JP2982182B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JP2982182B2 JP2982182B2 JP1201677A JP20167789A JP2982182B2 JP 2982182 B2 JP2982182 B2 JP 2982182B2 JP 1201677 A JP1201677 A JP 1201677A JP 20167789 A JP20167789 A JP 20167789A JP 2982182 B2 JP2982182 B2 JP 2982182B2
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- resin
- chip
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
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- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
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- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止型半導体装置に関する。
第４図（ａ），（ｂ）は従来の樹脂封止型半導体装置
の一例を説明するために上部封止樹脂部を除去した状態
の平面図及びＡ−Ａ′線断面図である。
の一例を説明するために上部封止樹脂部を除去した状態
の平面図及びＡ−Ａ′線断面図である。
内部リード４は、アイランド1Uに搭載された半導体チ
ップ２の周辺にのみ配置され、内部リード４と半導体チ
ップ２の各電極６とは金属細線３によりボンディング接
続されている。
ップ２の周辺にのみ配置され、内部リード４と半導体チ
ップ２の各電極６とは金属細線３によりボンディング接
続されている。
上述した従来の樹脂封止型半導体装置は、内部リード
が半導体チップの周辺に配置され、金属細線によりこの
内部リードと半導体チップの電極とを結線する構造とな
っているため、第５図に示すように半導体チップの電極
6aがチップの周辺の内側にあると、半導体チップの電極
と内部リードとを結線したときに金属細線3aが半導体チ
ップの角点Ｐに接触する。
が半導体チップの周辺に配置され、金属細線によりこの
内部リードと半導体チップの電極とを結線する構造とな
っているため、第５図に示すように半導体チップの電極
6aがチップの周辺の内側にあると、半導体チップの電極
と内部リードとを結線したときに金属細線3aが半導体チ
ップの角点Ｐに接触する。
このため、半導体チップの電極は半導体チップの内
部、たとえば半導体チップの角点Ｐから300〜400μｍ以
上に配置することができず、回路レイアウト設計上の自
由度を少なくしていたという欠点があった。
部、たとえば半導体チップの角点Ｐから300〜400μｍ以
上に配置することができず、回路レイアウト設計上の自
由度を少なくしていたという欠点があった。
本発明の目的は、回路レイアウト設計の自由度の大き
い樹脂封止型半導体装置を提供することにある。
い樹脂封止型半導体装置を提供することにある。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、一主面に複数のチ
ップ電極が形成された半導体チップの前記一主面がマウ
ントされ、かつ、前記複数のチップ電極に対応する個所
は開孔された絶縁体で形成されるアイランドを備えるこ
とを特徴とする。
ップ電極が形成された半導体チップの前記一主面がマウ
ントされ、かつ、前記複数のチップ電極に対応する個所
は開孔された絶縁体で形成されるアイランドを備えるこ
とを特徴とする。
さらに、本発明の樹脂封止型半導体装置は、複数のチ
ップ電極を備える半導体チップの一主面がマウントされ
る絶縁体で形成されたアイランドと、前記アイランドの
周辺に設けられた複数の内部リードと、前記アイランド
上に形成された内部配線と、前記内部リードの前記内部
配線とを接続する第１の金属細線と、前記内部配線と前
記複数のチップ電極の対応するチップ電極とを接続する
第２の金属細線とを備えることを特徴とする。
ップ電極を備える半導体チップの一主面がマウントされ
る絶縁体で形成されたアイランドと、前記アイランドの
周辺に設けられた複数の内部リードと、前記アイランド
上に形成された内部配線と、前記内部リードの前記内部
配線とを接続する第１の金属細線と、前記内部配線と前
記複数のチップ電極の対応するチップ電極とを接続する
第２の金属細線とを備えることを特徴とする。
また、本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体チッ
プをマウントするアイランドと、このアイランドの周辺
に配置された複数の内部リードとを有する樹脂封止半導
体装置であって、前記アイランドは内部配線がその表面
に形成された絶縁板で構成され、この絶縁板の裏面に前
記半導体チップの形成された一主面の少なくとも一部が
マウントされ、かつ、前記内部配線と前記半導体チップ
の電極および前記内部リードと内部配線とがボンディン
グワイヤを介して接続されていることを特徴とする。
プをマウントするアイランドと、このアイランドの周辺
に配置された複数の内部リードとを有する樹脂封止半導
体装置であって、前記アイランドは内部配線がその表面
に形成された絶縁板で構成され、この絶縁板の裏面に前
記半導体チップの形成された一主面の少なくとも一部が
マウントされ、かつ、前記内部配線と前記半導体チップ
の電極および前記内部リードと内部配線とがボンディン
グワイヤを介して接続されていることを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施例を説明
するために上部封止樹脂部を除去した半導体装置の平面
図、Ａ−Ａ′線断面図及びＢ−Ｂ′線断面図である。
するために上部封止樹脂部を除去した半導体装置の平面
図、Ａ−Ａ′線断面図及びＢ−Ｂ′線断面図である。
半導体チップ２は拡散面を絶縁薄型板であるアイラン
ド1Dの裏面に接着固定されている。
ド1Dの裏面に接着固定されている。
半導体チップ２上でチップの内部にあるチップの電極
６′は、アイランド1D内部電極７′に金属細線３により
接続され、アイランドの内部電極７′に内部配線９によ
り電気的に接続された電極７が、金属細線３を介して内
部リード４に接続されている。
６′は、アイランド1D内部電極７′に金属細線３により
接続され、アイランドの内部電極７′に内部配線９によ
り電気的に接続された電極７が、金属細線３を介して内
部リード４に接続されている。
ここに用いた封止樹脂５はエポキシ系の樹脂で、熱膨
張係数が7.1×10-5〔1/℃〕である。
張係数が7.1×10-5〔1/℃〕である。
またアイランド1Dはポリイミドで封止樹脂５と接着性
の良いものを選び、熱膨張係数は6.8×10-5〔1/℃〕で
封止樹脂に近いものを用いている。
の良いものを選び、熱膨張係数は6.8×10-5〔1/℃〕で
封止樹脂に近いものを用いている。
第２図に示すように、アイランドの内部電極７′は半
導体チップ２の内部電極６′と近いので、第５図に示し
たような金属細線３のショート不良は起り難い。
導体チップ２の内部電極６′と近いので、第５図に示し
たような金属細線３のショート不良は起り難い。
第３図（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実施例の平面
図およびＡ−Ａ′線断面図である。
図およびＡ−Ａ′線断面図である。
本実施例では、内部配線が施されたアイランド1dを介
して半導体チップ２の一部の電極と一部の内部リードと
を電気接続することにより、内部リードの金属細線接続
位置を、従来のように半導体素子の周囲で金属細線のワ
イヤリングの可能範囲である半導体チップ上の電極から
1.0〜3.0mmの間に全てを設置するう必要がないので、内
部リードの設計の自由度も大きくなる。
して半導体チップ２の一部の電極と一部の内部リードと
を電気接続することにより、内部リードの金属細線接続
位置を、従来のように半導体素子の周囲で金属細線のワ
イヤリングの可能範囲である半導体チップ上の電極から
1.0〜3.0mmの間に全てを設置するう必要がないので、内
部リードの設計の自由度も大きくなる。
以上説明したように本発明は、アイランドに内部配線
が施された薄型絶縁板を用い、このアイランドを介して
半導体チップ上の電極の一部と内部リードの一部とを電
気的に接続することにより、半導体チップ上の電極の位
置を自由な位置に設置できるため回路設計上の自由度が
従来に比べ大きくなり、また内部リードのパターンの設
計上の制約も少なくなって、内部リードの設計の自由度
も大きくなる。
が施された薄型絶縁板を用い、このアイランドを介して
半導体チップ上の電極の一部と内部リードの一部とを電
気的に接続することにより、半導体チップ上の電極の位
置を自由な位置に設置できるため回路設計上の自由度が
従来に比べ大きくなり、また内部リードのパターンの設
計上の制約も少なくなって、内部リードの設計の自由度
も大きくなる。
さらにアイランドに封止樹脂と密着性の良いものを選
べるため、アイランドを伝わって半導体装置外部からの
不純物の侵入を防ぐことができ耐湿性も向上する。
べるため、アイランドを伝わって半導体装置外部からの
不純物の侵入を防ぐことができ耐湿性も向上する。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施例を説明す
るために上部封止樹脂部を除去した半導体装置の平面
図、Ａ−Ａ′線断面図及びＢ−Ｂ′線断面図、第２図は
本発明の効果を説明するための半導体装置の部分断面
図、第３図（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実施例を説
明するための平面図及びＡ−Ａ′線断面図、第４図
（ａ），（ｂ）は従来の樹脂封止型半導体装置の一例を
説明するための平面図及びＡ−Ａ′線断面図、第５図は
従来の樹脂封止型半導体装置の課題を説明するための部
分断面図である。 1D,1d……アイランド、２……半導体チップ、３……金
属細線、４……内部リード、５……封止樹脂、6,6′…
…チップ電極、7,7′……アイランド電極、９……内部
配線、10,11……接着材。
るために上部封止樹脂部を除去した半導体装置の平面
図、Ａ−Ａ′線断面図及びＢ−Ｂ′線断面図、第２図は
本発明の効果を説明するための半導体装置の部分断面
図、第３図（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実施例を説
明するための平面図及びＡ−Ａ′線断面図、第４図
（ａ），（ｂ）は従来の樹脂封止型半導体装置の一例を
説明するための平面図及びＡ−Ａ′線断面図、第５図は
従来の樹脂封止型半導体装置の課題を説明するための部
分断面図である。 1D,1d……アイランド、２……半導体チップ、３……金
属細線、４……内部リード、５……封止樹脂、6,6′…
…チップ電極、7,7′……アイランド電極、９……内部
配線、10,11……接着材。
Claims (3)
- 【請求項１】一主面に複数のチップ電極が形成された半
導体チップの前記一主面がマウントされ、かつ、前記複
数のチップ電極に対応する個所は開孔された絶縁体で形
成されるアイランドを備えることを特徴とする樹脂封止
半導体装置。 - 【請求項２】複数のチップ電極を備える半導体チップの
一主面がマウントされる絶縁体で形成されたアイランド
と、前記アイランドの周辺に設けられた複数の内部リー
ドと、前記アイランド上に形成された内部配線と、前記
内部リードと前記内部配線とを接続する第１の金属細線
と、前記内部配線と前記複数のチップ電極と対応するチ
ップ電極とを接続する第２の金属細線とを備えることを
特徴とする樹脂封止半導体装置。 - 【請求項３】半導体チップをマウントするアイランド
と、このアイランドの周辺に配置された複数の内部リー
ドとを有する樹脂封止半導体装置であって、前記アイラ
ンドは内部配線がその表面に形成された絶縁板で構成さ
れ、この絶縁板の裏面に前記半導体チップの形成された
一主面の少なくとも一部がマウントされ、かつ、前記内
部配線と前記半導体チップの電極および前記内部リード
と内部配線とがボンディングワイヤを介して接続されて
いることを特徴とする樹脂封止半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1201677A JP2982182B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1201677A JP2982182B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0364934A JPH0364934A (ja) | 1991-03-20 |
| JP2982182B2 true JP2982182B2 (ja) | 1999-11-22 |
Family
ID=16445070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1201677A Expired - Lifetime JP2982182B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2982182B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5847448A (en) * | 1990-12-11 | 1998-12-08 | Thomson-Csf | Method and device for interconnecting integrated circuits in three dimensions |
| JP3011510B2 (ja) * | 1990-12-20 | 2000-02-21 | 株式会社東芝 | 相互連結回路基板を有する半導体装置およびその製造方法 |
| FR2688629A1 (fr) * | 1992-03-10 | 1993-09-17 | Thomson Csf | Procede et dispositif d'encapsulation en trois dimensions de pastilles semi-conductrices. |
| JP2795245B2 (ja) * | 1996-01-22 | 1998-09-10 | 日本電気株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0224547U (ja) * | 1988-07-30 | 1990-02-19 |
-
1989
- 1989-08-02 JP JP1201677A patent/JP2982182B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0364934A (ja) | 1991-03-20 |
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