JP2870251B2 - マルチチップモジュールの製造方法 - Google Patents
マルチチップモジュールの製造方法Info
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はワークステーションやコ
ンピュータなどに用いるマルチチップモジュールの実装
方法に関するものである。
ンピュータなどに用いるマルチチップモジュールの実装
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ワークステーションやコンピュー
タに対する小型化の要求はますます強くなっている。こ
れらの要求に答えるためＬＳＩの実装においてはＬＳＩ
を直接実装するマルチチップモジュールの開発が盛んに
行われている。
タに対する小型化の要求はますます強くなっている。こ
れらの要求に答えるためＬＳＩの実装においてはＬＳＩ
を直接実装するマルチチップモジュールの開発が盛んに
行われている。
【０００３】以下図面を参照しながら、上記した従来の
マルチチップモジュールの製造方法の一例について説明
する。
マルチチップモジュールの製造方法の一例について説明
する。
【０００４】（図３）は従来のマルチチップモジュール
の断面図を示すものである。（図３）において、１はシ
リコン多層基板、２はＬＳＩチップ、３ははんだバン
プ、４はＬＳＩチップ接続用電極、５は外部電極、６は
ボンディングワイヤ、７は支持基板の内部電極、８は外
部リード、９は支持基板、１０は支持基板の外部電極、
１１はキャップ、１２は支持基板のスルーホールであ
る。
の断面図を示すものである。（図３）において、１はシ
リコン多層基板、２はＬＳＩチップ、３ははんだバン
プ、４はＬＳＩチップ接続用電極、５は外部電極、６は
ボンディングワイヤ、７は支持基板の内部電極、８は外
部リード、９は支持基板、１０は支持基板の外部電極、
１１はキャップ、１２は支持基板のスルーホールであ
る。
【０００５】以上のように構成された製造方法について
説明する。まず、シリコン多層基板１に半田バンプ３を
有したＬＳＩチップ２を半田付けにより接続する。シリ
コン多層基板１は、４から６層の多層構造であり導体に
Ｃｕ，Ａｌ等、絶縁層にポリイミド、ＳｉＯ2等を用い
る。ＬＳＩチップ２の接続は、絶縁性樹脂を介して半田
バンプ３とＬＳＩチップ接続用電極４を位置合わせし、
ＬＳＩチップ２をシリコン多層基板１に設置した後、リ
フローにより行なう。次にＬＳＩチップ２が搭載された
シリコン多層基板１をセラミック等よりなる支持基板９
に接着剤等を用いて固定する。その後、シリコン多層基
板１の外部電極５と支持基板９の内部電極７をボンディ
ングワイヤ６にて接続する。支持基板９には、スルーホ
ール１２にて内部電極と接続された外部電極１０にあら
かじめろう付け等により外部リード８が接続されてい
る。最後に、キャップ１１が、支持基板９に接着剤もし
くは半田等により固定されたものである。
説明する。まず、シリコン多層基板１に半田バンプ３を
有したＬＳＩチップ２を半田付けにより接続する。シリ
コン多層基板１は、４から６層の多層構造であり導体に
Ｃｕ，Ａｌ等、絶縁層にポリイミド、ＳｉＯ2等を用い
る。ＬＳＩチップ２の接続は、絶縁性樹脂を介して半田
バンプ３とＬＳＩチップ接続用電極４を位置合わせし、
ＬＳＩチップ２をシリコン多層基板１に設置した後、リ
フローにより行なう。次にＬＳＩチップ２が搭載された
シリコン多層基板１をセラミック等よりなる支持基板９
に接着剤等を用いて固定する。その後、シリコン多層基
板１の外部電極５と支持基板９の内部電極７をボンディ
ングワイヤ６にて接続する。支持基板９には、スルーホ
ール１２にて内部電極と接続された外部電極１０にあら
かじめろう付け等により外部リード８が接続されてい
る。最後に、キャップ１１が、支持基板９に接着剤もし
くは半田等により固定されたものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、多層基板を固定するための支持基板を必
要とするため下記に示す課題を有している。
うな構成では、多層基板を固定するための支持基板を必
要とするため下記に示す課題を有している。
【０００７】 （１）モジュールの厚みが厚く薄型化が図れない。 （２）工程が長く材料費が高いためコスト高である。
【０００８】（３）多層基板の外部電極から支持基板の
外部リードに至るまでの接続点が多く信頼性が低い。
外部リードに至るまでの接続点が多く信頼性が低い。
【０００９】（４）多層基板の周囲に支持基板の内部電
極領域、キャップ取り付け領域を必要としモジュールの
寸法が非常に大きくなってしまう 本発明は上記問題点に鑑み、高密度、高信頼性、低コス
トなマルチチップモジュールを提供するものである。
極領域、キャップ取り付け領域を必要としモジュールの
寸法が非常に大きくなってしまう 本発明は上記問題点に鑑み、高密度、高信頼性、低コス
トなマルチチップモジュールを提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明のマルチチップモジュールの製造方法は、外
側に複数の外部電極、内側に複数のＬＳＩチップ接続用
電極を有する多層基板の前記ＬＳＩチップ接続用電極と
ＬＳＩチップの電極とを電気的に接続して前記多層基板
に複数のＬＳＩチップを搭載する工程と、前記多層基板
上の前記複数の外部電極上に絶縁性樹脂を形成し、可と
う性フィルムで支持された複数の外部リードの先端部を
前記絶縁性樹脂が形成された前記複数の外部電極に位置
合わせして設置する工程と、周囲に突起部を有したキャ
ップの前記突起部を前記複数の外部リード上に設置し、
前記キャップを加圧することにより前記絶縁性樹脂を前
記複数の外部電極の周囲に押し出し、前記複数の外部リ
ードと前記複数の外部電極とを電気的に接続するととも
に、前記キャップと前記多層基板とを前記絶縁性樹脂に
より固定する工程と、前記絶縁性樹脂を硬化する工程と
を備えたものである。
めに本発明のマルチチップモジュールの製造方法は、外
側に複数の外部電極、内側に複数のＬＳＩチップ接続用
電極を有する多層基板の前記ＬＳＩチップ接続用電極と
ＬＳＩチップの電極とを電気的に接続して前記多層基板
に複数のＬＳＩチップを搭載する工程と、前記多層基板
上の前記複数の外部電極上に絶縁性樹脂を形成し、可と
う性フィルムで支持された複数の外部リードの先端部を
前記絶縁性樹脂が形成された前記複数の外部電極に位置
合わせして設置する工程と、周囲に突起部を有したキャ
ップの前記突起部を前記複数の外部リード上に設置し、
前記キャップを加圧することにより前記絶縁性樹脂を前
記複数の外部電極の周囲に押し出し、前記複数の外部リ
ードと前記複数の外部電極とを電気的に接続するととも
に、前記キャップと前記多層基板とを前記絶縁性樹脂に
より固定する工程と、前記絶縁性樹脂を硬化する工程と
を備えたものである。
【００１１】
【作用】本発明は上記した構成によって、回路基板から
直接外部リードを取り出し、外部リードの接続とキャッ
プの固定を同一の領域で同時に行ないまた回路基板を支
持をキャップにて行なうため高密度、高信頼性、低コス
トなマルチチップモジュールを得る事が出来る。
直接外部リードを取り出し、外部リードの接続とキャッ
プの固定を同一の領域で同時に行ないまた回路基板を支
持をキャップにて行なうため高密度、高信頼性、低コス
トなマルチチップモジュールを得る事が出来る。
【００１２】
【実施例】以下本発明の一実施例のマルチチップモジュ
ールの製造方法について図面を参照しながら説明する。
ールの製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００１３】（図１）は本発明の実施例におけるマルチ
チップモジュールの工程別断面図を示すものである。図
１において、２１は回路基板である多層基板、２２はＬ
ＳＩチップ（半導体素子）接続用電極、２３はＬＳＩチ
ップ接続用絶縁性樹脂、２４は外部電極、２５はＬＳＩ
チップ、２６はバンプ、２７は外部リード接続用絶縁性
樹脂、２８は外部リード、２９は絶縁性フィルム、３０
はキャップ、３１は加圧ツール、３２は紫外線を示すも
のである。
チップモジュールの工程別断面図を示すものである。図
１において、２１は回路基板である多層基板、２２はＬ
ＳＩチップ（半導体素子）接続用電極、２３はＬＳＩチ
ップ接続用絶縁性樹脂、２４は外部電極、２５はＬＳＩ
チップ、２６はバンプ、２７は外部リード接続用絶縁性
樹脂、２８は外部リード、２９は絶縁性フィルム、３０
はキャップ、３１は加圧ツール、３２は紫外線を示すも
のである。
【００１４】以下本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。まず図１ａに示すように多層基板２１
のＬＳＩチップ接続用電極２２上に絶縁性樹脂２３を塗
布する。多層基板２１は特に高速伝送用のものでありシ
リコン、ガラス等をベースとし、導体は、Ｃｕ，Ａｌ
等、絶縁層はポリイミド、ＳｉＯ2等を用いたものであ
る。特にシリコンをベースに用いた場合は、半導体のプ
ロセス及び設備を用いることができ、容易に高速伝送用
基板を得ることができる。また多層基板２１のＬＳＩチ
ップ接続用電極２２の表面は、高信頼性を得るためＡｕ
等の耐食性金属を形成しておくことが望ましい。多層基
板２１のサイズは１０mm〜１５０ｍｍ□程度であり、厚
みは０．３ｍｍ〜１．０mm程度である。また絶縁樹脂２
３は、アクリル、エポキシ、ポリイミド等である。 次
に図１ｂに示すようにＬＳＩチップ２５のＡｕ、Ｃｕ等
よりなるバンプ２６とＬＳＩチップ接続用電極２２を一
致させＬＳＩチップ２５を多層基板２１上に設置した後
加圧ツール３３にてＬＳＩチップ２５を加圧する。この
時絶縁性樹脂２３は、バンプ２６とＬＳＩチップ接続用
電極２２の間から押し出され、両者は電気的に接触す
る。この状態で絶縁性樹脂２３を硬化する。絶縁性樹脂
２３の硬化は、光硬化、熱硬化、常温硬化等を用いる。
次に加圧ツール３３を解除し、ＬＳＩチップ２５を多層
基板２１に固定するとともに、電気的に接続する。以下
同様の方法で、複数のＬＳＩチップ２５を多層基板２１
に接続する。また本実施例では、多層基板２１へのＬＳ
Ｉチップ２５の接続に、前述した方法を示したが例えば
ワイヤボンディング法、ＴＡＢ法、半田バンプによるフ
リップチップ法等のいずれの方法用いてもよい。
ながら説明する。まず図１ａに示すように多層基板２１
のＬＳＩチップ接続用電極２２上に絶縁性樹脂２３を塗
布する。多層基板２１は特に高速伝送用のものでありシ
リコン、ガラス等をベースとし、導体は、Ｃｕ，Ａｌ
等、絶縁層はポリイミド、ＳｉＯ2等を用いたものであ
る。特にシリコンをベースに用いた場合は、半導体のプ
ロセス及び設備を用いることができ、容易に高速伝送用
基板を得ることができる。また多層基板２１のＬＳＩチ
ップ接続用電極２２の表面は、高信頼性を得るためＡｕ
等の耐食性金属を形成しておくことが望ましい。多層基
板２１のサイズは１０mm〜１５０ｍｍ□程度であり、厚
みは０．３ｍｍ〜１．０mm程度である。また絶縁樹脂２
３は、アクリル、エポキシ、ポリイミド等である。 次
に図１ｂに示すようにＬＳＩチップ２５のＡｕ、Ｃｕ等
よりなるバンプ２６とＬＳＩチップ接続用電極２２を一
致させＬＳＩチップ２５を多層基板２１上に設置した後
加圧ツール３３にてＬＳＩチップ２５を加圧する。この
時絶縁性樹脂２３は、バンプ２６とＬＳＩチップ接続用
電極２２の間から押し出され、両者は電気的に接触す
る。この状態で絶縁性樹脂２３を硬化する。絶縁性樹脂
２３の硬化は、光硬化、熱硬化、常温硬化等を用いる。
次に加圧ツール３３を解除し、ＬＳＩチップ２５を多層
基板２１に固定するとともに、電気的に接続する。以下
同様の方法で、複数のＬＳＩチップ２５を多層基板２１
に接続する。また本実施例では、多層基板２１へのＬＳ
Ｉチップ２５の接続に、前述した方法を示したが例えば
ワイヤボンディング法、ＴＡＢ法、半田バンプによるフ
リップチップ法等のいずれの方法用いてもよい。
【００１５】次に図１ｃに示すように多層基板２１の外
部電極２４上に外部リード接続用絶縁性樹脂２７を塗布
する。絶縁性樹脂２７は、アクリル、エポキシ、ポリイ
ミド等であり、硬化のタイプは光硬化、熱硬化、常温硬
化等である。塗布の方法はディスペンス法、スタンピン
グ法等を用いる。次に図１ｄに示すように、絶縁性基板
であるポリイミド等の可とう性フィルム２９に支持され
た外部リード２８と多層基板２１の外部電極２４を位置
合わせし、外部リード２８を外部電極２４上に設置す
る。外部リード２８は、Ｃｕ、コバール等よりなるもの
で、いわゆるフィルムキャリヤテープ等を用いる。外部
リード２８の厚みは、１０μｍ〜２００μｍ、巾は５０
μｍから５００μｍ、長さは０．１mm〜２．０mm程度で
ある。次にセラミック、エポキシ、あるいは表面に絶縁
層を有する金属等よりなり周囲に突起部を有するキャッ
プ３０の突起部を外部リード２８上に設置し、加圧ツー
ル３１にて加圧する。この時、外部電極２４上にあった
絶縁性樹脂２７は周囲に押し出され、外部リード２８と
外部電極２４は、電気的に接触する。加圧力は５グラム
／リード〜５００グラム／リード程度である。この状態
での図１ｄの外部電極２４部分の側面方向の断面を図２
に示す。次にキャップ３９を加圧した状態で絶縁性樹脂
２７を硬化する。硬化の方法は、光硬化の場合は図１ｄ
に示すようにキャップ３０の側面より光照射３２を行
う。また加熱硬化の場合は、加圧ツール３１にヒータ等
の加熱源を設置しておき、キャップ３０を通して加熱す
る硬化の時間はいずれの場合も数秒から数分である。ま
たキャップ３０の加圧の手段としてはクリップを用いる
こともできこの場合絶縁性樹脂２７の硬化はオーブンや
コンベア炉による加熱硬化を行う。なお、キャップ３０
の突起部すなわち凸部に絶縁性樹脂を塗布してもよい。
部電極２４上に外部リード接続用絶縁性樹脂２７を塗布
する。絶縁性樹脂２７は、アクリル、エポキシ、ポリイ
ミド等であり、硬化のタイプは光硬化、熱硬化、常温硬
化等である。塗布の方法はディスペンス法、スタンピン
グ法等を用いる。次に図１ｄに示すように、絶縁性基板
であるポリイミド等の可とう性フィルム２９に支持され
た外部リード２８と多層基板２１の外部電極２４を位置
合わせし、外部リード２８を外部電極２４上に設置す
る。外部リード２８は、Ｃｕ、コバール等よりなるもの
で、いわゆるフィルムキャリヤテープ等を用いる。外部
リード２８の厚みは、１０μｍ〜２００μｍ、巾は５０
μｍから５００μｍ、長さは０．１mm〜２．０mm程度で
ある。次にセラミック、エポキシ、あるいは表面に絶縁
層を有する金属等よりなり周囲に突起部を有するキャッ
プ３０の突起部を外部リード２８上に設置し、加圧ツー
ル３１にて加圧する。この時、外部電極２４上にあった
絶縁性樹脂２７は周囲に押し出され、外部リード２８と
外部電極２４は、電気的に接触する。加圧力は５グラム
／リード〜５００グラム／リード程度である。この状態
での図１ｄの外部電極２４部分の側面方向の断面を図２
に示す。次にキャップ３９を加圧した状態で絶縁性樹脂
２７を硬化する。硬化の方法は、光硬化の場合は図１ｄ
に示すようにキャップ３０の側面より光照射３２を行
う。また加熱硬化の場合は、加圧ツール３１にヒータ等
の加熱源を設置しておき、キャップ３０を通して加熱す
る硬化の時間はいずれの場合も数秒から数分である。ま
たキャップ３０の加圧の手段としてはクリップを用いる
こともできこの場合絶縁性樹脂２７の硬化はオーブンや
コンベア炉による加熱硬化を行う。なお、キャップ３０
の突起部すなわち凸部に絶縁性樹脂を塗布してもよい。
【００１６】次に図１ｅに示すように加圧ツール３１を
解除し、キャップ３０を多層基板２１に固定するととも
に外部リード２８を多層基板２１の外部電極２４に電気
的に接続したものである。この時、多層基板２１は、キ
ャップ３０に支持される。また外部リード２８の反対側
の先端は、後にマザーボード等に接続される。
解除し、キャップ３０を多層基板２１に固定するととも
に外部リード２８を多層基板２１の外部電極２４に電気
的に接続したものである。この時、多層基板２１は、キ
ャップ３０に支持される。また外部リード２８の反対側
の先端は、後にマザーボード等に接続される。
【００１７】
【発明の効果】以上のように本発明はキャップの固定と
外部リード接続を同時にかつ同一の領域で行うため、多
層基板にシリコンやガラス等のように機械的に弱い材料
を用いても、従来のように専用の支持基板を必要とせず
キャップに支持される構造となるため非常に安価であ
る。また外部リード接続及びキャップの固定を同じ場所
で行うため小型・高密度のマルチチップモジュールを得
ることができる。加えて外部リードと多層基板の外部電
極が直接接続されるため接続点が少なく高信頼性であ
る。
外部リード接続を同時にかつ同一の領域で行うため、多
層基板にシリコンやガラス等のように機械的に弱い材料
を用いても、従来のように専用の支持基板を必要とせず
キャップに支持される構造となるため非常に安価であ
る。また外部リード接続及びキャップの固定を同じ場所
で行うため小型・高密度のマルチチップモジュールを得
ることができる。加えて外部リードと多層基板の外部電
極が直接接続されるため接続点が少なく高信頼性であ
る。
【図１】本発明の実施例における工程別断面図
【図２】図１ｄにおける外部電極部分の断面図
【図３】従来のマルチチップモジュールの断面図
２１ 多層基板 ２２ ＬＳＩチップ接続用電極 ２３ ＬＳＩチップ接続用絶縁性樹脂 ２４ 外部電極 ２５ ＬＳＩチップ ２６ バンプ ２７ 外部リード接続用絶縁性樹脂 ２８ 外部リード ２９ 可とう性フィルム ３０ キャップ ３１ 加圧ツール ３２ 光照射
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−4257（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−51259（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−116950（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−117250（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−146538（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 25/04 H01L 23/02 H01L 23/04 H01L 25/18
Claims (1)
- 【請求項１】 外側に複数の外部電極、内側に複数のＬ
ＳＩチップ接続用電極を有する多層基板の前記ＬＳＩチ
ップ接続用電極とＬＳＩチップの電極とを電気的に接続
して前記多層基板に複数のＬＳＩチップを搭載する工程
と、前記多層基板上の前記複数の外部電極上に絶縁性樹
脂を形成し、可とう性フィルムで支持された複数の外部
リードの先端部を前記絶縁性樹脂が形成された前記複数
の外部電極に位置合わせして設置する工程と、周囲に突
起部を有したキャップの前記突起部を前記複数の外部リ
ード上に設置し、前記キャップを加圧することにより前
記絶縁性樹脂を前記複数の外部電極の周囲に押し出し、
前記複数の外部リードと前記複数の外部電極とを電気的
に接続するとともに、前記キャップと前記多層基板とを
前記絶縁性樹脂により固定する工程と、前記絶縁性樹脂
を硬化する工程とを備えたことを特徴とするマルチチッ
プモジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24546591A JP2870251B2 (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | マルチチップモジュールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24546591A JP2870251B2 (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | マルチチップモジュールの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582716A JPH0582716A (ja) | 1993-04-02 |
| JP2870251B2 true JP2870251B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=17134068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24546591A Expired - Fee Related JP2870251B2 (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | マルチチップモジュールの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2870251B2 (ja) |
-
1991
- 1991-09-25 JP JP24546591A patent/JP2870251B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0582716A (ja) | 1993-04-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |