JPS6146056A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6146056A
JPS6146056A JP59167473A JP16747384A JPS6146056A JP S6146056 A JPS6146056 A JP S6146056A JP 59167473 A JP59167473 A JP 59167473A JP 16747384 A JP16747384 A JP 16747384A JP S6146056 A JPS6146056 A JP S6146056A
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JP
Japan
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section
bonding wire
wiring
bonding
hole
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JP59167473A
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English (en)
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Isayuki Yoshioka
芳岡　勇行
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NEC Corp
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NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （厘業上の利用分野） 本発明は特に半導体装置におけるいわゆるボンディング
パッド部の構造に関するものである。
（従来の技術） 近年、半導体装置のチップの配線は、二層あるいはそれ
以上の多層配線が用いられるようになってきた。配線材
料には、その経済性、加工性などの点から一般にアルミ
ニウムが用いられている。
しかし、アルミニウムは外部から侵入した水分により腐
蝕するという欠点がメジ、特に樹脂封止パッケージにお
ける耐湿性はキャンケースやセラミックパッケージのそ
れに比較して劣っている。このアルミニウム腐蝕を防止
する為、チップ表面に保護膜を施す方法かめる。保護膜
として、ＣＶＤ法による酸化膜、ポリイミド系樹脂等が
用いられている。
しかし、いずれの場合においても、ボンディング領域は
アルミニムをボンディングワイヤを電気的に導通させる
為に保護膜はなく、ボンディングパッド部のアルミニウ
ムの保護はされていない為に水分の侵入により腐蝕され
、断線による不良が生ずる。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明の目的はこれら欠点を解消し、水分が侵入しても
配線が腐蝕されて電気的９手性が変動することのない半
導体装置を提供することにある。
（問題点を暦法するための手段） 本発明による半導体装置は、半み体チップ上の金属配＃
層の外部接続領域上にボンディングパッド部を有し、こ
れら外部接続領域とボンディングパッド部とはこれらの
層間に形成された絶縁膜の開孔全通して接続されておシ
、この接続部上のボンディングパッド部に金属細線が接
続部をおおうように取フ付けられている。
（作用） 本発明によれば、水分が容器を辿して侵入してもボンデ
ィングパッド部の下層との接続部は金属細線でおおわｎ
ているので、金属配線と下層の金属配籾との接続は水分
による腐蝕の影響を受けることがなくそれらの接続が確
保される。特に下層の金属配線が絶縁被膜でおおわれて
いると、金属配線は侵入水分の腐蝕から守られることが
できる。
（実施例） 以下に、図面音用いて本発明をよシ詳細に説明する。
第３図（ａ）およびｔｂ）は従来のボンディング領域部
の平面図と断面図１である。ボンディング領域１以外の
部分は斜線で図示された保護膜２が施されておシ、内部
回路への配置ｆＭ３もその表面が保独膜２で保護されて
いる。一方、ボンディング領域１は、ボンディング領域
を構成するアルミニウムとボンディングワイヤ５とを電
気的に導通させる局に表面保護がされていない。このた
め、水分や不純物イオンの作用で保護膜２が施されてい
る配線３よシも先に人で示した部分、つまシポンディン
グ領域ｌＯ中でボンディングワイヤ５がボンディングさ
れる部分４を除く領域の腐蝕が進行する。この為、ボン
ディングワイヤー５は島状に分離し、配線３との電気的
導通が得られなくなシ、断線不良にいたる。つまシ保護
膜２による保護対策が十分には効果をあられしていない
。
かかる欠点を防止したのが本発明でロシ、その一実施例
を第１図（ａ）　、　（ｂ）に平面図と断面図とで示す
。すなわち二層以上の多層配線が用いられる半導体装置
において、ボンディングワイヤ５が接続される部分４の
直下に十分ボンディングワイヤー５の先端ボール部でお
おわれることのできる大きさのスルーホール８を設けて
いる。このスルーホール８によってその下層に絶縁膜６
をはさんで形成されたアルミニウム配線層７とを接続さ
れており、アルミニウム配線層７による内部配線部へと
続いている。アルミニウム配線層７の下には回路素子の
形成された半導体基板１１上の絶縁膜９があ）、アルミ
ニウム配線層７は絶縁膜９の開孔を介して半導体基板１
１内の回路素子と接続されている。このような構造にす
ると、水分や不純物イオンの作用で、Ａで示される部分
に腐蝕が生じ、ボンディングワイヤ部が島状となっても
、ボンディングワイヤー５の直下は腐蝕されないため、
ボンディングワイヤ５は、スルーホール８を通じて下層
にある配線７との電気的導通を保つことが出来る。
第２図も本発明を利用した他の実施例である。
これは内部につながる配線に、下層の配線７ではなく、
ボンディングパッドからの引き出し線３を用いている。
つまシ、ボンディングパッド部およびそれにつながる引
き出し線３と絶縁膜６をはさんで下層にある配線７との
接続はボンディングワイヤー５接続される部分４の直下
８と保護膜２におおわれているコンタクト部分１０とで
とっている。この構造にするとパッド部から内部素子へ
至るまでの配線のもつ半導体基板１１に対する容量が第
１図の一実施例のものに比べて小さくなシ、高周波系の
半導体装置に適用出来る。
（発明の効果） 以上のように、本発明によれば、ボンディングパッドの
腐蝕による断線不良が防止され得る半導体装置を提供出
来る。
【図面の簡単な説明】
第１図ｔａ）　、　（ｂ）は本発明の一実施例を示す平
面および断面図、第２図ｔａ）　、　（ｂ）は他の実施
例を示す平面および断面図である。第３図（ａ）　、　
（ｂ）は従来の半導体装置のワイヤボンディング部を示
す平面図および断面図である。 １・・・・・・ボンディング領域、２・・・・・・保獲
膜、３・・−・・・ボンディングパッド部配線層、４・
・・・・・ポンディングワイヤー、６・・・・・・絶縁
膜、７・・・・・・下層アルミニウム配瞭層、８・・・
・・・ボンディングパッド部−下層配線層スルーホール
、９・・・・・・絶縁膜、１０・・・・・・ボンディン
グパッド部引き出し配線−下層配線層スルーホール、１
１・・・・・・半導体基板。 尊　３　図 茅　１　図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板上に金属配線層を有し、該金属配線層の外部
    接続部上に層間絶縁膜をはさんでボンディングパッド部
    が設けられており、該ボンディングパッド部と前記外部
    接続部とは前記ボンディングパッド部にとり付けられる
    金属細線の接続部にておおわれるスルーホールによって
    接続されていることを特徴とする半導体装置。
JP59167473A 1984-08-10 1984-08-10 半導体装置 Pending JPS6146056A (ja)

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JP59167473A JPS6146056A (ja) 1984-08-10 1984-08-10 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP59167473A JPS6146056A (ja) 1984-08-10 1984-08-10 半導体装置

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JPS6146056A true JPS6146056A (ja) 1986-03-06

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ID=15850328

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JP59167473A Pending JPS6146056A (ja) 1984-08-10 1984-08-10 半導体装置

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