JPH0245640U - - Google Patents

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JPH0245640U
JPH0245640U JP12481588U JP12481588U JPH0245640U JP H0245640 U JPH0245640 U JP H0245640U JP 12481588 U JP12481588 U JP 12481588U JP 12481588 U JP12481588 U JP 12481588U JP H0245640 U JPH0245640 U JP H0245640U
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JP
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electrode pad
insulating film
semiconductor substrate
area
covering
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JP12481588U
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【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施例を示す半導体チツプ
の断面図、第2図は従来の半導体装置の一例を示
す半導体チツプの断面図、第3図は第2図に示す
半導体チツプを回路基板に接続した状態を示す半
導体チツプと含めた回路基板の部分断面図である
。 1……半導体基板、2……絶縁膜、2a……第
1の絶縁膜、3……電極パツド、3a……第1の
電極パツド、4……素子領域、5……電極パツド
領域、6……第2の絶縁膜、7……金属層、8…
…バリア金属層、9……バンプ、10……コンタ
クト、11……第2の電極パツド、12……回路
基板、13……リード。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基板上に電子回路素子が形成された素子
    領域と、前記領域の周囲に形成された第1の電極
    パツドと、前記第1の電極パツドを露出させて前
    記素子領域を含む前記半導体基板を覆う第1の絶
    縁膜と、前記第1の絶縁膜を覆う第2の絶縁膜と
    、前記第2の絶縁膜上に形成されるとともに前記
    第1の電極パツドにコンタクトにより接続される
    前記第1の電極パツドより大きい所定寸法の第2
    の電極パツドと、前記第2の電極上に形成された
    バンプとを備えたことを特徴とする半導体装置。
JP12481588U 1988-09-22 1988-09-22 Pending JPH0245640U (ja)

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JP12481588U JPH0245640U (ja) 1988-09-22 1988-09-22

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JPH0245640U true JPH0245640U (ja) 1990-03-29

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