JPS60125751U - 半導体スイツチング素子 - Google Patents

半導体スイツチング素子

Info

Publication number
JPS60125751U
JPS60125751U JP1340684U JP1340684U JPS60125751U JP S60125751 U JPS60125751 U JP S60125751U JP 1340684 U JP1340684 U JP 1340684U JP 1340684 U JP1340684 U JP 1340684U JP S60125751 U JPS60125751 U JP S60125751U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
conductivity type
island
semiconductor switching
island region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1340684U
Other languages
English (en)
Inventor
哲郎 浅野
Original Assignee
三洋電機株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三洋電機株式会社 filed Critical 三洋電機株式会社
Priority to JP1340684U priority Critical patent/JPS60125751U/ja
Publication of JPS60125751U publication Critical patent/JPS60125751U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はＰＮＰＮＰＮ構造の半導体スイッチング素子の
等価回路図、第２図は従来の半導体集積回路に組め込ま
れた半導体スイッチング素子の断面図、第３図は本考案
の半導体スイッチング素子を説明する断面図である。 主な図番の説明、１１は半導体基板、１２はエピタキシ
ャル層、１４は島領域、１５は第１埋込層、１６は第２
埋込層、１７は第１領域、１８は第２領域、２０は第３
領域、２４は第４領域である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型の半導体基板と該基板上に設けた逆導電型のエ
    ピタキシャル層と一導電型の分離領域により前記エピタ
    キシャル層を電気的に分離して形成した島領域とを具備
    し、該島領域底面に逆導電型の第１埋込層と一導電型の
    第２埋込層を順次設け、前記島領域表面に一導電型の第
    １領域を設け、該第１領域を取り囲み且つ前記第２埋込
    層まで達する一導電型の第２領域を設け、前記島領域の
    前記第２領域の外側に二重拡散して一導電型の第３領域
    および逆導電型の第４領域を設け、前記第１領域と第４
    領域間にＰＮＰＮＰＮ構造を形成して成る半導体スイッ
    チング素子。
JP1340684U 1984-02-01 1984-02-01 半導体スイツチング素子 Pending JPS60125751U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1340684U JPS60125751U (ja) 1984-02-01 1984-02-01 半導体スイツチング素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1340684U JPS60125751U (ja) 1984-02-01 1984-02-01 半導体スイツチング素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60125751U true JPS60125751U (ja) 1985-08-24

Family

ID=30497383

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1340684U Pending JPS60125751U (ja) 1984-02-01 1984-02-01 半導体スイツチング素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60125751U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011243910A (ja) * 2010-05-21 2011-12-01 Oki Data Corp 駆動装置、プリントヘッド及び画像形成装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011243910A (ja) * 2010-05-21 2011-12-01 Oki Data Corp 駆動装置、プリントヘッド及び画像形成装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS60125751U (ja) 半導体スイツチング素子
JPS60125750U (ja) 半導体スイツチング素子
JPS60125749U (ja) 半導体スイツチング素子
JPS60942U (ja) 半導体装置
JPS58106954U (ja) ダイオ−ド
JPS58124953U (ja) 半導体集積回路装置
JPS60137450U (ja) 半導体抵抗装置
JPS60125747U (ja) コンデンサ
JPS60153548U (ja) ラテラル型トランジスタ
JPS60144255U (ja) トランジスタ
JPS5832662U (ja) 半導体装置
JPS5846461U (ja) 半導体集積回路装置
JPS6122370U (ja) 光起電力素子
JPS5827936U (ja) 半導体装置
JPS60166155U (ja) 接合型コンデンサ
JPS6219757U (ja)
JPS60125748U (ja) ラテラル型トランジスタ
JPH01113366U (ja)
JPS6113956U (ja) 集積回路に組込まれるツエナ−ダイオ−ド
JPS60137451U (ja) 半導体抵抗装置
JPS6071153U (ja) 半導体装置
JPS5812949U (ja) 半導体集積回路の多層配線構造
JPS60137454U (ja) 信号読み出し装置
JPS59185833U (ja) 半導体装置
JPS5829852U (ja) 半導体集積回路に組み込むツエナ−ダイオ−ド