JPS5929430A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5929430A
JPS5929430A JP57140042A JP14004282A JPS5929430A JP S5929430 A JPS5929430 A JP S5929430A JP 57140042 A JP57140042 A JP 57140042A JP 14004282 A JP14004282 A JP 14004282A JP S5929430 A JPS5929430 A JP S5929430A
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JP
Japan
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section
layer
bonding pad
bonding
heat
Prior art date
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Pending
Application number
JP57140042A
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English (en)
Inventor
Takeshi Umegaki
梅垣　武士
Koichi Konishi
小西　孝一
Chukei Kaneko
金子　忠敬
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electronics Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体基板上に耐熱性有機材料からなる絶縁
膜が形成されるとともに、さらにこの上に金属膜が形成
される構造の半導体装置に関する。
従来例の構成とその問題点 半導体装置、たとえば、半導体集積回路では、集積度を
高めること、あるいは、所定の回路機能あたりに要する
半導体基板面積を減少させることなどの取り組みが積極
的になされ、この取り組みが進行するにつれて、相互配
線層を多層に設けるようにした多層配線構造が多用され
るに至っている。この多層配線構造では、下側に位置す
る相互配線層と、この上に形成される相互配線層との間
を電気的に絶縁することが不可欠である。この目的で上
下の相互配線層間に配設される絶縁膜は、通常、相間絶
縁膜と称され、従来は、ＣＶＤ法により形成される酸化
膜が用いられていた。
ところで、この酸化膜はガラス質であるため、機械的な
衝撃等に対しては弱い。したがって、多層配線層の最上
部に位置する層のように、金属細線接続用パッド部（ポ
ンディングパッド部）を有する相互配線層下の層間絶縁
膜として酸化膜を用いると、ポンディングパッド部へ金
属細線を接続する際の機械的な衝撃で酸化膜が破損され
、この結果、層間絶縁膜としての機能が失われる不都合
がしばしば発生する。この不都合を回避するだめに、ポ
ンディジグパッド位置を下側の相互配線層」二からずら
すこと、あるいは、ポンディングパッドの面積を太きく
シ、金属細線の接続位置を下側の相互配線層上からずら
すなどの方策が考えられる。しかしながら、前者の方策
を講じようとした場合、ポンディングパッド部の形成位
置ならびに下側の相互配線層の形成位置に基く制約があ
り、全てのポンディジグパッド位置をずらすことは極め
て困難である。また、後者の方策を講じようとした場合
には、上記の問題に加えて、半導体基板面積に増大をも
たらす不都合が派生する。
このように、層間絶縁膜として酸化膜を用いた場合には
、この上に形成される相互配線層との関連で膜の破損と
いっだ極めて重大な問題が生じ、また、これを回避する
だめの方策も、理論的には効果が期待できるものの、実
際面では不都合が派生する。このため、層間絶縁膜とし
て、絶縁性。
耐衝撃性ならびに耐熱性の面で優れた耐熱性有機樹脂（
例えば、ポリイミツド系樹脂）を用いて多層配線構造を
実現する方法が注目され、この方法を利用して製作され
た多層配線構造の各種半導体装置が提供されるに至って
いる。この方法によれば、ボンディングバンド部へ金属
細線を接続する際の機械的衝撃によって層間絶縁膜が破
損する不都合は生じない。したがって、ボンディングバ
ンド部を、下側の相互配線層を考慮してずらすこと、あ
るいは、ポンディグパッド部の面積を太きくし、金属細
線の接続位置をずらすなどの配慮は不要となる。
耐熱性有機樹脂を用いるならば、酸化膜を用いた場合の
不都合をことごとく排除できるが、逆に、耐熱性有機樹
脂を用いたことにより、酸化膜使用の下ではみられなか
った不都合が生じる。すなわち、耐熱性有機樹脂を用い
た場合、半導体基板の接着工程あるいは、金属細線の接
続工程などでの加熱処理で、耐熱性有機樹脂中に吸着さ
れていた水分あるいはガスなどが、極〈微量ではあるが
放出され、この上に比較的大面積の金属膜が形成されて
いると、両者の界面から抜は切れず、このため、火ぶく
れ状の脹れが金属膜に出来る。ポンディングパッド部の
ようにとりわけ大面積の金属膜部分では、この脹れの発
生が顕著となり、このことによって、半導体装置の性能
が損われるところとなる。
発明の目的 本発明は、上記の不都合を排除する目的でなされたもの
で、層間絶縁膜として耐熱性有機樹脂を用いても、この
上に形成される相互配線層等の金属膜に脹れが生じるこ
とのない半導体装置を提供するものである。
発明の構成 本発明は、半導体基板上に第１層の導電層と第２層の導
電層が配設されるとともに、両導電層間に、耐熱性有機
樹脂よりなる絶縁膜を配設し、さらに、絶縁膜の上側に
位置する第２層の導電層の広大部分に、切欠部または礼
状欠損部もしくはこれらの双方を形成するものである。
実施例の説明 以下に図面を参照して本発明の半導体装置について説明
する。第１図は、本発明の半導体装置の一実施例として
、多層配線構造とされた半導体集積回路（ＩＣ）のポン
ディングパッド形成部近傍を拡大して示しだ平面図、第
２図は、第１図の■−ｎ線に沿った断面図てあり、図示
するように、半導体基板１上を覆う二酸化シリコン膜２
の上に第１層目の相互配線層３が形成され、さらに、層
間絶縁膜として耐熱性有機樹脂層４が形成され、この上
にボンディングバンド部５ならびに相互配線部６を含む
第２層目の相互配線層が形成され、このポンディングパ
ッド部６に金属細線７の先端部８が接続された構造とな
っている。この構造そのものは、耐熱性有機樹脂を層間
絶縁膜として用いた多層配線構造のＩＣと同じであるが
、本発明では、図示するように、ボンディングバンド部
５の周縁部に切欠部９が、また、中央部に小孔（欠揃部
）１ｏがそれぞれ所定の数だけ形成されている。このよ
うに、ポンディングパッド部５に切欠部９、欠損部１ｏ
を形成すると、ポンディングパッド部５の直下に位置す
る耐熱性有機樹脂層４から、水分あるいはガス等が放出
されても、両者の界面を通して外部に至るパスが短くな
るだめ、ボンディングパソド部面に脹れをもたらす水分
、ガス等は界面を通って外部へ放出されるところとなる
。したがって、基板接着、ワイヤボンド等で加熱処理が
施されても、ボンディングパソド部６に脹れが出来るお
それは殆んどない。
なお、金属細線７としては、通常、金線などの軟いもの
が用いられるだめ、第２図からも明らかなように、切欠
部９、欠損部１０が接続部に存在してもこの中に込り込
む。このため、切欠部９、欠損部１０の存在が金属細線
７の接続に際して障害となることはない。
以上、−例を示して本発明を説明しだが、本発明の特徴
である切欠部、欠損部の形成位置、数などは、ポンディ
ングパッド部などの広大部の大きさ、形状等を考慮して
適宜決定すればよい。
まだ、本発明は、ＩＣのみならず、多層電極構造を必要
とするトランジスタなど他の半導体装置に適用できるこ
と勿論である。
発明の詳細 な説明したように、本発明によれば、耐熱性有機樹脂を
層間絶縁膜として用いた場合に派生した、導電層の脹れ
が排除されるため、この脹れに起因する歩留りの低下あ
るいは品質の低下などを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、多層配線構造とされた半導体集積回路のボン
ディングパッド形成部近傍の拡大平面図、第２図は、第
１図の■−■線に沿った断面図である０ １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・二酸化シリ
コン膜、３・・・・・・第１層目の相互配線層、４・・
・・・・耐熱性有機樹脂層、５・・・・・・ポンディン
グパッド部、６・・・・・・相互配線部、７・・・・・
・金属細線、８・・・・・・金属細線の先端部、９・・
・・・・切欠部、１０・・・・・・小孔（欠損部）。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体基板上に耐熱性有機材料からなる絶縁膜を
    挾んで第１層の導電層と第２層の導電層を積層配置し、
    さらに、前記絶縁膜の上側に位置する前記第２層の導電
    層の広大部分に、切欠部または礼状欠損部もしくはこれ
    らの双方を形成したことを特徴とする半導体装置。
  2. （２）第２層の導電層の広大部分がポンディングパッド
    部分であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
    載の半導体装置。
JP57140042A 1982-08-11 1982-08-11 半導体装置 Pending JPS5929430A (ja)

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JP57140042A JPS5929430A (ja) 1982-08-11 1982-08-11 半導体装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62174934A (ja) * 1986-01-28 1987-07-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
US5053850A (en) * 1988-03-14 1991-10-01 Motorola, Inc. Bonding pad for semiconductor devices
US5194931A (en) * 1989-06-13 1993-03-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Master slice semiconductor device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62174934A (ja) * 1986-01-28 1987-07-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
US5053850A (en) * 1988-03-14 1991-10-01 Motorola, Inc. Bonding pad for semiconductor devices
US5194931A (en) * 1989-06-13 1993-03-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Master slice semiconductor device

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