JPS60942U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS60942U
JPS60942U JP9132483U JP9132483U JPS60942U JP S60942 U JPS60942 U JP S60942U JP 9132483 U JP9132483 U JP 9132483U JP 9132483 U JP9132483 U JP 9132483U JP S60942 U JPS60942 U JP S60942U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor equipment
conductive layer
layer plane
capacitance
semiconductor device
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Pending
Application number
JP9132483U
Other languages
English (en)
Inventor
小山　遠也
Original Assignee
日本電気アイシ−マイコンシステム株式会社
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Publication date
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Publication of JPS60942U publication Critical patent/JPS60942U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案における半導体装置の２層構造の断面図
であり、第２図はその平面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・埋込み、３
・・・・・・エピタキシャル層（Ｎ）、４・・・・・・
拡散層（Ｐ＋）、５・・・・・・コンタクト、６・・・
・・・拡散層（Ｎ”）　、７−−−−−−コンタクト、
８・・・・・・導電層平面領域、９・・・・・・絶縁層
、１０・・・・・・絶縁層、１１・・・・・・スルーホ
ール、１２・・・・・・導電層平面領域、１３・・・・
・・コンタクト。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 多層配線構造において半導体基板上に形成されたトラン
    ジスタ構造素子におけるＰ、　Ｎ接合容量と絶縁層をは
    さむ拡散層と導電層平面領域および２つの導電層平面領
    域によってできる容量とよりなる容量素子を含むことを
    特徴とする半導体装置。
JP9132483U 1983-06-15 1983-06-15 半導体装置 Pending JPS60942U (ja)

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JP9132483U JPS60942U (ja) 1983-06-15 1983-06-15 半導体装置

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JP9132483U JPS60942U (ja) 1983-06-15 1983-06-15 半導体装置

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JPS60942U true JPS60942U (ja) 1985-01-07

Family

ID=30221300

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JP9132483U Pending JPS60942U (ja) 1983-06-15 1983-06-15 半導体装置

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Country Link
JP (1) JPS60942U (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6034854U (ja) * 1983-08-17 1985-03-09 有山　勲 消火装置
JPS61159948U (ja) * 1985-03-25 1986-10-03
JPS6218159U (ja) * 1985-07-16 1987-02-03

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6034854U (ja) * 1983-08-17 1985-03-09 有山　勲 消火装置
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