JP2781688B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に係わり、
特に絶縁膜上にアルミニウムにより形成されたボンディ
ングパッドを有する半導体装置に関する。
特に絶縁膜上にアルミニウムにより形成されたボンディ
ングパッドを有する半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のアルミニウムにより電極が形成さ
れている半導体装置は、図３に示すように、半導体基板
１上の絶縁膜２Ｃ上にアルミニウム層により内部上層配
線５が形成され、それと連結して表面保護膜７が開孔さ
れたボンディングパッド４を有している。
れている半導体装置は、図３に示すように、半導体基板
１上の絶縁膜２Ｃ上にアルミニウム層により内部上層配
線５が形成され、それと連結して表面保護膜７が開孔さ
れたボンディングパッド４を有している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
では、チップとしては表面保護膜７で被覆されていて
も、ボンディングパッド４は、アルミニウム電極が露出
することになり、水分が浸入した場合、アルミニウムが
腐食しオープン不良になるというような問題点があっ
た。
では、チップとしては表面保護膜７で被覆されていて
も、ボンディングパッド４は、アルミニウム電極が露出
することになり、水分が浸入した場合、アルミニウムが
腐食しオープン不良になるというような問題点があっ
た。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、アルミ
ニウムにより内部上層配線およびボンディングパッドを
形成している半導体装置において、アルミニウムによる
前記内部上層配線の端部分に配線幅を大きくした幅広の
接続電極部が形成され、アルミニウムによる前記ボンデ
ィングパッドとアルミニウムによる前記接続電極部は互
いに離間して対向配置しており、前記ボンディングパッ
ドの全底面下に接続形成された多結晶シリコン膜がその
まま前記接続電極部下まで延在して該接続電極部と接続
し、これによりアルミニウムによる前記ボンディングパ
ッドとアルミニウムによる内部上部配線の接続電極部と
は前記多結晶シリコン膜にのみにより電気的に接続して
いる半導体装置にある。
ニウムにより内部上層配線およびボンディングパッドを
形成している半導体装置において、アルミニウムによる
前記内部上層配線の端部分に配線幅を大きくした幅広の
接続電極部が形成され、アルミニウムによる前記ボンデ
ィングパッドとアルミニウムによる前記接続電極部は互
いに離間して対向配置しており、前記ボンディングパッ
ドの全底面下に接続形成された多結晶シリコン膜がその
まま前記接続電極部下まで延在して該接続電極部と接続
し、これによりアルミニウムによる前記ボンディングパ
ッドとアルミニウムによる内部上部配線の接続電極部と
は前記多結晶シリコン膜にのみにより電気的に接続して
いる半導体装置にある。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例のボンディングパッド周辺
部の上面からのパターン説明図（ａ）及びその断面構造
説明図（ｂ）である。
る。図１は本発明の一実施例のボンディングパッド周辺
部の上面からのパターン説明図（ａ）及びその断面構造
説明図（ｂ）である。
【０００６】図１の実施例では酸化膜等の絶縁膜２ｂの
上にリン等を高濃度に拡散、またはイオン注入された多
結晶シリコン膜３を形成する。次に、層間の絶縁膜２ａ
を被着し、アルミニウムボンディングパッド４を形成す
る領域にコンタクト孔をあけ、多結晶シリコン膜３の上
に直接アルミニウムボンディングパッド４を形成してい
る。さらに、この多結晶シリコン膜３の一端にコンタク
ト孔６をあけ、アルミニウク接続電極部８を形成し上部
アルミニウム内部配線５に接続されている。ここで、ア
ルミニウムボンディングパッド４とアルミニウム接続電
極部８が、多結晶シリコン膜３で結ばれることになるた
め、抵抗分が無視できるように多結晶シリコン膜３のシ
ート抵抗（以下ρs という）を小さくし、またコンタク
ト孔間距離Ｌをアルミニウムボンディングパッド４から
水分が浸入した時、アルミニウム接続電極部８までに到
ることのない距離まで短かくし、コンタクト孔６の幅Ｗ
を十分に大きくとっている。
上にリン等を高濃度に拡散、またはイオン注入された多
結晶シリコン膜３を形成する。次に、層間の絶縁膜２ａ
を被着し、アルミニウムボンディングパッド４を形成す
る領域にコンタクト孔をあけ、多結晶シリコン膜３の上
に直接アルミニウムボンディングパッド４を形成してい
る。さらに、この多結晶シリコン膜３の一端にコンタク
ト孔６をあけ、アルミニウク接続電極部８を形成し上部
アルミニウム内部配線５に接続されている。ここで、ア
ルミニウムボンディングパッド４とアルミニウム接続電
極部８が、多結晶シリコン膜３で結ばれることになるた
め、抵抗分が無視できるように多結晶シリコン膜３のシ
ート抵抗（以下ρs という）を小さくし、またコンタク
ト孔間距離Ｌをアルミニウムボンディングパッド４から
水分が浸入した時、アルミニウム接続電極部８までに到
ることのない距離まで短かくし、コンタクト孔６の幅Ｗ
を十分に大きくとっている。
【０００７】図２は、本発明に関連のある技術のボンデ
ィングパッド周辺部の上面からのパターン説明図（ａ）
及びその断面構造説明図（ｂ）である。
ィングパッド周辺部の上面からのパターン説明図（ａ）
及びその断面構造説明図（ｂ）である。
【０００８】この図２では、多結晶シリコン膜を下にし
たアルミニウムボンディングパッド４とアルミニウム電
極自身で接続したプラズマ窒化膜等の表面保護膜７で被
覆されているアルミニウム接続電極部８を有している。
アルミニウム電極でアルミニウムボンディングパッド４
と接続しているため、両者の間に抵抗分をもつことが全
くない。この図２では、アルミニウムボンディングパッ
ド４からアルミニウム電極沿いに水分が浸入し上層アル
ミニウム内部配線５が腐食し、オープン不良になること
を防止するため、その経路となるアルミニウムボンディ
ングパッドとアルミニウム接続電極部８との接続部分を
細くしている。
たアルミニウムボンディングパッド４とアルミニウム電
極自身で接続したプラズマ窒化膜等の表面保護膜７で被
覆されているアルミニウム接続電極部８を有している。
アルミニウム電極でアルミニウムボンディングパッド４
と接続しているため、両者の間に抵抗分をもつことが全
くない。この図２では、アルミニウムボンディングパッ
ド４からアルミニウム電極沿いに水分が浸入し上層アル
ミニウム内部配線５が腐食し、オープン不良になること
を防止するため、その経路となるアルミニウムボンディ
ングパッドとアルミニウム接続電極部８との接続部分を
細くしている。
【０００９】また本発明におけるボンディングパッド４
の下に備えた多結晶シリコン３は、半導体チップにおい
て抵抗として使用している多結晶シリコンと同時に形成
することができるため、大幅の工程増加、コストアップ
となることがない。
の下に備えた多結晶シリコン３は、半導体チップにおい
て抵抗として使用している多結晶シリコンと同時に形成
することができるため、大幅の工程増加、コストアップ
となることがない。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ボンディ
ングパッドの下に多結晶シリコン膜を備えることによ
り、水分の浸入によってアルミニウム電極が腐食して
も、その上にボンディングしている金線が封止している
樹脂等に押さえられている限り、多結晶シリコンは腐食
しないため、その多結晶シリコンによりアルミニウム配
線部と導通がとれ、オープン不良にならないという効果
がある。
ングパッドの下に多結晶シリコン膜を備えることによ
り、水分の浸入によってアルミニウム電極が腐食して
も、その上にボンディングしている金線が封止している
樹脂等に押さえられている限り、多結晶シリコンは腐食
しないため、その多結晶シリコンによりアルミニウム配
線部と導通がとれ、オープン不良にならないという効果
がある。
【図１】本発明の一実施例の上面からのパターン説明図
（ａ）及びその断面構造説明図（ｂ）。
（ａ）及びその断面構造説明図（ｂ）。
【図２】本発明に関連する技術における上面からのパタ
ーン説明図（ａ）及びその断面構造説明図（ｂ）。
ーン説明図（ａ）及びその断面構造説明図（ｂ）。
【図３】従来の技術により上面からのパターン説明図
（ａ）及びその断面構造説明図（ｂ）。
（ａ）及びその断面構造説明図（ｂ）。
１ 半導体基板 ２ 絶縁膜 ３ 多結晶シリコン ４ アルミニウムボンディングパッド ５ アルミニウム配線 ６ コンタクト孔 ７ 表面保護膜 ８ アルミニウム接続電極部
Claims (1)
- 【請求項１】 アルミニウムにより内部上層配線および
ボンディングパッドを形成している半導体装置におい
て、アルミニウムによる前記内部上層配線の端部分に配
線幅を大きくした幅広の接続電極部が形成され、アルミ
ニウムによる前記ボンディングパッドとアルミニウムに
よる前記接続電極部は互いに離間して対向配置してお
り、前記ボンディングパッドの全底面下に接続形成され
た多結晶シリコン膜がそのまま前記接続電極部下まで延
在して該接続電極部と接続し、これによりアルミニウム
による前記ボンディングパッドとアルミニウムによる内
部上部配線の接続電極部とは前記多結晶シリコン膜にの
みにより電気的に接続していることを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4000073A JP2781688B2 (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4000073A JP2781688B2 (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05183006A JPH05183006A (ja) | 1993-07-23 |
| JP2781688B2 true JP2781688B2 (ja) | 1998-07-30 |
Family
ID=11464002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4000073A Expired - Fee Related JP2781688B2 (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2781688B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5678668B2 (ja) * | 2011-01-05 | 2015-03-04 | 三菱電機株式会社 | 配線パターン |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0682703B2 (ja) * | 1986-06-11 | 1994-10-19 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| JPH0217842U (ja) * | 1988-07-18 | 1990-02-06 |
-
1992
- 1992-01-06 JP JP4000073A patent/JP2781688B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05183006A (ja) | 1993-07-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980414 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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