JPS5954961U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS5954961U
JPS5954961U JP14890782U JP14890782U JPS5954961U JP S5954961 U JPS5954961 U JP S5954961U JP 14890782 U JP14890782 U JP 14890782U JP 14890782 U JP14890782 U JP 14890782U JP S5954961 U JPS5954961 U JP S5954961U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
insulating layer
semiconductor equipment
resistor layer
conductivity type
Prior art date
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Pending
Application number
JP14890782U
Other languages
English (en)
Inventor
真木 佐藤
Original Assignee
ソニー株式会社
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS5954961U publication Critical patent/JPS5954961U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装置の断面図、第２図はその等価
回路図、第３図及び第４図は本考案の説明に供する断面
図及びその平面図、第５図はその等価回路図、第６図乃
至第８図は改良型半導体装置の拡大平面図、そのＡ−Ａ
線上の拡大断面図及びそのＢ−Ｂ線上の拡大断面図、第
９図乃至第１１図は本考案による半導体装置の一例の拡
大平面図とそのＡ、−Ａ線上及びＢ−Ｂ線上の拡大断面
図である。 １は半導体基体、２及び３は第１領域及び第２領域、４
はゲート絶縁層、５は抵抗体層、８は貫通孔、Ｓ、　Ｄ
、　Ｇは電極である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 第１導電形の半導体基体と、該基体表面に所定間隔をも
    って形成された第２導電形の第１領域及び第２領域と、
    上記基体表面の少くとも第１領域、第１領域と第２領域
    の間及び第１領域に関して第２領域と反対側の第１部分
    の上に絶縁層を介して形成された抵抗体層と、上記第１
    領域上の絶縁層と抵抗体層とに形成された少くとも１つ
    の貫通孔と、該貫通孔を介した第１領域、第２領域及び
    第１部分の抵抗体層との上に夫々設けられた電極とを有
    し、上記第１部分に設けられた電極上に絶縁層を介して
    遮蔽電極が被覆されて成る半導体装置。
JP14890782U 1982-09-30 1982-09-30 半導体装置 Pending JPS5954961U (ja)

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JPS5954961U true JPS5954961U (ja) 1984-04-10

Family

ID=30330701

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51120683A (en) * 1975-04-16 1976-10-22 Agency Of Ind Science & Technol Field-effect transistor and its fabrication
JPS5339084A (en) * 1976-09-22 1978-04-10 Hitachi Ltd Silicon gate mis semiconductor device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51120683A (en) * 1975-04-16 1976-10-22 Agency Of Ind Science & Technol Field-effect transistor and its fabrication
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