
とを特徴とする。
【００３１】〔１４〕上記〔１３〕記載の半導体装置に
おいて、前記金属片の前記第２の表面上には半田ボール
が設けられていることを特徴とする。
おいて、前記金属片の前記第２の表面上には半田ボール
が設けられていることを特徴とする。
【００３２】〔１５〕半導体装置の製造方法において、
表面と裏面とを有する金属板の前記表面上に、表面に複
数の電極を有する半導体チップを搭載し、前記複数の電
極を前記金属板に電気的に接続する工程と、前記半導体
チップを含む前記金属板の前記表面を封止樹脂で封止す
る工程と、前記電極に接続された第１の金属片部分と、
前記半導体チップが搭載された領域内に設けられた、前
記電極に接続されない第２の金属片部分と、これら第１
の金属片と第２の金属片とを接続する第３の部分とが残
るように前記金属板を加工する工程と、を含むことを特
徴とする。
表面と裏面とを有する金属板の前記表面上に、表面に複
数の電極を有する半導体チップを搭載し、前記複数の電
極を前記金属板に電気的に接続する工程と、前記半導体
チップを含む前記金属板の前記表面を封止樹脂で封止す
る工程と、前記電極に接続された第１の金属片部分と、
前記半導体チップが搭載された領域内に設けられた、前
記電極に接続されない第２の金属片部分と、これら第１
の金属片と第２の金属片とを接続する第３の部分とが残
るように前記金属板を加工する工程と、を含むことを特
徴とする。
【００３３】〔１６〕上記〔１５〕記載の半導体装置の
製造方法において、前記半導体チップは、絶縁シートを
介して前記金属板に搭載されることを特徴とする。
製造方法において、前記半導体チップは、絶縁シートを
介して前記金属板に搭載されることを特徴とする。
【００３４】〔１７〕上記〔１５〕又は〔１６〕記載の
半導体装置の製造方法において、前記第２の金属片部分
に半田ボールを形成する工程を含むことを特徴とする。
半導体装置の製造方法において、前記第２の金属片部分
に半田ボールを形成する工程を含むことを特徴とする。
【００３５】〔１８〕半導体装置において、第１の表面
と、この第１の表面と反対側の第２の表面とを有する金
属片と、前記金属片の前記第１の表面上に絶縁層を介し
て搭載された、表面に複数の電極を有する半導体チップ
と、前記金属片の前記第１の表面と前記半導体チップの
前記電極とを接続するワイヤと、前記金属片の前記第２
の表面を露出して前記半導体チップおよび前記金属片の
前記第１の表面を封止する封止樹脂とを備え、前記金属
片の一端の前記表面側は前記絶縁層から露出していて、
前記金属片の他端は前記絶縁層を介して前記半導体チッ
プが搭載された領域内に配置されることを特徴とする。
と、この第１の表面と反対側の第２の表面とを有する金
属片と、前記金属片の前記第１の表面上に絶縁層を介し
て搭載された、表面に複数の電極を有する半導体チップ
と、前記金属片の前記第１の表面と前記半導体チップの
前記電極とを接続するワイヤと、前記金属片の前記第２
の表面を露出して前記半導体チップおよび前記金属片の
前記第１の表面を封止する封止樹脂とを備え、前記金属
片の一端の前記表面側は前記絶縁層から露出していて、
前記金属片の他端は前記絶縁層を介して前記半導体チッ
プが搭載された領域内に配置されることを特徴とする。
【００３６】〔１９〕上記〔１８〕記載の半導体装置に
おいて、前記金属片の前記他端の前記第２の表面上には
半田ボールが設けられていることを特徴とする。
おいて、前記金属片の前記他端の前記第２の表面上には
半田ボールが設けられていることを特徴とする。
【００３７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【００３８】図１は本発明の第１実施例を示すＬＳＩを
実装するための単層の樹脂基板の平面図、図２は図１の
Ａ−Ａ′断面図、図３はその樹脂基板を有する小型パッ
ケージの断面図である。
実装するための単層の樹脂基板の平面図、図２は図１の
Ａ−Ａ′断面図、図３はその樹脂基板を有する小型パッ
ケージの断面図である。
【００３９】ここで、ＬＳＩを実装するために、例え
ば、単層の樹脂基板を用いる。必ずしも樹脂に限定する
ものではないが、樹脂基板が現在のところ低価格であり
望ましい。
ば、単層の樹脂基板を用いる。必ずしも樹脂に限定する
ものではないが、樹脂基板が現在のところ低価格であり
望ましい。
【００４０】図１において、１００は配線層を支える樹
脂基板であり、ポリイミドフィルム、ガラスエポキシ基
板が用いられる。ポリイミドフィルムの場合、５０μｍ
前後の厚さが一般的である。ガラスエポキシ基板の場合
は、通常のプリント基板を用いることができる。
脂基板であり、ポリイミドフィルム、ガラスエポキシ基
板が用いられる。ポリイミドフィルムの場合、５０μｍ
前後の厚さが一般的である。ガラスエポキシ基板の場合
は、通常のプリント基板を用いることができる。
【００４１】１０１，１０２，１０３，…，１０８は、
ＬＳＩの各電極とワイヤボンディングにより電気的に接
続される銅配線板であり（必ずしも銅である必要はな
い）、略３５μｍ位の厚さがよく用いられる。１０１は
ランド１１１につながり、１０２はランド１１２につな
がり、１０３はランド１１３につながる。他も同様であ
る。
ＬＳＩの各電極とワイヤボンディングにより電気的に接
続される銅配線板であり（必ずしも銅である必要はな
い）、略３５μｍ位の厚さがよく用いられる。１０１は
ランド１１１につながり、１０２はランド１１２につな
がり、１０３はランド１１３につながる。他も同様であ
る。
【００４２】ランド１１１内に点線で示された１２１
は、樹脂基板１００の樹脂部に形成された穴である（従
って、銅のランド１１１は樹脂基板１００の裏面に露出
している）。
は、樹脂基板１００の樹脂部に形成された穴である（従
って、銅のランド１１１は樹脂基板１００の裏面に露出
している）。
【００４３】穴１２２，穴１２３，…，１２８も同様で
あり、樹脂基板１００の裏面に露出している。１３０は
リードフレームにおけるダイパッドに相当する。このよ
うに、樹脂基板１００に銅配線板１０１，１０２，１０
３，…，１０８、ランド１１１，１１２，１１３，…，
１１８、ダイパッド１３０、そして、ダイパッド１３０
には開口１３１等が形成されている。
あり、樹脂基板１００の裏面に露出している。１３０は
リードフレームにおけるダイパッドに相当する。このよ
うに、樹脂基板１００に銅配線板１０１，１０２，１０
３，…，１０８、ランド１１１，１１２，１１３，…，
１１８、ダイパッド１３０、そして、ダイパッド１３０
には開口１３１等が形成されている。
【００４４】本実施例に用いる樹脂基板をよりよく理解
するため、図２に示すように、ダイパッド（金属板、例
えば銅板）１３０の直下も樹脂が削除され開口１３１が
形成されている。この穴１３１の形成は、本発明におい
ては必ずしも必要ではない。
するため、図２に示すように、ダイパッド（金属板、例
えば銅板）１３０の直下も樹脂が削除され開口１３１が
形成されている。この穴１３１の形成は、本発明におい
ては必ずしも必要ではない。
【００４５】この様にして準備された樹脂基板１００の
ダイパッド１３０に、図３に示すように、ＬＳＩ１４０
をダイスボンディングし、さらにＬＳＩ１４０の各電極
から銅配線板１０１，１０２，１０３，…，１０８にワ
イヤボンディングを行う。次に、ＬＳＩ１４０，ワイヤ
１４１，１４２等を保護するためモールド樹脂１４３で
モールドを行う。
ダイパッド１３０に、図３に示すように、ＬＳＩ１４０
をダイスボンディングし、さらにＬＳＩ１４０の各電極
から銅配線板１０１，１０２，１０３，…，１０８にワ
イヤボンディングを行う。次に、ＬＳＩ１４０，ワイヤ
１４１，１４２等を保護するためモールド樹脂１４３で
モールドを行う。
【００４６】最後に、極通常の手法により半田ボール１
５２，１５３を穴１２１，１２２，１２３，１２４，
…，１２８の露出面に設置して一個のパッケージとす
る。このＬＳＩが放熱を特に必要とする場合は、ダイパ
ッド１３０の裏面にも半田等のダイバッド（金属）１５
１を設置し、配線基板に熱的に接続させ放熱効果をあげ
ることができる。
５２，１５３を穴１２１，１２２，１２３，１２４，
…，１２８の露出面に設置して一個のパッケージとす
る。このＬＳＩが放熱を特に必要とする場合は、ダイパ
ッド１３０の裏面にも半田等のダイバッド（金属）１５
１を設置し、配線基板に熱的に接続させ放熱効果をあげ
ることができる。
【００４７】図３において、モールド樹脂１４３を用い
てモールドするが、その場合、全面にモールドする場合
もある。いわゆる、ポッティング剤をポッティングする
のみでもよい。１４１はＬＳＩ１４０の電極から銅配線
板１０４にボンディングされたワイヤであり、１４２は
ＬＳＩ１４０の電極から銅配線板１０８にボンディング
されたワイヤである。
てモールドするが、その場合、全面にモールドする場合
もある。いわゆる、ポッティング剤をポッティングする
のみでもよい。１４１はＬＳＩ１４０の電極から銅配線
板１０４にボンディングされたワイヤであり、１４２は
ＬＳＩ１４０の電極から銅配線板１０８にボンディング
されたワイヤである。
【００４８】そして、半田ボール１５２はランド１１４
に、半田ボール１５３はランド１１８に接続されてい
る。
に、半田ボール１５３はランド１１８に接続されてい
る。
【００４９】図４は本発明の第２実施例を示すＬＳＩを
実装するための単層の樹脂基板の平面図、図５はその樹
脂基板にＬＳＩを実装した小型パッケージの断面（図４
のＢ−Ｂ′線に対応する断面）図である。以下、第１実
施例と同じ部分の説明は省略する。
実装するための単層の樹脂基板の平面図、図５はその樹
脂基板にＬＳＩを実装した小型パッケージの断面（図４
のＢ−Ｂ′線に対応する断面）図である。以下、第１実
施例と同じ部分の説明は省略する。
【００５０】上記第１実施例では配線基板に接続するた
めの半田ボール１５２，１５３は、ＬＳＩ１４０の周囲
に存在した。しかし、よりパッケージの寸法を小さくす
るため第２実施例では、その半田ボールのほとんどをＬ
ＳＩの直下に設置する。
めの半田ボール１５２，１５３は、ＬＳＩ１４０の周囲
に存在した。しかし、よりパッケージの寸法を小さくす
るため第２実施例では、その半田ボールのほとんどをＬ
ＳＩの直下に設置する。
【００５１】これらの図に示すように、銅配線板２０１
の先端にあるランド２１１はＬＳＩ２４０の直下に存在
する。２２１，２２４，２２８はランド２１１，２１
４，２１８における樹脂にあけられた穴である（第１実
施例と同様である）。銅配線板２０２は本実施例では、
ＬＳＩ２４０の直下にはない。銅配線板２０４に連なる
ランド２１４は直下に存在する。以下同様である。図４
の一点破線２３１は銅配線板２０１，２０３，２０４，
２０５，２０７，２０８の上に塗布された絶縁シートで
ある。
の先端にあるランド２１１はＬＳＩ２４０の直下に存在
する。２２１，２２４，２２８はランド２１１，２１
４，２１８における樹脂にあけられた穴である（第１実
施例と同様である）。銅配線板２０２は本実施例では、
ＬＳＩ２４０の直下にはない。銅配線板２０４に連なる
ランド２１４は直下に存在する。以下同様である。図４
の一点破線２３１は銅配線板２０１，２０３，２０４，
２０５，２０７，２０８の上に塗布された絶縁シートで
ある。
【００５２】この基板の絶縁シート２３１にＬＳＩ２４
０のダイスボンドを行い、次にワイヤボンド、樹脂２４
３を被着した後、樹脂基板２００の樹脂側（本発明では
裏面と記載）から穴２２８，２２４に半田ボール２３
８，２３４を配置する。なお、図５において、２４１、
２４２はワイヤ、２４３はモールド樹脂である。
０のダイスボンドを行い、次にワイヤボンド、樹脂２４
３を被着した後、樹脂基板２００の樹脂側（本発明では
裏面と記載）から穴２２８，２２４に半田ボール２３
８，２３４を配置する。なお、図５において、２４１、
２４２はワイヤ、２４３はモールド樹脂である。
【００５３】図６は本発明の第３実施例を示すＬＳＩを
実装するための単層の樹脂基板の平面図、図７はその樹
脂基板にＬＳＩを実装した小型パッケージの断面（図６
のＣ−Ｃ′線断面）図である。
実装するための単層の樹脂基板の平面図、図７はその樹
脂基板にＬＳＩを実装した小型パッケージの断面（図６
のＣ−Ｃ′線断面）図である。
【００５４】この実施例では搭載するＬＳＩにバンプを
形成し、フリップチップ方式により基板にひとまず実装
し、チップサイズパッケージとし、次に、そのチップサ
イズパッケージを回路基板に実装する形態をとる。
形成し、フリップチップ方式により基板にひとまず実装
し、チップサイズパッケージとし、次に、そのチップサ
イズパッケージを回路基板に実装する形態をとる。
【００５５】図６において、既に述べた様に３００は樹
脂基板であり、例えば、絶縁層に金属板を張り付け、こ
の金属板を所望の形状にエッチング等により加工形成し
たものである。点線で囲った部分にＬＳＩ３５０が搭載
される。３０１，３０２，３０３，３０４，…３０８は
加工形成された銅等による金属配線板で、この部分にＬ
ＳＩ３５０の各電極からワイヤがボンドされる。
脂基板であり、例えば、絶縁層に金属板を張り付け、こ
の金属板を所望の形状にエッチング等により加工形成し
たものである。点線で囲った部分にＬＳＩ３５０が搭載
される。３０１，３０２，３０３，３０４，…３０８は
加工形成された銅等による金属配線板で、この部分にＬ
ＳＩ３５０の各電極からワイヤがボンドされる。
【００５６】３１１，３１２，３１３，３１４，…３１
８は、それぞれ金属配線板３０１，３０２，３０３，３
０４，…３０８と電気的に連なったランドであり、点線
３５０の内側に設置されている。３２１，３２２，３２
３，３２４，…３２８は各ランド３１１，３１２，３１
３，３１４，…３１８の部分に絶縁層のみに形成された
穴でありＬＳＩの搭載されない側には銅板が露出してい
る。
８は、それぞれ金属配線板３０１，３０２，３０３，３
０４，…３０８と電気的に連なったランドであり、点線
３５０の内側に設置されている。３２１，３２２，３２
３，３２４，…３２８は各ランド３１１，３１２，３１
３，３１４，…３１８の部分に絶縁層のみに形成された
穴でありＬＳＩの搭載されない側には銅板が露出してい
る。
【００５７】一点破線３４１はこの基板に接着された絶
縁シートであり、ランド３１１，３１２，３１３，３１
４，…３１８の内側に存在する様に設置される。
縁シートであり、ランド３１１，３１２，３１３，３１
４，…３１８の内側に存在する様に設置される。
【００５８】このような基板にＬＳＩ３５０をフリップ
チップ実装した状態が図７に示されており、図６のＣ−
Ｃ′線に沿う断面図である。図において、３４４、３４
８はＬＳＩ３５０に形成された半田ボールであり、穴３
２４，３２８の部分に半田ボール３３４，３３８が設置
されている。必要に応じて樹脂モールドする。
チップ実装した状態が図７に示されており、図６のＣ−
Ｃ′線に沿う断面図である。図において、３４４、３４
８はＬＳＩ３５０に形成された半田ボールであり、穴３
２４，３２８の部分に半田ボール３３４，３３８が設置
されている。必要に応じて樹脂モールドする。
【００５９】次に、本発明の第４実施例について説明す
る。
る。
【００６０】この第４実施例では本発明のチップサイズ
パッケージと外部回路との電気接続に半田ボール等は使
用せずパッケージの配線板の一部を加工して接続端子と
する手法について説明する。
パッケージと外部回路との電気接続に半田ボール等は使
用せずパッケージの配線板の一部を加工して接続端子と
する手法について説明する。
【００６１】図８は本発明の第４実施例を示すＬＳＩを
実装するための単層の樹脂基板の平面図、図９は図８の
Ｄ−Ｄ′断面図、図１０はその樹脂基板を有する小型パ
ッケージの断面図である。
実装するための単層の樹脂基板の平面図、図９は図８の
Ｄ−Ｄ′断面図、図１０はその樹脂基板を有する小型パ
ッケージの断面図である。
【００６２】これらの図に示すように、４００は配線板
を支える絶縁基板、配線板４０１，４０２，４０３，…
４０８等にＬＳＩが接続される。４２１，４２２，４２
３，４２４，…４２８は絶縁板に形成された穴である。
４１１は配線板４０１に連なり外部回路と接続する端子
である。４１４は配線板４０４に連なり外部基板と接続
する端子である。同様に、４１８は配線板４０８に連な
り外部回路に接続する端子である。
を支える絶縁基板、配線板４０１，４０２，４０３，…
４０８等にＬＳＩが接続される。４２１，４２２，４２
３，４２４，…４２８は絶縁板に形成された穴である。
４１１は配線板４０１に連なり外部回路と接続する端子
である。４１４は配線板４０４に連なり外部基板と接続
する端子である。同様に、４１８は配線板４０８に連な
り外部回路に接続する端子である。
【００６３】端子４１１は穴４２１の場所で宙に浮いて
いる。端子４１４は穴４２４の場所で宙に浮いている。
端子４１８は穴４２８で宙に浮いている。他も同様であ
る。この様な構造は通常の技術で容易に作製できる。例
えば、穴を予め形成した絶縁基板に金属板を張り付け、
これを表面からエッチングすればよい。
いる。端子４１４は穴４２４の場所で宙に浮いている。
端子４１８は穴４２８で宙に浮いている。他も同様であ
る。この様な構造は通常の技術で容易に作製できる。例
えば、穴を予め形成した絶縁基板に金属板を張り付け、
これを表面からエッチングすればよい。
【００６４】次に、宙に浮いたこれら端子を加工する。
この加工も通常の手段で容易に実現できる。端子４１
４，４１８は外部回路と接続し易いように変形してい
る。
この加工も通常の手段で容易に実現できる。端子４１
４，４１８は外部回路と接続し易いように変形してい
る。
【００６５】ＬＳＩを接続した状態が図１０に示されて
いるが、要部を明確にするために、絶縁シートやモール
ド樹脂は図示されておらず、省略されている。
いるが、要部を明確にするために、絶縁シートやモール
ド樹脂は図示されておらず、省略されている。
【００６６】また、４５４，４５８はＬＳＩ４５０に形
成されたバンプであり、配線板４０４，４０８に接続さ
れている。
成されたバンプであり、配線板４０４，４０８に接続さ
れている。
【００６７】さらに、以下のような利用形態をとること
ができる。
ができる。
【００６８】（１）上記実施例では説明を容易にするた
め（樹脂）基板にＬＳＩを一個搭載した例を説明した
が、複数個搭載することも可能であり、また同時にチッ
プ部品等を搭載することも可能である。
め（樹脂）基板にＬＳＩを一個搭載した例を説明した
が、複数個搭載することも可能であり、また同時にチッ
プ部品等を搭載することも可能である。
【００６９】（２）ＬＳＩ、チップ部品群を複数個基板
に搭載後、それぞれを工程の途中、または最後に切り離
すようにしてもよい。
に搭載後、それぞれを工程の途中、または最後に切り離
すようにしてもよい。
【００７０】（３）半田ボールを設置する場合は、半田
レジストの記述は行わなかったが、基板の絶縁層部分に
レジスト層の役目を兼ねさせたためであり、改めて半田
レジスト層を塗布するようにしてもよい。
レジストの記述は行わなかったが、基板の絶縁層部分に
レジスト層の役目を兼ねさせたためであり、改めて半田
レジスト層を塗布するようにしてもよい。
【００７１】（４）第２実施例において、絶縁シートを
用いた。この絶縁シートはＬＳＩをダイスボンドすると
きの接着剤で代用することができる。
用いた。この絶縁シートはＬＳＩをダイスボンドすると
きの接着剤で代用することができる。
【００７２】（５）第３実施例においては、バンプを用
いたが、そのバンプは金、銅等の場合、鉛−錫半田の場
合等がある。また、絶縁シートはバンプが接続時溶融し
て流出するのを防ぐ半田ダムの役割を持たせるもので、
金、銅等を用いた場合は特に必要としなかった。
いたが、そのバンプは金、銅等の場合、鉛−錫半田の場
合等がある。また、絶縁シートはバンプが接続時溶融し
て流出するのを防ぐ半田ダムの役割を持たせるもので、
金、銅等を用いた場合は特に必要としなかった。
【００７３】（６）第４実施例においては、ＬＳＩがフ
リップチップ実装されているが、この実装方法に限った
ものではなく、ワイヤボンド実装等他の実装方法によっ
てもよい。また、外部回路との接続場所が常にＬＳＩ直
下にある必要はない。
リップチップ実装されているが、この実装方法に限った
ものではなく、ワイヤボンド実装等他の実装方法によっ
てもよい。また、外部回路との接続場所が常にＬＳＩ直
下にある必要はない。
【００７４】更に、単層配線基板の配線の先端部分を加
工して接続端子とする説明を行ったが、必ずしも先端で
有る必要はなく、途中部分を開口（スルーホール）上に
浮かし、これを加工するようにしてもよい。
工して接続端子とする説明を行ったが、必ずしも先端で
有る必要はなく、途中部分を開口（スルーホール）上に
浮かし、これを加工するようにしてもよい。
【００７５】次に、本発明の第５実施例について説明す
る。
る。
【００７６】図１３〜図１８は本発明の第５実施例を示
す構成図であり、図１３は本発明の第５実施例を示すＬ
ＳＩの実装基板を示す斜視図、図１４は図１３のＥ−
Ｅ′線断面図、図１５はそのＬＳＩの実装基板の平面
図、図１６は本発明の第５実施例を示す小型パッケージ
の製造工程断面図である。
す構成図であり、図１３は本発明の第５実施例を示すＬ
ＳＩの実装基板を示す斜視図、図１４は図１３のＥ−
Ｅ′線断面図、図１５はそのＬＳＩの実装基板の平面
図、図１６は本発明の第５実施例を示す小型パッケージ
の製造工程断面図である。
【００７７】図１３において、５００は金属基板、例え
ばコバール板または銅板であり、３０〜１００μｍ厚で
ある。この金属基板５００にＬＳＩ５１１，５１２，５
１３，５１４，５１５，５１６，…を規則正しくダイス
ボンドする。例えば、ＬＳＩ５１１とＬＳＩ５１２との
間隔Ｌ1 、ＬＳＩ５１１とＬＳＩ５１４との間隔Ｌ2は
既知である。お互いの角度も既知である。５０１，５０
２…はボンディングを行う場合の基準孔である。基準孔
５０１，５０２…と各ＬＳＩとの位置関係は既知であ
る。
ばコバール板または銅板であり、３０〜１００μｍ厚で
ある。この金属基板５００にＬＳＩ５１１，５１２，５
１３，５１４，５１５，５１６，…を規則正しくダイス
ボンドする。例えば、ＬＳＩ５１１とＬＳＩ５１２との
間隔Ｌ1 、ＬＳＩ５１１とＬＳＩ５１４との間隔Ｌ2は
既知である。お互いの角度も既知である。５０１，５０
２…はボンディングを行う場合の基準孔である。基準孔
５０１，５０２…と各ＬＳＩとの位置関係は既知であ
る。
【００７８】また、５２１，５２２，５２３，…，５３
１，５３６は、ＬＳＩ５１１の各々のパッド（電極）か
ら金属基板５００に張られたワイヤである。これらは通
常のワイヤボンドによるものである。同様に、５４１，
５４２，５４３，…，５５６はＬＳＩ５１２の各パッド
と金属基板５００をつなぐワイヤ、５６１，…５６３，
…，５７１はＬＳＩ５１４から金属基板５００にボンド
されたワイヤである。
１，５３６は、ＬＳＩ５１１の各々のパッド（電極）か
ら金属基板５００に張られたワイヤである。これらは通
常のワイヤボンドによるものである。同様に、５４１，
５４２，５４３，…，５５６はＬＳＩ５１２の各パッド
と金属基板５００をつなぐワイヤ、５６１，…５６３，
…，５７１はＬＳＩ５１４から金属基板５００にボンド
されたワイヤである。
【００７９】点線で示された円部６１０は金属基板５０
０における位置を示すもので、円部６１０にワイヤ５２
１が接続される。同様に円部６１１にワイヤ５２２が接
続され、円部６１２にワイヤ５２３が接続される。円部
６３１にはワイヤ５６３が、円部６３２にはワイヤ５７
１が接続されている。各円部はその位置が既知である。
０における位置を示すもので、円部６１０にワイヤ５２
１が接続される。同様に円部６１１にワイヤ５２２が接
続され、円部６１２にワイヤ５２３が接続される。円部
６３１にはワイヤ５６３が、円部６３２にはワイヤ５７
１が接続されている。各円部はその位置が既知である。
【００８０】上記したように、金属基板５００にＬＳＩ
がダイスボンド、ワイヤボンドされた後、全面に樹脂
（ここでは、エポキシ樹脂）を被着した。図１４におい
て、６５０は樹脂であり、この樹脂６５０を押圧しつつ
加熱硬化させた。
がダイスボンド、ワイヤボンドされた後、全面に樹脂
（ここでは、エポキシ樹脂）を被着した。図１４におい
て、６５０は樹脂であり、この樹脂６５０を押圧しつつ
加熱硬化させた。
【００８１】この工程では金属基板５００をホットプレ
スにセットし、その表面からプレスを行った（この工程
は理解が容易であるので図示していない）。
スにセットし、その表面からプレスを行った（この工程
は理解が容易であるので図示していない）。
【００８２】なお、今回はモールド金型は用いないの
で、樹脂６５０と金属基板５００、樹脂６５０とＬＳＩ
５１１，５１２，５１３，…との密着を良くするため
の、カップリング剤を十分に活用することができた。ま
た、樹脂６５０に離型剤は添加しなかった。
で、樹脂６５０と金属基板５００、樹脂６５０とＬＳＩ
５１１，５１２，５１３，…との密着を良くするため
の、カップリング剤を十分に活用することができた。ま
た、樹脂６５０に離型剤は添加しなかった。
【００８３】金属の種類、特にその熱膨張係数、厚さ、
寸法により樹脂との間で応力が許容値以上の値で発生
し、好ましくない状態が生ずることがある。予め金属基
板５００を切断し、樹脂の収縮を許容する方法も有効で
あった。
寸法により樹脂との間で応力が許容値以上の値で発生
し、好ましくない状態が生ずることがある。予め金属基
板５００を切断し、樹脂の収縮を許容する方法も有効で
あった。
【００８４】ホットプレスと樹脂６５０との間には、プ
レス時に薄いエポキシ製のシートを挿入し、シートが樹
脂６５０と接着した状態の時はシートはそのままにし、
剥離作業は行わなかった。
レス時に薄いエポキシ製のシートを挿入し、シートが樹
脂６５０と接着した状態の時はシートはそのままにし、
剥離作業は行わなかった。
【００８５】プレスに際しては金属基板５００とプレス
板間にスペーサーを入れ、圧力１５ｋｇ／ｃｍ2 、温度
８０℃で加圧時間１時間にわたって硬化した。スペーサ
ーの寸法により樹脂の厚さをコントロールでき、また加
圧硬化させることにより、ＬＳＩ等の存在による表面の
凹凸も発生していなかった。
板間にスペーサーを入れ、圧力１５ｋｇ／ｃｍ2 、温度
８０℃で加圧時間１時間にわたって硬化した。スペーサ
ーの寸法により樹脂の厚さをコントロールでき、また加
圧硬化させることにより、ＬＳＩ等の存在による表面の
凹凸も発生していなかった。
【００８６】次に、金属基板５００を所望の形状にエッ
チングすることを試みた。金属基板５００は通常の金属
を用いているので、そのエッチング加工は既存の技術を
用いることができた。例えば、金属基板５００の表面に
ドライフィルムを被着し、マスクを用いて現像後、エッ
チング液で不要な部分を除去する。位置合わせは基準孔
５０１，５０２…等を用いた。金属基板５００が銅の場
合は、塩化鉄、塩化錫等による良好なエッチング液が開
発されている。コバール等他の金属についても同様であ
る。
チングすることを試みた。金属基板５００は通常の金属
を用いているので、そのエッチング加工は既存の技術を
用いることができた。例えば、金属基板５００の表面に
ドライフィルムを被着し、マスクを用いて現像後、エッ
チング液で不要な部分を除去する。位置合わせは基準孔
５０１，５０２…等を用いた。金属基板５００が銅の場
合は、塩化鉄、塩化錫等による良好なエッチング液が開
発されている。コバール等他の金属についても同様であ
る。
【００８７】図１５はエッチング終了後の金属基板であ
る。５１１Ａはその裏面に図１のＬＳＩ５１１が搭載さ
れた部分であり、リードフレームのダイパッドに相当
し、図１３ではＬＳＩ５１１の周辺に点線でその位置が
示されている。５１２Ａ，５１３Ａ，…等についても同
様である。
る。５１１Ａはその裏面に図１のＬＳＩ５１１が搭載さ
れた部分であり、リードフレームのダイパッドに相当
し、図１３ではＬＳＩ５１１の周辺に点線でその位置が
示されている。５１２Ａ，５１３Ａ，…等についても同
様である。
【００８８】また、円部６１０の裏面にはワイヤ５２１
（図１３参照）がつながっている。円部６１１の裏面に
はワイヤ５２２（図１３参照）がつながっている。他の
円部についても同様である。
（図１３参照）がつながっている。円部６１１の裏面に
はワイヤ５２２（図１３参照）がつながっている。他の
円部についても同様である。
【００８９】図１６は金属基板のエッチング後の工程断
面図である。つまり、図１３のＡ−Ａ′線に沿った断面
図である。
面図である。つまり、図１３のＡ−Ａ′線に沿った断面
図である。
【００９０】まず、図１６（ａ）に示すように、ＬＳＩ
５１１，５１４は樹脂６５０で封止されている。
５１１，５１４は樹脂６５０で封止されている。
【００９１】次に、図１６（ｂ）に示すように、上記し
た全ての円部に半田ボールを接続するために、これら円
部の接続場所以外の部分に半田レジスト７０１をコーテ
ィングする。
た全ての円部に半田ボールを接続するために、これら円
部の接続場所以外の部分に半田レジスト７０１をコーテ
ィングする。
【００９２】次いで、図１６（ｃ）に示すように、通常
の半田ボール形成方法により、半田ボール７０２，７０
３を形成した後、最後の工程として図１５に示した一点
破線Ｃ１，Ｃ３，…，Ｃ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８，…に沿
ってカッティングを行う。
の半田ボール形成方法により、半田ボール７０２，７０
３を形成した後、最後の工程として図１５に示した一点
破線Ｃ１，Ｃ３，…，Ｃ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８，…に沿
ってカッティングを行う。
【００９３】次に、ＬＳＩの放熱を良好にするため、図
１６（ｄ）に示すように、５１１Ａ，５１２Ａ、５１３
Ａ，…にも半田等を被着し、基板との熱的接触を改良す
ることも可能である。ここでは、熱伝導良好材７０４を
半田ボールとともに具備した状況を示す。
１６（ｄ）に示すように、５１１Ａ，５１２Ａ、５１３
Ａ，…にも半田等を被着し、基板との熱的接触を改良す
ることも可能である。ここでは、熱伝導良好材７０４を
半田ボールとともに具備した状況を示す。
【００９４】図１７は本発明の第６実施例を示すＬＳＩ
の実装基板の平面図である。
の実装基板の平面図である。
【００９５】図１７において、１０００は支持体であ
り、これに金属片（矩形部）１２１０，１２２０，１２
３０，１２４０，１２５０，１２６０、また、金属片
（円部）１０１０、１０２０、…１０５０，…が設置さ
れている。作り方の一例として、１０００は支持体とし
ての接着剤を塗布したカプトンテープであり、これに金
属基板を張り付けた後エッチングにより図に示すような
金属片の配置を得る。
り、これに金属片（矩形部）１２１０，１２２０，１２
３０，１２４０，１２５０，１２６０、また、金属片
（円部）１０１０、１０２０、…１０５０，…が設置さ
れている。作り方の一例として、１０００は支持体とし
ての接着剤を塗布したカプトンテープであり、これに金
属基板を張り付けた後エッチングにより図に示すような
金属片の配置を得る。
【００９６】次いで、金属片１２１０にＬＳＩを図１５
と同じ様にダイボンドしたＬＳＩのパット（電極）から
金属片１０１０，１０２０，…，１０５０…に各々ワイ
ヤボンドを行う。金属片１２２０、１２３０、…につい
ても同様である。
と同じ様にダイボンドしたＬＳＩのパット（電極）から
金属片１０１０，１０２０，…，１０５０…に各々ワイ
ヤボンドを行う。金属片１２２０、１２３０、…につい
ても同様である。
【００９７】更に、エポキシ樹脂を全面に十分に被着
後、既に第１実施例で述べたように、ホットプレスによ
り押圧、加熱しつつ硬化させる。次に、同じように、第
５実施例で示したように、半田レジストの塗布、半田ボ
ールの設置を行いその後、図１７に一点破線で示したＣ
１，Ｃ３，Ｃ５，…，Ｃ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８等の位置
をカッティングする。
後、既に第１実施例で述べたように、ホットプレスによ
り押圧、加熱しつつ硬化させる。次に、同じように、第
５実施例で示したように、半田レジストの塗布、半田ボ
ールの設置を行いその後、図１７に一点破線で示したＣ
１，Ｃ３，Ｃ５，…，Ｃ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８等の位置
をカッティングする。
【００９８】図１８は本発明の第７実施例を示すＬＳＩ
の実装基板の平面図、図１９は図１８のＦ−Ｆ′線断面
図である。ここでは、図１８に即して説明するが、他の
小型パッケージ領域においても同様である。この実施例
では金属片が配線の役目も担うものである。
の実装基板の平面図、図１９は図１８のＦ−Ｆ′線断面
図である。ここでは、図１８に即して説明するが、他の
小型パッケージ領域においても同様である。この実施例
では金属片が配線の役目も担うものである。
【００９９】この図において、金属片４０３０にはＬＳ
Ｉのパッドからのワイヤがボンドされるが金属片４０３
０の裏面には半田ボールは設置されない。金属片４０３
０はこれに連なる配線４０３１を経て金属片４０３２に
達する。配線４０３１はＬＳＩの直下を通過する。この
金属片４０３２の裏面に実装用の半田ボールが形成され
る。
Ｉのパッドからのワイヤがボンドされるが金属片４０３
０の裏面には半田ボールは設置されない。金属片４０３
０はこれに連なる配線４０３１を経て金属片４０３２に
達する。配線４０３１はＬＳＩの直下を通過する。この
金属片４０３２の裏面に実装用の半田ボールが形成され
る。
【０１００】また、金属片４０６０にもＬＳＩのパッド
からのワイヤがボンドされるが配線４０６１を通って金
属片４０６２に達し、この金属片４０６２の裏面に半田
ボールが形成される。同様に、金属片４１１０にワイヤ
は接続されるが、金属片４１１０の裏面に半田ボールは
形成されず、これに連なる配線４１１１を通って金属片
４１１２に達し、この金属片４１１２の裏面に半田ボー
ルが設置される。
からのワイヤがボンドされるが配線４０６１を通って金
属片４０６２に達し、この金属片４０６２の裏面に半田
ボールが形成される。同様に、金属片４１１０にワイヤ
は接続されるが、金属片４１１０の裏面に半田ボールは
形成されず、これに連なる配線４１１１を通って金属片
４１１２に達し、この金属片４１１２の裏面に半田ボー
ルが設置される。
【０１０１】ここで、金属片の形状を得る作業はＬＳＩ
の実装前であっても、樹脂の硬化後であってもよい。Ｌ
ＳＩの固定のためには、配線４１１１，４０３１等の幅
を広く設計することも可能であるし、電気的につながっ
ていない金属片を４２１０′，４２２０′，…の領域に
相当する場所に設置しても良い（図示なし）。
の実装前であっても、樹脂の硬化後であってもよい。Ｌ
ＳＩの固定のためには、配線４１１１，４０３１等の幅
を広く設計することも可能であるし、電気的につながっ
ていない金属片を４２１０′，４２２０′，…の領域に
相当する場所に設置しても良い（図示なし）。
【０１０２】エポキシ樹脂モールド、半田マスクの塗
布、半田ボールの設置、樹脂のカッティング等は第５実
施例及び第６実施例と全く同じである。全工程終了後に
おける図１８のＦ−Ｆ′線に相当する場所の要部断面を
図１９に示す。
布、半田ボールの設置、樹脂のカッティング等は第５実
施例及び第６実施例と全く同じである。全工程終了後に
おける図１８のＦ−Ｆ′線に相当する場所の要部断面を
図１９に示す。
【０１０３】図１９においては、４０５９，４１６０は
半田ボール、４１００は半田レジスト、４４０６，４４
１６はワイヤ、４５１４はＬＳＩ、４６５０はモールド
樹脂である。
半田ボール、４１００は半田レジスト、４４０６，４４
１６はワイヤ、４５１４はＬＳＩ、４６５０はモールド
樹脂である。
【０１０４】図２０〜図２２は本発明の第８実施例を示
す構成図であり、図２０はそのＬＳＩの実装基板の斜視
図、図２１は図２０の裏面図、図２２は図２０のＧ−
Ｇ′線断面図である。
す構成図であり、図２０はそのＬＳＩの実装基板の斜視
図、図２１は図２０の裏面図、図２２は図２０のＧ−
Ｇ′線断面図である。
【０１０５】この実施例では、いわゆるマルチチップモ
ジュール方式について説明する。
ジュール方式について説明する。
【０１０６】ＢＧＡに搭載するのは、ＬＳＩ４０２０と
ＬＳＩ４０３０、チップ部品４０４０であり多層配線４
５００を含んでいる。
ＬＳＩ４０３０、チップ部品４０４０であり多層配線４
５００を含んでいる。
【０１０７】この実施例の工程では、ＬＳＩ４０２０と
ＬＳＩ４０３０、チップ部品４０４０を金属板４０１０
の所定の場所にダイスボンドする（金属板４０１１は第
５実施例におけるものと同様であるので、本実施例では
図示しない）。ダイスボンドは、図２０に示すように行
う。ただし、この工程では基板は４０１１であり、図の
様な配線パターンは、まだ、形成されていない。形成さ
れるとして実装の作業を行う。このダイスボンドの工程
は全く通常の接続技術で行える。
ＬＳＩ４０３０、チップ部品４０４０を金属板４０１０
の所定の場所にダイスボンドする（金属板４０１１は第
５実施例におけるものと同様であるので、本実施例では
図示しない）。ダイスボンドは、図２０に示すように行
う。ただし、この工程では基板は４０１１であり、図の
様な配線パターンは、まだ、形成されていない。形成さ
れるとして実装の作業を行う。このダイスボンドの工程
は全く通常の接続技術で行える。
【０１０８】次に、ＬＳＩ４０２０とＬＳＩ４０３０の
各パッドから金属板４０１１に所定の場所にそれぞれワ
イヤボンドする。本ワイヤボンドの要領は第５実施例と
同じである。また、多層配線部４５００をボンディング
技術等で形成する。
各パッドから金属板４０１１に所定の場所にそれぞれワ
イヤボンドする。本ワイヤボンドの要領は第５実施例と
同じである。また、多層配線部４５００をボンディング
技術等で形成する。
【０１０９】ＬＳＩ、チップ部品及びワイヤの各々のボ
ンディングの順序はこだわらない。
ンディングの順序はこだわらない。
【０１１０】これらＬＳＩ４０２０とＬＳＩ４０３０、
チップ部品４０４０、多層配線４５００、ボンディング
された多数のワイヤの群を、図２０に示すように、規則
正しく金属板４０１１に形成していく。
チップ部品４０４０、多層配線４５００、ボンディング
された多数のワイヤの群を、図２０に示すように、規則
正しく金属板４０１１に形成していく。
【０１１１】次に、第５実施例のように、全面にエポキ
シ樹脂４６５０を被着し、ホットプレスで加熱、押圧し
てエポキシ樹脂を硬化させる。さらに、金属板４０１１
の露出している側から、これも、第５実施例と同じ工程
でエッチング加工する。エッチング加工後を図２１に示
す。
シ樹脂４６５０を被着し、ホットプレスで加熱、押圧し
てエポキシ樹脂を硬化させる。さらに、金属板４０１１
の露出している側から、これも、第５実施例と同じ工程
でエッチング加工する。エッチング加工後を図２１に示
す。
【０１１２】図２１において、４０７１、４０７２の反
対側の面にはＬＳＩ４０２０、４０３０が接続されてい
る。４０４０はチップ部品である。その他基板４０１１
がエッチング加工されて、金属片４４０１，４４０２，
４４０３，４４０４，４４０５，４４０６，…になる。
対側の面にはＬＳＩ４０２０、４０３０が接続されてい
る。４０４０はチップ部品である。その他基板４０１１
がエッチング加工されて、金属片４４０１，４４０２，
４４０３，４４０４，４４０５，４４０６，…になる。
【０１１３】このＢＧＡでは、接続用の半田ボールは完
成後のモジュールの両端に設置するとした。この方針に
基づいて、既成の手法で半田用レジストを塗布し、次に
半田ボールを設置した。さらに、図２０の一点破線Ｃ
１，Ｃ３，Ｃ５，…，Ｃ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８…に沿っ
てカッティングを行った。
成後のモジュールの両端に設置するとした。この方針に
基づいて、既成の手法で半田用レジストを塗布し、次に
半田ボールを設置した。さらに、図２０の一点破線Ｃ
１，Ｃ３，Ｃ５，…，Ｃ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８…に沿っ
てカッティングを行った。
【０１１４】図２２に示すように、カッティングされた
小型パッケージには、半田ボール４０３３，４０３４、
半田レジスト４１００が形成されている。
小型パッケージには、半田ボール４０３３，４０３４、
半田レジスト４１００が形成されている。
【０１１５】図２３は本発明の第９実施例を示すＬＳＩ
の実装基板の平面図、図２４は本発明の第９実施例を示
す小型パッケージの断面（図２３のＨ−Ｈ′線断面）図
である。
の実装基板の平面図、図２４は本発明の第９実施例を示
す小型パッケージの断面（図２３のＨ−Ｈ′線断面）図
である。
【０１１６】この実施例ではＢＧＡの接続用半田ボール
をＬＳＩ直下にも設置するようにしている。
をＬＳＩ直下にも設置するようにしている。
【０１１７】金属基板（図示なし）に第５実施例と同様
に、複数のＬＳＩをダイスボンドするが、ダイスボンド
前に絶縁シート５２１０，５２２０，…，５２６０をＬ
ＳＩを設置する場所に接着しておく。（図２３は金属片
１０１０をエッチング加工した後の図であるが、ＬＳＩ
１０２１と絶縁シート５２１０等の関係を、この図から
理解することができる）。
に、複数のＬＳＩをダイスボンドするが、ダイスボンド
前に絶縁シート５２１０，５２２０，…，５２６０をＬ
ＳＩを設置する場所に接着しておく。（図２３は金属片
１０１０をエッチング加工した後の図であるが、ＬＳＩ
１０２１と絶縁シート５２１０等の関係を、この図から
理解することができる）。
【０１１８】ＬＳＩのダイスボンディング後は、図２３
に示す金属片１０１０，１０２０，１０３０，１０４
０，１０５０，…の各場所にＬＳＩの各パッドからワイ
ヤボンディングを行う。この工程は第１実施例とほぼ同
じである。さらにエポキシ樹脂の被着（図示せず）、加
熱押圧による樹脂硬化を行う。
に示す金属片１０１０，１０２０，１０３０，１０４
０，１０５０，…の各場所にＬＳＩの各パッドからワイ
ヤボンディングを行う。この工程は第１実施例とほぼ同
じである。さらにエポキシ樹脂の被着（図示せず）、加
熱押圧による樹脂硬化を行う。
【０１１９】次に、金属板４０１１を、図２３に示すよ
うに、エッチング加工する。この図において、金属片１
０２０（裏面にワイヤが接続されている）に配線１０２
１Ａが連なり、更に、ＬＳＩ１０２１の直下にある金属
片１０２２に達している。金属片１０２２には半田ボー
ルが後ほど設置される。金属片１１２１に関しても同様
である。
うに、エッチング加工する。この図において、金属片１
０２０（裏面にワイヤが接続されている）に配線１０２
１Ａが連なり、更に、ＬＳＩ１０２１の直下にある金属
片１０２２に達している。金属片１０２２には半田ボー
ルが後ほど設置される。金属片１１２１に関しても同様
である。
【０１２０】半田ボール設置後、図２３の一点破線Ｃ
１，Ｃ３，Ｃ５，…，Ｃ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８，…に沿
いカッティングを行う。
１，Ｃ３，Ｃ５，…，Ｃ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８，…に沿
いカッティングを行う。
【０１２１】更に、以下のような利用形態をとることが
できる。
できる。
【０１２２】第５実施例で金属基板の材質を、銅、また
はコバールとしたが、これらの金属に限ることではなく
銅合金、または全く他の金属を用いることが可能であ
り、表面のメッキについても規定するものではない。
はコバールとしたが、これらの金属に限ることではなく
銅合金、または全く他の金属を用いることが可能であ
り、表面のメッキについても規定するものではない。
【０１２３】金属基板については他の実施例についても
同様である。またその厚さも限定するものではない。
同様である。またその厚さも限定するものではない。
【０１２４】本発明の実施例においては、ＬＳＩの実装
はワイヤボンディングにおいて説明したが、フリップチ
ップ方式等他の方式によっても可能であることは言うま
でもない。
はワイヤボンディングにおいて説明したが、フリップチ
ップ方式等他の方式によっても可能であることは言うま
でもない。
【０１２５】また、ＬＳＩ等をモールドするモールド材
としてエポキシ樹脂として説明した。使用される状況に
より、例えば、耐熱が必要な雰囲気では耐熱性エポキシ
樹脂、ポリイミド樹脂等が用いられるべきである。
としてエポキシ樹脂として説明した。使用される状況に
より、例えば、耐熱が必要な雰囲気では耐熱性エポキシ
樹脂、ポリイミド樹脂等が用いられるべきである。
【０１２６】第５実施例においてホットプレスと樹脂間
にプレス時樹脂膜を挿入するとしたが、これは硬化され
る樹脂とプレスとの接着を防ぐものであり、他の実施例
においても同様である。樹脂膜でなく、紙等であっても
よい。不要な場合も多い。
にプレス時樹脂膜を挿入するとしたが、これは硬化され
る樹脂とプレスとの接着を防ぐものであり、他の実施例
においても同様である。樹脂膜でなく、紙等であっても
よい。不要な場合も多い。
【０１２７】上記実施例では、モジュールは外部との接
続を半田ボールで行うと説明した。しかし、状況によっ
ては半田ボールのかわりにリード線、リード端子を接続
することも可能であり、またいわゆるリードレスパッケ
ージと同様な実装方法も可能である。
続を半田ボールで行うと説明した。しかし、状況によっ
ては半田ボールのかわりにリード線、リード端子を接続
することも可能であり、またいわゆるリードレスパッケ
ージと同様な実装方法も可能である。
【０１２８】上記のような構成になっているので、半田
ボールによる接続点を最も効率的な場所に設置すること
が可能となる。
ボールによる接続点を最も効率的な場所に設置すること
が可能となる。
【０１２９】従来のリードフレームを用いた手法ではＬ
ＳＩのパッドとパッケージのピンとが、そのまま対応し
てしまうので設計の自由度が無く、結果としてＬＳＩを
搭載するプリント基板の配線を大きく引き回す必要もし
ばしば生じた。また、ＢＧＡでも、その内部で配置を変
えようとするとプリント基板の総数が増え、価格上昇に
つながった。
ＳＩのパッドとパッケージのピンとが、そのまま対応し
てしまうので設計の自由度が無く、結果としてＬＳＩを
搭載するプリント基板の配線を大きく引き回す必要もし
ばしば生じた。また、ＢＧＡでも、その内部で配置を変
えようとするとプリント基板の総数が増え、価格上昇に
つながった。
【０１３０】本発明の構造では簡単に接続点の配置を変
更することができる。
更することができる。
【０１３１】更に、プリント基板を用いないＭＣＭ（マ
ルチチップモジュール）を得ることが可能である。近年
電子機器の発達に伴い、例えば自動車のエンジンの近傍
に低価格のＭＣＭを設置する要望も多い。従来のＦＲ−
４基板からなるモジュールでは耐熱性等に問題があって
搭載は不可能であった。
ルチチップモジュール）を得ることが可能である。近年
電子機器の発達に伴い、例えば自動車のエンジンの近傍
に低価格のＭＣＭを設置する要望も多い。従来のＦＲ−
４基板からなるモジュールでは耐熱性等に問題があって
搭載は不可能であった。
【０１３２】更に、本発明によるＭＣＭでは十分対応が
可能である。
可能である。
【０１３３】また、通常のＢＧＡに比べ、作製するのが
容易である。またプリント基板を用いていないので実装
時反りが生じ難く実装に便利である。
容易である。またプリント基板を用いていないので実装
時反りが生じ難く実装に便利である。
【０１３４】また、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【０１３５】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。
【０１３６】（１）ＬＳＩにバンプを形成することなく
パッケージを作製することが可能であり、しかも単層配
線板を用いるので価格を低く抑えることができる。
パッケージを作製することが可能であり、しかも単層配
線板を用いるので価格を低く抑えることができる。
【０１３７】また、単層配線板にＬＳＩを実装し、パッ
ケージを作製するようにしたので、小型化を図るととも
に、価格を低く抑えることができる。
ケージを作製するようにしたので、小型化を図るととも
に、価格を低く抑えることができる。
【０１３８】（２）ＬＳＩの周辺に端子を形成するよう
にしたので、上記（１）の構成に加え、端子間の間隔を
十分にとり、確実な接続を行うことができる。
にしたので、上記（１）の構成に加え、端子間の間隔を
十分にとり、確実な接続を行うことができる。
【０１３９】（３）単層配線板に形成されるバンプをＬ
ＳＩの面積内に配置するようにしたので、上記（１）の
構成に加え、集積度を高め、小型化を図ることができ
る。
ＳＩの面積内に配置するようにしたので、上記（１）の
構成に加え、集積度を高め、小型化を図ることができ
る。
【０１４０】（４）略ＬＳＩの面積を有する単層配線板
にＬＳＩを実装し、パッケージを作製するようにしたの
で、小型化を図るとともに、価格を低く抑えることがで
きる。
にＬＳＩを実装し、パッケージを作製するようにしたの
で、小型化を図るとともに、価格を低く抑えることがで
きる。
【０１４１】（５）前記単層配線基板の開口から金属配
線板の先端または途中部分が突出した電極部を形成する
ようにしたので、集積度を高めるとともに、低価格のチ
ップサイズパッケージを得ることができる。
線板の先端または途中部分が突出した電極部を形成する
ようにしたので、集積度を高めるとともに、低価格のチ
ップサイズパッケージを得ることができる。
【０１４２】また、半田ボールを使用しないので接続部
に傷がつき難い。実装前の素子評価にも便利である。
に傷がつき難い。実装前の素子評価にも便利である。
【０１４３】（６）簡単な工程で、多くの小型パッケー
ジを低価格で製造することができる。
ジを低価格で製造することができる。
【０１４４】（７）従来のプリント基板を用いることな
く、小型パッケージ（ＢＧＡ）を得ることができる。
く、小型パッケージ（ＢＧＡ）を得ることができる。
【０１４５】（８）プリント基板を用いないので、エポ
キシ樹脂と基板との剥離の心配が無い。いわゆる、モー
ルド用の金型を用いないので、エポキシ樹脂に離型剤を
入れる必要がなく、しかも、金属とエポキシ樹脂との接
着を良くするカップリング剤を十分に用いることができ
る。
キシ樹脂と基板との剥離の心配が無い。いわゆる、モー
ルド用の金型を用いないので、エポキシ樹脂に離型剤を
入れる必要がなく、しかも、金属とエポキシ樹脂との接
着を良くするカップリング剤を十分に用いることができ
る。
【０１４６】従って、樹脂と金属、樹脂とＬＳＩとの接
続を確かなものにでき、信頼性の高い小型パッケージを
得ることができる。
続を確かなものにでき、信頼性の高い小型パッケージを
得ることができる。
【０１４７】ＬＳＩのパッドからのワイヤを通った信号
は、直接接続用の半田ボールに至るので、接続距離を短
くでき、電気特性の良好な小型パッケージを得ることが
できる。
は、直接接続用の半田ボールに至るので、接続距離を短
くでき、電気特性の良好な小型パッケージを得ることが
できる。
【０１４８】工数が少なく、材料も少ないので低価格の
パッケージを得ることができる。
パッケージを得ることができる。
【０１４９】モールド用の金型が不要なので初期投資が
少ない。
少ない。
【０１５０】更に、樹脂の硬化時、既に金属片が形成さ
れているので、樹脂と金属との熱膨張係数の違いによる
応力の発生は極めて小さい。
れているので、樹脂と金属との熱膨張係数の違いによる
応力の発生は極めて小さい。
【図１】本発明の第１実施例を示すＬＳＩを実装するた
めの単層の樹脂基板の平面図である。
めの単層の樹脂基板の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ′断面図である。
【図３】本発明の第１実施例を示す樹脂基板を有する小
型パッケージの断面図である。
型パッケージの断面図である。
【図４】本発明の第２実施例を示すＬＳＩを実装するた
めの単層の樹脂基板の平面図である。
めの単層の樹脂基板の平面図である。
【図５】本発明の第２実施例を示す樹脂基板にＬＳＩを
実装した小型パッケージの断面（図４のＢ−Ｂ′線に対
応する断面）図である。
実装した小型パッケージの断面（図４のＢ−Ｂ′線に対
応する断面）図である。
【図６】本発明の第３実施例を示すＬＳＩを実装するた
めの単層の樹脂基板の平面図である。
めの単層の樹脂基板の平面図である。
【図７】本発明の第３実施例を示す樹脂基板にＬＳＩを
実装した小型パッケージの断面（図６のＣ−Ｃ′線に対
応する断面）図である。
実装した小型パッケージの断面（図６のＣ−Ｃ′線に対
応する断面）図である。
【図８】本発明の第４実施例を示すＬＳＩを実装するた
めの単層の樹脂基板の平面図である。
めの単層の樹脂基板の平面図である。
【図９】図８のＤ−Ｄ′断面図である。
【図１０】本発明の第４実施例を示す樹脂基板を有する
小型パッケージの断面図である。
小型パッケージの断面図である。
【図１１】従来のチップサイズパッケージがセラミック
基板に実装された全体断面図である。
基板に実装された全体断面図である。
【図１２】図１１のＡ部拡大断面図である。
【図１３】本発明の第５実施例を示すＬＳＩの実装基板
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図１４】図１３のＥ−Ｅ′線断面図である。
【図１５】本発明の第５実施例を示すＬＳＩの実装基板
の平面図である。
の平面図である。
【図１６】本発明の第５実施例を示す小型パッケージの
製造工程断面図である。
製造工程断面図である。
【図１７】本発明の第６実施例を示すＬＳＩの実装基板
の平面図である。
の平面図である。
【図１８】本発明の第７実施例を示すＬＳＩの実装基板
の平面図である。
の平面図である。
【図１９】図１８のＦ−Ｆ′線断面図である。
【図２０】本発明の第８実施例を示すＬＳＩの実装基板
の斜視図である。
の斜視図である。
【図２１】図２０の裏面図である。
【図２２】図２０のＧ−Ｇ′線断面図である。
【図２３】本発明の第９実施例を示すＬＳＩの実装基板
の平面図である。
の平面図である。
【図２４】本発明の第９実施例を示す小型パッケージの
断面（図２３のＨ−Ｈ′線に対応する断面）図である。
断面（図２３のＨ−Ｈ′線に対応する断面）図である。
１００，２００，３００ 樹脂基板 １０１〜１０８，２０１〜２０８ 銅配線板 １１１〜１１８，２１１，２１４，２１８，３１１〜３
１８ ランド １２１〜１２８，２２１，２２４，２２８，３２１〜３
２８，４２１〜４２８穴 １３０，１５１，５１１Ａ，５１２Ａ，５１３Ａ，…５
１６Ａ ダイパッド１３１ 開口 １４０，２４０，３５０，４５０，５１１〜５１６，１
０２１，４０２０，４０３０，４５１４ ＬＳＩ １４１，１４２，２４１，２４２，５２１，５２２，５
２３，…５３１，５３６，５４１，５４２，５４３，
…，５５６，５６１，…５６３，…５７１，４４０６，
４４１６ ワイヤ １４３，２４３，４６５０ モールド樹脂 １５２，１５３，２３４，２３８，３３４，３３８，７
０２，７０３，４０３３，４０３４，４０５９，４１６
０ 半田ボール ２３１，３４１ 絶縁シート ３０１〜３０８ 金属配線板 ３４４，３４８，４５４，４５８ バンプ ４００ 絶縁基板 ４０１〜４０８ 配線板 ４１１，４１４，４１８ 端子 ５００ 金属基板 ５０１，５０２… 基準孔 ６１０，６１１，６１２，６１４，６２０，６２１，６
３１，６３２ 円部 ６５０，４６５０ 樹脂 ７０１，４１００ 半田レジスト ７０４ 熱伝導良好材 １０００ カプトンテープ（支持体） １０１０，１０２０，１０２２，…，１０５０，１１６
０，１２１０，１２２０，１２３０，１２４０，１２５
０，１２６０，４０３０，４０３２，４０６０，４０６
２，４１１０，４１１２，４４０１，４４０２，…４４
０６ 金属片 １０２１Ａ，１０３１，１０６１，１１１１，４０３
１，４０６１，４１１１配線 ４０１１ 金属板 ４０４０ チップ部品 ４５００ 多層配線 ５２１０，５２２０，…，５２６０ 絶縁シート
１８ ランド １２１〜１２８，２２１，２２４，２２８，３２１〜３
２８，４２１〜４２８穴 １３０，１５１，５１１Ａ，５１２Ａ，５１３Ａ，…５
１６Ａ ダイパッド１３１ 開口 １４０，２４０，３５０，４５０，５１１〜５１６，１
０２１，４０２０，４０３０，４５１４ ＬＳＩ １４１，１４２，２４１，２４２，５２１，５２２，５
２３，…５３１，５３６，５４１，５４２，５４３，
…，５５６，５６１，…５６３，…５７１，４４０６，
４４１６ ワイヤ １４３，２４３，４６５０ モールド樹脂 １５２，１５３，２３４，２３８，３３４，３３８，７
０２，７０３，４０３３，４０３４，４０５９，４１６
０ 半田ボール ２３１，３４１ 絶縁シート ３０１〜３０８ 金属配線板 ３４４，３４８，４５４，４５８ バンプ ４００ 絶縁基板 ４０１〜４０８ 配線板 ４１１，４１４，４１８ 端子 ５００ 金属基板 ５０１，５０２… 基準孔 ６１０，６１１，６１２，６１４，６２０，６２１，６
３１，６３２ 円部 ６５０，４６５０ 樹脂 ７０１，４１００ 半田レジスト ７０４ 熱伝導良好材 １０００ カプトンテープ（支持体） １０１０，１０２０，１０２２，…，１０５０，１１６
０，１２１０，１２２０，１２３０，１２４０，１２５
０，１２６０，４０３０，４０３２，４０６０，４０６
２，４１１０，４１１２，４４０１，４４０２，…４４
０６ 金属片 １０２１Ａ，１０３１，１０６１，１１１１，４０３
１，４０６１，４１１１配線 ４０１１ 金属板 ４０４０ チップ部品 ４５００ 多層配線 ５２１０，５２２０，…，５２６０ 絶縁シート
Claims (19)
- 【請求項１】（ａ）第１の表面と、該第１の表面と反対
側の第２の表面と、基準孔とを有する金属基板の前記第
１の表面上に、表面に複数の電極を有する半導体チップ
を搭載する工程と、（ｂ）前記複数の電極と前記金属基
板の前記第１の表面とを、前記基準孔を基準にしてワイ
ヤにより接続する工程と、（ｃ）前記半導体チップ、前
記ワイヤおよび前記金属基板の前記第１の表面を封止樹
脂で封止する工程と、（ｄ）前記金属板をそれぞれの前
記電極に対応させて分離する工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記金属板の前記第１の表面上には複数の前記
半導体チップが搭載され、前記封止樹脂により、前記複
数の半導体チップ間を含む前記金属基板の前記第１の表
面を封止した後に、前記半導体チップ間の前記封止樹脂
部分で分割することを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の半導体装置の製造
方法において、前記金属基板を分離した後に、前記分離
した金属基板の前記第２の表面上に半田ボールを形成す
る工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】（ａ）第１の表面と、該第１の表面と反対
側の第２の表面と、基準孔とを有する金属基板の前記第
１の表面上に、表面に複数の電極を有する半導体チップ
を搭載する工程と、（ｂ）前記複数の電極と前記金属基
板の前記第１の表面とを電気的に接続する工程と、
（ｃ）前記半導体チップおよび前記金属基板の前記第１
の表面を封止樹脂で封止する工程と、（ｄ）前記基準孔
を基準に前記金属板をそれぞれの前記電極に対応させて
分離する工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項４記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記金属板の前記第１の表面上には複数の前記
半導体チップが搭載され、前記封止樹脂により、前記複
数の半導体チップ間を含む前記金属基板の前記第１の表
面を封止した後に、前記半導体チップ間の前記封止樹脂
部分で分割することを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項６】 請求項４又は５記載の半導体装置の製造
方法において、前記金属基板を分離した後に、前記分離
した前記金属基板の前記第２の表面上に半田ボールを形
成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項７】（ａ）表面と裏面とを有する金属基板の前
記表面上に、表面に複数の電極を有する半導体チップを
搭載する工程と、（ｂ）前記複数の電極をそれぞれ前記
金属基板にワイヤにより接続する工程と、（ｃ）前記半
導体チップと前記ワイヤとを封止樹脂で封止する工程
と、（ｄ）前記金属板を、前記半導体チップが搭載され
た第１の領域と、前記ワイヤにより接続された複数の第
２の領域とにそれぞれ分離する工程と、（ｅ）前記樹脂
から露出する前記第１の領域上に熱伝導良好材を設ける
工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項８】 請求項７記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記熱伝導良好材は半田であることを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】（ａ）互いに独立した第１の金属片と第２
の金属片とが金属基板の表面に接着剤により張り付けら
れたテープを準備する工程と、（ｂ）前記第１の金属片
上に、表面に複数の電極を有する半導体チップを搭載す
る工程と、（ｃ）前記電極と前記第２の金属片とをワイ
ヤにより接続する工程と、（ｄ）前記半導体チップと前
記ワイヤと前記第１および第２の金属片とを封止樹脂で
封止する工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項９記載の半導体装置の製造方法
において、前記封止樹脂はエポキシ樹脂であることを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】（ａ）表面と裏面とを有する金属基板の
前記表面上に、表面に複数の電極を有する半導体チップ
を搭載し、前記電極を前記金属基板の第１の部分に電気
的に接続する工程と、（ｂ）前記半導体チップを含む前
記金属板の前記表面を封止樹脂で封止する工程と、
（ｃ）前記第１の部分と、前記第１の部分とは異なる第
２の部分と、前記半導体チップが搭載された領域内に設
けられた、前記第１の部分と前記第２の部分とを接続す
る第３の部分とを残して前記金属基板を除去する工程
と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】 請求項１１記載の半導体装置の製造方
法において、前記第２の部分に半田ボールを形成する工
程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１３】（ａ）表面に複数の電極が形成された半
導体チップと、（ｂ）第１の表面と、該第１の表面と反
対側の第２の表面とを有する金属片と、（ｃ）前記金属
片の前記第１の表面と前記半導体チップの前記電極とを
接続するワイヤと、（ｄ）前記金属片の前記第２の表面
を露出して前記半導体チップおよび前記金属片の前記第
１の表面を封止する封止樹脂とを備え、（ｅ）前記金属
片の少なくとも一部は前記半導体チップの裏面を通って
前記半導体チップの一辺から他の一辺に延在しているこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項１４】 請求項１３記載の半導体装置におい
て、前記金属片の前記第２の表面上には半田ボールが設
けられていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項１５】（ａ）表面と裏面とを有する金属板の前
記表面上に、表面に複数の電極を有する半導体チップを
搭載し、前記複数の電極を前記金属板に電気的に接続す
る工程と、（ｂ）前記半導体チップを含む前記金属板の
前記表面を封止樹脂で封止する工程と、（ｃ）前記電極
に接続された第１の金属片部分と、前記半導体チップが
搭載された領域内に設けられた、前記電極に接続されな
い第２の金属片部分と、これら第１の金属片と第２の金
属片とを接続する第３の部分とが残るように前記金属板
を加工する工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１６】 請求項１５記載の半導体装置の製造方
法において、前記半導体チップは、絶縁シートを介して
前記金属板に搭載されることを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項１７】 請求項１５又は１６に記載の半導体装
置の製造方法において、前記第２の金属片部分に半田ボ
ールを形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項１８】（ａ）第１の表面と、該第１の表面と反
対側の第２の表面とを有する金属片と、（ｂ）前記金属
片の前記第１の表面上に絶縁層を介して搭載された、表
面に複数の電極を有する半導体チップと、（ｃ）前記金
属片の前記第１の表面と前記半導体チップの前記電極と
を接続するワイヤと、（ｄ）前記金属片の前記第２の表
面を露出して前記半導体チップおよび前記金属片の前記
第１の表面を封止する封止樹脂とを備え、（ｅ）前記金
属片の一端の前記表面側は前記絶縁層から露出してい
て、前記金属片の他端は前記絶縁層を介して前記半導体
チップが搭載された領域内に配置されることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項１９】 請求項１８記載の半導体装置におい
て、前記金属片の前記他端の前記第２の表面上には半田
ボールが設けられていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2002094691A JP3686047B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | 半導体装置の製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002094691A JP3686047B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | 半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22619995A Division JP3529507B2 (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 半導体装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005129248A Division JP4175339B2 (ja) | 2005-04-27 | 2005-04-27 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2005129247A Division JP4260766B2 (ja) | 2005-04-27 | 2005-04-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002324873A true JP2002324873A (ja) | 2002-11-08 |
| JP3686047B2 JP3686047B2 (ja) | 2005-08-24 |
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|---|---|---|---|---|
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| US9794661B2 (en) | 2015-08-07 | 2017-10-17 | Knowles Electronics, Llc | Ingress protection for reducing particle infiltration into acoustic chamber of a MEMS microphone package |
-
2002
- 2002-03-29 JP JP2002094691A patent/JP3686047B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US8624387B1 (en) | 2000-11-28 | 2014-01-07 | Knowles Electronics, Llc | Top port multi-part surface mount silicon condenser microphone package |
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