JPH02113533A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH02113533A
JPH02113533A JP63266559A JP26655988A JPH02113533A JP H02113533 A JPH02113533 A JP H02113533A JP 63266559 A JP63266559 A JP 63266559A JP 26655988 A JP26655988 A JP 26655988A JP H02113533 A JPH02113533 A JP H02113533A
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JP
Japan
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metal wiring
insulating film
interlayer insulating
opening
electrode pad
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JP63266559A
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English (en)
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Tetsuji Yuasa
湯浅　哲司
Hiroki Fukui
福井　広己
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特に耐湿性を改善した樹脂
封止型パッケージの半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
従来から樹脂封止型パッケージの半導体装置は、低価格
、プリント板への実装の容易さ等に利点を有している。
しかしながら、セラミックや金属等のパッケージ構造に
比較して耐湿性が劣り、金属配線の溶断が生じる等の信
頼性に難があるという問題がある。
例えば、第６図は従来のこの種の樹脂封止型パッケージ
の半導体装置の一部の断面図である。４２合金により形
成されるリードフレーム２１の素子搭載部２２に金シリ
コン共晶等のロー材２３で半導体素子１０を接着し、半
導体素子１ｏの電極パッドと外部引出し用リード２４を
ボンディング細線２５で電気接続し、これらを樹脂２６
でモールド封止している。
ここで、半導体素子１０の電極パッドは、第５図（ａ）
及び（ｂ）に一部の平面図、及びそのＥ−Ｅ線断面図を
示すように、半導体基板１１の絶縁膜１２上に金属配線
１３を形成し、この金属配線１３の一部をカバー膜１４
に開口した方形の窓１４ａから露呈させた構成としてい
る。この金属配線１３は半導体基板１１上に形成した図
外の内部回路に接続されるアルミニウム配線の一部とし
て構成している。また、前記カバー膜は１．０ａｍ程度
の厚さのプラズマ窒化膜で構成しており、このカバー膜
は半導体基板１１上の内部配線も保護して、耐湿性、耐
温度サイクル性の信頼度を向上させている。
そして、前記ボンディング細線２５は、通常キャピラリ
を用いたポールボンディング法により金属配線１３の表
面に接続している。
〔発明が解決しようとする課題］ 上述したような従来の樹脂封止型パッケージの半導体装
置では、これまでも耐湿性改善対策としてモールド樹脂
の材質の改良、リードフレームの面積縮小化、カバー膜
の材質の改善等が行われてきている。現在ではこれらの
対策により、カバー膜で被覆している領域の金属配線の
耐湿性が飛躍的に向上されている。
しかしながら従来の構造では、金属配線１３とモールド
樹脂２６とが直接接している領域、即ち第５図（ａ）で
斜線で示すボンディング細線２５の圧着部２５ａの周囲
の領域で耐湿性の低下が生じ、アルミニウムからなる金
属配線１３の溶解が生じ易いという問題がある。つまり
、現在の半導体装置の実装方法としてリフロー等の２０
０°Ｃ以上の高温処理が一般的になっているが、このよ
うな高温処理を行うと半導体素子１０とモールド樹脂２
６の間に微小な隙間が生じることは否めない。
このため、金属配線１３とモールド樹脂２６とが直接接
している前記斜線領域に水分が溜り、主としてこの水分
中の塩素イオンとアルミニウムが電気化学反応してアル
ミニウムが溶解される。この結果、金属配線１３に断線
が生じ、半導体装置の電気回路にオープン不良が生じ易
い。
例えば、従来では第７図に破線で示すように、リフロー
後の耐湿性試験の累積不良数が試験時間の増加とともに
増大している。
本発明はこのような耐湿性を改善して信頼性の向上を図
った半導体装置を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は、半導体基板の絶縁膜上に内部回
路に繋がる第１金属配線を設け、この上に該第１金属配
線を覆う層間絶縁膜を設け、この層間絶縁膜には前記第
１金属配線上の電極パッド形成位置において円形かつ小
径の開口部を設け、この開口部を含む前記層間絶縁膜上
の電極パッド形成位置に第２金属配線を設け、この第２
金属配線を前記開口部を通して第１金属配線に電気接続
するとともに、第２金属配線に接続されるボンディング
細線の圧着部で前記開口部上の領域を覆うように構成し
ている。
また、本発明の他の半導体装置は、前記構成に加えて、
層間絶縁膜を少なくとも２種類の異なる材質の絶縁膜を
積層構造に構成している。
〔作用］ 上述した構成では、第２金属配線に生じる金属溶解がボ
ンディング細線の圧着部下にまで進行するのを抑制し、
この圧着部下に配置した開口部を通して第１金属配線に
影響することを防止して断線等を防止する。
また、積層された異なる材質の絶縁膜の相互補償によっ
て、層間絶縁膜の耐水性、耐クラツク性等の信頼性を向
上する。
〔実施例〕
次に、本発明を図面を参照して説明する。
（第１実施例） 第１図は本発明の第１実施例を示しており、同図（ａ）
は要部の平面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ線に沿う縦断
面図である。
これらの図において、半導体素子は、半導体基板１上に
絶縁膜２を有し、この絶縁膜２上に第１金属配線３を１
．０μｍ程度の厚さに形成している。
この第１金属配線３は前記半導体基板１に形成した図外
の素子に接続される内部配線として構成され、その一部
を半導体素子の周辺位置、即ち電極パッド形成位置にま
で延長させてている。そして、この第１金属配線３上に
はプラズマ窒化膜からなる層間絶縁膜４を１．０μｍ程
度の厚さに被着し、電極パッド形成箇所の略中央位置に
数十μｍの直径をした円形の開口部５を開設している。
なお、この開口部５の開設に際しては、フォトレジスト
をマスクにして層間絶縁膜４を選択的にイオンエツチン
グ又はプラズマエツチングすることで開口することがで
きる。
その上で、前記開口部５を含む電極パッドの領域にアル
ミニウムからなる第２金属配線６を形成する。この第２
金属配線６は約２．０μｍ程度の厚さとし、前記開口部
５を通して第１金属配線３に電気接続される。更に、こ
の上にプラズマ窒化膜からなるカバー膜７を被着し、前
記第２金属配線６上の方形領域を除去して窓７ａを開設
し、ここに第２金属配線６を露呈させて電極パッドを構
成する。
このように構成された半導体素子は、第６図に示したよ
うにリードフレームに搭載し、金等のボンディング細線
２５により電気的接続を行った後に、樹脂によりモール
ド封止される。この結果、ボンディング細線２５は第２
金属配線６を介して第１金属配線３に接続され、更に内
部回路に電気接続されることになる。
なお、ボンディング細線２５の接続には、ポールボンデ
ィングを行うキャピラリ（図示せず）の中心が開口部５
の中心に対して±１０μｍ程度の誤差範囲に入るように
位置決めをしてボンディングを行っている。この結果、
ボンディング細線２５の圧着部２５ａは、開口部５と略
同心の円形状に形成される。
この構成によれば、パッケージ後の熱履歴によって樹脂
と半導体素子との間に隙間が生じ、水分が侵入されるこ
とがあっても、この水分が第１金属配線３に到達するこ
とを確実に防止できる。即ち、水分により第２金属配線
６の電気化学反応が生じるが、金からなるボンディング
細線２５の圧着部２５ａは塩素イオン等の不純物に反応
しないため最後まで残り、この圧着部２５ａで覆われて
いる第２金属配線６の領域はアルミニウムでありながら
容易に不純物と反応して溶解することがない。つまり、
反応面積が従来に比較して小さくなる。このため、反応
溶解領域が開口部５に至ることは殆どなく、したがって
開口部５に繋がる第１金属配線３が反応溶解されること
を確実に防止できる。
この場合、開口部５はボンディング細線２５の圧着部２
５ａと同じ円形をしているので、圧着部２５ａの周囲か
ら開口部５までの長さは全円周に渡って略等しくなる。
このため、ボンディング時に圧着部２５ａに位置上の誤
差が生じたときにも、圧着部２５ａが開口部５上の第２
金属配線６を確実に覆うことになり、上述した第２金属
配線６の溶解防止効果を確実なものとする。
第７図は、リフロー（２６０°Ｃ）後に耐湿性試験を行
ったときの時間に対する累積不良数を示す図であり、本
実施例構造では同図実線のように５００Ｈでも不良発生
が零であり、従来の構造に比較して不良発生が改善され
たことが判る。
（第２実施例） 第２図は本発明の第２実施例であり、同図（ａ）は要部
平面図、同図（ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う縦断面図であ
る。なお、第１図と同一部分には同一符号を付しである
。
この実施例では電極パッド位置まで延長されている第１
金属配線３Ａを細幅に形成し、本来の電極パッドの面積
よりも小さ（形成している。そして、第１実施例と同様
に、第１金属配線３の上に層間絶縁膜４を被着し、第１
金属配線３の直上に円形の開口部５を開設し、この上に
第２金属配線６及びカバー膜７を形成している。また、
カバー膜７に方形の窓７ａをあけて第２金属配線６を露
呈させて電極パッドを構成している。
この構造では、第１金属配線３Ａの幅を小さくしている
ため、層間絶縁膜４は電極パッド領域で下側の絶縁膜２
との接着面積が増大され、その機械的強度が向上される
。したがって、ボンディング時に加えられる圧力に対し
て開口部５付近の層間絶縁膜４にクラックが発生し難く
なり、耐湿性を更に向上することができる。
なお、第２金属配線６の表面が周辺部で凹状とされるが
、ボンディング細線２５の接続の支障となることはない
。
（第３実施例） 第３図は本発明の第３実施例を示しており、同図（ａ）
は内部回路の一部を含む構成の平面図、同図（ｂ）はそ
のＣ−Ｃ線に沿う縦断面図である。
図において、半導体基板１に設けた絶縁膜２上には薄膜
抵抗８を配設しており、１．０μｍの厚さのアルミニウ
ムで構成した第１金属配線３をこの薄膜抵抗８に接続し
ている。この薄膜抵抗８は例えば入力保護抵抗として構
成される。そして、この第１金属配線３上には層間絶縁
膜４Ａを形成しているが、この層間絶縁膜４Ａを第１層
間絶縁膜４１と第２層間絶縁膜４２とで２層に構成して
いる。ここでは、第１層間絶縁膜４１は５０００人の厚
さの気相成長したシリコン酸化膜で構成し、第２層間絶
縁膜４２は５０００人の厚さのプラズマ窒化膜で構成し
ている。
しかる上で、電極パッド形成領域にまで延長された前記
第１金属配線３上の位置において前記層間絶縁膜４Ａに
数十μｍの直径をした円形の開口部５を開設する。また
、この上に２．０μｍの厚さに第２金属配線６を形成し
、更にこれを覆うカバー膜７を５０００人程度０厚さの
プラズマ窒化膜で形成するとともに、これに第２金属配
線６を露呈する方形の窓７ａを開設して電極パッドを構
成している。
このように構成した電極パッドに対して、金等のボンデ
ィング細線２５を円形の圧着部２５ａにおいて電気接続
し、この圧着部２５ａで開口部５上の第２金属配線６を
覆っている。これにより、第１金属配線３と第２金属配
線６を開口部５で接続し、かつこの開口部５をボンディ
ング細線２５の圧着部２５ａで覆うことにより、第１金
属配線３の溶解を確実に防止できることは前記各実施例
と同じである。
また、この実施例では層間絶縁膜４Ａを２層に構成した
ことにより、耐湿性と耐クラツク性の両方を改善してい
る。即ち、気相成長した酸化膜は耐水性がないが温度変
化による膜クラツクが生じ難い。また、プラズマ窒化膜
は耐水性はあるが機械的ストレスによって膜クラツクが
生じ易い。そこで、これらの膜を２層に重ねることで、
夫々の短所を互いに補償し、層間絶縁膜４Ａ全体でみれ
ば耐水性及び耐クラツク性の高い絶縁膜を得ることがで
きる。この層間絶縁膜４Ａの長所により、前記電極パッ
ド部における耐湿性の改善とともに、半導体装置全体の
耐湿性を向上することが可能となる。
（第４実施例） 第４図は本発明の第４実施例を示しており、同図（ａ）
は第３実施例と同様の平面図、同図（ｂ）はそのＤ−Ｄ
線に沿う縦断面図である。なお、第３実施例と同一部分
には同一符号を付しである。
この実施例では、第１金属配線３を被覆する層間絶縁膜
４Ｂを３層構造に構成している。即ち、第１層間絶縁膜
４３を５０００人の厚さのプラズマ窒化膜で構成し、第
２層間絶縁膜４４を数百人のシリカフィルムで構成し、
第３層間絶縁膜４５を５０００人のプラズマ窒化膜で構
成している。なお、前記シリカフィルムは塗布した後に
数百°Ｃで熱処理して形成している。
この構成では第２層間絶縁膜４４を塗布形成したシリカ
フィルムで構成しているため、第１金属配線３の端部に
おける段差を緩和でき、第２金属配線６の段切れを有効
に防止できる。また、シリカフィルムは樹脂封止後の熱
履歴に際して層間絶縁膜４Ｂにおける緩衝領域として機
能し、第１及び第３の各層間絶縁膜４３．４５を構成す
るプラズマ窒化膜におけるクラックの発生を防止する。
これにより、プラズマ窒化膜の有する耐水性とあいまっ
て半導体装置の信頼性を同上できる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、層間絶縁膜に開設した開
口部を通して第１金属配線と第２金属配線を接続し、か
つこの開口部上にボンディング細線の圧着部を位置させ
るように構成しているので、第２金属配線に生じる金属
溶解がボンディング細線の圧着部下にまで進行するのを
抑制し、この圧着部下に配置した開口部を通して第１金
属配線に影響することを防止でき、これにより半導体装
置の耐湿性等の信頼性を向上する。
また、層間絶縁膜を異なる材質の絶縁膜を積層した構成
としているので、各絶縁膜の異なる性質により絶縁膜を
相互に補償し、層間絶縁膜全体としての耐水性、耐クラ
ツク性等の信頼性を向上し、電極パッド部における耐湿
性の向上とあいまって半導体装置の信頼性を大幅に改善
することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１実施例を示し、同図（ａ）は要部
の平面図、同図（ｂ）はそのＡ　−Ａ　！”ｈに沿う縦
断面図、第２図は本発明の第２実施例を示し、同図（ａ
）は要部の平面図、同図（ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う縦
断面図、第３図は本発明の第３実施例を示し、同図（ａ
）は平面図、同図（ｂ）はそのＣ−Ｃ線に沿う縦断面図
、第４図は本発明の第４実施例を示し、同図（ａ）は平
面図、同図（ｂ）はそのＤ−Ｄ線に沿う縦断面図、第５
図は従来構造を示し、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）
はそのＥ−Ｅ線に沿う縦断面図、第６図は従来の樹脂パ
ッケージ半導体装置の一部の縦断面図、第７図は本発明
及び従来の夫々のりフロー後耐湿性試験時間に対する累
積不良数を示す図である。 １・・・半導体基板、２・・・絶縁膜、３・・・第１金
属配線、４．４Ａ、４Ｂ・・・層間絶縁膜、５・・・開
口部、６・・・第２金属配線、７・・・カバー膜、８・
・・薄膜抵抗、１０・・・半導体素子、１１・・・半導
体基板、１２・・・絶縁膜、１３・・・金属配線、１４
・・・カバー膜、２１・・・リードフレーム、２２・・
・素子搭載部、２３・・・ロー材、２４・・・引出しり 線、２６・・・樹脂、４ 第２層間絶縁膜、４ 第２層間絶縁膜、４ ド、２５・・・ボンディング細 １・・・第１層間絶縁膜、４２・・・ ３・・・第１層間絶縁膜、４４・・・ ５・・・第３層間絶縁膜。 （ａ） 第１図 ａ 第２ 図 第４ 図 （ａ） ａ 第３ 図 （ａ） 第５ 図 （ａ） −釘湿性試、酸時間（Ｈ）

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、半導体基板の絶縁膜上に内部回路に繋がる第１金属
    配線を設け、この上に該第１金属配線を覆う層間絶縁膜
    を設け、この層間絶縁膜には前記第１金属配線上の電極
    パッド形成位置において円形かつ小径の開口部を設け、
    この開口部を含む前記層間絶縁膜上の電極パッド形成位
    置に第２金属配線を設け、この第２金属配線を前記開口
    部を通して第１金属配線に電気接続するとともに、第２
    金属配線に接続されるボンディング細線の圧着部で前記
    開口部上の領域を覆うように構成したことを特徴とする
    半導体装置。 ２、半導体基板の絶縁膜上に内部回路に繋がる第１金属
    配線を設け、この上に該第１金属配線を覆う層間絶縁膜
    を設け、この層間絶縁膜には前記第１金属配線上の電極
    パッド形成位置において円形かつ小径の開口部を設け、
    この開口部を含む前記層間絶縁膜上の電極パッド形成位
    置に第２金属配線を設け、この第２金属配線を前記開口
    部を通して第１金属配線に電気接続するとともに、第２
    金属配線に接続されるボンディング細線の圧着部で前記
    開口部上の領域を覆い、前記層間絶縁膜は少なくとも２
    種類の異なる材質の絶縁膜を積層構造に形成したことを
    特徴とする半導体装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5136364A (en) * 1991-06-12 1992-08-04 National Semiconductor Corporation Semiconductor die sealing
JPH0555222A (ja) * 1991-08-28 1993-03-05 Nec Corp 半導体装置
US5394013A (en) * 1990-11-28 1995-02-28 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device with an elevated bonding pad
US5404047A (en) * 1992-07-17 1995-04-04 Lsi Logic Corporation Semiconductor die having a high density array of composite bond pads
JPH08501205A (ja) * 1992-05-20 1996-02-13 ザ ガバメント オブ ザ ユナイテッド ステイツ オブ アメリカ，アズ レプリゼンテッド バイ ザ セクレタリー，デパートメント オブ ヘルス アンド ヒューマン サービシーズ Ｄｎａ損傷因子に対する細胞の感受性を増強する方法および組成物
JP2007042817A (ja) * 2005-08-02 2007-02-15 Sanyo Electric Co Ltd 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6245151A (ja) * 1985-08-23 1987-02-27 Hitachi Ltd 半導体装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6245151A (ja) * 1985-08-23 1987-02-27 Hitachi Ltd 半導体装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5394013A (en) * 1990-11-28 1995-02-28 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device with an elevated bonding pad
US5136364A (en) * 1991-06-12 1992-08-04 National Semiconductor Corporation Semiconductor die sealing
JPH0555222A (ja) * 1991-08-28 1993-03-05 Nec Corp 半導体装置
JPH08501205A (ja) * 1992-05-20 1996-02-13 ザ ガバメント オブ ザ ユナイテッド ステイツ オブ アメリカ，アズ レプリゼンテッド バイ ザ セクレタリー，デパートメント オブ ヘルス アンド ヒューマン サービシーズ Ｄｎａ損傷因子に対する細胞の感受性を増強する方法および組成物
US5404047A (en) * 1992-07-17 1995-04-04 Lsi Logic Corporation Semiconductor die having a high density array of composite bond pads
US5441917A (en) * 1992-07-17 1995-08-15 Lsi Logic Corporation Method of laying out bond pads on a semiconductor die
JP2007042817A (ja) * 2005-08-02 2007-02-15 Sanyo Electric Co Ltd 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法

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