JPS5812949U - 半導体集積回路の多層配線構造 - Google Patents

半導体集積回路の多層配線構造

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JPS5812949U
JPS5812949U JP10794581U JP10794581U JPS5812949U JP S5812949 U JPS5812949 U JP S5812949U JP 10794581 U JP10794581 U JP 10794581U JP 10794581 U JP10794581 U JP 10794581U JP S5812949 U JPS5812949 U JP S5812949U
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JP
Japan
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multilayer wiring
wiring structure
semiconductor integrated
oxide film
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Inventor
藤沼 近雄
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三洋電機株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案を説明する断面図、第2図は本考案の効
果を示す特性図である。 1は半導体基板、2は素子、3はシリコン酸化膜、4は
第1の電極、5はダミー電極、6はポリイミド膜、7は
第2の電極である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基板と該基板に形成された複数の素子と前記基板
    表面を被覆する酸化膜と前記素子の各領域とオーミック
    接触し前記酸化膜上を延在される第1の電極と前記酸化
    膜および第1の電極を被覆するポリイミド膜と前記第1
    の電極と接続され前記ポリイミド膜上を延在される第2
    の電極とを具備する半導体集積回路の多層配線構造に於
    いて、前記第2の電極の延在部分の前記酸化膜上にダミ
    ー電極を設は両者を接続することを特徴とする半導体集
    積回路の多層配線構造。
JP10794581U 1981-07-20 1981-07-20 半導体集積回路の多層配線構造 Granted JPS5812949U (ja)

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JPH0314050Y2 JPH0314050Y2 (ja) 1991-03-28

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5553441A (en) * 1978-10-14 1980-04-18 Sony Corp Semiconductor device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5553441A (en) * 1978-10-14 1980-04-18 Sony Corp Semiconductor device

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