JP4805362B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
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Description
2 第1の絶縁膜
3 第1の配線
4 ガラス基板
5 樹脂
6 第2の絶縁膜
7 緩衝部材
8 第2の配線
9 Ni−Auメッキ
10 保護膜
11 導電端子
Claims (5)
- 複数の半導体チップを含む半導体基板の第1の面上に形成され、前記複数の半導体チップの境界近傍に配置された複数の第1の配線上を覆うように、接着剤を介して支持板を接着する工程と、
第2の面より前記半導体基板の一部を選択的に除去して、前記複数の第1の配線ごとの下部からダイシング領域まで延在する絶縁膜を露出するように非連続的に複数の開口部を形成する工程と、
前記半導体基板の第2の面上に、前記第1の配線に接続される第2の配線を形成する工程と、
前記半導体チップの境界に沿ってダイシングを行い、各々の前記半導体チップを分離する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の配線は、前記半導体チップの境界を挟んで一対となるように配置されており、前記開口部は、前記一対の第1の配線毎に非連続的に存在することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜を露出する開口部を形成する工程の前に、前記半導体基板の第2の面を研削する工程を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜を露出する開口部を形成する工程の後に、前記半導体基板の第2の面に第2の絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の絶縁膜を形成する工程の後であって前記第2の配線を形成する前に、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜をエッチングして、前記第1の配線を露出させる工程を有することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
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