JPH01143237A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01143237A JPH01143237A JP30090887A JP30090887A JPH01143237A JP H01143237 A JPH01143237 A JP H01143237A JP 30090887 A JP30090887 A JP 30090887A JP 30090887 A JP30090887 A JP 30090887A JP H01143237 A JPH01143237 A JP H01143237A
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Links
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に樹脂封止型パッケージ
を用いる半導体装置に関する。
を用いる半導体装置に関する。
従来、半導体装置は第２図に示すように、半導体基板１
内に素子を形成したのち、酸化硅素膜２を介して配線層
３や外部リードにボンディング線で接続するためのパッ
ド４を形成し、この配線層３上やパッドの周辺部をパッ
シベーション膜としての窒化硅素膜５で覆った構造とな
っていた。
内に素子を形成したのち、酸化硅素膜２を介して配線層
３や外部リードにボンディング線で接続するためのパッ
ド４を形成し、この配線層３上やパッドの周辺部をパッ
シベーション膜としての窒化硅素膜５で覆った構造とな
っていた。
上述した従来の半導体装置を樹脂封止型パッケージに組
込む場合、半導体装置を栴成する材質の熱膨張係数が、
樹脂では２〜６Ｘ１０”５／’Ｃ、アルミニウム等金属
は１〜３Ｘ１０−５／℃、酸化硅素等絶縁物は６〜２０
Ｘ１０−７／°Ｃとそれぞれ異なることによる問題、即
ち、封止樹脂と半導体チップ及びリードフレームの熱膨
張係数の違いが原因で封止樹脂の収縮による内部応力が
発生する。この応力によりパッシベーション膜にクラッ
クが発生し、このクラックやピンホールがらアルミニウ
ム配線の腐食を引起こす。このアルミニラム配線の腐食
は、進行性モードであるためアルミニウム配線が、断線
するか無くなる寸前迄は不良としてチエツク出来ないと
いう品質に係わる欠点を持っていた。
込む場合、半導体装置を栴成する材質の熱膨張係数が、
樹脂では２〜６Ｘ１０”５／’Ｃ、アルミニウム等金属
は１〜３Ｘ１０−５／℃、酸化硅素等絶縁物は６〜２０
Ｘ１０−７／°Ｃとそれぞれ異なることによる問題、即
ち、封止樹脂と半導体チップ及びリードフレームの熱膨
張係数の違いが原因で封止樹脂の収縮による内部応力が
発生する。この応力によりパッシベーション膜にクラッ
クが発生し、このクラックやピンホールがらアルミニウ
ム配線の腐食を引起こす。このアルミニラム配線の腐食
は、進行性モードであるためアルミニウム配線が、断線
するか無くなる寸前迄は不良としてチエツク出来ないと
いう品質に係わる欠点を持っていた。
本発明の目的は、パッシベーション膜に生じたクラック
やピンホールを容易に検出でき、信頼性を高めることの
できる半導体装置を提供することにある。
やピンホールを容易に検出でき、信頼性を高めることの
できる半導体装置を提供することにある。
本発明の半導体装置は、半導体基板上に絶縁膜を介して
形成された配線層とパッドと、前記配線層を覆いかつ前
記パッドの周辺部を覆うパッシベーション膜と、前記パ
ッドのうち電源用またはダミー用パッド上に形成されか
つ前記パッシベーション膜上に延在する高融点金属膜ま
たは高融点金属シリサイド膜と、電源用またはダミー用
パッドを除く前記他のパッド上に形成されそれぞれ他の
パッドと絶縁分離された高融点金属膜または高融点金属
シリサイド膜とを含んで構成される。
形成された配線層とパッドと、前記配線層を覆いかつ前
記パッドの周辺部を覆うパッシベーション膜と、前記パ
ッドのうち電源用またはダミー用パッド上に形成されか
つ前記パッシベーション膜上に延在する高融点金属膜ま
たは高融点金属シリサイド膜と、電源用またはダミー用
パッドを除く前記他のパッド上に形成されそれぞれ他の
パッドと絶縁分離された高融点金属膜または高融点金属
シリサイド膜とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
第１図において、半導体素子が形成された半導体基板１
上には、酸化硅素膜２を介してアルミニウムからなる配
線層３と電源用パッド４Ａ及び信号用パッド４Ｂとが形
成されている。そしてこの上には配線層３を覆い各パッ
ドの周辺部を覆う窒化硅素膜５がパッシベーション膜と
して設けられている。そして特に、この上には電源用パ
ッド４Ａ上に形成され窒化硅素膜５上に延在して厚さ約
３０００人のタングステンシリサイド膜６Ａと、信号用
パッド４Ｂ上に設けられ、電源用バラ１〜４八等と絶縁
分離されたタングステンシリサイド膜６Ｂとが形成され
ている。
上には、酸化硅素膜２を介してアルミニウムからなる配
線層３と電源用パッド４Ａ及び信号用パッド４Ｂとが形
成されている。そしてこの上には配線層３を覆い各パッ
ドの周辺部を覆う窒化硅素膜５がパッシベーション膜と
して設けられている。そして特に、この上には電源用パ
ッド４Ａ上に形成され窒化硅素膜５上に延在して厚さ約
３０００人のタングステンシリサイド膜６Ａと、信号用
パッド４Ｂ上に設けられ、電源用バラ１〜４八等と絶縁
分離されたタングステンシリサイド膜６Ｂとが形成され
ている。
このように構成された本実施例においては、配線層３上
の窒化硅素膜５にクラックやピンホールが発生した場合
、電源用パッド４Ａと配線層３間の短絡をチエツクする
ことによりこれらの検出かできるため、初期不良として
除去できる。従って、樹脂封止後アルミニウム配線の腐
食による半導体装置の信頼性低下を事前に防止すること
ができる。
の窒化硅素膜５にクラックやピンホールが発生した場合
、電源用パッド４Ａと配線層３間の短絡をチエツクする
ことによりこれらの検出かできるため、初期不良として
除去できる。従って、樹脂封止後アルミニウム配線の腐
食による半導体装置の信頼性低下を事前に防止すること
ができる。
また、信号配線用パッド４Ｂ上にもタングステンシリサ
イド膜６Ｂが形成されているため、信号用パッドの腐食
も防止される。
イド膜６Ｂが形成されているため、信号用パッドの腐食
も防止される。
尚、上記実施例においては、電源用パッド上に窒化硅素
膜上に延在するタングステンシリサイド膜を設けた場合
について説明したが、接地線用パッドやダミーパッドで
あってもよいことは勿論である。更にタングステンシリ
サイドに限定されるものではなく、ＭＯ等の高融点金属
シリサイドや、高融点金属を用いてもよい。
膜上に延在するタングステンシリサイド膜を設けた場合
について説明したが、接地線用パッドやダミーパッドで
あってもよいことは勿論である。更にタングステンシリ
サイドに限定されるものではなく、ＭＯ等の高融点金属
シリサイドや、高融点金属を用いてもよい。
以上説明したように本発明は、電源用またはダミー用パ
ッド上に形成され、かつパッシベーション膜上に延在す
る高融点金属または高融点金属シリサイド膜と、電源用
またはダミー用パッドを除く他のパッド上に形成され、
それぞれ他のパッドと絶縁分離された高融点金属膜また
は高融点金属シリサイド膜とを設けることにより、パッ
シベーション膜に生じるクラックやピンホールを容鴇に
検出できるため、半導体装置の信頼性は向上したものと
なる。
ッド上に形成され、かつパッシベーション膜上に延在す
る高融点金属または高融点金属シリサイド膜と、電源用
またはダミー用パッドを除く他のパッド上に形成され、
それぞれ他のパッドと絶縁分離された高融点金属膜また
は高融点金属シリサイド膜とを設けることにより、パッ
シベーション膜に生じるクラックやピンホールを容鴇に
検出できるため、半導体装置の信頼性は向上したものと
なる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来の半
導体装置の断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・酸化硅素膜、３・・・配
線層、４・・・パッド、４Ａ・・・電源用パッド、４Ｂ
・・・信号用パッド、５・・・窒化硅素膜、６Ａ、６Ｂ
・・タングステンシリサイド膜。
導体装置の断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・酸化硅素膜、３・・・配
線層、４・・・パッド、４Ａ・・・電源用パッド、４Ｂ
・・・信号用パッド、５・・・窒化硅素膜、６Ａ、６Ｂ
・・タングステンシリサイド膜。
Claims (1)
- 半導体基板上に絶縁膜を介して形成された配線層とパ
ッドと、前記配線層を覆いかつ前記パッドの周辺部を覆
うパッシベーション膜と、前記パッドのうち電源用また
はダミー用パッド上に形成されかつ前記パッシベーショ
ン膜上に延在する高融点金属膜または高融点金属シリサ
イド膜と、電源用またはダミー用パッドを除く前記他の
パッド上に形成されそれぞれ他のパッドと絶縁分離され
た高融点金属膜または高融点金属シリサイド膜とを含む
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30090887A JPH01143237A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30090887A JPH01143237A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01143237A true JPH01143237A (ja) | 1989-06-05 |
Family
ID=17890575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30090887A Pending JPH01143237A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01143237A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08186109A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| WO2009077986A1 (en) * | 2007-12-17 | 2009-06-25 | Nxp B.V. | Embedded structure for passivation integrity testing |
-
1987
- 1987-11-27 JP JP30090887A patent/JPH01143237A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08186109A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| WO2009077986A1 (en) * | 2007-12-17 | 2009-06-25 | Nxp B.V. | Embedded structure for passivation integrity testing |
| CN101896827A (zh) * | 2007-12-17 | 2010-11-24 | Nxp股份有限公司 | 用于钝化完整性测试的嵌入式结构 |
| US8519388B2 (en) | 2007-12-17 | 2013-08-27 | Nxp B.V. | Embedded structure for passivation integrity testing |
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