JPS58122462U - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS58122462U JPS58122462U JP2016082U JP2016082U JPS58122462U JP S58122462 U JPS58122462 U JP S58122462U JP 2016082 U JP2016082 U JP 2016082U JP 2016082 U JP2016082 U JP 2016082U JP S58122462 U JPS58122462 U JP S58122462U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- conductive material
- semiconductor
- material layer
- frequency circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は本考案半導体装置の断面図、第２図は本考案半
導体装置の切欠上面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・Ｎ型層、３
，３・・・・・・分離領域、８・ソ・・・第２の絶縁膜
、９・・−・・・導電性物質層、１０．１０・・・・・
・スルーホール。
導体装置の切欠上面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・Ｎ型層、３
，３・・・・・・分離領域、８・ソ・・・第２の絶縁膜
、９・・−・・・導電性物質層、１０．１０・・・・・
・スルーホール。
Claims (1)
- 一導電型半導体基板の表部針に設けられた逆導電型層と
、該逆導電型層内に形成された１もしくは複数の半導体
素子と、これらの半導体素子を電気的に接続する配線金
属とで構成される高周波回路をもつ半導体装置において
、該高周波回路の上面に絶縁膜を介して導電性物質層を
設け、この導電性物質層は絶縁膜に穿たれたスルーホー
ルを通して上記−導電型半導体基板に電気的に接続する
事に依ってこの導電性物質層と一導電型半導体基板とそ
上記高周波回路をシールドする事を特徴とした半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016082U JPS58122462U (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016082U JPS58122462U (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58122462U true JPS58122462U (ja) | 1983-08-20 |
Family
ID=30032334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016082U Pending JPS58122462U (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58122462U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61263260A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-21 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1982
- 1982-02-15 JP JP2016082U patent/JPS58122462U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61263260A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-21 | Nec Corp | 半導体装置 |
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