JP2622988B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、半導体チップを、素子表面を下にして基
板にボンディングする半導体装置に関するものである。
板にボンディングする半導体装置に関するものである。
［従来の技術］ 第３図は、従来の半導体装置を示す図である。図にお
いて、１は素子の形成された半導体チップ、２は半導体
チップ１の表面に形成された金属バンプ電極、３はセラ
ミックなどからなる絶縁性基板、４は絶縁性基板３に形
成された金属配線層、５は絶縁膜、６はモールド樹脂で
ある。
いて、１は素子の形成された半導体チップ、２は半導体
チップ１の表面に形成された金属バンプ電極、３はセラ
ミックなどからなる絶縁性基板、４は絶縁性基板３に形
成された金属配線層、５は絶縁膜、６はモールド樹脂で
ある。
製造の際には、まず、素子の形成された半導体チップ
１の金属配線上に、金，銀，半田などの金属バンプ電極
２を形成する。その後、半導体チップ１を、表面を下に
して、予め金属配線４の施されたセラミックなどの絶縁
性基板３と位置合わせを行ない、熱あるいは熱圧着によ
りボンディングし、電気的に結合させる。最後に、半導
体チップ全体をモールド樹脂６により薄く封止する。
１の金属配線上に、金，銀，半田などの金属バンプ電極
２を形成する。その後、半導体チップ１を、表面を下に
して、予め金属配線４の施されたセラミックなどの絶縁
性基板３と位置合わせを行ない、熱あるいは熱圧着によ
りボンディングし、電気的に結合させる。最後に、半導
体チップ全体をモールド樹脂６により薄く封止する。
［発明が解決しようとする課題］ 従来の装置は、以上のように半導体チップ全体を薄く
樹脂封止しているものの、半導体チップが上面に突出し
た構造となっている。したがって、チップ横方向より水
分が侵入しやすく、耐湿性が十分ではない。
樹脂封止しているものの、半導体チップが上面に突出し
た構造となっている。したがって、チップ横方向より水
分が侵入しやすく、耐湿性が十分ではない。
また、封止時のバンプ電極部に加わる応力によりバン
プ剥がれが発生するのを防ぐために、樹脂封止の厚みを
あまり厚くできないという欠点があった。
プ剥がれが発生するのを防ぐために、樹脂封止の厚みを
あまり厚くできないという欠点があった。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を除去す
るためになされたもので、半導体装置の耐湿性を向上さ
せることを目的としている。
るためになされたもので、半導体装置の耐湿性を向上さ
せることを目的としている。
［課題を解決するための手段］ この発明に係る半導体装置は、素子が形成されバンプ
電極を有する半導体チップを、チップのバンプ電極側を
下にして基板にボンディングした半導体装置である。そ
して、基板表面全面上に、基板表面と密着するように直
接接触して保護絶縁層が設けられる。この保護絶縁層
は、セラミックあるいは耐湿性を有する高分子絶縁材料
からなり、半導体チップがボンディングされる領域に対
応する位置に孔を有し、かつ、バンプ電極を含む半導体
チップ厚と同程度の厚さを有する。また、前記半導体チ
ップが基板に実装された状態で、前記孔内が樹脂封止さ
れている。また、好ましくは、保護絶縁層には複数個の
孔が設けられ、その複数個の孔内にそれぞれ半導体チッ
プが実装される。
電極を有する半導体チップを、チップのバンプ電極側を
下にして基板にボンディングした半導体装置である。そ
して、基板表面全面上に、基板表面と密着するように直
接接触して保護絶縁層が設けられる。この保護絶縁層
は、セラミックあるいは耐湿性を有する高分子絶縁材料
からなり、半導体チップがボンディングされる領域に対
応する位置に孔を有し、かつ、バンプ電極を含む半導体
チップ厚と同程度の厚さを有する。また、前記半導体チ
ップが基板に実装された状態で、前記孔内が樹脂封止さ
れている。また、好ましくは、保護絶縁層には複数個の
孔が設けられ、その複数個の孔内にそれぞれ半導体チッ
プが実装される。
［作用］ この発明における半導体装置では、半導体チップの周
囲に半導体チップとほぼ同じ厚みに、保護絶縁層が基板
表面と密着するように形成されている。それにより、横
方向からの水分のチップへの浸入を抑止でき、半導体装
置の耐湿性を向上できる。
囲に半導体チップとほぼ同じ厚みに、保護絶縁層が基板
表面と密着するように形成されている。それにより、横
方向からの水分のチップへの浸入を抑止でき、半導体装
置の耐湿性を向上できる。
［実施例］ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図において、素子の形成された半導体チップ11
は、その表面に金，銀，半田などの金属バンプ電極12を
複数個有している。
は、その表面に金，銀，半田などの金属バンプ電極12を
複数個有している。
セラミックなどよりなる絶縁性基板13は、その上面に
金属配線14を有している。金属配線14上には、数10μｍ
程度の薄い絶縁層15が形成されている。絶縁層15上に
は、バンプ電極12を含む半導体チップ11の厚みと同程
度、すなわち300〜600μｍ程度の厚みを有する保護絶縁
層17が形成されている。保護絶縁層17は、たとえば、セ
ラミックや耐湿性を有する高分子絶縁材料よりなる。保
護絶縁層17および絶縁層15において、半導体チップ11が
実装されるべき位置には、孔17aが形成されている。孔1
7a内には、モールド樹脂16が充填されており、これによ
って半導体チップ11の樹脂封止がなされていることにな
る。
金属配線14を有している。金属配線14上には、数10μｍ
程度の薄い絶縁層15が形成されている。絶縁層15上に
は、バンプ電極12を含む半導体チップ11の厚みと同程
度、すなわち300〜600μｍ程度の厚みを有する保護絶縁
層17が形成されている。保護絶縁層17は、たとえば、セ
ラミックや耐湿性を有する高分子絶縁材料よりなる。保
護絶縁層17および絶縁層15において、半導体チップ11が
実装されるべき位置には、孔17aが形成されている。孔1
7a内には、モールド樹脂16が充填されており、これによ
って半導体チップ11の樹脂封止がなされていることにな
る。
次に、第１図に示す実施例の製造工程を説明する。
まず、素子の形成された半導体チップ11の金属配線上
に、金，銀，半田などの金属バンプ電極12を形成する。
に、金，銀，半田などの金属バンプ電極12を形成する。
一方、セラミック等の絶縁性基板13に金属配線14を形
成する。さらにその上に、バンプ電極12とボンディング
する部分を除き、数10μｍ程度の薄い絶縁層15を形成す
る。次に、絶縁層15上に、バンプ電極12を含む半導体チ
ップ11の厚みとほぼ同程度、すなわち300〜600μｍ程度
の厚さの保護絶縁層17を、半導体チップ11がボンディン
グされる領域を除き形成する。
成する。さらにその上に、バンプ電極12とボンディング
する部分を除き、数10μｍ程度の薄い絶縁層15を形成す
る。次に、絶縁層15上に、バンプ電極12を含む半導体チ
ップ11の厚みとほぼ同程度、すなわち300〜600μｍ程度
の厚さの保護絶縁層17を、半導体チップ11がボンディン
グされる領域を除き形成する。
こうして得られた基板13は、第２図に示すような形状
のものとなる。四角形の孔17aの中に前記半導体チップ1
1を位置合わせして入れ、熱あるいは熱圧着によりボン
ディングを行なう。なお、半田バンプを採用した場合に
は、半田溶融時の表面張力によるセルフアラインメント
作用が働く。したがって、この場合には、孔17aの中に
チップ11を入れてしまえば、後は精密な位置合わせはし
なくてもよい。
のものとなる。四角形の孔17aの中に前記半導体チップ1
1を位置合わせして入れ、熱あるいは熱圧着によりボン
ディングを行なう。なお、半田バンプを採用した場合に
は、半田溶融時の表面張力によるセルフアラインメント
作用が働く。したがって、この場合には、孔17aの中に
チップ11を入れてしまえば、後は精密な位置合わせはし
なくてもよい。
最後に、半導体チップ11をボンディングした領域、す
なわち孔17a内にモールド樹脂16を埋め込み、封止す
る。
なわち孔17a内にモールド樹脂16を埋め込み、封止す
る。
［発明の効果］ 以上のように、この発明によれば、金属配線の施され
た絶縁性基板表面の半導体チップがボンディグされる領
域の周囲に、この絶縁性基板表面と密着するように、バ
ンプ電極を含む半導体チップの厚みとほぼ同程度の保護
絶縁層を形成し、樹脂封止を行なうので、半導体チップ
の横方向よりの水分の浸入を防止できるようになり、耐
湿性を向上させることができるようになる。
た絶縁性基板表面の半導体チップがボンディグされる領
域の周囲に、この絶縁性基板表面と密着するように、バ
ンプ電極を含む半導体チップの厚みとほぼ同程度の保護
絶縁層を形成し、樹脂封止を行なうので、半導体チップ
の横方向よりの水分の浸入を防止できるようになり、耐
湿性を向上させることができるようになる。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す従
断面部分図、第２図は前記一実施例の製造の一工程を示
す斜視部分図、第３図は従来の半導体装置を示す従断面
部分図である。 11は半導体チップ、12は金属バンプ電極、13は絶縁性基
板、17は保護絶縁層である。
断面部分図、第２図は前記一実施例の製造の一工程を示
す斜視部分図、第３図は従来の半導体装置を示す従断面
部分図である。 11は半導体チップ、12は金属バンプ電極、13は絶縁性基
板、17は保護絶縁層である。
Claims (2)
- 【請求項１】素子が形成されバンプ電極を有する半導体
チップを、前記チップのバンプ電極側を下にして基板に
ボンディングした半導体装置において、 前記基板表面全面上にバンプ電極を含む半導体チップ厚
と同程度の厚さに設けられ、前記基板表面と密着するよ
うに直接接触し、半導体チップがボンディングされる領
域に対応する位置に孔を有し、セラミックあるいは耐湿
性を有する高分子絶縁材料からなる保護絶縁層を備え、 前記半導体チップを基板に実装した状態で、前記孔内に
樹脂封止した半導体装置。 - 【請求項２】前記保護絶縁層には、複数個の前記孔が設
けられ、前記複数個の孔内にそれぞれ前記半導体チップ
が実装される、請求項１に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63126136A JP2622988B2 (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63126136A JP2622988B2 (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01293641A JPH01293641A (ja) | 1989-11-27 |
| JP2622988B2 true JP2622988B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
ID=14927565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63126136A Expired - Fee Related JP2622988B2 (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2622988B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58200545A (ja) * | 1982-05-18 | 1983-11-22 | Citizen Watch Co Ltd | Ｉｃの樹脂封止方法 |
-
1988
- 1988-05-23 JP JP63126136A patent/JP2622988B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01293641A (ja) | 1989-11-27 |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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