JP2505003Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JP2505003Y2 JP2505003Y2 JP4710589U JP4710589U JP2505003Y2 JP 2505003 Y2 JP2505003 Y2 JP 2505003Y2 JP 4710589 U JP4710589 U JP 4710589U JP 4710589 U JP4710589 U JP 4710589U JP 2505003 Y2 JP2505003 Y2 JP 2505003Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- polycrystalline silicon
- wiring
- bonding pad
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は半導体装置に関する。
半導体装置は、市場の多種多様な要求により、近年さ
まざまなパッケージが開発され、市場に送り出されてい
る。
まざまなパッケージが開発され、市場に送り出されてい
る。
通常、これらの多種のパッケージに搭載する場合で
も、同一チップを使用する場合がほとんどであるが、し
かし、パッケージの種類によってそのリードの位置等が
異なるため、同時に多種のパッケージを組立可能とする
ボンディングパッドレイアウトは不可能な場合がある。
この様な場合、１つの端子に２ヶ以上のボンディングパ
ッドを設け、パッケージごとにボンディングパッドを使
い分ける方法が用いられる。
も、同一チップを使用する場合がほとんどであるが、し
かし、パッケージの種類によってそのリードの位置等が
異なるため、同時に多種のパッケージを組立可能とする
ボンディングパッドレイアウトは不可能な場合がある。
この様な場合、１つの端子に２ヶ以上のボンディングパ
ッドを設け、パッケージごとにボンディングパッドを使
い分ける方法が用いられる。
第２図は従来の半導体チップの第１の例の部分平面図
である。
である。
この半導体チップはDIP用とフラットパッケージ用の
両方に使えるように二つのボンディングパッド8a,8bを
設け、引出し配線7a,7bにより内部配線６に接続してい
る。
両方に使えるように二つのボンディングパッド8a,8bを
設け、引出し配線7a,7bにより内部配線６に接続してい
る。
DIPの組立時は、ボンディングパッド7aに対してボン
ディングを行い、他方のボンディングパッド7bは、オー
プンのままとする。フラットパッケージ組立時はその逆
となる。
ディングを行い、他方のボンディングパッド7bは、オー
プンのままとする。フラットパッケージ組立時はその逆
となる。
ボンディングパッド7a,7bは、その性質上周縁部のみ
絶縁保護膜で覆われるが、中央部分はAlが露出してい
る。従って、水分があると、まずボンディングパッドが
腐食され、次にボンディングパッドと絶縁保護膜との界
面から湿気等が浸入し、次第に引出し配線7a,7bを侵し
て行く。そして遂には内部配線６をも腐蝕し、最後には
断線させてしまい半導体装置を破壊してしまうという欠
点があった。
絶縁保護膜で覆われるが、中央部分はAlが露出してい
る。従って、水分があると、まずボンディングパッドが
腐食され、次にボンディングパッドと絶縁保護膜との界
面から湿気等が浸入し、次第に引出し配線7a,7bを侵し
て行く。そして遂には内部配線６をも腐蝕し、最後には
断線させてしまい半導体装置を破壊してしまうという欠
点があった。
第３図（ａ），（ｂ）は従来の半導体チップの第２の
例の平面図及びＢ−Ｂ′線断面図である。
例の平面図及びＢ−Ｂ′線断面図である。
この半導体チップは、ボンディングパッド8a,8bから
内部配線６への水分侵入経路を長くするために引出し配
線7a,7bを冗長的に長くしたものである。
内部配線６への水分侵入経路を長くするために引出し配
線7a,7bを冗長的に長くしたものである。
しかしながら、第３図に示したように、冗長的に長い
引出し配線を設けても、尚水分の侵入を抑制して配線の
腐食を遅らせるには不充分であるという欠点があった。
引出し配線を設けても、尚水分の侵入を抑制して配線の
腐食を遅らせるには不充分であるという欠点があった。
本考案は、内部回路が形成されている半導体基板と、
前記半導体基板の表面に選択的に形成されている絶縁膜
と、前記絶縁膜上に設けられた内部配線とボンディング
用パッドと前記内部配線とボンディングパッドとを接続
する引出し配線とを有する半導体装置において、前記絶
縁膜上でかつ前記引出し配線の通路に沿って四角形の多
結晶シリコン層を所定間隔をおいて複数個配置し前記多
結晶シリコン層の中央部にコンタクト用窓を有する層間
絶縁膜を設け、前記引出し配線を前記多結晶シリコン層
と接触させながら前記層間絶縁膜上に設けたことを特徴
とする。
前記半導体基板の表面に選択的に形成されている絶縁膜
と、前記絶縁膜上に設けられた内部配線とボンディング
用パッドと前記内部配線とボンディングパッドとを接続
する引出し配線とを有する半導体装置において、前記絶
縁膜上でかつ前記引出し配線の通路に沿って四角形の多
結晶シリコン層を所定間隔をおいて複数個配置し前記多
結晶シリコン層の中央部にコンタクト用窓を有する層間
絶縁膜を設け、前記引出し配線を前記多結晶シリコン層
と接触させながら前記層間絶縁膜上に設けたことを特徴
とする。
第１図（ａ），（ｂ）は本考案の一実施例の平面図及
びＡ−Ａ′線断面図である。
びＡ−Ａ′線断面図である。
シリコン基板１の表面にフィールド酸化膜２を設け
る。引出し配線7a,7bが通る配線路に沿って、かつフィ
ールド酸化膜２の上に四角形の多結晶シリコン層３を複
数個設ける。多結晶シリコン層３は電気的に浮いた状態
に形成する。この上に層間絶縁膜４を設け、多結晶シリ
コン層３の上にコンタクト用窓をあける。次にAlで内部
配線６、引出し配線7a,7b、ボンディングパッド8a,8bを
設ける。これにより多結晶シリコン層３は引出し配線７
と電気的に接続し、コンタクト９が形成される。絶縁保
護膜10を覆せて、ボンディングパッド部を窓あけして、
ボンディングパッド８を露出させる。
る。引出し配線7a,7bが通る配線路に沿って、かつフィ
ールド酸化膜２の上に四角形の多結晶シリコン層３を複
数個設ける。多結晶シリコン層３は電気的に浮いた状態
に形成する。この上に層間絶縁膜４を設け、多結晶シリ
コン層３の上にコンタクト用窓をあける。次にAlで内部
配線６、引出し配線7a,7b、ボンディングパッド8a,8bを
設ける。これにより多結晶シリコン層３は引出し配線７
と電気的に接続し、コンタクト９が形成される。絶縁保
護膜10を覆せて、ボンディングパッド部を窓あけして、
ボンディングパッド８を露出させる。
このように、電気的に浮いた多結晶シリコン層３を多
数配列すると、引出し配線7a,7bに凹凸が多数でき、こ
れにより引出し配線7a,7bの実効長が長くなり、ボンデ
ィングパッド8a,8bから内部配線６までの距離が長くな
る。従ってボンディングパッド８から侵入する水分は内
部配線６に達しにくくなり、Al等の配線腐食の進行が鈍
化される。
数配列すると、引出し配線7a,7bに凹凸が多数でき、こ
れにより引出し配線7a,7bの実効長が長くなり、ボンデ
ィングパッド8a,8bから内部配線６までの距離が長くな
る。従ってボンディングパッド８から侵入する水分は内
部配線６に達しにくくなり、Al等の配線腐食の進行が鈍
化される。
以上説明したように、本考案は、ボンディングパッド
と内部配線とをつなぐ引出し配線上に凹凸を設けて引出
し配線の実効長を長くしたので、水分の侵入を抑制し、
内部配線の腐食を抑制できるという効果を有する。
と内部配線とをつなぐ引出し配線上に凹凸を設けて引出
し配線の実効長を長くしたので、水分の侵入を抑制し、
内部配線の腐食を抑制できるという効果を有する。
第１図（ａ），（ｂ）は本考案の一実施例の平面図及び
Ａ−Ａ′線断面図、第２図は従来の半導体チップの第１
の例の平面図、第３図（ａ），（ｂ）は従来の半導体チ
ップの第２の例の平面図及びＢ−Ｂ′線断面図である。 １……シリコン基板、２……フィールド酸化膜、３……
多結晶シリコン層、４……層間絶縁膜、６……内部配
線、7a,7b……引出し配線、8a,8b……ボンディングパッ
ド、９……コンタクト、10……絶縁保護膜。
Ａ−Ａ′線断面図、第２図は従来の半導体チップの第１
の例の平面図、第３図（ａ），（ｂ）は従来の半導体チ
ップの第２の例の平面図及びＢ−Ｂ′線断面図である。 １……シリコン基板、２……フィールド酸化膜、３……
多結晶シリコン層、４……層間絶縁膜、６……内部配
線、7a,7b……引出し配線、8a,8b……ボンディングパッ
ド、９……コンタクト、10……絶縁保護膜。
Claims (1)
- 【請求項１】内部回路が形成されている半導体基板と、
前記半導体基板の表面に選択的に形成されている絶縁膜
と、前記絶縁膜上に設けられた内部配線とボンディング
用パッドと前記内部配線とボンディングパットとを接続
する引出し配線とを有する半導体装置において、前記絶
縁膜上でかつ前記引出し配線の通路に沿って四角形の多
結晶シリコン層を所定間隔をおいて複数個配置し前記多
結晶シリコン層の中央部にコンタクト用窓を有する層間
絶縁膜を設け、前記引出し配線を前記多結晶シリコン層
と接触させながら前記層間絶縁膜上に設けたことを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4710589U JP2505003Y2 (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4710589U JP2505003Y2 (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02138429U JPH02138429U (ja) | 1990-11-19 |
| JP2505003Y2 true JP2505003Y2 (ja) | 1996-07-24 |
Family
ID=31562749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4710589U Expired - Lifetime JP2505003Y2 (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2505003Y2 (ja) |
-
1989
- 1989-04-20 JP JP4710589U patent/JP2505003Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02138429U (ja) | 1990-11-19 |
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