JPH02138429U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02138429U JPH02138429U JP4710589U JP4710589U JPH02138429U JP H02138429 U JPH02138429 U JP H02138429U JP 4710589 U JP4710589 U JP 4710589U JP 4710589 U JP4710589 U JP 4710589U JP H02138429 U JPH02138429 U JP H02138429U
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- Japan
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- insulating film
- wiring
- polycrystalline silicon
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Description
第１図ａ，ｂは本考案の一実施例の平面図及び
Ａ−Ａ′線断面図、第２図は従来の半導体チツプ
の第１の例の平面図、第３図ａ，ｂは従来の半導
体チツプの第２の例の平面図及びＢ−Ｂ′線断面
図である。 １……シリコン基板、２……フイールド酸化膜
、３……多結晶シリコン層、４……層間絶縁膜、
６……内部配線、７ａ，７ｂ……引出し配線、８
ａ，８ｂ……ボンデイングパツド、９……コンタ
クト、１０……絶縁保護膜。
Ａ−Ａ′線断面図、第２図は従来の半導体チツプ
の第１の例の平面図、第３図ａ，ｂは従来の半導
体チツプの第２の例の平面図及びＢ−Ｂ′線断面
図である。 １……シリコン基板、２……フイールド酸化膜
、３……多結晶シリコン層、４……層間絶縁膜、
６……内部配線、７ａ，７ｂ……引出し配線、８
ａ，８ｂ……ボンデイングパツド、９……コンタ
クト、１０……絶縁保護膜。
Claims (1)
- 内部回路が形成されている半導体基板と、前記
半導体基板の表面に選択的に形成されている絶縁
膜と、前記絶縁膜上に設けられた内部配線とボン
デイング用パツドと前記内部配線とボンデイング
パツドとを接続する引出し配線とを有する半導体
装置において、前記絶縁膜上でかつ前記引出し配
線の通路に沿つて四角形の多結晶シリコン層を所
定間隔をおいて複数個配置し前記多結晶シリコン
層の中央部にコンタクト用窓をする層間絶縁膜を
設け、前記引出し配線を前記多結晶シリコン層と
接触させながら前記層間絶縁膜上に設けたことを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4710589U JP2505003Y2 (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4710589U JP2505003Y2 (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02138429U true JPH02138429U (ja) | 1990-11-19 |
| JP2505003Y2 JP2505003Y2 (ja) | 1996-07-24 |
Family
ID=31562749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4710589U Expired - Lifetime JP2505003Y2 (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2505003Y2 (ja) |
-
1989
- 1989-04-20 JP JP4710589U patent/JP2505003Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2505003Y2 (ja) | 1996-07-24 |