JP4502489B2 - マルチチップ半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は2以上の素子チップを1つのパッケージ内に装着したマルチチップ半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体装置の高集積化及び高機能化に伴い、複数の素子チップを1つのパッケージ内に装着したマルチチップ半導体装置が提案されている。例えば、特開平9−232500号公報に窓開きフィルム回路を搭載したマルチチップ半導体装置が提案されている。この技術は、リードフレームのダイパッド上に、複数個の素子チップと中間配線を設けた窓開きフィルム回路とを設置し、前記素子チップと前記中間配線との間、前記中間配線とリードフレームの外部導出リードとの間をそれぞれ金属細線で接続することで複数の素子チップ間の電気接続を可能とし、かつ各素子チップと外部導出リードとの間の金属細線による複雑な接続を不要にしようとするものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記窓開きフィルム回路では導電体であるリードフレームのダイパッド上に素子チップを搭載するため、前記ダイパッドがコレクタ、エミッタ、アノード、またはカソードとなるトランジスタ及びダイオードを装着することはできない。
【0004】
本発明は、上記の問題点に鑑み、素子チップとしてトランジスタ及びダイオードをも設置でき、複雑な電気接続を容易にすることが可能なマルチチップ半導体装置を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係るマルチチップ半導体装置では、トランジスタ又はダイオードを成す第1の素子チップとトランジスタやダイオード以外の第2の素子チップとを1つのパッケージ内に装着しているマルチチップ半導体装置であって、リードフレームのダイパッド上に、中継導体部を設けた絶縁部材を設置し、該絶縁部材上に、第1の素子チップは直接装着し、第2の素子チップは導電部材を介して装着し、前記素子チップと前記中継導体部との間、前記素子チップとリードフレームの外部導出リードとの間、前記導電部材と前記ダイパッドとの間をそれぞれ金属細線で接続した構成とした。
【0006】
【発明の実施の形態】
図1は本発明のマルチチップ半導体装置の一実施形態を示す平面図である。リードフレームのダイパッド1上に、絶縁部材2と、トランジスタ又はダイオードの素子チップ4と、トランジスタ及びダイオード以外の素子チップ4’と、中継導体部5と、導電部材8とが設置される。また、このダイパッド1の周囲には多数本のインナーリード6が配列される。これらのインナーリード6は図外のアウターリードと一体に形成されて外部導出リードを構成している。
【0007】
図2は図1のA−A線断面図であり、トランジスタ又はダイオードの素子チップ4が装着されている部分の断面図である。ここでは、ダイパッド1上には、絶縁部材2が接着剤3により固定されており、その上に素子チップ4及び中継導体部5が直接装着される。
【0008】
絶縁部材2上の素子チップ4と中継導体部5とが金属細線7で相互に電気接続され、同様に素子チップ4とインナーリード6とが金属細線7で相互に電気接続され、結果として中継導体部5とインナーリード6とが金属細線7で相互に電気接続される。
【0009】
図3は図1のB−B線断面図であり、トランジスタ及びダイオード以外の、導体上に装着しなければならない素子チップ4’が装着されている部分の断面図である。ここでは、ダイパッド1上には、絶縁部材2、導電部材8の順で接着剤3により固定されており、その上に素子チップ4’及び中継導体部5が設置される。
【0010】
導電部材8上の素子チップ4’と中継導体部5とが金属細線7で相互に電気接続され、同様に素子チップ4’とインナーリード6とが金属細線7で相互に電気接続され、中継導体部5とインナーリード6とが金属細線7で相互に電気接続され、導電部材8とダイパッド1とが金属細線7で相互に電気接続される。したがってこのマルチチップ半導体装置では、素子チップ4、4’と中継導体部5の配置を任意に設計し、個々の素子チップ4、4’相互間の電気接続を中継導体部5によって行うことで、複雑な電気接続も容易に行うことができる。
【0011】
絶縁部材2は、導電部材8とダイパッド1とを金属細線で接続可能にするため、ダイパッド1の大きさに対してやや小さくするのが良い。絶縁部材2の厚みは任意であり、絶縁フィルムや絶縁板が使用できる。
【0012】
接着剤3は、絶縁部材2とダイパッド1とを、絶縁部材2と導電部材8とを接着するものであれば特に限定なく、例えば一般的な市販の接着剤や両面テープが使用できる。
【0013】
中継導体部5は、素子チップ4、4’相互間、及び素子チップ4、4’とインナーリード間とを容易に接続するための中継点である。その形は直方体、円筒体など絶縁体2上のスペースに合わせて設計すればよく、高さは素子チップ4,4’の高さを超えないのが望ましい。
【0014】
導電部材8は、トランジスタ及びダイオード以外の素子チップ4’を装着するときに設置し、絶縁部材2とは接着剤3により固着され、素子チップ4’とは樹脂接着法や共晶接着法により固着される。導電部材8とダイパッド1とを金属細線で接続可能にするため、導電部材8は素子チップ4’の大きさに対してやや大きくするのが良い。導電部材8の厚みは任意であり、導電フィルムや導電板が使用できる。
【0015】
なお、ダイパッド1、絶縁部材2、素子チップ4、4’、中継導体部5、金属細線7、導電部材8、インナーリード6の一部が樹脂によりモールド封止され、パッケージが形成される。
【0016】
【発明の効果】
以上説明したように本発明のマルチチップ半導体装置は、リードフレームのダイパッド上に、中継導体部を設けた絶縁部材を設置し、該絶縁部材上に、トランジスタ又はダイオードの素子チップは直接装着し、それ以外の素子チップは導電部材を介して装着し、前記素子チップと前記中継導体部との間、前記素子チップとリードフレームの外部導出リードとの間、前記導電部材と前記リードフレームのダイパッドとの間をそれぞれ金属細線で接続しているので、トランジスタ及びダイオードの素子チップであっても、ダイパッド上に装着することができる。また、前記素子チップと前記中継導体部の配置を任意に設計することで、複雑な電気接続を容易にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のマルチチップ半導体装置の一実施形態を示す平面図である。
【図2】 図1のA−A線断面図である。
【図3】 図1のB−B線断面図である。
【符号の説明】
1 ダイパッド
2 絶縁部材
3 接着剤
4 トランジスタ又はダイオードの素子チップ
4’トランジスタ及びダイオード以外の素子チップ
5 中継導体部
6 インナーリード
7 金属細線
8 導電部材
Claims (19)
- マルチチップ半導体装置であって、
ダイパッドが形成されたリードフレームと、
前記ダイパッド上に設けられた絶縁部材と、
前記絶縁部材に直接装着された第1の素子チップと、
前記絶縁部材の前記第1の素子チップとは異なる位置に、導電部材を介して装着された第2の素子チップとを有し、
前記導電部材と前記ダイパッドとの間を金属細線で接続したことを特徴とするマルチチップ半導体装置。 - 前記絶縁部材は、接着剤により前記ダイパッドに固定されていることを特徴とする請求項1記載のマルチチップ半導体装置。
- 前記絶縁部材は、前記ダイパッドより平面視において小さいことを特徴とする請求項1又は2記載のマルチチップ半導体装置。
- 前記絶縁部材上に中継導体部を設けたことを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載のマルチチップ半導体装置。
- 前記中継導体部は、前記第1の素子チップ間、前記第2の素子チップ間、又は前記第1と第2の素子チップ間に設けたことを特徴とする請求項4記載のマルチチップ半導体装置。
- 前記中継導体部の高さが前記第1及び第2の素子チップの高さを越えないことを特徴とする請求項4又は5記載のマルチチップ半導体装置。
- 前記導電部材は、前記第2の素子チップより平面視において大きいことを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載のマルチチップ半導体装置。
- 樹脂によりモールド封止されていることを特徴とする請求項1〜7の何れかに記載のマルチチップ半導体装置。
- 前記ダイパッドから延出する4本の吊りリードを有することを特徴とする請求項1〜8の何れかに記載のマルチチップ半導体装置。
- 前記ダイパッドから延出する複数の吊りリードを有し、隣り合う吊りリード間に前記リードフレームの一部が形成されていることを特徴とする請求項1〜8の何れかに記載のマルチチップ半導体装置。
- 前記ダイパッドから延出する複数の吊りリードを有し、前記リードフレームの一部が前記吊りリードに沿って形成されていることを特徴とする請求項1〜8の何れかに記載のマルチチップ半導体装置。
- 前記リードフレームの一部からなる複数のインナーリードの先端の厚み方向の面が、該面に対向する前記ダイパッドの端面に平行であることを特徴とする請求項1〜11の何れかに記載のマルチチップ半導体装置。
- 前記ダイパッドの各辺において、前記リードフレームの一部からなるインナーリードがそれぞれ同数形成されていることを特徴とする請求項1〜12の何れかに記載のマルチチップ半導体装置。
- 前記ダイパッドの各辺において、前記リードフレームの一部からなるインナーリードが、各辺の中心に向かって屈曲していることを特徴とする請求項1〜13の何れかに記載のマルチチップ半導体装置。
- 前記ダイパッドの各辺の中心のインナーリードが屈曲していないことを特徴とする請求項14記載のマルチチップ半導体装置。
- 前記リードフレームの一部からなるインナーリードの先端が徐々に細くなっていることを特徴とする請求項1〜15の何れかに記載のマルチチップ半導体装置。
- 前記ダイパッドの各辺の中心のインナーリードの太さが均一であることを特徴とする請求項1〜16の何れかに記載のマルチチップ半導体装置。
- 前記金属細線が接続されていない前記リードフレームの一部からなるインナーリードを有することを特徴とする請求項1〜17の何れかに記載のマルチチップ半導体装置。
- 前記ダイパッド上に、前記第1及び第2の素子チップを2つずつ有することを特徴とする請求項1〜18の何れかに記載のマルチチップ半導体装置。
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